KR20160083288A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 상부 주변을 감싸고 상부가 개방된 용기; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 유기 용제를 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및 상기 기판의 주위 공간을 청정 상태로 하기 위한 환경 조성 가스와 상기 기판에 도포된 상기 유기 용제를 제거하기 위한 건조 유체를 분사하는 제 2 노즐 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다. 그리고, 린스액을 유기 용제로 치환한 후, 유기 용제를 제거 하는 방식으로 린스액이 건조된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 건조할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 상부 주변을 감싸고 상부가 개방된 용기; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 유기 용제를 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및 상기 기판의 주위 공간을 청정 상태로 하기 위한 환경 조성 가스와 상기 기판에 도포된 상기 유기 용제를 제거하기 위한 건조 유체를 분사하는 제 2 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제 2 노즐 유닛은, 하부 전반에 걸쳐 상기 환경 조성 가스와 상기 건조 유체를 선택적으로 분사할 수 있는 분사부가 형성된 하우징; 및 상기 하우징에 연결되어 상기 하우징의 위치를 가변시키는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 노즐 유닛은, 상기 하우징의 하부 중앙에 위치되어 상기 건조 유체를 분사하는 분사 노즐을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 용기에 위치되고, 상기 기판에 도포된 상기 유기 용제 제거를 위한 유체를 상기 기판에 분사하는 제 3 노즐 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판의 주위 공간으로 상기 주위 공간을 청정 상태로 하기 위한 환경 조성 가스를 공급하는 단계; 상기 기판에 제 1 노즐 유닛으로 유기 용제를 공급하는 단계; 및 상기 환경 조성 가스를 공급한 구성을 이용해 상기 기판으로 상기 유기 용제 제거를 위한 건조 유체를 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 건조 유체는 제 2 노즐 유닛의 하우징의 하부 중앙에 위치된 분사 노즐을 통해 이루어 지고, 상기 환경 조성 가스의 분사는 상기 분사 노즐의 둘레에 설정 면적을 가지도록 형성된 분사부를 통해 이루어질 수 있다.
또한, 상기 건조 유체와 상기 환경 조성 가스는 제 2 노즐 유닛의 하우징 하부에 설정 면적을 가지도록 형성된 분사부를 통해 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 건조할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시 예에 관한 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시 예에 관한 단면도이다.
도 3은 제 2 노즐 유닛의 저면도이다.
도 4는 제 2 노즐 유닛이 환경 조성 가스를 분사하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 제 2 노즐 유닛의 분사부가 건조 유체를 분사하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 제 2 노즐 유닛의 분사 노즐이 건조 유체를 분사하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 제 3 노즐 유닛이 건조 유체를 공급하는 상태를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시예에 관한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.
로드 포트(140)에는 기판이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 이송 챔버(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 챔버(260)와 캐리어(18) 간에 기판이 반송되기 전에 기판이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판이 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260) 내에는 기판에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치의 일 예를 설명한다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시 예에 관한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 기판 지지 유닛(310), 용기(320), 승강 유닛(330), 제 1 노즐 유닛(3100), 제 2 노즐 유닛(3200) 및 제 3 노즐 유닛(3300)을 포함한다.
기판 지지 유닛(310)는 세정 공정시 기판(w)을 지지한다. 기판 지지 유닛(310)는 스핀 헤드(311), 스핀들(spindle)(312) 그리고 회전 부재(313)를 갖는다.
스핀 헤드(311)는 용기(320)의 안쪽 공간에 배치된다. 스핀 헤드(311)는 상부에 기판(w)이 로딩(loading)되는 상부면(319)을 갖는다. 상부면(319)에는 이로부터 상부로 돌출된 지지 핀(315)들이 제공된다. 지지 핀(315)은 스핀 헤드(311)의 상부면(319)으로부터 기판(w)이 일정거리 이격되도록 기판(w)의 후면 가장자리를 지지한다. 척킹 핀(316)은 기판(w)의 상부면 가장자리 영역에 제공된다. 척킹 핀(316)은 스핀 헤드(311)가 회전될 때 기판(w)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(w)의 측부를 지지한다.
스핀들(312)은 스핀 헤드(311)의 하부 중앙에 결합된다. 스핀들(312)은 그 내부가 비어 있는 중공 축(hollow shaft) 형태이다. 스핀들(312)은 회전 부재(313)의 회전력을 스핀 헤드(311)에 전달한다. 상세하게 도시하지는 않았지만, 회전 부재(313)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부와, 구동부로부터 발생된 회전력을 스핀들로 전달하는 벨트, 체인과 같은 동력 전달부 등의 통상적인 구성으로 이루어질 수 있다.
한편, 스핀 헤드(311)에는 백 노즐부(317)가 설치된다. 백 노즐부(317)는 기판의 저면으로 초순수 및 질소가스 등의 유체를 분사한다. 백 노즐부(317)는 스핀 헤드(311)의 중앙부에 위치된다.
용기(320)는 스핀 헤드(311) 주변을 감싸고, 상부가 개방된 형상을 가진다. 용기(320)는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 구조를 가진다. 이는 약액들의 재사용이 가능하게 한다. 용기(320)는 복수의 회수통들(3210, 3220, 3230)을 가진다. 각각의 회수통(3210, 3220, 3230)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(320)는 3개의 회수통들(3210, 3220, 3230)을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(3210), 중간 회수통(3220), 그리고 외부 회수통(3230)이라 칭한다.
내부 회수통(321)은 스핀 헤드(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간 회수통(322)은 내부 회수통(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부 회수통(323)은 중간 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(321, 322, 323)은 용기(320) 내에서 용기 내 공간(32)과 통하는 유입구(321a, 322a, 323a)를 가진다. 각각의 유입구(321a, 322a, 323a)는 스핀 헤드(311)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(w)으로 분사되어 공정에 사용된 약액들은 기판(w)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(321a, 322a, 323a)를 통해 회수통(321, 322, 323)으로 유입된다. 외부 회수통(323)의 유입구(323a)는 중간 회수통(322)의 유입구(322a)의 수직 상부에 제공되고, 중간 회수통(322)의 유입구(322a)는 내부 회수통(321)의 유입구(321a)의 수직 상부에 제공된다. 즉, 내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323)의 유입구(321a, 322a, 323a)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다.
내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323) 각각에는 액을 배출하는 배출관(321b, 322b, 323b)과 흄을 포함하는 기체를 배기하는 배기관(329)이 결합된다.
승강 유닛(330)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(311)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(330)은 브라켓(331), 이동 축(332), 그리고 구동기(333)를 가진다. 브라켓(331)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(331)에는 구동기(333)에 의해 상하방향으로 이동되는 이동 축(332)이 고정결합된다. 기판(w)이 스핀 헤드(311)에 놓이거나, 스핀 헤드(311)로부터 들어올릴 때 스핀 헤드(311)가 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(321, 322, 323)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(330)은 스핀 헤드(311)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
제 1 노즐 유닛(3100)은 기판으로 유기 용제를 공급한다. 유기 용제는 이소프로필 알코올(Isopropyl Alcohol)일 수 있다. 유기 용제는 액상으로 기판에 공급될 수 있다. 기판(W)에 제공된 유기용제는 세척공정 후 기판(W)표면에 잔류하는 순수와 치환을 위해 공급될 수 있다.
제 1 노즐 유닛(3100)은 노즐 이동 부재(3110) 및 처리액 노즐(3120)을 포함한다. 노즐 이동 부재(3110)는 처리액 노즐(3120)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(3120)이 기판 지지 유닛에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(3120)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(3110)는 회전축(3111), 구동기(3113), 그리고 지지 아암(3115)을 포함한다. 회전축(3111)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(3111)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(3111)은 구동기(3113)에 의해 회전 가능하다. 회전축(3111)은 구동기(3113)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(3115)은 처리액 노즐(3120)과 회전축(3111)을 연결한다. 회전축(3111)이 회전됨에 따라 지지 아암(3115) 및 처리액 노즐(3120)은 회전축(3111)의 중심축을 중심으로 회전된다.
지지 아암(3115)은 그 길이방향이 제3방향(16)과 수직한 수평 방향을 향하는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지 아암(3115)의 일단은 회전축(3111)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(3115)은 타단이 회전축(3111)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(3115)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 지지 아암(3115)의 타단에는 처리액 노즐(3120)이 결합된다. 따라서 처리액 노즐(3120)은 회전축(3111) 및 지지 아암(3115)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.
도 3은 제 2 노즐 유닛의 저면도이다.
제 2 노즐 유닛(3200)은 기판(W)으로 건조 유체를 공급한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제 2 노즐 유닛(3200)은 구동부(3210), 하우징(3220) 및 분사 노즐(3230)을 포함한다.
하우징(3220)은 건조 유체를 기판(W)으로 공급하는 부분의 골격을 제공한다. 하우징(3220)은 일측에 위치되는 구동부(3210)에 의해 위치 조절 가능하게 제공된다. 일 예로, 구동부(3210)는 하우징(3220)의 상부에 연결되어, 하우징(3220)을 상하로 이동시킬 수 있다. 또한, 구동부(3210)는 하우징(3220)의 평면 방향 위치를 조절 가능하게 제공 될 수 도 있다.
분사 노즐(3230)은 하우징(3220)의 하부에 위치된다. 분사 노즐(3230)은 하우징(3220)의 하부 중앙에 위치될 수 있다. 분사 노즐(3230)은 건조 유체를 분사 가능하게 제공된다. 건조 유체는 질소 가스일 수 있다. 분사 노즐(3230)의 둘레에는 분사부(3221)가 형성될 수 있다. 분사부(3221)는 하우징(3220)의 하부 전반에 걸쳐 위치될 수 있다. 분사부(3221)는 서로 상이한 2가지 이상의 가스를 분사 가능하게 제공될 수 있다. 이 때, 분사부(3221)에서 분사되는 환경 조성 가스는 청정건조공기(CDA, Clean dry air)일 수 있다. 그리고, 분사부(3221)에서 분사되는 건조 유체는 건조 유체일 수 있다. 분사부(3221)에서 분사되는 건조 유체는 질소 가스일 수 있다. 분사부(3221)는 분사되는 가스가 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 공급되게 일정 면적을 가질 수 있다.
제 3 노즐 유닛(3300)은 기판(W)으로 건조 유체를 공급한다. 제 3 노즐 유닛(3300)이 공급하는 건조 유체는 질소 가스 일 수 있다. 제 3 노즐 유닛(3300)은 지지부(3320) 및 건조 노즐(3310)을 포함한다. 지지부(3320)는 건조 노즐(3310)을 지지한다. 일 예로, 지지부(3320)는 처리 용기(320)의 상부에 위치될 수 있다. 건조 노즐(3310)은 작업자에 의해 건조 유체의 분사 방향이 조절 가능하게 지지부(3320)에 지지될 수 있다.
도 4는 제 2 노즐 유닛이 환경 조성 가스를 분사하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 제 2 노즐 유닛(3200)은 분사부(3221)에서 기판(W) 쪽으로 환경 조성 가스를 공급할 수 있다. 기판 처리 장치(300)로 기판(W)의 반입 또는 반출 시 외부의 기체가 유입될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(300)는 공정의 진행 중 외기가 유입되게 제공될 수 있다. 이러한 외기는 기판(W)의 주위 환경을 오염시켜 공정의 효율성을 저하시킬 수 있다. 반면, 본 발명은 제 2 노즐 유닛(3200)을 이용해 기판(W)의 주위 공간으로 환경 조성 가스를 공급하여 기판(W) 주위의 환경을 청정 상태로 치환 또는 유지 시킬 수 있다. 환경 조성 가스의 공급은 기판(W)의 반입 또는 반출을 전후로 하여 공정의 진행 전후에 이루어 질 수 있다. 또한, 환경 조성 가스의 공급은 기판 처리 장치(300)에서 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행되는 중에 함께 이루어 질 수 있다. 이 때, 제 2 노즐 유닛(3200)은 제 1 노즐 유닛(3100)과 같이 기판에 공정을 수행하는 구성과의 간섭을 피하기 위해, 제 1 노즐 유닛(3100)의 위쪽에 위치될 수 있다.
도 5는 제 2 노즐 유닛의 분사부가 건조 유체를 분사하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 제 2 노즐 유닛(3200)의 분사부(3221)는 유기 용제가 공급된 기판(W)에 건조 유체를 공급하여 유기 용제를 기판에서 제거할 수 있다. 이 때, 제 1 노즐 유닛(3100)은 대기 위치로 이동된 상태일 수 있다. 또한, 제 2 노즐 유닛(3200)은 유기 용제의 제거 효율을 높이기 위해 환경 조성 가스를 공급할 때에 비해 아래쪽으로 이동 된 상태일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 건조 유체는 유기 용제가 공급된 후 별도로 기판(W)으로 분사된다. 따라서, 건조 유체가 유기 용제와 함께 공급될 경우 서로간의 간섭에 의해 유기 용제의 공급량이 영역별로 불균일 하게 되는 현상이 방지될 수 있다. 또한, 유기 용제의 공급 직 후, 넓은 영역에 대해 동시에 건조 유체가 공급되어 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 유기 용제가 제거될 수 있다.
도 6은 제 2 노즐 유닛의 분사 노즐이 건조 유체를 분사하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 제 2 노즐 유닛(3200)의 분사 노즐(3230)은 유기 용제가 공급된 기판(W)에 건조 유체를 공급하여 유기 용제를 기판(W)에서 제거할 수 있다. 분사 노즐(3230)은 건조 유체를 기판(W)의 중심의 위쪽에서 공급할 수 있다. 이 때, 제 1 노즐 유닛(3100)은 대기 위치로 이동된 상태일 수 있다. 또한, 제 2 노즐 유닛(3200)은 유기 용제의 제거 효율을 높이기 위해 환경 조성 가스를 공급할 때에 비해 아래쪽으로 이동 된 상태일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 건조 유체는 유기 용제가 공급된 후 별도로 기판(W)으로 분사된다. 따라서, 건조 유체가 유기 용제와 함께 공급될 경우 서로간의 간섭에 의해 유기 용제의 공급량이 영역별로 불균일 하게 되는 현상이 방지될 수 있다.
다른 실시 예로, 제 2 노즐 유닛(3200)은 분사 노즐(3230)에 의한 건조 유체 공급과 분사부(3221)에 의한 건조 유체 공급을 함께 수행하여 유기 용제를 제거할 수 있다.
도 7은 제 3 노즐 유닛이 건조 유체를 공급하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 제 3 노즐 유닛(3300)을 제 2 노즐 유닛(3200)을 보조하여 기판(W)으로 건조 유체를 분사할 수 있다. 이때, 제 3 노즐 유닛(3300)은 기판(W)의 중심 방향으로 건조 유체를 분사할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스 모듈 20: 공정 처리 모듈
120: 공정 처리 모듈 140: 이송 프레임
220: 버퍼 유닛 240: 이송 챔버
260: 공정 챔버 300: 기판 처리 장치
310: 기판 지지 유닛 320: 용기
330: 승강 유닛 3100: 제 1 노즐 유닛
3200: 제 2 노즐 유닛 3300: 제 3 노즐 유닛

Claims (7)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛의 상부 주변을 감싸고 상부가 개방된 용기;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 유기 용제를 공급하는 제 1 노즐 유닛; 및
    상기 기판의 주위 공간을 청정 상태로 하기 위한 환경 조성 가스와 상기 기판에 도포된 상기 유기 용제를 제거하기 위한 건조 유체를 분사하는 제 2 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐 유닛은,
    하부 전반에 걸쳐 상기 환경 조성 가스와 상기 건조 유체를 선택적으로 분사할 수 있는 분사부가 형성된 하우징; 및
    상기 하우징에 연결되어 상기 하우징의 위치를 가변시키는 구동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐 유닛은,
    상기 하우징의 하부 중앙에 위치되어 상기 건조 유체를 분사하는 분사 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항에 있어서,
    상기 용기에 위치되고, 상기 기판에 도포된 상기 유기 용제 제거를 위한 유체를 상기 기판에 분사하는 제 3 노즐 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 기판의 주위 공간으로 상기 주위 공간을 청정 상태로 하기 위한 환경 조성 가스를 공급하는 단계;
    상기 기판에 제 1 노즐 유닛으로 유기 용제를 공급하는 단계; 및
    상기 환경 조성 가스를 공급한 구성을 이용해 상기 기판으로 상기 유기 용제 제거를 위한 건조 유체를 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 건조 유체는 제 2 노즐 유닛의 하우징의 하부 중앙에 위치된 분사 노즐을 통해 이루어 지고, 상기 환경 조성 가스의 분사는 상기 분사 노즐의 둘레에 설정 면적을 가지도록 형성된 분사부를 통해 이루어 지는 기판 처리 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 건조 유체와 상기 환경 조성 가스는 제 2 노즐 유닛의 하우징 하부에 설정 면적을 가지도록 형성된 분사부를 통해 이루어지는 기판 처리 방법.
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