JP3190331B2 - 単一ウエーハ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、個々の半導体ウエーハを少くとも１つのウ
エーハ表面の流体処理に関連して保持し、移送し、処理
する単一ウエーハ処理装置に関する。
エーハ表面の流体処理に関連して保持し、移送し、処理
する単一ウエーハ処理装置に関する。
背景技術 半導体ウエーハおよび同様な基板の化学的処理はウエ
ーハの比較的に大きいバッチについて行われることが多
い。代表的には、ウエーハの20ないし30個が同時に流体
（液体またはガス）に浸漬され、または流体スプレイを
受ける。このことはウエーハの洗浄および乾燥に著しく
有効であり、多くの通常の大量生産について同様である
が、高価なウエーハや基板が処理される場合、特に、複
雑な重要な処理を受ける場合においては経済的に問題が
ある。これらウエーハの大量のバッチ処理においては処
理工程の不良に基づく損失の危険性が著しく増大する。
ウエーハのバッチ処理は正常の個々の処理を妨げるもの
であり、高価な特殊なウエーハや基板の生産を妨げるも
のである。
ーハの比較的に大きいバッチについて行われることが多
い。代表的には、ウエーハの20ないし30個が同時に流体
（液体またはガス）に浸漬され、または流体スプレイを
受ける。このことはウエーハの洗浄および乾燥に著しく
有効であり、多くの通常の大量生産について同様である
が、高価なウエーハや基板が処理される場合、特に、複
雑な重要な処理を受ける場合においては経済的に問題が
ある。これらウエーハの大量のバッチ処理においては処
理工程の不良に基づく損失の危険性が著しく増大する。
ウエーハのバッチ処理は正常の個々の処理を妨げるもの
であり、高価な特殊なウエーハや基板の生産を妨げるも
のである。
ウエーハを個々に取り扱い処理することは、従来のウ
エーハに対比して寸法の大きいウエーハが使用されるよ
うになって、広く使用されるようになっている。ウエー
ハの直径が約５〜8cm（２〜３インチ）、さらに20cm、
実験的には30cm（12インチ）に達する。ウエーハの寸法
が増加すると各ウエーハに含まれる素子が著しく増加
し、これに伴って潜在的価値が増大する。製造業者はバ
ッチ処理作業における多くの予測不能の原因により多数
のウエーハを失うという経済的な危険に耐えられない。
エーハに対比して寸法の大きいウエーハが使用されるよ
うになって、広く使用されるようになっている。ウエー
ハの直径が約５〜8cm（２〜３インチ）、さらに20cm、
実験的には30cm（12インチ）に達する。ウエーハの寸法
が増加すると各ウエーハに含まれる素子が著しく増加
し、これに伴って潜在的価値が増大する。製造業者はバ
ッチ処理作業における多くの予測不能の原因により多数
のウエーハを失うという経済的な危険に耐えられない。
本発明は単一ウエーハを処理することによる経済的損
失を最小とする処理装置を得ることを目的とする。本発
明の技術は半導体技術において通常な従来の単一ウエー
ハ処理技術に適用可能である。さらに、積重ねて配置さ
れた平行ウエーハの大きいバッチを処理するものと異な
り、本発明の単一ウエーハ処理技術は一方表面（液体ス
プレイによる）の処理と両面（浸漬処理による）の処理
との双方を可能とする。さらに、この装置は処理ユニッ
ト間および自動化取り扱い装置との間のロボット移送を
可能とする。各ウエーハの位置決めおよび回転は処理要
求に正確に合致するように制御することができる。
失を最小とする処理装置を得ることを目的とする。本発
明の技術は半導体技術において通常な従来の単一ウエー
ハ処理技術に適用可能である。さらに、積重ねて配置さ
れた平行ウエーハの大きいバッチを処理するものと異な
り、本発明の単一ウエーハ処理技術は一方表面（液体ス
プレイによる）の処理と両面（浸漬処理による）の処理
との双方を可能とする。さらに、この装置は処理ユニッ
ト間および自動化取り扱い装置との間のロボット移送を
可能とする。各ウエーハの位置決めおよび回転は処理要
求に正確に合致するように制御することができる。
単一ウエーハの処理工程を行うために個々のボウルを
使用することはウエーハの処理に必要な流体の量を最小
とする。流体の量が少ないことは各ウエーハについて新
鮮な流体の使用を可能とし、大型の装置において流体を
循環させることによる汚染を最小とすることができる。
使用することはウエーハの処理に必要な流体の量を最小
とする。流体の量が少ないことは各ウエーハについて新
鮮な流体の使用を可能とし、大型の装置において流体を
循環させることによる汚染を最小とすることができる。
本発明による単一ウエーハ処理装置は、処理ベースと
補完的な処理ヘッドとを含む単一ウエーハ処理ステーシ
ョンを含む。処理ヘッドは、１つの場所から別の場所に
その方向性または位置についての制限を受けることなく
搬送可能であってよく、または処理ベースを支持する共
通フレームに相対的に運動可能に取り付けてもよい。処
理ヘッドと処理ベースとの詳細は、実行される特定のウ
エーハ処理によって各種に変更することができる。
補完的な処理ヘッドとを含む単一ウエーハ処理ステーシ
ョンを含む。処理ヘッドは、１つの場所から別の場所に
その方向性または位置についての制限を受けることなく
搬送可能であってよく、または処理ベースを支持する共
通フレームに相対的に運動可能に取り付けてもよい。処
理ヘッドと処理ベースとの詳細は、実行される特定のウ
エーハ処理によって各種に変更することができる。
図面の簡単な説明 図１は本発明の望ましい実施例の装置の中央断面図。
図２はウエーハ支持部の上面図。
図３は側面図。
図４は底面図。
図５は図１の線５−５に沿う拡大断面図。
図６は図１の線６−６に沿う拡大断面図。
図７は図５の線７−７に沿う、割出しおよび運動監視
組立体の側面図。
組立体の側面図。
図８は図４の線８−８に沿う拡大部分断面図。
図９は４ステーション処理装置の上面図。
図10は前面図。
図11は端面図。
図12は閉鎖位置において示す処理ステーション部品の
側面図。
側面図。
図13は処理ヘッド支持部の拡大部分断面図。
図14は図12と同様であるが、開位置として示す処理ス
テーションの図。
テーションの図。
図15は開位置の処理ヘッドが垂直位置にピボット運動
した状態を示す処理ステーションの部分側面図。
した状態を示す処理ステーションの部分側面図。
図16は図12と同様であるが、処理ヘッドのための回転
アクチュエータをも示す図である。
アクチュエータをも示す図である。
最良の実施例 本発明による単一ウエーハ処理装置は、通常のロボッ
ト腕と係合する完全可搬型ユニット（図１ないし図８）
として、または機械のベースに取付けられた可動のモデ
ュール（図９ないし図16）として構成された処理ヘッド
を含む。
ト腕と係合する完全可搬型ユニット（図１ないし図８）
として、または機械のベースに取付けられた可動のモデ
ュール（図９ないし図16）として構成された処理ヘッド
を含む。
ロボット腕に対する取付け部として使用される場合
に、処理ヘッドはウエーハ受取りステーションおよびウ
エーハ排出ステーションに運動可能となされる。ウエー
ハは自動的または手動的に、処理ヘッドに担持される可
動のフィンガ間に配置され、またはフィンガ間から除去
される。さらに処理ヘッドは、化学的セルを収容しウエ
ーハの特定の処理工程において要求される液体およびガ
スを供給する処理キャビネット内に水平または垂直な方
向に取付けられる１つ以上の受け取りベースに運動せし
められる。
に、処理ヘッドはウエーハ受取りステーションおよびウ
エーハ排出ステーションに運動可能となされる。ウエー
ハは自動的または手動的に、処理ヘッドに担持される可
動のフィンガ間に配置され、またはフィンガ間から除去
される。さらに処理ヘッドは、化学的セルを収容しウエ
ーハの特定の処理工程において要求される液体およびガ
スを供給する処理キャビネット内に水平または垂直な方
向に取付けられる１つ以上の受け取りベースに運動せし
められる。
機械のフレームに可動的に取付けられる処理ヘッド
は、フレームに相対的な開放位４置（第１の位置）にお
いてロボット的に載荷されまたは卸荷され、フレームの
処理ベースに対応する１つ以上の処理位置に移動せしめ
られる。
は、フレームに相対的な開放位４置（第１の位置）にお
いてロボット的に載荷されまたは卸荷され、フレームの
処理ベースに対応する１つ以上の処理位置に移動せしめ
られる。
上述の装置は、本発明のウエーハ処理装置が使用され
る一般的な環境を図示する目的のみで説明される。支持
ロボットおよび処理装置の詳細は本発明の理解に不要で
あると考えられ、本発明は処理ヘッドと補完的な処理ベ
ースとの構造および作動に関する。
る一般的な環境を図示する目的のみで説明される。支持
ロボットおよび処理装置の詳細は本発明の理解に不要で
あると考えられ、本発明は処理ヘッドと補完的な処理ベ
ースとの構造および作動に関する。
全般的に数字12として示す処理ヘッドは、単一の半導
体のウエーハ10（図１）を処理するもので、ウエーハ10
は処理流体に接触せしめられる少くとも１つの表面を有
する。処理ヘッド12は係合するウエーハ10を、自立性可
搬のモデュールとして、または共通機械フレーム上の捕
捉された可動ユニットとして処理ベース70に近接離隔す
るように移送する。いづれの場合にも、処理ヘッドは係
合するウエーハ10を選択的に回転させる能力を有し、ウ
エーハは下方に懸吊されて処理流体内にあり、またはウ
エーハの一方または双方表面が流体スプレイまたは流体
流を受ける。
体のウエーハ10（図１）を処理するもので、ウエーハ10
は処理流体に接触せしめられる少くとも１つの表面を有
する。処理ヘッド12は係合するウエーハ10を、自立性可
搬のモデュールとして、または共通機械フレーム上の捕
捉された可動ユニットとして処理ベース70に近接離隔す
るように移送する。いづれの場合にも、処理ヘッドは係
合するウエーハ10を選択的に回転させる能力を有し、ウ
エーハは下方に懸吊されて処理流体内にあり、またはウ
エーハの一方または双方表面が流体スプレイまたは流体
流を受ける。
処理ヘッド12は第１の基準軸線、図１の軸線Ｘ−Ｘを
中心線として有する。処理ヘッドを可動の支持部に取付
ける取付け手段が設けられる。図１ないし図８に示す処
理ヘッド12はロボット支持部（図示しない）に取付けら
れるに適した取付け部14を有する。ロボット支持部はウ
エーハの取扱い時に処理ヘッド12を各種の位置および方
向に運動せしめ得る関節運動腕などとなされる。取付け
部14は使用されるロボット装置に補完的な通常の設計の
ものである。この詳細は本発明の理解に不必要である。
中心線として有する。処理ヘッドを可動の支持部に取付
ける取付け手段が設けられる。図１ないし図８に示す処
理ヘッド12はロボット支持部（図示しない）に取付けら
れるに適した取付け部14を有する。ロボット支持部はウ
エーハの取扱い時に処理ヘッド12を各種の位置および方
向に運動せしめ得る関節運動腕などとなされる。取付け
部14は使用されるロボット装置に補完的な通常の設計の
ものである。この詳細は本発明の理解に不必要である。
処理ヘッド12は、取外し可能のカバー13と、構造的モ
ータベース15と、取付け部14をモータベース15に固定す
る剛性の支持スペーサ16とを含む。さらに処理ヘッド12
は軸線Ｘ−Ｘに沿って外方に開いた半径方向に大径の円
形のシュラウド18を含む。皿形のシュラウド18は処理ヘ
ッド12の軸方向一方端に固定される。シュラウドは基準
軸線Ｘ−Ｘを中心とする周縁リムを有して、処理ヘッド
12をその一方の軸方向端を下方に面して垂直に支持す
る。
ータベース15と、取付け部14をモータベース15に固定す
る剛性の支持スペーサ16とを含む。さらに処理ヘッド12
は軸線Ｘ−Ｘに沿って外方に開いた半径方向に大径の円
形のシュラウド18を含む。皿形のシュラウド18は処理ヘ
ッド12の軸方向一方端に固定される。シュラウドは基準
軸線Ｘ−Ｘを中心とする周縁リムを有して、処理ヘッド
12をその一方の軸方向端を下方に面して垂直に支持す
る。
固体のウエーハ板30が処理ヘッド12の一方の軸方向端
に、軸線Ｘ−Ｘの回りに同軸に中心決めされる。ウエー
ハ板30は剛性の円形のディスクであって、対抗する内側
および外側表面31、32と、内方に突出する周縁フランジ
33とを有する。円形のウエーハ板30の回りに形成される
外側周縁隅角部は比較的に鋭く、外側表面32に沿って流
れる流体の半径方向脱出を容易とする。
に、軸線Ｘ−Ｘの回りに同軸に中心決めされる。ウエー
ハ板30は剛性の円形のディスクであって、対抗する内側
および外側表面31、32と、内方に突出する周縁フランジ
33とを有する。円形のウエーハ板30の回りに形成される
外側周縁隅角部は比較的に鋭く、外側表面32に沿って流
れる流体の半径方向脱出を容易とする。
フランジ33は、シュラウド18の内側の回りの補完的な
円筒形フランジ20を覆っており、シュラウド18のリムの
回りの周縁水平フランジ19に密接し、当接している。フ
ランジ19、20、33はバッフル装置を形成し、液体が回転
するウエーハ板30と非回転のシュラウド18との間の開い
た室に入ることを防止する。さらに、水平のフランジ19
は、処理ヘッド12のための支持部として作用し、図１に
示すように倒立位置の処理ベース70上に休止する。
円筒形フランジ20を覆っており、シュラウド18のリムの
回りの周縁水平フランジ19に密接し、当接している。フ
ランジ19、20、33はバッフル装置を形成し、液体が回転
するウエーハ板30と非回転のシュラウド18との間の開い
た室に入ることを防止する。さらに、水平のフランジ19
は、処理ヘッド12のための支持部として作用し、図１に
示すように倒立位置の処理ベース70上に休止する。
シュラウド18の周縁には、補完的な処理ベース70上の
電気的受け部23に接続されるに適した半径方向に突出す
る電気的接続部22が取付けられている。処理ヘッド12内
のこの装置のための電気的動力および制御回路は、この
接続によって完成される。電気的接続部および受け部2
2、23は通常の設計のものであってよい。これらの詳細
は本発明の理解に対して不要である。
電気的受け部23に接続されるに適した半径方向に突出す
る電気的接続部22が取付けられている。処理ヘッド12内
のこの装置のための電気的動力および制御回路は、この
接続によって完成される。電気的接続部および受け部2
2、23は通常の設計のものであってよい。これらの詳細
は本発明の理解に対して不要である。
処理ヘッド内に駆動手段が設けられている。駆動手段
はグリッパ手段に作動的に連結されて、グリッパ手段を
処理ヘッド12とシュラウド18とに相対的に、基準軸線Ｘ
−Ｘの回りに選択的に回転させる。
はグリッパ手段に作動的に連結されて、グリッパ手段を
処理ヘッド12とシュラウド18とに相対的に、基準軸線Ｘ
−Ｘの回りに選択的に回転させる。
ウエーハ板30はカバー13内に配置されたモータ34によ
って選択的に回転せしめられる。モータ34は被駆動軸35
を回転駆動し、この軸35はウエーハ板30の内側表面31に
固定された大径部36を有している。被駆動軸35は管状の
モータ駆動軸38に囲まれ、動力を受ける。被駆動軸35と
駆動軸38とは処理ヘッド12の基準軸線Ｘ−Ｘの回りに同
軸に配置される。
って選択的に回転せしめられる。モータ34は被駆動軸35
を回転駆動し、この軸35はウエーハ板30の内側表面31に
固定された大径部36を有している。被駆動軸35は管状の
モータ駆動軸38に囲まれ、動力を受ける。被駆動軸35と
駆動軸38とは処理ヘッド12の基準軸線Ｘ−Ｘの回りに同
軸に配置される。
被駆動軸35と駆動軸38とは互いに軸方向スプラインで
結合される。両者は被駆動軸35にねじ係合し駆動軸38の
内方端に半径方向に重なる大径のナット39によって組立
状態に保持される。
結合される。両者は被駆動軸35にねじ係合し駆動軸38の
内方端に半径方向に重なる大径のナット39によって組立
状態に保持される。
上述した軸組立体は、異なる形状または寸法のウエー
ハ10を支持するために必要なウエーハ板30の容易な交換
を可能とする。ウエーハ板30の交換または修理は可搬型
処理ヘッドの外方端のナット39を除去することにより容
易に達成することができる。そこで被駆動軸35とウエー
ハ板30とを処理ヘッド12の残りの部分から軸方向に運動
させることができる。組立ておよび分解時に内側から近
接することは不必要である。
ハ10を支持するために必要なウエーハ板30の容易な交換
を可能とする。ウエーハ板30の交換または修理は可搬型
処理ヘッドの外方端のナット39を除去することにより容
易に達成することができる。そこで被駆動軸35とウエー
ハ板30とを処理ヘッド12の残りの部分から軸方向に運動
させることができる。組立ておよび分解時に内側から近
接することは不必要である。
処理ヘッド12には、ウエーハ10を基準軸線Ｘ−Ｘに垂
直な同軸位置に保持するためのグリッパ手段が設けら
れ、グリッパ手段はシュラウド18によって軸方向および
半径方向に覆われている。グリッパ手段は、ウエーハ10
をウエーハ板30の外側表面32に隣接する位置に選択的に
保持する複数の可動のグリッパフィンガ40を含む。フィ
ンガ40はウエーハ板30の両側に軸方向に突出している。
各フィンガの外方端に隣接して切欠き41が設けられて、
ウエーハ10の縁部を受入れ係合する。
直な同軸位置に保持するためのグリッパ手段が設けら
れ、グリッパ手段はシュラウド18によって軸方向および
半径方向に覆われている。グリッパ手段は、ウエーハ10
をウエーハ板30の外側表面32に隣接する位置に選択的に
保持する複数の可動のグリッパフィンガ40を含む。フィ
ンガ40はウエーハ板30の両側に軸方向に突出している。
各フィンガの外方端に隣接して切欠き41が設けられて、
ウエーハ10の縁部を受入れ係合する。
フィンガ40は、処理ヘッド12の基準軸線の回りに幾何
学的に配置されて、ウエーハ10を軸線Ｘ−Ｘに垂直で同
軸の位置に、切欠き41内に受入れ、保持する。３つのフ
ィンガ40が図示の装置に設けられているが、フィンガを
４つ以上とすることも所望により可能である。
学的に配置されて、ウエーハ10を軸線Ｘ−Ｘに垂直で同
軸の位置に、切欠き41内に受入れ、保持する。３つのフ
ィンガ40が図示の装置に設けられているが、フィンガを
４つ以上とすることも所望により可能である。
図８に示すように、各フィンガ40はウエーハ板30内に
個別的に、可撓性の支持ダイアフラム42内に取付けられ
る。各ダイアフラム42の周縁にはシール43があって、ウ
エーハ板30を貫通して形成された補完的な開口の周縁と
係合する。シールの内側周縁はスナップリング44によっ
て解放可能に、所定位置に保持される。各ダイアフラム
42は１つのフィンガ40を有してモールド成型などによっ
て一体的に形成される。個々のフィンガ40と支持部とを
一体成型することはウエーハ板30を横切る継ぎ目または
開口の発生を除去し、ウエーハ10と係合し離脱するため
に必要なフィンガ40の限定された運動を可能とする。各
フィンガ40の作動的にウエーハと係合する部分のみがウ
エーハ板30の外方の処理流体およびガスと接触する。
個別的に、可撓性の支持ダイアフラム42内に取付けられ
る。各ダイアフラム42の周縁にはシール43があって、ウ
エーハ板30を貫通して形成された補完的な開口の周縁と
係合する。シールの内側周縁はスナップリング44によっ
て解放可能に、所定位置に保持される。各ダイアフラム
42は１つのフィンガ40を有してモールド成型などによっ
て一体的に形成される。個々のフィンガ40と支持部とを
一体成型することはウエーハ板30を横切る継ぎ目または
開口の発生を除去し、ウエーハ10と係合し離脱するため
に必要なフィンガ40の限定された運動を可能とする。各
フィンガ40の作動的にウエーハと係合する部分のみがウ
エーハ板30の外方の処理流体およびガスと接触する。
処理ヘッド12内のウエーハ板30の内方にフィンガ制御
手段が配置されて、フィンガ40を一斉に、ウエーハと係
合する閉鎖位置とウエーハの受入れおよび排出を可能と
する開放位置との間に運動させる。フィンガ制御手段は
ウエーハ板30の内面31の回りに取付けられた各レバー組
立体と、モータベース15内に取付けられた共通のアクチ
ュエータ組立体との組合わせを含む。
手段が配置されて、フィンガ40を一斉に、ウエーハと係
合する閉鎖位置とウエーハの受入れおよび排出を可能と
する開放位置との間に運動させる。フィンガ制御手段は
ウエーハ板30の内面31の回りに取付けられた各レバー組
立体と、モータベース15内に取付けられた共通のアクチ
ュエータ組立体との組合わせを含む。
共通のアクチュエータ組立体は個々のレバー組立体と
作動的に係合して、それぞれのフィンガを一斉に閉鎖位
置から開放位置に選択的に運動させる。正常の作動時で
ウエーハ10の処理に関連してウエーハ板30が回転してい
るときにはアクチュエータ組立体は個々のレバー組立体
と物理的に係合しない。
作動的に係合して、それぞれのフィンガを一斉に閉鎖位
置から開放位置に選択的に運動させる。正常の作動時で
ウエーハ10の処理に関連してウエーハ板30が回転してい
るときにはアクチュエータ組立体は個々のレバー組立体
と物理的に係合しない。
個々のレバー組立体はそれぞれ個々のフィンガ40に連
結されている。レバー組立体はフィンガ40を弾性的に閉
鎖位置に押付け、選択的に開放位置に運動させる。フィ
ンガ40のためのそれぞれのレバー組立体は、ウエーハ板
30から内方に間隔をおかれた半径方向リンクバー45を含
む。各リンクバー45の外方端はフィンガ40の内方端にピ
ボット的に連結されて、フィンガを制御する。内方端は
平行なピボット軸47に取付けられたピボット腕46にピボ
ット的に連結される。各ピボット軸47の回りに巻き付け
られた捩りばね53が関連ピボット腕46を図１に示す直
立、すなわち内方に突出する位置に弾性的に押付け、こ
の位置でフィンガ40は基準軸線Ｘ−Ｘに平行な閉鎖位置
にある。
結されている。レバー組立体はフィンガ40を弾性的に閉
鎖位置に押付け、選択的に開放位置に運動させる。フィ
ンガ40のためのそれぞれのレバー組立体は、ウエーハ板
30から内方に間隔をおかれた半径方向リンクバー45を含
む。各リンクバー45の外方端はフィンガ40の内方端にピ
ボット的に連結されて、フィンガを制御する。内方端は
平行なピボット軸47に取付けられたピボット腕46にピボ
ット的に連結される。各ピボット軸47の回りに巻き付け
られた捩りばね53が関連ピボット腕46を図１に示す直
立、すなわち内方に突出する位置に弾性的に押付け、こ
の位置でフィンガ40は基準軸線Ｘ−Ｘに平行な閉鎖位置
にある。
環状の押しリング50がモータベース15に隣接するリン
クバー45の内方端を覆う位置にある。モータベース15は
基準軸線Ｘ−Ｘに対して直径的に離れて形成された２つ
のシリンダを有する。各シリンダには押しリング50に固
定された突出するピストン軸52を有する軸方向に可動の
空気圧ピストン51が設けられている。
クバー45の内方端を覆う位置にある。モータベース15は
基準軸線Ｘ−Ｘに対して直径的に離れて形成された２つ
のシリンダを有する。各シリンダには押しリング50に固
定された突出するピストン軸52を有する軸方向に可動の
空気圧ピストン51が設けられている。
ピストン51は圧縮ばね53によって内方に押し付けられ
ている。ピストンばね53は正常時には押しリング50を下
方のリンクバー45と係合しない位置に維持する。圧縮空
気がピストン51の内方側に指向されると、ピストン軸52
と押しリング50とは軸方向に伸長してピボット腕46をピ
ボット軸47の回りに押付け、これによってフィンガ40の
内方端を半径方向内方に引張り、ウエーハ10をその後に
フィンガ40により把持されるために位置決めすることを
可能とする。この把持運動はピボット腕46に作用する屈
撓可能のばね力によって行われ、これはピストン51に作
用する空気圧力が終わることにより押しリング50の圧力
が解放されたときに生ずる。
ている。ピストンばね53は正常時には押しリング50を下
方のリンクバー45と係合しない位置に維持する。圧縮空
気がピストン51の内方側に指向されると、ピストン軸52
と押しリング50とは軸方向に伸長してピボット腕46をピ
ボット軸47の回りに押付け、これによってフィンガ40の
内方端を半径方向内方に引張り、ウエーハ10をその後に
フィンガ40により把持されるために位置決めすることを
可能とする。この把持運動はピボット腕46に作用する屈
撓可能のばね力によって行われ、これはピストン51に作
用する空気圧力が終わることにより押しリング50の圧力
が解放されたときに生ずる。
フィンガ40の基準軸線Ｘ−Ｘの回りの角度位置の制御
を与えて、ウエーハの積載および卸下の自動化装置の要
求に適合させることが重要である。この目的のための割
出し手段が処理ヘッド12内に設けられる。割出し手段は
ウエーハ板30がモータ40によって回転せしめられていな
いとき、フィンガ40を基準軸線の回りの予め選択された
角度位置に選択的に位置決めする。
を与えて、ウエーハの積載および卸下の自動化装置の要
求に適合させることが重要である。この目的のための割
出し手段が処理ヘッド12内に設けられる。割出し手段は
ウエーハ板30がモータ40によって回転せしめられていな
いとき、フィンガ40を基準軸線の回りの予め選択された
角度位置に選択的に位置決めする。
割出し作業は使用される特定のウエーハ板30のフィン
ガ40の数に等しい数の複数の側面を有する多面ロータ板
59により達成される。ロータ板59の各面は弓形の縁部形
状（図５参照）を有し、内方に押し付けられたローラ60
と組合わされる爪（デテント）として作用する。モータ
34が不作動で駆動軸38が自由に回転可能であるときに、
ローラ60の内方に押し付ける力がロータ板59を所要の角
度だけピボット運動せしめて、図５に示すロータ板59の
中心決め位置にローラ60が位置するようにする。
ガ40の数に等しい数の複数の側面を有する多面ロータ板
59により達成される。ロータ板59の各面は弓形の縁部形
状（図５参照）を有し、内方に押し付けられたローラ60
と組合わされる爪（デテント）として作用する。モータ
34が不作動で駆動軸38が自由に回転可能であるときに、
ローラ60の内方に押し付ける力がロータ板59を所要の角
度だけピボット運動せしめて、図５に示すロータ板59の
中心決め位置にローラ60が位置するようにする。
ローラ60は取付け部14から垂下する支持軸63にピボッ
ト的に支持されたクランク腕62の一端に取付けられる。
クランク腕62の反対側の端部は２つの平行な空気圧シリ
ンダ組立体66の部品である２つの平行なピストンロッド
65の外方端にピボット的に連結されるＵ字型部64となっ
ている。シリンダ組立体66の他方端はモータベース15と
取付け部14とを結合するスペーサ67上の平行な軸の回り
にピボット的に取付けられる。
ト的に支持されたクランク腕62の一端に取付けられる。
クランク腕62の反対側の端部は２つの平行な空気圧シリ
ンダ組立体66の部品である２つの平行なピストンロッド
65の外方端にピボット的に連結されるＵ字型部64となっ
ている。シリンダ組立体66の他方端はモータベース15と
取付け部14とを結合するスペーサ67上の平行な軸の回り
にピボット的に取付けられる。
シリンダ組立体66は正常時には後退位置にばね偏倚せ
しめられてローラ60が半径方向にロータ板59から離れる
ようにする。ロータ板59は駆動軸38と一体的に回転して
いる。駆動軸38の回転が終結してウエーハ板30の割り出
し作業が要求されると、シリンダ組立体66が伸長せしめ
られる。これによって、ローラ60は半径方向内方にロー
タ板59の縁部に向って押付けられ、ロータ板は図示のよ
うに適切に位置決めされる。爪はフィンガ40が静止時に
角度的に割出されることを保証し、これによって関連す
るロボット的ウエーハ取扱い装置の作動的要求条件は満
足せしめられる。
しめられてローラ60が半径方向にロータ板59から離れる
ようにする。ロータ板59は駆動軸38と一体的に回転して
いる。駆動軸38の回転が終結してウエーハ板30の割り出
し作業が要求されると、シリンダ組立体66が伸長せしめ
られる。これによって、ローラ60は半径方向内方にロー
タ板59の縁部に向って押付けられ、ロータ板は図示のよ
うに適切に位置決めされる。爪はフィンガ40が静止時に
角度的に割出されることを保証し、これによって関連す
るロボット的ウエーハ取扱い装置の作動的要求条件は満
足せしめられる。
処理ヘッド12内にはウエーハ板30の基準軸線Ｘ−Ｘの
回りの回転の速度および方向を測定するための、運動監
視組立体が設けられる。図示実施例では駆動軸38に固定
された光学的ディスク54として示され、ディスク54には
複数の間隔をおかれた大きい切欠き56が設けられてい
る。ディスク54の上方に１つ以上の光学的センサ57があ
って、２組の切欠きを読取る。大きい切欠き56の位置は
ロータ板59の角度位置を確認するために使用され、爪ロ
ーラ60により静止位置に保持される。付加的なセンサを
使用し小さい切欠き55の運動を監視することによりディ
スクの運動の速度と方向とを測定してもよい。光学的な
監視装置の詳細は公知であり、本発明の理解には不要で
ある。
回りの回転の速度および方向を測定するための、運動監
視組立体が設けられる。図示実施例では駆動軸38に固定
された光学的ディスク54として示され、ディスク54には
複数の間隔をおかれた大きい切欠き56が設けられてい
る。ディスク54の上方に１つ以上の光学的センサ57があ
って、２組の切欠きを読取る。大きい切欠き56の位置は
ロータ板59の角度位置を確認するために使用され、爪ロ
ーラ60により静止位置に保持される。付加的なセンサを
使用し小さい切欠き55の運動を監視することによりディ
スクの運動の速度と方向とを測定してもよい。光学的な
監視装置の詳細は公知であり、本発明の理解には不要で
ある。
処理ベース70の詳細は図１の断面図に示される。これ
は基本的には、静止の円周方向直立壁面71と軸方向に可
動の底壁72との組合わせにより形成される上方に開いた
ボウルを含む。底壁72は軸方向に移動して、直立壁71の
底縁と封止的に係合する。下方に下げられると底壁72は
ボウル内の液体がその全周縁の回りに排出されることを
可能とする。直立壁表面73と底壁72の外側表面とは上方
に開いたボウルの内面を形成して、第２の基準軸線を中
心とする。処理ベース70の第２の基準軸線は、図１にお
いて同じく軸線Ｘ−Ｘとして示されるが、可変型処理ヘ
ッドと支持処理ベース70との第１および第２の基準軸線
は互いに関連して使用されるとき同軸となることによ
る。
は基本的には、静止の円周方向直立壁面71と軸方向に可
動の底壁72との組合わせにより形成される上方に開いた
ボウルを含む。底壁72は軸方向に移動して、直立壁71の
底縁と封止的に係合する。下方に下げられると底壁72は
ボウル内の液体がその全周縁の回りに排出されることを
可能とする。直立壁表面73と底壁72の外側表面とは上方
に開いたボウルの内面を形成して、第２の基準軸線を中
心とする。処理ベース70の第２の基準軸線は、図１にお
いて同じく軸線Ｘ−Ｘとして示されるが、可変型処理ヘ
ッドと支持処理ベース70との第１および第２の基準軸線
は互いに関連して使用されるとき同軸となることによ
る。
ボウル内の軸線Ｘ−Ｘに相対的な円筒形表面73の内径
は、外軸線に相対的なフィンガ40の外側直径より大であ
る。これは上方に開いたボウル内にウエーハ10を位置さ
せるためのグリップフィンガ40を受入れるための遊隙を
与えるものである。
は、外軸線に相対的なフィンガ40の外側直径より大であ
る。これは上方に開いたボウル内にウエーハ10を位置さ
せるためのグリップフィンガ40を受入れるための遊隙を
与えるものである。
ボウルの回りに取付け手段が配置されて、処理ヘッド
を第１および第２の基準軸線を図１に軸線Ｘ−Ｘとして
示すように固定的同軸関係として選択的に保持し且つフ
ィンガ40がウエーハをボウルの内部に把持するようにす
る。取付け手段は直立壁71の回りに半径方向外方に延長
する上方に面した周縁フランジ75を含む。フランジ75は
シュラウド18の回りに形成されたフランジ19に補完的で
あり、フランジ19はフランジ75上に自由に位置して処理
ヘッド12を処理ベース70上に適切に位置決めさせる。
を第１および第２の基準軸線を図１に軸線Ｘ−Ｘとして
示すように固定的同軸関係として選択的に保持し且つフ
ィンガ40がウエーハをボウルの内部に把持するようにす
る。取付け手段は直立壁71の回りに半径方向外方に延長
する上方に面した周縁フランジ75を含む。フランジ75は
シュラウド18の回りに形成されたフランジ19に補完的で
あり、フランジ19はフランジ75上に自由に位置して処理
ヘッド12を処理ベース70上に適切に位置決めさせる。
環状溝78が直立する壁面73と支持フランジ75との間
に、処理ベース70の回りに設けられる。溝78はウエーハ
板30と関連するウエーハ10との回転時に直立壁面73を越
えて半径方向外方に脱出する液体を集める。さらに、浸
漬処理技術が内部で実施されるとき上方に開いたボウ
ル、すなわち槽からのオーバフローを受ける。
に、処理ベース70の回りに設けられる。溝78はウエーハ
板30と関連するウエーハ10との回転時に直立壁面73を越
えて半径方向外方に脱出する液体を集める。さらに、浸
漬処理技術が内部で実施されるとき上方に開いたボウ
ル、すなわち槽からのオーバフローを受ける。
処理ベース70の部品は取囲む円筒形の壁79と下方の水
平壁82とによって形成されるベース閉鎖体内に配置され
る。壁79、82は所望により、ホース、ドレン、パイプな
ど閉鎖体内部への供給のための開口を設ける。ベース閉
鎖体は取囲むフレーム支持部88内に処理ベース70が取付
けられる。
平壁82とによって形成されるベース閉鎖体内に配置され
る。壁79、82は所望により、ホース、ドレン、パイプな
ど閉鎖体内部への供給のための開口を設ける。ベース閉
鎖体は取囲むフレーム支持部88内に処理ベース70が取付
けられる。
処理ボウルの底壁72は、その全周縁が下方壁82まで延
長する環状のベロー80によって支持される。ベロー80は
下方壁80とボウルの底壁72との間に延長し、直立壁71に
相対的に軸方向に運動するとき底壁72を運動可能に支持
している。
長する環状のベロー80によって支持される。ベロー80は
下方壁80とボウルの底壁72との間に延長し、直立壁71に
相対的に軸方向に運動するとき底壁72を運動可能に支持
している。
処理ベース70内にリニアアクチュエータが設けられ、
底壁72を軸線Ｘ−Ｘに平行に図１に示す閉鎖位置と下降
した開位置との間に運動させる。図１にはリニアアクチ
ュエータとして空気圧シリンダ組立体84が示される。実
際には、複数のシリンダ組立体84を設けて比較的大きい
底壁72を所望の軸方向経路に沿って運動させる。下方壁
82にはベロー80の外部にドレン85が設けられてボウル内
部および前述した溝78から受取った液体を排出する。
底壁72を軸線Ｘ−Ｘに平行に図１に示す閉鎖位置と下降
した開位置との間に運動させる。図１にはリニアアクチ
ュエータとして空気圧シリンダ組立体84が示される。実
際には、複数のシリンダ組立体84を設けて比較的大きい
底壁72を所望の軸方向経路に沿って運動させる。下方壁
82にはベロー80の外部にドレン85が設けられてボウル内
部および前述した溝78から受取った液体を排出する。
任意適当な数の液体またはガスのジェット、すなわち
ノズルをボウルの内部に指向せしめてよい。例示的なジ
ェット86が可動の底壁72を貫通延長しているが、複数の
同様なジェットまたはノズルを任意所望の幾何学的形状
に配置して、流体またはガスをウエーハ10の対面する表
面に所望の模様で指向してもよい。別法として、底壁72
を貫通延長するノズルを使用して処理時にボウルを充満
せしめ、所望により処理流体を循環させる。周縁の液体
またはガス供給ノズルおよびジェットを円筒形表面73の
回りに設けてもよく、図１の左側には例示として単一の
ジェット87を示す。
ノズルをボウルの内部に指向せしめてよい。例示的なジ
ェット86が可動の底壁72を貫通延長しているが、複数の
同様なジェットまたはノズルを任意所望の幾何学的形状
に配置して、流体またはガスをウエーハ10の対面する表
面に所望の模様で指向してもよい。別法として、底壁72
を貫通延長するノズルを使用して処理時にボウルを充満
せしめ、所望により処理流体を循環させる。周縁の液体
またはガス供給ノズルおよびジェットを円筒形表面73の
回りに設けてもよく、図１の左側には例示として単一の
ジェット87を示す。
処理ベース70は液体またはガスの噴射による、または
液体に浸漬する各種の半導体（半導体）ウエーハ処理技
術に適用可能である。図示するボウル組立体はボウル内
部からの液体の急速な排出を可能とする。このことは底
壁72を下方に運動させることにより達成され、液体は全
周縁から流出する。
液体に浸漬する各種の半導体（半導体）ウエーハ処理技
術に適用可能である。図示するボウル組立体はボウル内
部からの液体の急速な排出を可能とする。このことは底
壁72を下方に運動させることにより達成され、液体は全
周縁から流出する。
図９ないし図11は前述した処理装置を内蔵する機械を
示す。処理ヘッド12と処理ベース70とは図１に示すもの
と実質的に同等である。処理ベース70は静止でフレーム
支持部88により支持されており、フレーム支持部88は水
平の上方キャビネット表面として示され、この表面には
１つ以上の開口90が設けられている。各開口90の開口周
縁はベース閉鎖体と隣接する直線作動機構との外部形状
と補完的であり、直線作動機構（リニアアクチュエータ
機構）は後述するが処理ヘッド12のためのものである。
各処理ヘッド12と関連する処理ベース70との間の連結は
図12ないし図16に示す。
示す。処理ヘッド12と処理ベース70とは図１に示すもの
と実質的に同等である。処理ベース70は静止でフレーム
支持部88により支持されており、フレーム支持部88は水
平の上方キャビネット表面として示され、この表面には
１つ以上の開口90が設けられている。各開口90の開口周
縁はベース閉鎖体と隣接する直線作動機構との外部形状
と補完的であり、直線作動機構（リニアアクチュエータ
機構）は後述するが処理ヘッド12のためのものである。
各処理ヘッド12と関連する処理ベース70との間の連結は
図12ないし図16に示す。
図９ないし図11に示す機械は半導体ウエーハの処理機
械である。これは４つの処理場所（ステーション）を含
む。図において、３つの処理場所では処理ベース70と処
理ヘッド12とは機械のキャビネットの上方表面上で閉鎖
位置にある。これらの部品は第４の処理場所では示され
ておらず、開口90の全体形状を示している。
械である。これは４つの処理場所（ステーション）を含
む。図において、３つの処理場所では処理ベース70と処
理ヘッド12とは機械のキャビネットの上方表面上で閉鎖
位置にある。これらの部品は第４の処理場所では示され
ておらず、開口90の全体形状を示している。
機械のキャビネットはさらに、１対の通常の可搬型ウ
エーハ搬送体91を支持しており、これは平行な半導体ウ
エーハの積重ねを取扱いおよび移送時に支持するために
一般的に使用される形式のものである。入力されるウエ
ーハのために１つの搬送体が使用され、別の搬送体によ
って処理されたウエーハは搬送される。
エーハ搬送体91を支持しており、これは平行な半導体ウ
エーハの積重ねを取扱いおよび移送時に支持するために
一般的に使用される形式のものである。入力されるウエ
ーハのために１つの搬送体が使用され、別の搬送体によ
って処理されたウエーハは搬送される。
万能的に運動可能でプログラム可能のロボット移送腕
組立体92が機械のフレーム88に中心決めされて配置さ
れ、個々のウエーハを搬送体91と４つの処理場所との間
に移送する。所定のキャビネット上の処理場所は共通の
処理方法のために使用され、この方法は、１つ以上の流
体を処理場所に位置するウエーハの表面に処理ヘッド12
により適用することを含み、または一連の処理工程とし
て１つの処理ヘッド12から次の処理ヘッドにロボット移
送腕92の操作により移送する工程を含む。図12ないし図
16に示す処理ヘッドの実施例において、処理ヘッド12は
半径方向腕93によって片持ち支持されている。腕93は前
述のシュラウド18に水平方向および上方に隣接して位置
している。腕93の外方端は処理ヘッドに設けられて可動
の支持部に処理ヘッドを取付ける前述の取付け手段とし
て作用する支持ブラケット95にピン止めされている。こ
の実施例においてブラケット95は垂直に運動可能の支持
軸100の上方端に固着されている。
組立体92が機械のフレーム88に中心決めされて配置さ
れ、個々のウエーハを搬送体91と４つの処理場所との間
に移送する。所定のキャビネット上の処理場所は共通の
処理方法のために使用され、この方法は、１つ以上の流
体を処理場所に位置するウエーハの表面に処理ヘッド12
により適用することを含み、または一連の処理工程とし
て１つの処理ヘッド12から次の処理ヘッドにロボット移
送腕92の操作により移送する工程を含む。図12ないし図
16に示す処理ヘッドの実施例において、処理ヘッド12は
半径方向腕93によって片持ち支持されている。腕93は前
述のシュラウド18に水平方向および上方に隣接して位置
している。腕93の外方端は処理ヘッドに設けられて可動
の支持部に処理ヘッドを取付ける前述の取付け手段とし
て作用する支持ブラケット95にピン止めされている。こ
の実施例においてブラケット95は垂直に運動可能の支持
軸100の上方端に固着されている。
軸100は中空円筒形である。軸100はブラケット110に
よって関連するベース閉鎖体の下方壁82に固定された支
持管94によって活動可能に囲まれている。ベース閉鎖体
上の案内軸受け111が軸100を滑動可能に取囲んで、管94
に相対的な軸方向を安定化させる。
よって関連するベース閉鎖体の下方壁82に固定された支
持管94によって活動可能に囲まれている。ベース閉鎖体
上の案内軸受け111が軸100を滑動可能に取囲んで、管94
に相対的な軸方向を安定化させる。
管94の上方および下方端は支持軸の外部の回りに滑動
的に封止されている。中間ピストン96が管94内の支持軸
100の外部の固定され、管94の内側壁と封止的に係合す
る。これにより、軸方向に可動な部材として軸100を有
する復動空気圧シリンダが形成される。支持軸100は圧
力空気を管94の下方端を通して圧力空気を導入すること
により、上方に偏倚せしめられる。また、管94の上方端
を通して圧力空気を導入することにより、下方に偏倚せ
しめられる。
的に封止されている。中間ピストン96が管94内の支持軸
100の外部の固定され、管94の内側壁と封止的に係合す
る。これにより、軸方向に可動な部材として軸100を有
する復動空気圧シリンダが形成される。支持軸100は圧
力空気を管94の下方端を通して圧力空気を導入すること
により、上方に偏倚せしめられる。また、管94の上方端
を通して圧力空気を導入することにより、下方に偏倚せ
しめられる。
図12ないし図15に示す処理場所において、管94に相対
的な軸100の、同軸の垂直中心軸線の回りの回転は案内
ロッド97によって防止され、該ロッドは管94の下方端か
ら下方に垂下する。案内ロッド97は支持軸100の下方端
に固定された穴あきの案内カラー98と滑動可能に嵌合す
る。案内ロッド97とカラー98との相互作用によって、処
理ヘッド12の支持軸100の垂直軸線の回りの適切な角度
的位置決めが保証され、処理ヘッド12と関連する処理ベ
ース70との適切な組合わせが保証される。
的な軸100の、同軸の垂直中心軸線の回りの回転は案内
ロッド97によって防止され、該ロッドは管94の下方端か
ら下方に垂下する。案内ロッド97は支持軸100の下方端
に固定された穴あきの案内カラー98と滑動可能に嵌合す
る。案内ロッド97とカラー98との相互作用によって、処
理ヘッド12の支持軸100の垂直軸線の回りの適切な角度
的位置決めが保証され、処理ヘッド12と関連する処理ベ
ース70との適切な組合わせが保証される。
空気圧シリンダ組立体の作動によって処理ヘッド12に
与えられる限定された垂直運動以外に、処理ヘッド12は
垂直に運動可能の水平軸線の回りにピボット運動して図
15に示す位置をとる。これは手動的に行われ、最初に半
径方向支持腕93の外方端と支持ブラケットとを連結する
内方ピン101を除去する。ピン101の除去により処理ヘッ
ド12は残っているピン102の中心水平軸線の回りにピボ
ット運動可能となる。処理ヘッド12を図15に示す位置に
上昇させると、前述のようにウエーハ板30および関連す
る部品の交換または修理を可能とする。第２のピン102
を除去すると軸100の上端の処理ヘッド12全体の交換が
可能となり、必要の場合に実施される。往復運動する処
理ヘッド12とこの機械のフレーム88との間に必要な電気
的連結は中空の支持軸100を貫通延長して半径方向支持
腕93の一部を形成する取外し可能のカバー103内に収容
された着脱可能の電気的連結部104に達する可撓性ケー
ブルにより行われる。
与えられる限定された垂直運動以外に、処理ヘッド12は
垂直に運動可能の水平軸線の回りにピボット運動して図
15に示す位置をとる。これは手動的に行われ、最初に半
径方向支持腕93の外方端と支持ブラケットとを連結する
内方ピン101を除去する。ピン101の除去により処理ヘッ
ド12は残っているピン102の中心水平軸線の回りにピボ
ット運動可能となる。処理ヘッド12を図15に示す位置に
上昇させると、前述のようにウエーハ板30および関連す
る部品の交換または修理を可能とする。第２のピン102
を除去すると軸100の上端の処理ヘッド12全体の交換が
可能となり、必要の場合に実施される。往復運動する処
理ヘッド12とこの機械のフレーム88との間に必要な電気
的連結は中空の支持軸100を貫通延長して半径方向支持
腕93の一部を形成する取外し可能のカバー103内に収容
された着脱可能の電気的連結部104に達する可撓性ケー
ブルにより行われる。
図９ないし図15に示す処理ヘッド12は機械のフレーム
88に相対的に限定された垂直運動可能である。ヘッド12
はそれぞれの支持空気圧シリンダ組立体に作用する空気
圧に応答して上昇、下降する。上昇位置では、露出した
フィンガ40を拡げて離すことによりロボット移送腕92の
作動によるウエーハの移送が容易である。下降させると
フィンガ40はウエーハ10と係合し上方に開いた処理ボウ
ル内に位置決めして処理流体に露出させるようにする。
88に相対的に限定された垂直運動可能である。ヘッド12
はそれぞれの支持空気圧シリンダ組立体に作用する空気
圧に応答して上昇、下降する。上昇位置では、露出した
フィンガ40を拡げて離すことによりロボット移送腕92の
作動によるウエーハの移送が容易である。下降させると
フィンガ40はウエーハ10と係合し上方に開いた処理ボウ
ル内に位置決めして処理流体に露出させるようにする。
ある場合には処理ヘッド12に軸100の垂直中心軸線100
に相対的な回転運動を与えることが望ましい。例えば、
この回転運動は上昇した処理ヘッド12を支持軸100の垂
直軸線の回りに角度的に位置決めされた２つ以上の処理
ベース70間に移動させることを可能とし、処理ヘッド12
に把持されたウエーハに２つ以上の処理工程を順次的に
与えることができる。
に相対的な回転運動を与えることが望ましい。例えば、
この回転運動は上昇した処理ヘッド12を支持軸100の垂
直軸線の回りに角度的に位置決めされた２つ以上の処理
ベース70間に移動させることを可能とし、処理ヘッド12
に把持されたウエーハに２つ以上の処理工程を順次的に
与えることができる。
このピボット運動は図15に示すようにして達成され
る。前述実施例の垂直な案内ロッド97と案内カラー98と
は回転アクチュエータ106により代替されている。回転
アクチュエータ106は流体圧モータまたは電気モータと
なされ、処理ヘッド12を軸100の軸線の回りに任意所望
の角度だけ回転せしめ得るものとなされる。
る。前述実施例の垂直な案内ロッド97と案内カラー98と
は回転アクチュエータ106により代替されている。回転
アクチュエータ106は流体圧モータまたは電気モータと
なされ、処理ヘッド12を軸100の軸線の回りに任意所望
の角度だけ回転せしめ得るものとなされる。
回転アクチュエータ106は選択的に作動せしめられ軸1
00の下方端をその中心垂直軸線の回りに互いに連結する
スプライン105を介してピボット運動させる。スプライ
ン105は前述し図13に示した空気圧シリンダ組立体の応
答する軸100と処理ヘッド12との垂直運動にも適応して
いる。
00の下方端をその中心垂直軸線の回りに互いに連結する
スプライン105を介してピボット運動させる。スプライ
ン105は前述し図13に示した空気圧シリンダ組立体の応
答する軸100と処理ヘッド12との垂直運動にも適応して
いる。
図９ないし図16に示す装置は各ウエーハ10を処理ヘッ
ド12の下方に維持し、ウエーハは落下する粒子による汚
染に対して保護されている。補完的な処理ヘッド12と処
理ベース70とが閉鎖体を形成するから各ウエーハの処理
が実施される空間の汚染が最小となる。所望により圧縮
中性ガスを導入してこの空間を加圧することにより処理
ヘッド12と処理ベース70とにより形成される閉鎖体への
汚染の侵入を確実に防止することができる。
ド12の下方に維持し、ウエーハは落下する粒子による汚
染に対して保護されている。補完的な処理ヘッド12と処
理ベース70とが閉鎖体を形成するから各ウエーハの処理
が実施される空間の汚染が最小となる。所望により圧縮
中性ガスを導入してこの空間を加圧することにより処理
ヘッド12と処理ベース70とにより形成される閉鎖体への
汚染の侵入を確実に防止することができる。
上述処理場所は各種変形が可能である。これは処理キ
ャビネット又はフレームに可動的に支持されたヘッドに
対してウエーハが搬入、搬出される装置にも、また、ヘ
ッドが多数のウエーハ移送、処理場所間に運動せしめら
れる装置にも適用可能である。各形式の装置において、
ウエーハは支持フィンガ40により確実、正確に把持さ
れ、隣接するシュラウド18はウエーハを覆い、処理ヘッ
ド12の運動時におけるウエーハ表面の汚染を最小とす
る。
ャビネット又はフレームに可動的に支持されたヘッドに
対してウエーハが搬入、搬出される装置にも、また、ヘ
ッドが多数のウエーハ移送、処理場所間に運動せしめら
れる装置にも適用可能である。各形式の装置において、
ウエーハは支持フィンガ40により確実、正確に把持さ
れ、隣接するシュラウド18はウエーハを覆い、処理ヘッ
ド12の運動時におけるウエーハ表面の汚染を最小とす
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−242624（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−252238（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−140631（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−143634（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−46731（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−60027（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−123582（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 651 H01L 21/304 648 H01L 21/304 642 B08B 11/02 B08B 3/04 H01L 21/68
Claims (27)
- 【請求項１】半導体ウエーハを処理する処理装置であっ
て、 処理ベース、処理ベースに対し閉鎖位置と開放位置との
間で運動可能であるように取り付けられる処理ヘッド、
及び処理ヘッド上に取り付けられウエーハを選択的に保
持するウエーハ保持手段を備え、 閉鎖位置において、処理ベース及び処理ヘッドが処理囲
いを形成するように互いにすぐ近くにあり、処理囲いは
ウエーハが処理されるときウエーハをほぼ取り囲み、開
放位置において、処理ヘッドに対するウエーハの取り付
け及び処理ヘッドからのウエーハの取り外しが可能であ
るように処理ベース及び処理ヘッドが互いに離間される
処理装置。 - 【請求項２】更にウエーハ保持手段を処理ヘッドの他の
部分に関して運動させる駆動手段を含む請求項１の処理
装置。 - 【請求項３】更にウエーハ保持手段を処理ヘッドの他の
部分に関して回転させる駆動手段を含む請求項１の処理
装置。 - 【請求項４】前記処理ベースは、少なくともウエーハ保
持手段の部分をその中へ受け入れるように開放されるボ
ウルを含む請求項１の処理装置。 - 【請求項５】前記ウエーハ保持手段は、ウエーハの周囲
に沿ってウエーハに係合する複数の係合フィンガを含む
請求項１の処理装置。 - 【請求項６】前記ウエーハ保持手段は、ウエーハに係合
する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガは、ウエ
ーハの周囲に係合する請求項１の処理装置。 - 【請求項７】前記ウエーハ保持手段は、ウエーハに係合
する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガは、選択
的にウエーハに係合又は非係合するように運動可能であ
る請求項１の処理装置。 - 【請求項８】前記ウエーハ保持手段は、ウエーハに係合
する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガは、可撓
性ダイアフラムにより装着され、可撓性ダイアフラム
は、係合フィンガをして選択的にウエーハに係合又は非
係合するように運動させる請求項１の処理装置。 - 【請求項９】前記処理ヘッドは、該処理ヘッドが処理ベ
ースに対し上方及び下方へ運動するように制御可能な支
持体上に取り付けられる請求項１の処理装置。 - 【請求項１０】半導体ウエーハを処理する処理装置であ
って、 複数の処理ベース、各々が処理ベースの各々に対しそれ
ぞれ協働する複数の処理ヘッド、各処理ヘッドの１つの
上に取り付けられウエーハを選択的に保持する複数のウ
エーハ保持手段、及び複数の処理ヘッドの間でウエーハ
を動かすように設けられた少なくとも１つのウエーハ移
送体を備え、 複数の処理ヘッドの各々が閉鎖位置と開放位置との間で
運動可能であるように取り付けられ、閉鎖位置におい
て、処理ベース及び処理ヘッドが処理囲いを形成するよ
うに互いにすぐ近くにあり、処理囲いはウエーハが処理
されるときウエーハをほぼ取り囲み、開放位置におい
て、処理ヘッドに対するウエーハの取り付け及び処理ヘ
ッドからのウエーハの取り外しが可能であるように処理
ベース及び処理ヘッドが互いに離間される処理装置。 - 【請求項１１】更にウエーハ保持手段の各々を各処理ヘ
ッドの他の部分に関して運動させる駆動手段を含む請求
項10の処理装置。 - 【請求項１２】更に各ウエーハ保持手段を各処理ヘッド
の他の部分に関して回転させる駆動手段を含む請求項10
の処理装置。 - 【請求項１３】前記処理ベースは、少なくとも各ウエー
ハ保持手段の部分をその中へ受け入れるように開放され
る上部を有するボウルを含む請求項10の処理装置。 - 【請求項１４】前記ウエーハ保持手段の各々は、ウエー
ハに係合する複数の係合フィンガを含む処理装置。 - 【請求項１５】前記ウエーハ保持手段の各々は、ウエー
ハの周囲に沿ってウエーハに係合する複数の係合フィン
ガを含む請求項10の処理装置。 - 【請求項１６】前記ウエーハ保持手段の各々は、ウエー
ハに係合する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガ
は、選択的にウエーハに係合又は非係合するように運動
可能である請求項10の処理装置。 - 【請求項１７】前記ウエーハ保持手段の各々は、ウエー
ハに係合する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガ
は、可撓性ダイアフラムにより装着され、可撓性ダイア
フラムは、係合フィンガをして選択的にウエーハに係合
又は非係合するように運動させる請求項10の処理装置。 - 【請求項１８】前記各処理ヘッドは、該処理ヘッドが各
処理ベースに対し上方及び下方へ運動するように制御可
能な支持体の各々の上に取り付けられる請求項10の処理
装置。 - 【請求項１９】半導体ウエーハを処理する処理装置であ
って、 処理ベース、処理ベースに対し閉鎖位置と開放位置との
間で運動可能であるように取り付けられる処理ヘッド、
及びウエーハを処理ヘッドへ又は処理ヘッドから移動す
るように取り付けられた少なくとも１つのウエーハ移送
体を備え、 閉鎖位置において、処理ベース及び処理ヘッドが処理囲
いを形成するように互いにすぐ近くにあり、処理囲いは
ウエーハが処理されるときウエーハをほぼ取り囲み、開
放位置において、処理ヘッドに対するウエーハの取り付
け及び処理ヘッドからのウエーハの取り外しが可能であ
るように処理ベース及び処理ヘッドが互いに離間される
処理装置。 - 【請求項２０】半導体ウエーハを処理する処理装置であ
って、 フレーム、フレームに対し運動可能であるように取り付
けられる少なくとも１つの処理ヘッド、及び処理ヘッド
上に取り付けられたウエーハを選択的に保持するウエー
ハグリッパ手段を備え、 前記少なくとも１つの処理ヘッドは、閉鎖位置と開放位
置の間で運動可能であり、閉鎖位置において、処理ヘッ
ドが処理囲いを形成するように所定位置にあり、処理囲
いはウエーハをそれが処理されるときほぼ取り囲み、開
放位置において、処理ヘッドに対するウエーハの取り付
け及び処理ヘッドからのウエーハの取り外しが可能であ
るように処理ヘッドが所定位置に位置され、前記ウエー
ハグリッパ手段は、ウエーハに係合する複数の係合フィ
ンガを有する処理装置。 - 【請求項２１】前記ウエーハグリッパ手段は、ウエーハ
に係合する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガ
は、可撓性ダイアフラムにより装着され、可撓性ダイア
フラムは、係合フィンガをして選択的にウエーハに係合
又は非係合するように運動させ、前記処理装置は、更に
ウエーハグリッパ手段を処理ヘッドの他の部分に関して
回転させる駆動手段を含む請求項20の処理装置。 - 【請求項２２】前記ウエーハグリッパ手段は、ウエーハ
に係合する複数の係合フィンガを含み、係合フィンガ
は、可撓性ダイアフラムにより装着され、可撓性ダイア
フラムは、係合フィンガをして選択的にウエーハに係合
又は非係合するように運動させる請求項20の処理装置。 - 【請求項２３】半導体ウエーハを処理する処理装置であ
って、 フレーム、及びフレームに装着された少なくとも１つの
処理ボウルを含み、 少なくとも１つの処理ボウルは、流体を制御する可動壁
を処理ボウル内に有し、該可動壁は処理流体の処理ボウ
ル内への流れを制御する処理装置。 - 【請求項２４】前記可動壁は、底壁である請求項23の処
理装置。 - 【請求項２５】半導体ウエーハを処理する方法であっ
て、 処理ヘッドと各処理ベースとの間に相対運動を与えるこ
とにより処理ステーションをウエーハ装填状態とする工
程、 処理ヘッド上にウエーハを載せる工程、 処理ヘッド及び処理ベースに相対運動を与え、それによ
り処理ヘッド及び処理ベースを互いに近接させ、処理の
間ウエーハをほぼ取囲む処理エンクロジャを形成する工
程、 ウエーハを処理流体に晒すことにより処理エンクロジャ
内のウエーハを処理する工程、 処理ヘッドと各処理ベースとの間に相対運動を与えるこ
とにより処理ステーションをウエーハ荷降ろし状態とす
る工程、及び 処理ヘッドからウエーハを降ろす工程を含む方法。 - 【請求項２６】更に前記処理する工程の間にウエーハを
回転させる工程を含む請求項25の方法。 - 【請求項２７】請求項25の方法であって、複数の処理ス
テーションがあり、更にウエーハを１つの処理ステーシ
ョンから他の処理ステーションへ機械的ウエーハ移送器
具を使用して移送する工程を含む方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/526,243 US5168887A (en) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | Single wafer processor apparatus |
| US526,243 | 1990-05-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045043A Division JP3545713B2 (ja) | 1990-05-18 | 2001-02-21 | 単一ウエーハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05507179A JPH05507179A (ja) | 1993-10-14 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50885991A Expired - Fee Related JP3190331B2 (ja) | 1990-05-18 | 1991-04-24 | 単一ウエーハ処理装置 |
| JP2001045043A Expired - Fee Related JP3545713B2 (ja) | 1990-05-18 | 2001-02-21 | 単一ウエーハ処理装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045043A Expired - Fee Related JP3545713B2 (ja) | 1990-05-18 | 2001-02-21 | 単一ウエーハ処理装置 |
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|---|---|
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| EP (4) | EP0644580A3 (ja) |
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| AT (1) | ATE121220T1 (ja) |
| AU (1) | AU7794891A (ja) |
| DE (2) | DE69108908T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991018414A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6397067B1 (en) | 1999-07-07 | 2002-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Roadside transmitter |
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|---|---|---|---|---|
| US5658387A (en) * | 1991-03-06 | 1997-08-19 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing spray coating apparatus |
| US6375741B2 (en) | 1991-03-06 | 2002-04-23 | Timothy J. Reardon | Semiconductor processing spray coating apparatus |
| US5222310A (en) * | 1990-05-18 | 1993-06-29 | Semitool, Inc. | Single wafer processor with a frame |
| JPH07245285A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US5664337A (en) * | 1996-03-26 | 1997-09-09 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing systems |
| AT405225B (de) * | 1995-05-02 | 1999-06-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum behandeln annähernd runder oder kreisscheibenförmiger gegenstände, insbesondere siliziumwafer |
| US5744417A (en) * | 1996-05-02 | 1998-04-28 | Lyondell Petrochemical Company | Supported catalyst |
| US6358388B1 (en) * | 1996-07-15 | 2002-03-19 | Semitool, Inc. | Plating system workpiece support having workpiece-engaging electrodes with distal contact-part and dielectric cover |
| US6645355B2 (en) | 1996-07-15 | 2003-11-11 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
| US5731678A (en) * | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Semitool, Inc. | Processing head for semiconductor processing machines |
| US6805778B1 (en) * | 1996-07-15 | 2004-10-19 | Semitool, Inc. | Contact assembly for supplying power to workpieces during electrochemical processing |
| US6091498A (en) * | 1996-07-15 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
| US6672820B1 (en) | 1996-07-15 | 2004-01-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system |
| US6001234A (en) * | 1997-09-30 | 1999-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for plating semiconductor workpieces using a workpiece-engaging electrode assembly with sealing boot |
| US6599412B1 (en) * | 1997-09-30 | 2003-07-29 | Semitool, Inc. | In-situ cleaning processes for semiconductor electroplating electrodes |
| US6203582B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-03-20 | Semitool, Inc. | Modular semiconductor workpiece processing tool |
| US7087143B1 (en) | 1996-07-15 | 2006-08-08 | Semitool, Inc. | Plating system for semiconductor materials |
| US5980706A (en) * | 1996-07-15 | 1999-11-09 | Semitool, Inc. | Electrode semiconductor workpiece holder |
| US6228231B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer |
| KR20010024368A (ko) | 1997-09-30 | 2001-03-26 | 세미툴 인코포레이티드 | 접촉식 세정 작업을 위한 주 반응 챔버 외측에 보조전극을 구비하는 전기도금 시스템 |
| US6921468B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Electroplating system having auxiliary electrode exterior to main reactor chamber for contact cleaning operations |
| US6090711A (en) * | 1997-09-30 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Methods for controlling semiconductor workpiece surface exposure to processing liquids |
| US6261433B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-07-17 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system and method of electroplating on substrates |
| US6416647B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| DE19825381B4 (de) * | 1998-05-28 | 2004-10-28 | Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH | Verfahren zur Handhabung von Wafern großen Durchmessers während eines Temperprozesses |
| US6071388A (en) * | 1998-05-29 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer |
| US6494984B2 (en) | 1999-01-14 | 2002-12-17 | Semitool, Inc. | Flat media processing machine |
| US6190103B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Gasonics International Corporation | Wafer transfer device and method |
| US6557237B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Removable modular cell for electro-chemical plating and method |
| US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| TW499696B (en) * | 1999-04-27 | 2002-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
| US6796517B1 (en) | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
| US20040178065A1 (en) * | 2001-03-16 | 2004-09-16 | Semitool, Inc. | Electrode semiconductor workpiece holder and processing methods |
| US6645344B2 (en) * | 2001-05-18 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Limited | Universal backplane assembly and methods |
| US7247223B2 (en) * | 2002-05-29 | 2007-07-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces |
| US7114903B2 (en) | 2002-07-16 | 2006-10-03 | Semitool, Inc. | Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces |
| US20040118694A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Multi-chemistry electrochemical processing system |
| US20040255442A1 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-23 | Mcdiarmid James | Methods and apparatus for processing workpieces |
| JP4265306B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-05-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハ受渡し装置 |
| US20050077182A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | Applied Materials, Inc. | Volume measurement apparatus and method |
| KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
| FR2912210B1 (fr) | 2007-02-05 | 2013-01-11 | Frisquet Sa | Echangeur thermique pour chaudiere, chaudiere equipee d'un tel echangeur et procede de fabrication d'un tel echangeur |
| US8309045B2 (en) | 2011-02-11 | 2012-11-13 | General Electric Company | System and method for controlling emissions in a combustion system |
| US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
| US8967935B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-03-03 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4161356A (en) * | 1977-01-21 | 1979-07-17 | Burchard John S | Apparatus for in-situ processing of photoplates |
| JPS57166250A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Conveyance positioning device of sheet material |
| US4339297A (en) * | 1981-04-14 | 1982-07-13 | Seiichiro Aigo | Apparatus for etching of oxide film on semiconductor wafer |
| US4429983A (en) * | 1982-03-22 | 1984-02-07 | International Business Machines Corporation | Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers |
| JPS59124591A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-18 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 薄板物の移送装置 |
| JPS59201782A (ja) * | 1983-04-23 | 1984-11-15 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | ウエハ等の薄板物搬送装置 |
| US4439261A (en) * | 1983-08-26 | 1984-03-27 | International Business Machines Corporation | Composite pallet |
| US4519846A (en) * | 1984-03-08 | 1985-05-28 | Seiichiro Aigo | Process for washing and drying a semiconductor element |
| US4745422A (en) * | 1985-11-18 | 1988-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Automatic developing apparatus |
| US4724317A (en) * | 1985-12-05 | 1988-02-09 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | Optical data collection apparatus and method used with moving members |
| US4651440A (en) * | 1986-05-16 | 1987-03-24 | Eastman Kodak Company | Spin drying apparatus |
| JPS6314434A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
| US4788994A (en) * | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
| JPH0834205B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-03-29 | 株式会社東芝 | ドライエツチング装置 |
| JPS63133545A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置の基板移載搬送装置 |
| US4817556A (en) * | 1987-05-04 | 1989-04-04 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for retaining wafers |
| JPH0617295Y2 (ja) * | 1987-11-27 | 1994-05-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板受け渡し装置 |
| JPH01304732A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Nec Corp | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| SU1734865A1 (ru) * | 1988-07-18 | 1992-05-23 | Московское научно-производственное объединение "Биофизприбор" | Устройство дл контрол центрифуги |
-
1990
- 1990-05-18 US US07/526,243 patent/US5168887A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-24 AT AT91909105T patent/ATE121220T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-04-24 AU AU77948/91A patent/AU7794891A/en not_active Abandoned
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- 1991-04-24 EP EP91909105A patent/EP0530230B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045043A patent/JP3545713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6397067B1 (en) | 1999-07-07 | 2002-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Roadside transmitter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0635872A3 (ja) | 1995-03-01 |
| JP3545713B2 (ja) | 2004-07-21 |
| EP0644580A2 (en) | 1995-03-22 |
| JP2001291692A (ja) | 2001-10-19 |
| JPH05507179A (ja) | 1993-10-14 |
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| EP1028454A2 (en) | 2000-08-16 |
| EP0644580A3 (en) | 1995-05-24 |
| DE69108908T2 (de) | 1995-11-16 |
| AU7794891A (en) | 1991-12-10 |
| EP0530230B1 (en) | 1995-04-12 |
| US5168887A (en) | 1992-12-08 |
| EP0635872A2 (en) | 1995-01-25 |
| WO1991018414A1 (en) | 1991-11-28 |
| DE644580T1 (de) | 1995-11-09 |
| EP1028454A3 (en) | 2003-09-24 |
| ATE121220T1 (de) | 1995-04-15 |
| DE69108908D1 (de) | 1995-05-18 |
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