CN113048783B - 一种钐钴真空烧结炉及其应用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及永磁材料制备领域，公开了一种钐钴真空烧结炉及其应用方法，该钐钴真空烧结炉包括：炉体以及设于炉体外与炉体连通的换热冷却机构，炉体内设有旋转底盘、位于旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；炉体外设有驱动机构；炉体上设有保护罩升降机构；烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构。本发明真空烧结炉可有效抑制钐挥发并提高烧结冷却均温性，具有操作便捷、冷却均匀、节能环保的特点，可解决生产效率无法满足需求的问题。

Description

一种钐钴真空烧结炉及其应用方法
技术领域
本发明涉及永磁材料制备技术领域，尤其涉及一种钐钴真空烧结炉及其应用方法。
背景技术
真空烧结炉是在真空环境下或惰性气体保护条件下，利用加热设备元件对金属粉末进行烧结的成套设备，并在烧结结束后可实现快速冷却，达到金属所需形成的相组织。而对于钐钴磁体的烧结工艺而言，钐钴产品在烧结时会有大量的钐挥发，污染整个真空系统，会引起加热棒打火，测温不准，测压不准，挥发金属覆盖在绝缘体上，影响整个设备安全性，并且挥发的钐极难清理，降低加热元件，保温元件的寿命。
另一方面，为获得较高的磁性能，特别是具有高剩磁的钐钴磁体，需具有较快的冷却速率，为保证产品性能的均匀性，冷却的均温性也是影响磁材性能的关键因素。然而传统的真空烧结炉烧结完成后通过单一风机和换热器冷却，冷却方式单一，冷速无可调节范围，炉体内钐钴磁体的摆放位置不同冷速也具有一定差异，不仅冷却时间较长，冷却的均匀性也较差，严重影响钐钴磁体产品的量产合格率及产品品质，严重浪费能源和稀土资源。
现有技术中，中国专利CN203992395U公开了一种真空烧结炉冷却系统，其包括用于向烧结炉内送风的冷却循环风机，烧结炉的出风口与冷却循环风机的进风口连通形成闭环风道，烧结炉出风口与冷却循环风机的进风口之间的管路上设有冷却器，冷却器为热交换冷却盘管。
中国专利CN107036436B公开了一种烧结炉的冷却系统，该真空冷却系统包括上冷却器、下冷却器、第一罗茨泵、第二罗茨泵、大气喷射泵、水环泵和炉内冷却装置，所述上冷却器和所述炉内冷却装置连通，并与第一罗茨泵、第二罗茨泵、大气喷射泵和水环泵依次连通；所述下冷却器和所述炉内冷却装置连通，并与第二罗茨泵、大气喷射泵和水环泵依次连通。
针对烧结过程中钐的挥发问题，目前主要是采用在烧结温度达到前，充入大量惰性气体，使得快速达到钐挥发的饱和蒸气压，进而减少钐的挥发量。但长期使用依然对炉体内部产生较大污染，以及对炉体内各器件的损伤。包括上述专利在内的现有技术中主要通过循环风机的改造以及冷却器的接入达到真空烧结快速冷却的目的，但是风机的尺寸或转速越大，电能消耗较大，冷却速率单一，且冷却速率仍然受限；相关冷却设备的接入或增加，也会增加总设备的场地占用面积和拆装难度，因此均难以满足生产效益最大化的工业生产需求。
发明内容
本发明主要解决现有烧结炉无法针对钐钴烧结过程中钐挥发这一难题，钐的长期挥发，并在炉体内部的大量附着，对炉体内部的加热元件、测温元件、保温元件均产生严重损害。同时，现有技术中存在冷却速率较慢，冷却速率单一、冷却温区不均匀等问题。针对以上问题，该发明提供了一种钐钴真空烧结炉及其应用方法，本发明真空烧结炉可有效抑制钐挥发并提高烧结冷却均温性，具有操作便捷、冷却均匀、节能环保的特点，可解决生产效率无法满足需求的问题。
本发明的具体技术方案为：
第一方面，本发明公开了一种钐钴真空烧结炉，包括炉体以及设于所述炉体外与炉体连通的换热冷却机构。所述炉体内设有旋转底盘、位于所述旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；所述炉体外设有用于驱动旋转底盘的驱动机构；所述炉体上设有用于驱动烧结保护罩的保护罩升降机构；所述烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构。
本发明的真空烧结炉最大的特点在于炉体内部设有可将升降的烧结保护罩以及可旋转的旋转底盘。可根据烧结程序控制保护罩的升降，降低钐可挥发的空间。在生坯的加热阶段，烧结保护罩保持开启状态，保证钐钴生胚能有效排气，排除粉料中混有的杂质及有机溶剂气体，待排气完成后，将烧结保护罩下降与旋转底盘紧密连接，并且该烧结保护罩与旋转底盘之间设有通气结构，可实现保护罩内外气压的平衡。且在烧结前将惰性气体充入保护罩内，在烧结过程中降低产品高温氧化，并降低空间内钐的饱和蒸气压，抑制钐的挥发。在烧结及固溶工艺结束后，即风冷前，烧结保护罩快速上升打开，换热冷却机构开启冷却。
另一方面，旋转底盘和换热冷却机构可组成具有回形送风和迭代风速的冷却系统，可根据调控转盘转速形成迭代冷速，并根据工艺要求增加或减缓风冷速度。不仅能够提高冷却速率，并且可确保炉体内各部位的磁体冷却均温性。
作为优选，所述烧结保护罩包括外保护罩和内保护罩，所述外保护罩罩设于内保护罩外且相互之间设有间隙，内保护罩上分布有内保护罩气孔。
作为优选，所述内保护罩的不同高度上设有若干层所述内保护罩气孔(为径向孔)，每一层的内保护罩气孔的弧间距等于相邻层内保护罩气之间的高度差。
将径向相邻内保护罩气孔的中心弧长距离设计为等于轴向相邻的内保护罩气孔的中心高度，可使风到达钐钴磁体前扩散角相交，达到全面覆盖均匀冷却钐钴磁体的目的。
作为优选，所述旋转底盘上设有进气阀门，在合拢状态下所述进气阀门与内、外保护罩之间的间隙形成所述通气结构。
所述进气阀门包括阀门本体和压差块；所述阀门本体中上下贯穿旋转底盘且具有中空气道，阀门本体的顶部和底部分别设有上进气孔、下进气孔，所述压差块通过所述中空气道的台阶位于阀门本体内。
阀门本体上具有上、下进气孔和压差块，能有效平衡烧结保护罩内外气压，当加热温度达到烧结温度前充入惰性气体(包括氩气、氮气、氦气的一种或多种混合的惰性气体)，惰性气体将通过进气阀门以及内保护罩均匀分布的进气孔进入保护罩内，并接触到钐钴生坯，当保护罩内外气压平衡时，压差块落下，封闭烧结保护罩，保证烧结阶段挥发出的钐不会排到保护罩外部，有效限制钐的挥发空间。
作为优选，所述换热冷却机构为回形换热冷却机构，包括连接后可形成回形冷却风的进风换热器、回风换热、回风管、离心风机和叶轮蜗壳。该机构属于现有技术。
作为优选，所述驱动机构中集成有伺服电机和减速器。
旋转底盘配有底盘伺服电机和减速器，伺服电机转速、角度可调，可最终带动毛坯托架旋转。
作为优选，所述烧结保护罩的材质为通体石墨，所述保护罩升降机构的材质为C-C复合材料，所述旋转底盘的材质为金属钼或石墨材料。
作为优选，所述旋转底盘为水平旋转。
作为优选，所述旋转底盘上设有毛坯料盒托架。
第二方面，本发明还提供了一种钐钴真空烧结炉制备烧结钐钴磁体的方法，包括以下步骤：
1)烧结：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经保温排气后，再升温进行预烧结，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，然后升温进行烧结，再降温，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，旋转底盘转向与换热冷却机构形成的回形风风向相同或相逆，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；
2)时效：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下进行保温时效，然后降温，得到烧结钐钴磁体。
在生坯的加热阶段，烧结保护罩保持开启状态，保证钐钴生胚能有效排气，排除粉料中混有的杂质及有机溶剂气体，待排气完成后，将烧结保护罩下降与旋转底盘紧密连接。在烧结前充入烧结保护罩内的惰性气体，可在烧结过程中降低产品高温氧化，并降低空间内钐的饱和蒸气压，抑制钐的挥发。在烧结及固溶工艺结束后，即风冷前，
烧结保护罩快速上升打开，换热冷却机构开启冷却。在该阶段，炉体内形成回形风，且旋转底盘转动，可使钐钴磁体均匀受热，提高冷却均温性。当转盘转动方向与回形风向相反时，即钐钴磁体逆风向转动，磁体冷却速率相对提高，当转盘转动方向与回形风向相同时，即钐钴磁体顺风向转动，磁体冷却速率相对降低。
作为优选，所述烧结具体为：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空至1×10-3～9×10-3Pa，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经200～250℃、450～500℃和850～950℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1150～1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，该过程中真空度保持在-0.04～-0.06MPa，然后升温至烧结温度1200～1250℃，烧结时间为30min～2h，再降温到1170～1185℃保持2～6h，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，旋转底盘转向可正反转控制，转速为5～30转/min，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；
作为优选，所述时效具体为：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下，旋转底盘启动，避免因温度段高低形成的设备均温性差异，在800～850℃保温8～15h，随后以0.5～0.7℃/min的速度降温至400～450℃，保温5～15h，然后风冷冷却至常温。
作为优选，在烧结阶段的风冷过程中，旋转底盘的旋转方向和转速可在不同冷却温度下进行切换，当冷却温度在1200～700℃时旋转方向与风冷回形风方向相同，当冷却温度低于700℃时旋转方向与风冷回形风向相反，该方法即能有效防止高温段极冷，防止开裂，又可在低温冷却段提高冷却速度保证高温相能保留，不发生相的分解。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：
(1)本发明的真空烧结炉内设有可升降的烧结保护罩，可根据烧结程序控制保护罩的升降，抑制钐的挥发。
(2)本发明的真空烧结炉内设有旋转底盘，在风冷阶段转动并与换热冷却机构配合，不仅可提高冷却速度，并可使钐钴磁体均匀受热，提高冷却均温性。
(3)本发明真空烧结炉中的烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下可形成具有阀门作用的通气结构，可确保烧结过程中烧结保护罩内外气压的平衡。
附图说明
图1是本发明真空烧结炉的一种剖面图(烧结保护罩开启状态)；
图2是本发明真空烧结炉中烧结保护罩的一种正视图；
图3是本发明真空烧结炉中进气阀门的一种剖面图；
图4是本发明真空烧结炉的一种剖面图(烧结保护罩关闭状态)；
图5是本发明真空烧结炉中烧结保护罩的一种立体图；
图6是本发明真空烧结炉中毛坯料盒托架和毛坯料盒的一种结构示意图；
图7是本发明真空烧结炉的一种侧视图；
图8是本发明真空烧结炉的一种俯视图；
图9是本发明真空烧结炉中烧结保护罩的一种俯视图；
图10是本发明真空烧结炉中的烧结保护罩的一种侧视图。
附图标记为：炉体1、旋转底盘2、驱动机构3、保护罩升降机构4、外保护罩5、内保护罩6、内保护罩气孔7、阀门本体8、压差块9、上进气孔10、下进气孔11、进风换热器12、回风换热器13、回风管14、离心风机15、叶轮蜗壳16、毛坯料盒托架17、毛坯料盒18。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对发明的技术方案作进一步具体的说明，全部实施例及对比例采用的钐钴生坯为同一批次，具有相同合金元素，经过相同熔炼、制粉和成型工艺获得。
总实施例
一种钐钴真空烧结炉，如图1、4、7和8所示，包括炉体1以及设于所述炉体外与炉体连通的换热冷却机构。所述炉体内设有可水平旋转的旋转底盘2(旋转底盘上设有用于固定防止毛坯料盒18的毛坯料盒托架17)、位于所述旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；所述炉体外设有用于驱动旋转底盘的驱动机构3(集成有伺服电机和减速器)；所述炉体上设有用于驱动烧结保护罩的保护罩升降机构4(气缸)；所述烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构。
其中，如图2和图5所示，所述烧结保护罩包括外保护罩5和内保护罩6，所述外保护罩罩设于内保护罩外且相互之间设有间隙，内保护罩上分布有内保护罩气孔7。如图3所示，所述旋转底盘上设有进气阀门，进气阀门包括阀门本体8和压差块9；所述阀门本体中上下贯穿旋转底盘且具有中空气道，阀门本体的顶部和底部分别设有上进气孔10、下进气孔11，所述压差块通过所述中空气道的台阶位于阀门本体内。在合拢状态下进气阀门与内、外保护罩之间的间隙形成所述通气结构。此外，如图9-10所示，所述内保护罩的不同高度上设有5层所述内保护罩气孔(为径向孔)，每一层的内保护罩气孔的弧间距为55mm，每层孔数为42个，相邻层内保护罩气之间的高度差为55mm。冷却风进入内保护罩气孔后的扩散角为36.56°，在到达磁体前相交。
如图8所示，所述换热冷却机构为回形换热冷却机构，包括连接后可形成回形冷却风的进风换热器12、回风换热器13、回风管14、离心风机15和叶轮蜗壳16。
在上述装置中，所述烧结保护罩的材质为通体石墨，所述保护罩升降机构的材质为C-C复合材料，所述旋转底盘的材质为金属钼或石墨材料。
一种钐钴真空烧结炉制备烧结钐钴磁体的方法，包括以下步骤：
作为优选，所述烧结具体为：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空至1×10-3～9×10-3Pa，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经200～250℃、450～500℃和850～950℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1150～1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，该过程中真空度保持在-0.04～-0.06MPa，然后升温至烧结温度1200～1250℃，烧结时间为30min～2h，再降温到1170～1185℃保持2～6h，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，旋转底盘转向可正反转控制，转速为5～30转/min，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；
作为优选，所述时效具体为：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下，旋转底盘启动，避免因温度段高低形成的设备均温性差异，在800～850℃保温8～15h，随后以0.5～0.7℃/min的速度降温至400～450℃，保温5～15h，然后风冷冷却至常温。
作为优选，在烧结阶段的风冷过程中，旋转底盘的旋转方向和转速可在不同冷却温度下进行切换，当冷却温度在1200～700℃时旋转方向与风冷回形风方向相同，当冷却温度低于700℃时旋转方向与风冷回形风向相反，该方法即能有效防止高温段极冷，防止开裂，又可在低温冷却段提高冷却速度保证高温相能保留，不发生相的分解。
实施例1
步骤一：烧结
将制备的钐钴磁体生坯，放入总实施例中所述的真空烧结炉内，然后关闭炉盖抽真空处理(抽真空至3×10-3Pa)，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体经200℃、500℃和900℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入氩气，氩气通过烧结保护罩的进气阀门顶起压差块，将氩气充入烧结保护罩内，该过程通过压力表及程序控制，使真空度保持在-0.05MPa，并使其稳定，然后升温至烧结温度1200℃，烧结时间为2h，之后降温到1180℃保持4h，然后开启保护罩，同时伺服电机启动，使旋转底盘逆时针方向转动，转速为25转/min，同时离心风机开启，所形成的回形风风向与旋转底盘转向相反，待快速冷却至室温，得到烧结钐钴磁体。
步骤二：时效
将烧结钐钴磁体毛坯在氩气气体保护下，在850℃保温15h，随后以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温10h，然后风冷冷却至常温。
采用永磁材料高温测量系统测量实施例1样品25℃的磁性能，磁性能数据见表1。
实施例2
步骤一：烧结
将制备的钐钴磁体生坯，放入总实施例中所述的真空烧结炉内，然后关闭炉盖抽真空处理(抽真空至3×10-3Pa)，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体经200℃、500℃和900℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入氩气，氩气通过烧结保护罩的进气阀门顶起压差块，将氩气充入烧结保护罩内，该过程通过压力表及程序控制，使真空度保持在-0.05MPa，并使其稳定，然后升温至烧结温度1200℃，烧结时间为2h，之后降温到1180℃保持4h，然后开启烧结保护罩，同时伺服电机启动，同时伺服电机启动，使旋转底盘顺时针方向转动，转速为25转/min，同时离心风机开启，所形成的回形风风向与旋转底盘转向相同，待快速冷却至室温，得到烧结钐钴磁体。
步骤二：时效
将烧结钐钴磁体毛坯在氩气气体保护下，在850℃保温15h，随后以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温10h，然后风冷冷却至常温。
采用永磁材料高温测量系统测量实施例2样品25℃的磁性能，磁性能数据见表1。
实施例3
将制备的钐钴磁体生坯，放入总实施例中所述的真空烧结炉内，然后关闭炉盖抽真空处理(抽真空至3×10-3Pa)，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体经200℃、500℃和900℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入氩气，氩气通过烧结保护罩的进气阀门顶起压差块，将氩气充入烧结保护罩内，该过程通过压力表及程序控制，使真空度保持在-0.05MPa，并使其稳定，然后升温至烧结温度1200℃，烧结时间为2h，之后降温到1180℃保持4h，然后开启保护罩，同时伺服电机启动，离心风机开启，当冷却温度在1180～700℃时旋转方向与风冷回形风方向相同，转速为20转/min，当冷却温度低于700℃时旋转方向与风冷回形风向相反，转速为30转/min，快速冷却至室温，得到烧结钐钴磁体。
步骤二：时效
将烧结钐钴磁体毛坯在氩气气体保护下，在850℃保温15h，随后以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温10h，然后风冷冷却至常温。
采用永磁材料高温测量系统测量实施例1样品25℃的磁性能，磁性能数据见表1。
对比例1
步骤一：烧结
将制备的钐钴磁体生坯，放入总实施例中所述的内，然后关闭炉盖抽真空处理(抽真空至3×10-3Pa)，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体经200℃、500℃和900℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入氩气，氩气通过烧结保护罩的进气阀门顶起压差块，将氩气充入烧结保护罩内，该过程通过压力表及程序控制，使真空度保持在-0.05MPa，并使其稳定，然后升温至烧结温度1200℃，烧结时间为2h，之后降温到1180℃保持4h，然后开启烧结保护罩，旋转底盘不转动，同时离心风机开启，待快速冷却至室温，得到烧结钐钴磁体。
步骤二：时效
将烧结钐钴磁体毛坯在氩气气体保护下，在850℃保温15h，随后以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温10h，然后风冷冷却至常温。
采用永磁材料高温测量系统测量对比例1样品25℃的磁性能，磁性能数据见表1。
对比例2
步骤一：烧结
将制备的钐钴磁体生坯，放入普通真空烧结炉内，然后关闭炉盖抽真空处理(抽真空至3×10-3Pa)，炉体进行加热，钐钴磁体经200℃、500℃和900℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1185℃，向炉体内充入氩气，该过程通过压力表及程序控制，使真空度保持在-0.05MPa，并使其稳定，然后升温至烧结温度1200℃，烧结时间为2h，之后降温到1180℃保持4h，待烧结完成快速冷却至室温，得到烧结钐钴磁体。
步骤二：时效
将烧结钐钴磁体毛坯在氩气气体保护下，在850℃保温15h，随后以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温10h，然后风冷冷却至常温。
采用永磁材料高温测量系统测量对比例2样品25℃的磁性能，磁性能数据见表1。
表1不同案例磁性能测试结果
Figure BDA0002987824420000081
Figure BDA0002987824420000091
通过以上性能测试结果可以看出，本发明真空烧结炉的使用，能显著提高钐钴磁体烧结过程的冷却速率和冷却均匀性，相比于采用传统烧结炉，产品的剩磁明显提高的同时，产品性能波动性降低，具有较小的标准偏差。从对比例1的试验结果可以看出，该设备必须配合旋转底盘的转动与回形风向的结合，不然会影响产品性能。另一方面，实施例3相较于实施例1或2，由于采取了更为优化的风冷工艺(分阶段控制底盘旋转转向)，因此获得的磁性能和磁性能一致性(剩磁标准偏差)更佳。
综上所述，本发明真空烧结炉，具有结构简单、冷却速度快、节能环保和拆装便捷的特点。解决了生产效率无法满足需求的问题。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种制备烧结钐钴磁体的方法，其特征在于：
采用钐钴真空烧结炉进行烧结，所述钐钴真空烧结炉包括炉体（1）以及设于所述炉体外与炉体连通的换热冷却机构，所述炉体内设有旋转底盘（2）、位于所述旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；所述炉体外设有用于驱动旋转底盘的驱动机构（3）；所述炉体上设有用于驱动烧结保护罩的保护罩升降机构（4）；所述烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构；所述烧结保护罩包括外保护罩（5）和内保护罩（6），所述外保护罩罩设于内保护罩外且相互之间设有间隙，内保护罩上分布有内保护罩气孔（7）；
所述方法包括以下步骤：
1）烧结：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经保温排气后，再升温进行预烧结，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，然后升温进行烧结，再降温，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，当温度在1200~700℃时，旋转底盘转向与换热冷却机构形成的回形风风向相同，当温度低于700℃时，旋转底盘转向与换热冷却机构形成的回形风风向相反；冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；
2）时效：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下进行保温时效，然后降温，得到烧结钐钴磁体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内保护罩的不同高度上设有若干层所述内保护罩气孔为径向孔，每一层的内保护罩气孔的弧间距等于相邻层内保护罩气之间的高度差。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋转底盘上设有进气阀门，在合拢状态下所述进气阀门与内、外保护罩之间的间隙形成所述通气结构；
所述进气阀门包括阀门本体（8）和压差块（9）；所述阀门本体中上下贯穿旋转底盘且具有中空气道，阀门本体的顶部和底部分别设有上进气孔（10）、下进气孔（11），所述压差块通过所述中空气道的台阶位于阀门本体内。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述换热冷却机构为回形换热冷却机构，包括连接后可形成回形冷却风的进风换热器（12）、回风换热器（13）、回风管（14）、离心风机（15）和叶轮蜗壳（16）。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动机构中集成有伺服电机和减速器。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋转底盘为水平旋转。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述旋转底盘上设有毛坯料盒托架（17）。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述烧结具体为：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空至1×10-3~9×10-3Pa，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经200~250℃、450~500℃和850~950℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1150~1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，该过程中真空度保持在-0.04~-0.06 MPa，然后升温至烧结温度1200~1250℃，烧结时间为30min~2h，再降温到1170~1185℃保持2~6h，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，转速为5 ~30转/min，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述时效具体为：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下，旋转底盘启动，在800~850℃保温8~15h，随后以0.5~0.7℃/min的速度降温至400~450℃，保温5~15 h，然后风冷冷却至常温。
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