CN105063550A - 渗透装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种渗透装置及方法。该渗透装置包括加热室、旋转托盘、旋转托架、料盒、升降机构和传动装置，其中，加热室具有环形槽，旋转托盘设置在加热室下端的开口端下方；旋转托架安装在旋转托盘上；料盒设置在旋转托架上；旋转托架和料盒能够在升降机构作用下，进行上下升降运动；旋转托架能够在传动装置的作用下在环形槽内自转且可绕旋转托盘中心轴公转。本发明提供的渗透方法包括装料、抽真空、高温渗透、冷却和取料等步骤。本发明的渗透装置和方法既实现了磁体位置的条件等同性，又实现了加热环境的条件等同性，从而满足了烧结磁体在高温渗透和风冷却时所必需的温度条件一致性，保证了产品性能的一致性。
Description
技术领域
本发明涉及一种渗透装置及方法，特别涉及一种用于磁体表层渗透处理的渗透装置及方法。
背景技术
表层渗镝渗铽技术是高性能钕铁硼稀土永磁体烧结成坯块后表层处理的新技术。对磁体表层一定深度范围的渗镝渗铽处理，可显著提高磁体的耐温性和矫顽力，在高性能钕铁硼稀土永磁制造领域得到了初步应用。
真空高温渗透炉是一种可对烧结永磁体表层进行渗镝渗铽热处理的高温真空炉。普通的高温真空炉主体结构包括能够加热和抽真空的炉体以及能够驱动工件在其内部运动的驱动机构。例如中国专利申请CN102331194A公开了一种高温真空炉，包括具有内腔的炉本体、设置于内腔开口处的炉盖、开设于所述的炉盖上的用于观察内腔内加工工件运动的观察孔、驱动所述的加工工件运动的驱动机构，所述的高温真空炉还包括控制所述的驱动机构的控制箱，所述的观察孔内设置有监控器，所述的控制箱上设置有显示屏，所述的监控器与所述的显示屏相电连接。然而，渗透工艺具有很高的温度敏感性，普通的高温真空炉不能满足要求。进行渗透处理时，加热室内各个被渗透磁体温度的控制，直接影响到磁体表层渗透的质量。对各个方位磁体加热温度的不同以及升降温速度的不同，都会导致磁体渗透层的厚度和质量不同，严重影响产品性能的一致性，甚至导致无法正常生产。
目前对磁体进行表层渗透处理的渗透装置一般采用普通真空烧结炉。例如中国专利申请CN103839670A公开了一种提高烧结钕铁硼永磁体矫顽力的磁体制备方法，包括步骤：a)、采用真空速凝技术制备钕铁硼合金磁性材料毛坯；b)、将上述毛坯依次进行倒角-清洗处理-水洗-表面改性-水洗处理；c)、将处理好永磁体置于进行镍/重稀土复合镀层的电镀；d)、将烧结钕铁硼磁性材料置于真空热处理炉内进行热处理。采用普通真空热处理炉进行表层渗透处理的效果不太理想，这主要是由于被渗透钕铁硼磁体在炉体内是静止的，加热过程是从外层摆放的磁体传导至内层摆放的磁体，且热处理炉内各个方位的温度有偏差，导致各个方位摆放的磁体在加热保温及升降温时温度高低不一，最后导致成品渗透层深度不一致，性能参差不齐。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种渗透装置及方法，解决了被渗透磁体温度不一致和升温降温速度不一致的问题。
本发明提供的渗透装置包括：
加热室，具有环形槽并在下端设置有加热室开口端；
旋转托盘，设置在所述加热室开口端下方；
旋转托架，安装在所述旋转托盘上；
料盒，设置在所述旋转托架上；
升降机构，用于使所述旋转托盘上下升降运动，使得旋转托架和料盒从所述加热室开口端进入所述环形槽内或从所述环形槽退出离开所述开口端；和
传动装置，使所述旋转托架能够在环形槽内自转且可绕所述旋转托盘中心轴公转。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述加热室包括：
加热构件，设置在所述环形槽内壁两侧，所述加热构件与所述旋转托架中心的距离相同，对料盒进行双侧等距加热；和
加热室保温构件，所述加热室保温构件形成所述环形槽，其中加热室保温构件表层为反射屏，所述加热室保温构件内部填充有耐火保温材料。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述加热室还包括：
通风口，设置在加热室上部且呈环形阵列布置；
通风口开/关单元，设置在所述通风口下方，用于打开/关闭所述通风口，所述通风口开/关单元具有在关闭状态起保温作用的反射屏，所述通风口开/关单元处于关闭状态时，所述通风口不完全封闭。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述旋转托盘包括：
托盘保温构件，用于为所述加热室和所述料盒进行保温；
支撑构件，设置在所述托盘保温构件下方，所述支撑构件内部具有冷却通道。
根据本发明的渗透装置，优选地，该渗透装置还包括：
控制器,其用于控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述旋转托架通过旋转机构呈环形阵列安装在所述旋转托盘上。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述传动装置包括：
第一传动器，用于驱动所述旋转托盘旋转以及驱动所述旋转托架绕所述旋转托盘中心轴公转；
第二传动器，用于驱动所述旋转托架自转。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述料盒底部具有凸台，所述料盒的上盖具有凹槽，所述料盒的凸台与所述料盒的凹槽设置为能够配合实现不同料盒的同心定位叠置。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述旋转托架上部具有凹槽，所述旋转托架的凹槽与所述料盒底部的凸台设置为能够配合实现所述料盒与所述旋转托架的同心定位放置。
本发明还提供了利用上述任一项渗透装置对磁体进行高温渗透的方法，包括如下步骤：
(1)装料：
将磁体单层或层叠摆放若干层装入料盒中；
通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体下降，将所述料盒单层或层叠摆放在旋转托架上；
通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体上升，所述料盒进入加热室的环形槽内；
(2)抽真空：
将加热室抽真空；
(3)高温渗透：
通过传动装置使得旋转托盘旋转，旋转托架在环形槽内自转且绕加热室的环形槽公转；控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度，对磁体进行渗透处理；
(4)冷却：
将被循环冷却的氩气从通风口进入加热室，对装载在料盒中的渗透完成的磁体进行冷却；
(5)取料：
通过升降机构使旋转托盘下降，取出装载有渗透完成的磁体的料盒。
本发明的积极效果是：料盒放置在旋转托架上，随旋转托架自转，且绕环形槽加热室公转，从而实现了旋转换位高温渗透，保证了磁体位置的条件等同性。料盒同心放置在旋转托架上进一步保证了磁体位置的条件等同性。进一步，加热室采用环形槽结构，采用两侧等距加热，实现了加热环境的条件等同性。因此,本发明消除了因加热室各个方位的温度差异造成的磁体温度差异，提高了磁体渗透层厚度的一致性；提高了成品性能的一致性；且当提高升温速度和降温速度时，也能保证磁体温度的一致性，从而减少了能耗，缩短了生产周期。
附图说明
图1为本发明渗透装置的示意性剖示图。
图2为本发明渗透装置的加热室的仰视示意图。
图3为本发明渗透装置的旋转托盘、旋转托架旋转方式的俯视示意图。
图4为本发明渗透装置的旋转托盘、旋转托架传动机构的俯视示意图。
图5为本发明料盒在旋转托架上层叠摆放的示意图。
附图标记说明：10-旋转托盘；110-旋转托架；120-支撑构件；130-托盘保温构件；111-被动齿轮；112-旋转机构；20-加热室；210-加热室保温构件；220-加热构件；230-通风口开/关单元；211-通风口；310-主动驱动齿轮；410-料盒。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施例对本发明作进一步的说明，但本发明的保护范围并不限于此。
本发明涉及的“上”、“下”等方位限定语只是表示本发明的渗透装置的相关部件之间的相对方位。本发明涉及的“耐高温”、“高强度”等对材料的限定是基于本领域的公知常识而言的，是惯常命名，本领域技术人员能够清楚地明白其含义。
<渗透装置>
本发明提供的渗透装置可以为用于磁体表层渗透处理的渗透装置，例如渗透炉，具体的实例包括但不限于高温真空渗透炉。本发明提供的渗透装置包括加热室、旋转托盘、旋转托架、料盒、升降机构和传动装置。其中，加热室具有一环形槽，作为进行加热渗透处理的容纳空间，所述加热室在下端设置有加热室开口端；旋转托盘设置在所述加热室开口端下方；旋转托架安装在所述旋转托盘上；料盒设置在所述旋转托架上；旋转托架和料盒能够在升降机构作用下，进行上下升降运动，从所述加热室开口端进入所述环形槽内或从所述环形槽退出离开所述开口端；所述旋转托架能够在所述传动装置的作用下在环形槽内自转且可绕所述旋转托盘中心轴公转。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述加热室包括加热构件和加热室保温构件。所述加热构件设置在所述环形槽内壁两侧，可以为分布式设置，例如为条状格栅状排布。优选地，所述加热构件呈环形设置在环形槽内壁两侧。两侧的加热构件与所述旋转托架中心的距离最好相同，使得能够对料盒进行双侧等距加热。所述加热构件可以为本领域的各种耐高温金属材料，优选为耐高温钼板材，厚度可以为1-5mm，优选为1.5-3mm，根据本发明一个优选实施例，厚度为2mm；每条耐高温钼板材的宽度可以为30-80mm，优选为40-60mm。所述加热室保温构件形成所述环形槽，其中加热室保温构件表层为反射屏，所述加热室保温构件内部填充有耐火保温材料。所述反射屏可以为各种耐高温的金属板材，例如为耐高温钼板材，厚度可以为0.1-3mm，优选为1-2mm，根据本发明一个优选实施例，厚度为1mm。耐火保温材料可以为本领域常用的那些，优选为耐火砖或耐高温莫来石。
其他与加热处理有关的部件也应该由耐高温材料制成，例如所述料盒材料可以包括耐热钢或石墨。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述加热室包括通风口和通风口开/关单元。通风口为用于控制加热室气压的气流通道，优选为设置在加热室上部且呈环形阵列布置；通风口开/关单元设置在所述通风口下方，用于打开/关闭所述通风口，优选地，所述通风口开/关单元具有在关闭状态起保温作用的反射屏，所述通风口开/关单元处于关闭状态时，所述通风口不完全封闭，加热室内外仍可以发生气体流通。
根据本发明的渗透装置，优选地，还包括用于控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度的控制器，该控制器的类型和控制程序以能够实现上述控制功能为准，没有其他额外限定，依据现有技术实施即可。例如，控制器可以包括控制旋转托盘旋转速度的变频器或变频调速电机的速度控制器以及控制加热室内温度的功率控制器。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述旋转托盘包括托盘保温构件和支撑构件。托盘保温构件为所述加热室和所述料盒进行保温；支撑构件设置在所述托盘保温构件下方以对所述托盘保温构件进行支撑。所述支撑构件优选由高强度耐高温金属材料制成。所述支撑构件内部最好具有冷却通道，以便于在高温处理完成后进行降温冷却处理。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述旋转托架通过旋转机构呈环形阵列安装在所述旋转托盘上，所述旋转机构是为了使旋转托架既能够相对固定又能够发生自转，具体形式不做限制。
根据本发明的渗透装置，优选地，所述传动装置包括第一传动器和第二传动器。第一传动器用于驱动所述旋转托盘旋转以及驱动所述旋转托架绕所述旋转托盘中心轴公转，可以包括蜗轮蜗杆减速机或摆线针轮减速机。第二传动器用于驱动所述旋转托架自转，可以包括安装在所述旋转托盘上的主动驱动齿轮，安装在所述旋转托架上的与所述主动驱动齿轮啮合的被动齿轮。
根据本发明的渗透装置，所述料盒之间以及所述料盒与所述旋转托架之间可以通过各种方式进行可拆卸连接。优选地，所述料盒底部具有凸台，所述料盒的上盖具有凹槽，其中所述凸台与所述凹槽能够配合实现料盒同心定位叠置。更优选地，所述旋转托架上部具有凹槽，所述旋转托架的所述凹槽与所述旋转托架上的最底层料盒的底部所述凸台配合实现所述料盒与所述旋转托架的同心定位放置。凸台与凹槽可以采用圆形、方形、三角形等形状。
<渗透方法>
本发明还提供了利用上述任一渗透装置对磁体进行高温渗透的方法，该方法包括装料、抽真空、高温渗透、冷却和取料等步骤。具体如下：
(1)装料：
将磁体单层或层叠摆放若干层装入料盒中；通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体下降，将所述料盒单层或层叠摆放在旋转托架上；通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体上升，所述料盒进入加热室的环形槽内。所述磁体可以为各种经过表层处理的磁体，例如为表面涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体。
(2)抽真空：
将加热室抽真空。具体可以为：打开加热室上部的通风口下方设置的通风口开/关单元，抽出加热室内的气体并排出渗透装置外，当渗透装置内压强达到预定值时，关闭所述通风口开/关单元。通风口开/关单元关闭并不会完全关闭加热室的气体通道，只是作为反射屏起到保温的作用。
(3)高温渗透：
通过传动装置使得旋转托盘旋转，旋转托架在环形槽内自转且绕加热室的环形槽公转；控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度，对磁体进行渗透处理。优选地，对磁体进行渗透处理的过程为：将磁体以3-8℃/min的速度升温至850-950℃并保温时效2-5小时，氟化镝粉末蒸发，与磁体表面元素还原后镝原子通过磁体表面扩散至磁体晶界相，通过所述功率控制器以3-8℃/min的速度降温至400-500℃并保温2-5小时。更优选的处理过程为：将磁体以4-6℃/min的速度升温至880-920℃并保温时效2.5-3.5小时，氟化镝粉末蒸发，与磁体表面元素还原后镝原子通过磁体表面扩散至磁体晶界相，通过所述功率控制器以4-6℃/min的速度降温至420-480℃并保温2.5-3.5小时。
(4)冷却：
将被循环冷却的高纯氩气从通风口进入加热室，对装载在料盒中的渗透时效完成的磁体进行冷却。具体操作方法优选为：当真空高温渗透炉内压强达到5.5×104Pa-6.5×104Pa时，充气停止；当加热室内温度冷却至20-30℃时，循环冷却系统停止，旋转托盘和旋转托架停止旋转，向渗透装置内充入大气至渗透装置内外气压平衡。
(5)取料：通过升降机构使旋转托盘下降，取出装载有渗透完成的磁体的料盒。
实施例1
如图1所示，该渗透装置包括旋转托盘10、旋转托架110、加热室20、料盒410等部件。
旋转托架110安装在其下方的旋转托盘10上，多个旋转托架呈环形阵列安装在旋转托盘10上，可以对多个料盒进行高温渗透。旋转托架110的材料采用耐热钢。旋转托架110与旋转托盘10之间通过旋转机构112安装成一体，旋转托盘10上设置有孔，该孔中安装轴承，旋转托架110通过轴承安装在旋转托盘上。
参见附图1和图4，旋转托盘10下方安装有驱动其旋转的第一传动器。旋转托架110下方安装有第二传动器，以便通过所述旋转托盘的旋转带动旋转托架的自转。第二传动器采用齿轮传动方式，具体为采用安装在所述旋转托盘上的主动驱动齿轮310，安装在所述旋转托架上的与所述主动驱动齿轮啮合的被动齿轮111。由于旋转托架110与旋转托盘10之间设置有旋转机构112，因此在所述第一传动器驱动旋转托盘10转动时，安装在旋转托盘10上的旋转托架110绕旋转托盘10中心轴公转，通过上述主动驱动齿轮和被动齿轮相互啮合，带动旋转托架110自转。
所述旋转托盘10为圆形，包括上端的托盘保温构件130和下端的支撑构件120，所述托盘保温构件130为加热室20和磁体保温，所述托盘保温构件130材料采用耐火砖或耐高温莫来石，所述支撑构件120由耐热钢制成，具有高强度并耐高温，且所述支撑构件内部具有冷却通道，冷却通道内部通循环冷却水，用于支撑其上装载的若干旋转托架并防止其下方传动机器高温。
所述加热室20具有一环形槽结构，参见附图1、2所示，加热室20下端为开口端。装载在所述旋转托架110上的料盒410在所述加热室20的环形槽内旋转，所述加热室20包括加热构件220和加热室保温构件210，所述加热构件220安装在环形槽的内壁左右两侧，且两侧的加热构件220与旋转托架110中心的距离相同，从而对料盒410进行双侧等距加热。所述加热室保温构件210表层为反射屏，加热室保温构件210内部填充有耐火保温材料为加热室20和磁体保温。加热构件220材料采用高温钼板材，宽度为50mm，厚度为2mm；反射屏材料为耐高温钼板材，厚度为1mm；保温材料选自耐火砖、耐高温莫来石等。
此外，如图1所示，加热室20上方还设置有呈环形阵列布置的若干通风口211，所述通风口211在风冷阶段吹冷加热室和料盒。通风口211下方安装有用于打开、关闭通风口的通风口开/关单元230，通风口开/关单元230关闭，此时不完全关闭加热室20的气体通道，只是作为反射屏起到保温的作用。所述通风口开/关单元230材料为耐高温钼板材，厚度为1mm。加热室20内还设置有测量其内部温度的温度传感器。
所述渗透装置还包括一控制器，该控制器包括控制旋转托盘旋转速度的变频器或变频调速电机的速度控制器以及控制加热室内温度的功率控制器。
所述料盒410为圆柱形，料盒底部具有圆形凸台状，料盒上盖具有圆形凹槽状，凸台与凹槽配合实现料盒同心定位放置。料盒410材质为耐热钢。另外，旋转托架110上方具有圆形凹槽状结构，所述凹槽与最底层料盒的底部凸台配合实现料盒与旋转托架的同心定位放置。
实施例2
下面结合附图，以渗透氟化镝、表面涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体为例，详细说明根据本发明的渗透方法的工作流程。当然，本领域技术人员也可以采用本发明渗透方法对其它磁体进行相关高温渗透操作。
本实施例中，具体工艺过程为：
装料阶段，将表面涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体环形阵列装入圆柱形料盒410中，磁体可在料盒410中单层放置或层叠摆放若干层放置。通过升降机构使旋转托盘10和旋转托架110整体下降，其中升降机构可由液压油缸提供动力。将装载有涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体的料盒410层叠摆放在旋转托架110上。如图5所示，料盒410底部的圆形凸台、料盒上盖的圆形凹槽、旋转托架110上方的圆形凹槽保证了层叠放置的料盒410和旋转托架110同心。料盒410摆放高度不超出加热室20均温区高度。料盒410摆放完毕后，旋转托盘10连同旋转托架110升起，炉体关闭。此时，装载有涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体的料盒410进入环形槽结构的加热室20。磁体将在环形槽结构的加热室20被高温渗透。另外，具有高温稳定性的加热构件220被安装在加热室20槽内壁左右两侧，且左右两侧的加热构件220与旋转托架110中心的距离相同。前面讲到，层叠放置的料盒410与旋转托架110同心，因此两侧的加热构件220与料盒410的中心距离相同，从而可对磁体进行双侧等距热处理；加热室20的加热室保温构件210表层为反射屏，内部填充有耐火保温材料，在后面的加热过程中为加热室20和磁体保温。
进入抽真空阶段，抽真空系统开始运行，设置在通风口211下方的开/关单元230打开，快速抽出加热室内的气体并排出渗透装置外，当渗透装置内压强达到预定值时，关闭所述通风口开/关单元。当炉体内压强达到1×10-3Pa以下时，关闭通风口开/关单元230。
高温渗透阶段，旋转托盘10和旋转托架110开始旋转，加热室内的加热构件220开始加热。通风口211下方的通风口开/关单元230关闭，此时并不会完全关闭加热室20的气体通道，只是作为反射屏起到保温的作用。通过加热室内的温度传感器和功率控制器控制，加热构件220将装载有涂满氟化镝超细粉末的烧结钕铁硼磁体以5℃/min的速度升温至900℃并保温时效3小时，在该过程中，氟化镝粉末将蒸发，与磁体表面元素还原后镝原子会通过磁体表面扩散至磁体晶界相，然后同样通过温度传感器和功率控制器的控制以5℃/min的速度降温至450℃并保温3小时。加热停止，至此，渗透及时效工艺完成。
进入风冷却阶段，向炉体内充入高纯氩气，当炉体内压强达到6×104Pa时，充气停止，设置在通风口211下方的开/关单元230打开，循环风冷却系统开始工作。被循环冷却的高纯氩气从环形阵列排列的若干通风口211进入加热室20，对装载在料盒410中的渗透时效完成的钕铁硼磁体进行冷却。通过温度传感器控制，当加热室20内温度冷却至25℃时，循环风冷却系统停止，旋转托盘10和旋转托架110停止旋转，向炉体内充入大气至炉体内外气压平衡。
进入最后取料阶段，旋转托盘10下降，取出装载有渗透完成的磁体的料盒410。全部工序完成。
需特别指出，从升温开始至风冷却结束，旋转托盘10和旋转托架110始终保持旋转状态。
如上所述，根据本发明的渗透装置通过使用旋转托架110和环形槽结构的加热室20使料盒410在高温渗透和风冷却过程中，自转且绕环形槽结构的加热室20公转，实现了被渗透磁体位置的条件等同性，且加热室20采用环形槽结构，料盒410与旋转托架110同心定位放置，加热构件220对磁体进行两侧等距加热，实现了加热环境的条件等同性，从而保证了被渗透磁体在高温渗透阶段和风冷却阶段的温度一致性，提高了磁体渗透层厚度的一致性；提高了成品性能的一致性；且当提高升温速度和降温速度时，也能保证磁体温度的一致性，从而减少了能耗，缩短了生产周期。
Claims (10)
1.一种渗透装置，其特征在于，该渗透装置包括：
加热室，具有环形槽并在下端设置有加热室开口端；
旋转托盘，设置在所述加热室开口端下方；
旋转托架，安装在所述旋转托盘上；
料盒，设置在所述旋转托架上；
升降机构，用于使所述旋转托盘上下升降运动，使得旋转托架和料盒从所述加热室开口端进入所述环形槽内或从所述环形槽退出离开所述开口端；和
传动装置，使所述旋转托架能够在环形槽内自转且可绕所述旋转托盘中心轴公转。
2.根据权利要求1所述的渗透装置，其特征在于，所述加热室包括：
加热构件，设置在所述环形槽内壁两侧，所述加热构件与所述旋转托架中心的距离相同，对料盒进行双侧等距加热；和
加热室保温构件，所述加热室保温构件形成所述环形槽，其中加热室保温构件表层为反射屏，所述加热室保温构件内部填充有耐火保温材料。
3.根据权利要求1或2所述的渗透装置，其特征在于，所述加热室还包括：
通风口，设置在加热室上部且呈环形阵列布置；
通风口开/关单元，设置在所述通风口下方，用于打开/关闭所述通风口，所述通风口开/关单元具有在关闭状态起保温作用的反射屏，所述通风口开/关单元处于关闭状态时，所述通风口不完全封闭。
4.根据权利要求1或2所述的渗透装置，其特征在于，所述旋转托盘包括：
托盘保温构件，用于为所述加热室和所述料盒进行保温；
支撑构件，设置在所述托盘保温构件下方，所述支撑构件内部具有冷却通道。
5.根据权利要求1所述的渗透装置，其特征在于，该渗透装置还包括：
控制器,其用于控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度。
6.根据权利要求1所述的渗透装置，其特征在于，所述旋转托架通过旋转机构呈环形阵列安装在所述旋转托盘上。
7.根据权利要求1所述的渗透装置，其特征在于，所述传动装置包括：
第一传动器，用于驱动所述旋转托盘旋转以及驱动所述旋转托架绕所述旋转托盘中心轴公转；
第二传动器，用于驱动所述旋转托架自转。
8.根据权利要求1所述的渗透装置，其特征在于，所述料盒底部具有凸台，所述料盒的上盖具有凹槽，所述料盒的凸台与所述料盒的凹槽设置为能够配合实现不同料盒的同心定位叠置。
9.根据权利要求8所述的渗透装置，其特征在于，所述旋转托架上部具有凹槽，所述旋转托架的凹槽与所述料盒底部的凸台设置为能够配合实现所述料盒与所述旋转托架的同心定位放置。
10.一种使用权利要求1～9任意一项所述的渗透装置对磁体进行高温渗透的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
(1)装料：
将磁体单层或层叠摆放若干层装入料盒中；
通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体下降，将所述料盒单层或层叠摆放在旋转托架上；
通过升降机构使旋转托盘和旋转托架整体上升，所述料盒进入加热室的环形槽内；
(2)抽真空：
将加热室抽真空；
(3)高温渗透：
通过传动装置使得旋转托盘旋转，旋转托架在环形槽内自转且绕加热室的环形槽公转；控制所述旋转托盘的旋转速度和所述加热室加热温度，对磁体进行渗透处理；
(4)冷却：
将被循环冷却的氩气从通风口进入加热室，对装载在料盒中的渗透完成的磁体进行冷却；
(5)取料：
通过升降机构使旋转托盘下降，取出装载有渗透完成的磁体的料盒。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Miao Juchang Inventor after: Yuan Yi Inventor after: Chen Ya Inventor after: Yuan Wenjie Inventor after: Zhai Yong Inventor after: Ma Jianxin Inventor after: Gao Enfeng Inventor after: Song Yanling Inventor after: Diao Shulin Inventor after: Dong Yi Inventor after: Yi Haibo Inventor after: Wu Shujie Inventor before: Miao Juchang Inventor before: Wu Shujie Inventor before: Yuan Yi Inventor before: Chen Ya Inventor before: Yuan Wenjie Inventor before: Zhai Yong Inventor before: Ma Jianxin Inventor before: Gao Enfeng Inventor before: Song Yanling Inventor before: Diao Shulin Inventor before: Dong Yi Inventor before: Wu Zhimin Inventor before: Yi Haibo |
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| COR | Change of bibliographic data | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190123 Address after: 014030 No. 8-17 Rare Earth Street, Rare Earth Application Industrial Park, Baotou Rare Earth High-tech Zone, Baotou City, Inner Mongolia Autonomous Region Co-patentee after: Baotou Tianzhihe Magnetic Equipment Manufacturing Co.,Ltd. Patentee after: TIANHE (BAOTOU) ADVANCED TECH MAGNET CO.,LTD. Address before: 014030 No. 8-17 Rare Earth Street, Rare Earth Application Industrial Park, Baotou Rare Earth High-tech Zone, Baotou City, Inner Mongolia Autonomous Region Patentee before: TIANHE (BAOTOU) ADVANCED TECH MAGNET CO.,LTD. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 014030 No. 8-17 Rare Earth Street, Rare Earth Application Industrial Park, Baotou Rare Earth High-tech Zone, Baotou City, Inner Mongolia Autonomous Region Co-patentee after: Baotou Tianzhihe Magnetic Equipment Manufacturing Co.,Ltd. Patentee after: BAOTOU TIANHE MAGNETIC MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 014030 No. 8-17 Rare Earth Street, Rare Earth Application Industrial Park, Baotou Rare Earth High-tech Zone, Baotou City, Inner Mongolia Autonomous Region Co-patentee before: Baotou Tianzhihe Magnetic Equipment Manufacturing Co.,Ltd. Patentee before: TIANHE (BAOTOU) ADVANCED TECH MAGNET CO.,LTD. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Reverse osmosis device and method capable of performing heat sterilization on pipelines for blood purification Effective date of registration: 20200306 Granted publication date: 20171128 Pledgee: Inner Mongolia Branch of Northeast small and medium enterprises credit re Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: BAOTOU TIANHE MAGNETIC MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2020150000006 |
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Date of cancellation: 20210806 Granted publication date: 20171128 Pledgee: Inner Mongolia Branch of Northeast small and medium enterprises credit re Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: BAOTOU TIANHE MAGNETIC MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2020150000006 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Infiltration device and method Effective date of registration: 20211021 Granted publication date: 20171128 Pledgee: Northeast SME financing re Guarantee Co.,Ltd. Inner Mongolia Branch Pledgor: BAOTOU TIANHE MAGNETIC MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021150000068 |
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Date of cancellation: 20230301 Granted publication date: 20171128 Pledgee: Northeast SME financing re Guarantee Co.,Ltd. Inner Mongolia Branch Pledgor: BAOTOU TIANHE MAGNETIC MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021150000068 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |