JP3155781B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JP3155781B2 JP3155781B2 JP23618791A JP23618791A JP3155781B2 JP 3155781 B2 JP3155781 B2 JP 3155781B2 JP 23618791 A JP23618791 A JP 23618791A JP 23618791 A JP23618791 A JP 23618791A JP 3155781 B2 JP3155781 B2 JP 3155781B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、特に一対の磁気コアアセンブリを間隔板
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
造方法に関し、特に一対の磁気コアアセンブリを間隔板
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来フロツピーデイスク装置は1〜2メ
ガバイト(MB)の容量を持つものが製品化されている
が、最近ではフロツピーデイスク装置の高容量化が進ん
できており、10メガバイト(MB)以上の容量をもつ
ものまで製品化されてきている。
ガバイト(MB)の容量を持つものが製品化されている
が、最近ではフロツピーデイスク装置の高容量化が進ん
できており、10メガバイト(MB)以上の容量をもつ
ものまで製品化されてきている。
【0003】1MBの容量のフロツピーデイスク装置の
最大線記録密度が9.7キロビツト/インチ(KBP
I)でトラツク密度が135トラツク/インチ(TP
I)であるが、10MB以上の容量を達成するには最大
線記録密度が35KBPI以上でトラツク密度が405
TPI〜1,000TPI以上と線記録密度、トラツク
密度ともに3倍以上とする必要がある。
最大線記録密度が9.7キロビツト/インチ(KBP
I)でトラツク密度が135トラツク/インチ(TP
I)であるが、10MB以上の容量を達成するには最大
線記録密度が35KBPI以上でトラツク密度が405
TPI〜1,000TPI以上と線記録密度、トラツク
密度ともに3倍以上とする必要がある。
【0004】ところが一般的なフロツピーデイスク装置
の使用のしかたとしては上位機種(高容量の機種)は下
位機種(低容量の機種)との互換性を保つことがソフ
ト、データの互換を保つうえで必要とされている。例え
ば3.5インチでの磁気デイスクを用い容量が2MBの
製品では、容量が1MBの製品に対応するフオーマツト
での書き込み、読み出しが可能で、容量が4MBの製品
では容量が1MB及び2MBの製品に対応するフオーマ
ツトでの書き込み、読み出しが可能となっており、10
MB以上の容量を持つ製品においても下位機種のフオー
マツトに従う記録再生ができることの(R/W互換)が
必要とされている。1〜4MBの製品ではトラツク密度
が135TPIで同じとなっているから当然R/W互換
が可能となっているが、トラツク密度が高い10MB以
上の容量を持つ製品ではトラツク密度の低い下位機種で
記録された信号の読み出しはできるが、下位機種に対応
するフオーマツトでの書き込みはできないので、従来の
ソフト、データとの互換が充分にとれるものではなくな
ってしまう。
の使用のしかたとしては上位機種(高容量の機種)は下
位機種(低容量の機種)との互換性を保つことがソフ
ト、データの互換を保つうえで必要とされている。例え
ば3.5インチでの磁気デイスクを用い容量が2MBの
製品では、容量が1MBの製品に対応するフオーマツト
での書き込み、読み出しが可能で、容量が4MBの製品
では容量が1MB及び2MBの製品に対応するフオーマ
ツトでの書き込み、読み出しが可能となっており、10
MB以上の容量を持つ製品においても下位機種のフオー
マツトに従う記録再生ができることの(R/W互換)が
必要とされている。1〜4MBの製品ではトラツク密度
が135TPIで同じとなっているから当然R/W互換
が可能となっているが、トラツク密度が高い10MB以
上の容量を持つ製品ではトラツク密度の低い下位機種で
記録された信号の読み出しはできるが、下位機種に対応
するフオーマツトでの書き込みはできないので、従来の
ソフト、データとの互換が充分にとれるものではなくな
ってしまう。
【0005】そこでトラツク密度が異なっても互換性を
保つことができるようにするために、1ー2MBの容量
機種に用いられるトンネル消去タイプの磁気コアアセン
ブリと10MB以上の容量のトラツク密度の異なる機種
に用いられる磁気コアアセンブリを間隔板を介して並設
して情報の記録再生を行なう複合磁気ヘッドが提案され
た。この種の複合磁気ヘッドの従来構造を図7〜図9に
より説明する。
保つことができるようにするために、1ー2MBの容量
機種に用いられるトンネル消去タイプの磁気コアアセン
ブリと10MB以上の容量のトラツク密度の異なる機種
に用いられる磁気コアアセンブリを間隔板を介して並設
して情報の記録再生を行なう複合磁気ヘッドが提案され
た。この種の複合磁気ヘッドの従来構造を図7〜図9に
より説明する。
【0006】図7は上記磁気ヘッドの本体の構造を示す
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【0007】図7において符号1はフロントコアアセン
ブリ(以下コアアセンブリと略す)であり、135TP
Iのトラツク密度の記録再生用の磁気コア(以下、記録
再生コアと呼ぶ)2とトンネル消去を行なう消去用の磁
気コア(以下、消去コアと呼ぶ)4のフロントコア部分
をスペーサ6を介して結合した結合体として構成されて
いる。
ブリ(以下コアアセンブリと略す)であり、135TP
Iのトラツク密度の記録再生用の磁気コア(以下、記録
再生コアと呼ぶ)2とトンネル消去を行なう消去用の磁
気コア(以下、消去コアと呼ぶ)4のフロントコア部分
をスペーサ6を介して結合した結合体として構成されて
いる。
【0008】記録再生コア2は記録再生ギヤツプ3を介
してL字形のフロントコア2aとI字形のフロントコア
2bを接合し、更にフロントコア2a,2bの後端部に
バツクコア15を接合して構成される。
してL字形のフロントコア2aとI字形のフロントコア
2bを接合し、更にフロントコア2a,2bの後端部に
バツクコア15を接合して構成される。
【0009】また、消去コア4は消去ギヤツプ5,5′
を介してL字形のフロントコア4aとI字形のフロント
コア4bを接合し、更にフロントコア4a,4bの後端
部にバツクコア16を接合して構成される。
を介してL字形のフロントコア4aとI字形のフロント
コア4bを接合し、更にフロントコア4a,4bの後端
部にバツクコア16を接合して構成される。
【0010】一方、符号21はバツクコア29とで高い
トラツク密度(例えば405TPI〜1,000TP
I)の記録再生コア22を有するコアアセンブリであ
り、この記録再生コア22はL字形とI字形のフロント
コア22a,22bの記録再生ギヤツプ23を構成する
突き合わせ面近傍にFeーAIーSi係合金等の高飽和
磁束密度材料の薄膜24をスパツタ、蒸着等の薄膜形成
技術によって所定の厚さで形成した後に記録再生ギヤツ
プ23となる非磁性薄膜を形成し突き合わせ接合されて
いる。
トラツク密度(例えば405TPI〜1,000TP
I)の記録再生コア22を有するコアアセンブリであ
り、この記録再生コア22はL字形とI字形のフロント
コア22a,22bの記録再生ギヤツプ23を構成する
突き合わせ面近傍にFeーAIーSi係合金等の高飽和
磁束密度材料の薄膜24をスパツタ、蒸着等の薄膜形成
技術によって所定の厚さで形成した後に記録再生ギヤツ
プ23となる非磁性薄膜を形成し突き合わせ接合されて
いる。
【0011】この記録再生コア22の上端の両側にはデ
イスク摺動面となる矩形状のセラミツク、非磁性フエラ
イト、ガラス等の非磁性材料のスペーサ25a,25b
が接合され、コアアセンブリが構成されている。
イスク摺動面となる矩形状のセラミツク、非磁性フエラ
イト、ガラス等の非磁性材料のスペーサ25a,25b
が接合され、コアアセンブリが構成されている。
【0012】間隔板アセンブリ40はコアアセンブリ
1,21の側面の上端部と後述するスライダ7,8の接
合面7a,8aに対向するべくT字状に形成されてお
り、磁性材料からなる遮断板41の両面を非磁性材料の
間隔板42で挟み込んだ積層構造となっている。
1,21の側面の上端部と後述するスライダ7,8の接
合面7a,8aに対向するべくT字状に形成されてお
り、磁性材料からなる遮断板41の両面を非磁性材料の
間隔板42で挟み込んだ積層構造となっている。
【0013】磁気ヘッド本体の組立工程では、コアアセ
ンブリ1、21が間隔板アセンブリ40を挟んで、更に
その両側を非磁性のスライダ7、8で挟んで接着剤、ガ
ラス溶着などにより接合される。
ンブリ1、21が間隔板アセンブリ40を挟んで、更に
その両側を非磁性のスライダ7、8で挟んで接着剤、ガ
ラス溶着などにより接合される。
【0014】スライダ7、8はコアアセンブリ1、21
と間隔板アセンブリ40と共に不図示のフロツピーデイ
スクに摺動接触して両コアアセンブリ1、21の摺接を
安定化するとともに、両コアアセンブリ1、21を保護
するものであり、セラミツクなどから形成されている。
また、これらのスライダ7、8は切り欠き部7b,8b
を有しており、コアアセンブリ1、21に対向するそれ
ぞれの側面において切り欠かれていないT字形の接合面
7a,8aがコアアセンブリ1、21に接合される。
と間隔板アセンブリ40と共に不図示のフロツピーデイ
スクに摺動接触して両コアアセンブリ1、21の摺接を
安定化するとともに、両コアアセンブリ1、21を保護
するものであり、セラミツクなどから形成されている。
また、これらのスライダ7、8は切り欠き部7b,8b
を有しており、コアアセンブリ1、21に対向するそれ
ぞれの側面において切り欠かれていないT字形の接合面
7a,8aがコアアセンブリ1、21に接合される。
【0015】この接合後に、コイル10を巻回したコイ
ルボビン9をコアアセンブリ1のフロントコア2aには
め込み、フロントコア4aにコイル13を巻回したコイ
ルボビン12がはめ込まれる。このコイルボビン12は
端子部12cが一体に設けてあり端子部12cにインサ
ート成型あるいは圧入などによって金属材料の端子12
dを設けて、前記コイル13の端末13aを巻付けて半
田付けで接続してある。
ルボビン9をコアアセンブリ1のフロントコア2aには
め込み、フロントコア4aにコイル13を巻回したコイ
ルボビン12がはめ込まれる。このコイルボビン12は
端子部12cが一体に設けてあり端子部12cにインサ
ート成型あるいは圧入などによって金属材料の端子12
dを設けて、前記コイル13の端末13aを巻付けて半
田付けで接続してある。
【0016】フロントコア2a,2b,4a,4bの図
中下端部にスペーサ17により接合されたバツクコア1
5、16を接合して、下位機種用の磁気コア(下位コ
ア)の磁気回路が構成される。
中下端部にスペーサ17により接合されたバツクコア1
5、16を接合して、下位機種用の磁気コア(下位コ
ア)の磁気回路が構成される。
【0017】また、コイル28を巻回したコイルボビン
27をコアアセンブリ21のフロントコア22aにはめ
込み、バツクコア29をフロントコア22a,22bの
下端部に接合して上位機種用の磁気コア(上位コア)の
磁気回路が構成される。
27をコアアセンブリ21のフロントコア22aにはめ
込み、バツクコア29をフロントコア22a,22bの
下端部に接合して上位機種用の磁気コア(上位コア)の
磁気回路が構成される。
【0018】スライダ8には溝8eが設けられ、該溝8
eには端子30aに複数本の端子30bを設けた端子ア
センブリ30が挿入固定されており、前記コイルボビン
9、27に巻回されたコイル10、28の端末10a、
28aを端子30bにそれぞれ接続して図8に示す磁気
ヘッド本体45が構成される。さらにこの図8に示す磁
気ヘッド本体45を図9に示す如くステンレスやベリリ
ウム銅からなる支持板19に固定し、支持板19に結合
されたフレキシブルプリント基板20に端子12d,3
0bを接続して磁気ヘッド47が構成される。
eには端子30aに複数本の端子30bを設けた端子ア
センブリ30が挿入固定されており、前記コイルボビン
9、27に巻回されたコイル10、28の端末10a、
28aを端子30bにそれぞれ接続して図8に示す磁気
ヘッド本体45が構成される。さらにこの図8に示す磁
気ヘッド本体45を図9に示す如くステンレスやベリリ
ウム銅からなる支持板19に固定し、支持板19に結合
されたフレキシブルプリント基板20に端子12d,3
0bを接続して磁気ヘッド47が構成される。
【0019】このようにして構成された磁気ヘッド47
は不図示のフロツピーデイスク装置内において、ヘッド
キヤリツジ上に支持板19を固定して取り付けられ、磁
気ヘッド本体45の図中上面をデイスク摺動面32とし
てデイスクに摺動接触して記録、再生を行なう。その際
にトラツク密度の違いによりコアアセンブリ1からなる
記録再生コア2と消去コア4か、またはコアアセンブリ
21からなる記録再生コア22を適宜選択して使用する
ことにより、トラツク密度の異なる上位機種と下位機種
とのR/W互換が可能となる。
は不図示のフロツピーデイスク装置内において、ヘッド
キヤリツジ上に支持板19を固定して取り付けられ、磁
気ヘッド本体45の図中上面をデイスク摺動面32とし
てデイスクに摺動接触して記録、再生を行なう。その際
にトラツク密度の違いによりコアアセンブリ1からなる
記録再生コア2と消去コア4か、またはコアアセンブリ
21からなる記録再生コア22を適宜選択して使用する
ことにより、トラツク密度の異なる上位機種と下位機種
とのR/W互換が可能となる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述した従来
の複合磁気ヘッドにおいては、図7、図8に示すように
コアアセンブリ1、21が間隔板アセンブリ40を介し
て近接して配置されるために、コアアセンブリ1、21
相互間での漏洩磁束による誘導、いわゆるクロストーク
が問題となってくる。
の複合磁気ヘッドにおいては、図7、図8に示すように
コアアセンブリ1、21が間隔板アセンブリ40を介し
て近接して配置されるために、コアアセンブリ1、21
相互間での漏洩磁束による誘導、いわゆるクロストーク
が問題となってくる。
【0021】例えば、高トラツク密度用のコアアセンブ
リ21の記録再生ギヤツプ23で再生しているとき、近
接した低トラツク密度のコアアセンブリ1の記録再生ギ
ヤツプ3は上位機種に対応するフオーマツトによるトラ
ツクを複数トラツク再生することになり、そのコアアセ
ンブリ1に流れる磁束が漏洩磁束となってコアアセンブ
リ21に流れ込んでしまう。
リ21の記録再生ギヤツプ23で再生しているとき、近
接した低トラツク密度のコアアセンブリ1の記録再生ギ
ヤツプ3は上位機種に対応するフオーマツトによるトラ
ツクを複数トラツク再生することになり、そのコアアセ
ンブリ1に流れる磁束が漏洩磁束となってコアアセンブ
リ21に流れ込んでしまう。
【0022】このようなクロストークが発生してしまう
ことによりデータの信頼性を欠いてしまうなど、デイス
クドライブ装置を構成するうえで重要な問題となる。ま
た、クロストークが生じてしまうと余分な漏洩磁束を発
生することになり記録、再生時のコア効率を落としてし
まうので、充分な記録を行なうためにはコイルに印加す
る電流を多く必要としたり、再生効率の低下によるマー
ジンの低下やノイズの影響を受けやすくなる等の問題が
あった。
ことによりデータの信頼性を欠いてしまうなど、デイス
クドライブ装置を構成するうえで重要な問題となる。ま
た、クロストークが生じてしまうと余分な漏洩磁束を発
生することになり記録、再生時のコア効率を落としてし
まうので、充分な記録を行なうためにはコイルに印加す
る電流を多く必要としたり、再生効率の低下によるマー
ジンの低下やノイズの影響を受けやすくなる等の問題が
あった。
【0023】このクロストークは間隔板アセンブリ40
を磁性材料からなる遮断板41の両面を非磁性材料から
なる間隔板42で挟み込んで積層した構造とすることで
防止できる。しかし、コアアセンブリ1、21は近接し
て配置されるのでその間に磁性材料の遮断板を配置する
と漏洩磁気抵抗が大きくなり記録再生コア2、22のイ
ンダクタンスが大きくなる。特に上位コアにより10M
B以上の容量を持つフオーマツトでの記録再生を行なう
場合は記録周波数が高く、転送レートも速くなってくる
ので、インダクタンスが高いと記録波形の立ち上がりが
遅くなる等の不都合が生じる。
を磁性材料からなる遮断板41の両面を非磁性材料から
なる間隔板42で挟み込んで積層した構造とすることで
防止できる。しかし、コアアセンブリ1、21は近接し
て配置されるのでその間に磁性材料の遮断板を配置する
と漏洩磁気抵抗が大きくなり記録再生コア2、22のイ
ンダクタンスが大きくなる。特に上位コアにより10M
B以上の容量を持つフオーマツトでの記録再生を行なう
場合は記録周波数が高く、転送レートも速くなってくる
ので、インダクタンスが高いと記録波形の立ち上がりが
遅くなる等の不都合が生じる。
【0024】それを防止するにはコイル28の巻き数を
減らしてインダクタンスを下げることになるが、巻き数
を減らしてしまうと再生出力の低下によってノイズの問
題やアンプのレベルを上げなければならない等の問題が
あった。そこで本発明の課題は、この種の磁気ヘッドに
おいて、不要な漏洩磁気抵抗を減少させてインダクタン
スを減少させるとともに、クロストークを防止できる構
造の磁気ヘッド及びその製造方法を提示提供することに
ある。
減らしてインダクタンスを下げることになるが、巻き数
を減らしてしまうと再生出力の低下によってノイズの問
題やアンプのレベルを上げなければならない等の問題が
あった。そこで本発明の課題は、この種の磁気ヘッドに
おいて、不要な漏洩磁気抵抗を減少させてインダクタン
スを減少させるとともに、クロストークを防止できる構
造の磁気ヘッド及びその製造方法を提示提供することに
ある。
【0025】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明は、一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッド
において、前記間隔板アセンブリの、前記磁気コアアセ
ンブリの磁気ギヤツプに対接する部分は磁性材と非磁性
材とが積層して構成され、残りの部分は非磁性材のみで
構成される。また、一対の磁気コアアセンブリが間隔板
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気コアアセンブリは、それぞれフ
ロントコア及びバツクコアより構成される1以上の磁気
コアを含み、前記間隔板アセンブリは、前記各磁気コア
アセンブリのフロントコア間に配置され、記録媒体摺動
面に沿う摺動部と、該摺動部に対して直交する方向に延
びる脚部とを有し、前記脚部及び、前記摺動部の、前記
磁気コアアセンブリの磁気ギヤツプに対接する部分は、
磁性材と非磁性材とが積層して構成され、前記摺動部の
残りの部分は非磁性材のみで構成される。
めに、本発明は、一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッド
において、前記間隔板アセンブリの、前記磁気コアアセ
ンブリの磁気ギヤツプに対接する部分は磁性材と非磁性
材とが積層して構成され、残りの部分は非磁性材のみで
構成される。また、一対の磁気コアアセンブリが間隔板
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気コアアセンブリは、それぞれフ
ロントコア及びバツクコアより構成される1以上の磁気
コアを含み、前記間隔板アセンブリは、前記各磁気コア
アセンブリのフロントコア間に配置され、記録媒体摺動
面に沿う摺動部と、該摺動部に対して直交する方向に延
びる脚部とを有し、前記脚部及び、前記摺動部の、前記
磁気コアアセンブリの磁気ギヤツプに対接する部分は、
磁性材と非磁性材とが積層して構成され、前記摺動部の
残りの部分は非磁性材のみで構成される。
【0026】また、一対の磁気コアアセンブリが間隔板
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘ
ッドの製造方法において、磁性材ブロツクに複数の溝を
形成する工程と、非磁性材ブロツクに溝を形成する工程
と、前記磁性材ブロツクを前記非磁性材ブロツクに形成
された溝内に配置すると共に、前記磁性材ブロツクに形
成された複数の溝に非磁性材からなる接合材を充填する
ことにより接合する工程と、前記溝内に前記磁性材ブロ
ツクが配置された前記非磁性材ブロツクを所定の形状に
切断加工することにより間隔板アセンブリを得る工程
と、前記間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリ
で挟んでトラツク幅方向に並設する工程とを有する。ま
た、一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセンブリを挟
んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッドの製造方法
において、磁性材ブロツクに複数の溝を形成する工程
と、前記磁性材ブロツクを一対の非磁性材ブロツク間に
挟んで配置すると共に、前記磁性材ブロツクに形成され
た複数の溝に非磁性材からなる接合材を充填することに
より接合する工程と、前記溝内に前記磁性材ブロツクが
配置された前記非磁性材ブロツクを所定の形状に切断加
工することにより間隔板アセンブリを得る工程と、前記
間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリで挟んで
トラツク幅方向に並設する工程と有する。
アセンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘ
ッドの製造方法において、磁性材ブロツクに複数の溝を
形成する工程と、非磁性材ブロツクに溝を形成する工程
と、前記磁性材ブロツクを前記非磁性材ブロツクに形成
された溝内に配置すると共に、前記磁性材ブロツクに形
成された複数の溝に非磁性材からなる接合材を充填する
ことにより接合する工程と、前記溝内に前記磁性材ブロ
ツクが配置された前記非磁性材ブロツクを所定の形状に
切断加工することにより間隔板アセンブリを得る工程
と、前記間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリ
で挟んでトラツク幅方向に並設する工程とを有する。ま
た、一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセンブリを挟
んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッドの製造方法
において、磁性材ブロツクに複数の溝を形成する工程
と、前記磁性材ブロツクを一対の非磁性材ブロツク間に
挟んで配置すると共に、前記磁性材ブロツクに形成され
た複数の溝に非磁性材からなる接合材を充填することに
より接合する工程と、前記溝内に前記磁性材ブロツクが
配置された前記非磁性材ブロツクを所定の形状に切断加
工することにより間隔板アセンブリを得る工程と、前記
間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリで挟んで
トラツク幅方向に並設する工程と有する。
【0027】
【作用】上述の如き構成の磁気ヘッドによれば、間隔板
アセンブリの一部のみが磁性材と非磁性材の積層構造に
よりなるため、2つのコアアセンブリの夫々のインダク
タンスの上昇を最小限に抑え、且つ、効率よくこれらの
間のクロストークを防止することができる。
アセンブリの一部のみが磁性材と非磁性材の積層構造に
よりなるため、2つのコアアセンブリの夫々のインダク
タンスの上昇を最小限に抑え、且つ、効率よくこれらの
間のクロストークを防止することができる。
【0028】また、上述の如き磁気ヘッドの製造方法に
よれば、一部のみが磁性材と非磁性材の積層構造であ
り、他の部分が非磁性材よりなる間隔板アセンブリを効
率よく製造できる。
よれば、一部のみが磁性材と非磁性材の積層構造であ
り、他の部分が非磁性材よりなる間隔板アセンブリを効
率よく製造できる。
【0029】
【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。ここでは、先述したフロツピーデイスク装置用の複
合型磁気ヘッドの製造方法を実施例としており、実施例
の各図において従来技術を説明した図7〜図9中と共通
の部分には共通の符号が付してあり、その説明は省略す
る。
る。ここでは、先述したフロツピーデイスク装置用の複
合型磁気ヘッドの製造方法を実施例としており、実施例
の各図において従来技術を説明した図7〜図9中と共通
の部分には共通の符号が付してあり、その説明は省略す
る。
【0030】(第1実施例)まず、図1及び図2は本発
明の第1実施例のフロツピーデイスク用複合磁気ヘッド
の本体の構造を示している。両図に示す磁気ヘッド本体
において間隔板アセンブリ60の構造が図7、図8の従
来例の間隔板アセンブリ40と異なっている。
明の第1実施例のフロツピーデイスク用複合磁気ヘッド
の本体の構造を示している。両図に示す磁気ヘッド本体
において間隔板アセンブリ60の構造が図7、図8の従
来例の間隔板アセンブリ40と異なっている。
【0031】即ち、従来例の間隔板アセンブリ40はT
字型の非磁性材からなる間隔板42で遮断板41を挟ん
で構成されており、コアアセンブリ1、21のデイスク
の摺動面に沿う摺動部のデイスク摺動方向(図8中矢印
A方向)に沿った遮断板41の長さはトンネル消去タイ
プの記録再生コア2、消去コア4のコアアセンブリ1と
同じである。
字型の非磁性材からなる間隔板42で遮断板41を挟ん
で構成されており、コアアセンブリ1、21のデイスク
の摺動面に沿う摺動部のデイスク摺動方向(図8中矢印
A方向)に沿った遮断板41の長さはトンネル消去タイ
プの記録再生コア2、消去コア4のコアアセンブリ1と
同じである。
【0032】これに対して本実施例の間隔板アセンブリ
60は、磁性材よりなる遮断板50aのデイスクの摺動
面に沿う摺動部のデイスク摺動方向(図2中矢印A方
向)に沿った長さはコアアセンブリ1よりかなり短くな
っている。
60は、磁性材よりなる遮断板50aのデイスクの摺動
面に沿う摺動部のデイスク摺動方向(図2中矢印A方
向)に沿った長さはコアアセンブリ1よりかなり短くな
っている。
【0033】次に間隔板アセンブリ60の製造工程を図
3により説明する。まず図3の(a)は遮断板50aの
複数個分の素材である磁性材ブロツク50であり、フエ
ライト等の高透磁率磁性材料から直方形のブロツク状に
形成されている。この磁性材ブロツク50に図3の
(b)のように遮断板50aを板状に残すように連結部
50bを残して断面が矩形で直線状の溝51を複数形成
する。一方図3の(c)は間隔板アセンブリ60の全体
形状となる非磁性材ブロツク52であり、セラミツク、
非磁性フエライト、ガラス等の非磁性材料から直方形に
形成されており、幅寸法は前記コアアセンブリ1と同じ
である。この非磁性ブロツク52に断面が矩形で直線状
の溝53を形成し、図3(e)に示すように前記磁性材
ブロツク50を遮断板50aが非磁性材ブロツク52に
設けた溝53に挿入され連結部50bと溝51が非磁性
材ブロツク52より図中上部に見えるように配置して仮
止めした後、ガラスなどの接合材54を溝51、53内
に充填し磁性材ブロツク50と非磁性材ブロツク52を
接合する。
3により説明する。まず図3の(a)は遮断板50aの
複数個分の素材である磁性材ブロツク50であり、フエ
ライト等の高透磁率磁性材料から直方形のブロツク状に
形成されている。この磁性材ブロツク50に図3の
(b)のように遮断板50aを板状に残すように連結部
50bを残して断面が矩形で直線状の溝51を複数形成
する。一方図3の(c)は間隔板アセンブリ60の全体
形状となる非磁性材ブロツク52であり、セラミツク、
非磁性フエライト、ガラス等の非磁性材料から直方形に
形成されており、幅寸法は前記コアアセンブリ1と同じ
である。この非磁性ブロツク52に断面が矩形で直線状
の溝53を形成し、図3(e)に示すように前記磁性材
ブロツク50を遮断板50aが非磁性材ブロツク52に
設けた溝53に挿入され連結部50bと溝51が非磁性
材ブロツク52より図中上部に見えるように配置して仮
止めした後、ガラスなどの接合材54を溝51、53内
に充填し磁性材ブロツク50と非磁性材ブロツク52を
接合する。
【0034】この後、磁性材ブロツク50の連結部50
bを除去して遮断板50aが分離されるように切断線5
6まで切削加工し、T字型になるように切断線55ー5
5′で切削加工して切断線57に沿って切断、ラツプ加
工して図3の(f)に示す間隔板アセンブリ60の完成
品が多数個得られる。
bを除去して遮断板50aが分離されるように切断線5
6まで切削加工し、T字型になるように切断線55ー5
5′で切削加工して切断線57に沿って切断、ラツプ加
工して図3の(f)に示す間隔板アセンブリ60の完成
品が多数個得られる。
【0035】以上のように製造した間隔板アセンブリ6
0と図1中の各部材を先述した従来例と同様の組立工程
で組立てて図2の磁気ヘッド本体70を得て、更に従来
例と同様の組立工程で磁気ヘッド本体70を支持板に固
定するなどして磁気ヘッドが完成する。
0と図1中の各部材を先述した従来例と同様の組立工程
で組立てて図2の磁気ヘッド本体70を得て、更に従来
例と同様の組立工程で磁気ヘッド本体70を支持板に固
定するなどして磁気ヘッドが完成する。
【0036】このようにして構成した磁気ヘッドにおい
て間隔板アセンブリ60の遮断板50aはコアアセンブ
リ1、21間のギヤツプ近傍に部分的に配置されるの
で、両コアアセンブリ1、21間のクロストークを防止
し、各コアアセンブリ1、21と遮断板50aの間に発
生する漏洩磁気抵抗が減少しインダクタンスが減少す
る。即ち、一定のインダクタンスで考えればよりコイル
10、28の巻数を増やすことができ、記録再生効率を
向上できる。また、非磁性ブロツク52a、52bがあ
ることによりデイスク摺動面32に溝等ができず、デイ
スクの円滑な摺動接触が損なわれることは無い。
て間隔板アセンブリ60の遮断板50aはコアアセンブ
リ1、21間のギヤツプ近傍に部分的に配置されるの
で、両コアアセンブリ1、21間のクロストークを防止
し、各コアアセンブリ1、21と遮断板50aの間に発
生する漏洩磁気抵抗が減少しインダクタンスが減少す
る。即ち、一定のインダクタンスで考えればよりコイル
10、28の巻数を増やすことができ、記録再生効率を
向上できる。また、非磁性ブロツク52a、52bがあ
ることによりデイスク摺動面32に溝等ができず、デイ
スクの円滑な摺動接触が損なわれることは無い。
【0037】そして、上述した間隔板アセンブリ60の
製造工程によれば磁性材ブロツク50と非磁性材ブロツ
ク52から一度に多数この間隔板アセンブリ60を製造
する、いわゆる多数個取りが可能であり、生産性が良
く、上記クロストークを防止してインダクタンスが減少
できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価に製造で
きる。
製造工程によれば磁性材ブロツク50と非磁性材ブロツ
ク52から一度に多数この間隔板アセンブリ60を製造
する、いわゆる多数個取りが可能であり、生産性が良
く、上記クロストークを防止してインダクタンスが減少
できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価に製造で
きる。
【0038】(第2実施例)次に、図4は本発明の第2
実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリ60の製造
工程を説明するものである。
実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリ60の製造
工程を説明するものである。
【0039】図4(a)に示す磁性材ブロツク50は先
述した第1実施例の磁性材ブロツクと同様に溝51を複
数形成しており、本実施例では第1実施例に比べて横幅
寸法・高さ寸法ともに大きくなっている。そして図4
(b)に示すように溝51に接合材54を埋め込んであ
る。
述した第1実施例の磁性材ブロツクと同様に溝51を複
数形成しており、本実施例では第1実施例に比べて横幅
寸法・高さ寸法ともに大きくなっている。そして図4
(b)に示すように溝51に接合材54を埋め込んであ
る。
【0040】図4(c)に示す非磁性材ブロツク52は
先述した第1実施例の非磁性材ブロツクと同様に溝53
を形成しており、前記磁性材ブロツク50がほぼ嵌合さ
れるように溝53も大きくなっている。この非磁性材ブ
ロツク52に図4(d)に示すように磁性材ブロツク5
0の連結部50bと溝51が非磁性材ブロツク52より
図中上部に見えるように配置して仮止めした後、再度溶
着して非磁性材ブロツク52と磁性材ブロツク50を接
合する。
先述した第1実施例の非磁性材ブロツクと同様に溝53
を形成しており、前記磁性材ブロツク50がほぼ嵌合さ
れるように溝53も大きくなっている。この非磁性材ブ
ロツク52に図4(d)に示すように磁性材ブロツク5
0の連結部50bと溝51が非磁性材ブロツク52より
図中上部に見えるように配置して仮止めした後、再度溶
着して非磁性材ブロツク52と磁性材ブロツク50を接
合する。
【0041】この後、磁性材ブロツク50の連結部50
bを除去して遮断板50aが分離されるように切断線5
6まで切削加工し、T字型になるように切断線55ー5
5′で切削加工して切断線57に沿って切断、ラツプ加
工して図4の(e)に示す間隔板アセンブリ62が多数
個得られる。
bを除去して遮断板50aが分離されるように切断線5
6まで切削加工し、T字型になるように切断線55ー5
5′で切削加工して切断線57に沿って切断、ラツプ加
工して図4の(e)に示す間隔板アセンブリ62が多数
個得られる。
【0042】以上のような工程によっても第1実施例と
同様なコアアセンブリ62が多数個取りが可能で、生産
性が良く同様にクロストークを防止してインダクタンス
が減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価に
製造できる。この間隔板アセンブリ62においては第1
実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図2のデイスク
摺動面32方向の遮断板50aの幅が広く、図1に示す
ほぼ対向するコアアセンブリ1、21のフロントコア2
b,4bと22bの図中下方向に大きくなっており、第
1実施例の間隔板アセンブリ60よりクロストークは少
ないがインダクタンスの減少は少し抑えられたものにな
る。
同様なコアアセンブリ62が多数個取りが可能で、生産
性が良く同様にクロストークを防止してインダクタンス
が減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価に
製造できる。この間隔板アセンブリ62においては第1
実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図2のデイスク
摺動面32方向の遮断板50aの幅が広く、図1に示す
ほぼ対向するコアアセンブリ1、21のフロントコア2
b,4bと22bの図中下方向に大きくなっており、第
1実施例の間隔板アセンブリ60よりクロストークは少
ないがインダクタンスの減少は少し抑えられたものにな
る。
【0043】(第3実施例)更に、図5は本発明の第3
実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリの製造工程
を説明するものである。
実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリの製造工程
を説明するものである。
【0044】図5(a)に示す磁性材ブロツク50は先
述した各実施例の磁性材ブロツクと同様に溝51を複数
形成しており、本実施例では第1実施例に比べて高さ寸
法が大きくなっている。
述した各実施例の磁性材ブロツクと同様に溝51を複数
形成しており、本実施例では第1実施例に比べて高さ寸
法が大きくなっている。
【0045】図5(b)、(c)に示す非磁性材ブロツ
ク52は先述した間隔板アセンブリ60の非磁性材ブロ
ツク52a,52bに相当するものであり、それぞれ直
方形に形成されている。そして図5(d)に示すように
前記磁性材ブロツク50を非磁性材ブロツク52a,5
2bで両側より挟み込むように配置して仮止めした後、
ガラスなどの接合材54により磁性材ブロツク50に設
けた溝51を埋め込んで非磁性材ブロツク52a,52
bと磁性材ブロツク50を接合する。
ク52は先述した間隔板アセンブリ60の非磁性材ブロ
ツク52a,52bに相当するものであり、それぞれ直
方形に形成されている。そして図5(d)に示すように
前記磁性材ブロツク50を非磁性材ブロツク52a,5
2bで両側より挟み込むように配置して仮止めした後、
ガラスなどの接合材54により磁性材ブロツク50に設
けた溝51を埋め込んで非磁性材ブロツク52a,52
bと磁性材ブロツク50を接合する。
【0046】この後、図5(e)に示すように磁性材ブ
ロツク50の連結部50bを除去して遮断板50aが分
離されるように切断線56まで切削加工し、T字型にな
るように切断線55ー55′で切削加工して切断線57
に沿って切断、ラツプ加工して図5の(f)に示す間隔
板アセンブリ64が多数個得られる。
ロツク50の連結部50bを除去して遮断板50aが分
離されるように切断線56まで切削加工し、T字型にな
るように切断線55ー55′で切削加工して切断線57
に沿って切断、ラツプ加工して図5の(f)に示す間隔
板アセンブリ64が多数個得られる。
【0047】以上のような工程によっても第1実施例と
同様に間隔板アセンブリ64の多数個取りが可能で、生
産性が良く同様にクロストークを防止してインダクタン
スが減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価
に製造できる。
同様に間隔板アセンブリ64の多数個取りが可能で、生
産性が良く同様にクロストークを防止してインダクタン
スが減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価
に製造できる。
【0048】この間隔板アセンブリ64においては第1
実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図1に示すほぼ
対向するコアアセンブリ1、21のフロントコア2b,
4bと22bの図中下方向に大きくなっており、第1実
施例の間隔板アセンブリ60よりクロストークは少なく
インダクタンスの減少は少し抑えられたものになる。
実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図1に示すほぼ
対向するコアアセンブリ1、21のフロントコア2b,
4bと22bの図中下方向に大きくなっており、第1実
施例の間隔板アセンブリ60よりクロストークは少なく
インダクタンスの減少は少し抑えられたものになる。
【0049】(第4実施例)また、更に図6は本発明の
第4実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリの製造
工程を説明するものである。
第4実施例の磁気ヘッドに於る間隔板アセンブリの製造
工程を説明するものである。
【0050】図6(a)に示す磁性材ブロツク50は先
述した各実施例の磁性材ブロツクに比べ幅寸法は大き
く、前記コアアセンブリ1と同じである。そして図5
(b)に示すように溝51を複数形成して、図5(c)
に示すよう直方形に形成された非磁性材ブロツク52を
配置して仮止めした後、ガラスなどの接合材54により
磁性材ブロツク50に設けた溝51を埋め込んで非磁性
材ブロツク52と磁性材ブロツク50を接合する。この
後、磁性材ブロツク50の連結部50bを除去して遮断
板50aが分離されるように切断線56まで切削加工し
て、図6(d)に示すように切断線57に沿って切断、
ラツプ加工して図6の(e)に示す間隔板アセンブリ6
5が多数個得られる。
述した各実施例の磁性材ブロツクに比べ幅寸法は大き
く、前記コアアセンブリ1と同じである。そして図5
(b)に示すように溝51を複数形成して、図5(c)
に示すよう直方形に形成された非磁性材ブロツク52を
配置して仮止めした後、ガラスなどの接合材54により
磁性材ブロツク50に設けた溝51を埋め込んで非磁性
材ブロツク52と磁性材ブロツク50を接合する。この
後、磁性材ブロツク50の連結部50bを除去して遮断
板50aが分離されるように切断線56まで切削加工し
て、図6(d)に示すように切断線57に沿って切断、
ラツプ加工して図6の(e)に示す間隔板アセンブリ6
5が多数個得られる。
【0051】以上のような工程によっても第1実施例と
同様に間隔板アセンブリ65の多数個取りが可能で、生
産性が良く同様にクロストークを防止してインダクタン
スが減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価
に製造できる。この間隔板アセンブリ64においては第
1実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図1に示すコ
アアセンブリ1と同様の長さとなるので、クロストーク
はほとんど変わらないがインダクタンスの減少は小さく
なる。従来例と、第1、第4実施例のインダクタンスと
クロストークの変化は以下の表1に示す如くなった。
同様に間隔板アセンブリ65の多数個取りが可能で、生
産性が良く同様にクロストークを防止してインダクタン
スが減少できる高性能のFDD用複合磁気ヘッドを安価
に製造できる。この間隔板アセンブリ64においては第
1実施例の間隔板アセンブリ60に比べ、図1に示すコ
アアセンブリ1と同様の長さとなるので、クロストーク
はほとんど変わらないがインダクタンスの減少は小さく
なる。従来例と、第1、第4実施例のインダクタンスと
クロストークの変化は以下の表1に示す如くなった。
【0052】
【表1】
【0053】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気ヘッドは、一対の磁気コアアセンブリを間隔板ア
センブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気ヘ
ッドにおいて、前記間隔板アセンブリの一部を磁性材と
非磁性材とを積層して構成し、他の部分は非磁性材のみ
で構成するので、間隔板アセンブリの一部のみが磁性材
と非磁性材の積層構造となり、2つのコアアセンブリの
夫々のインダクタンスの上昇を最小限に抑え、且つ効率
よくこれらの間のクロストークを防止することができ
る。
の磁気ヘッドは、一対の磁気コアアセンブリを間隔板ア
センブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気ヘ
ッドにおいて、前記間隔板アセンブリの一部を磁性材と
非磁性材とを積層して構成し、他の部分は非磁性材のみ
で構成するので、間隔板アセンブリの一部のみが磁性材
と非磁性材の積層構造となり、2つのコアアセンブリの
夫々のインダクタンスの上昇を最小限に抑え、且つ効率
よくこれらの間のクロストークを防止することができ
る。
【0054】また、本発明における磁気ヘッドの製造方
法によれば、一対の磁気コアアセンブリを間隔板アセン
ブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気ヘッド
の製造方法において、磁性材ブロツクに複数の溝を形成
する工程と、該磁性材ブロツクと非磁性材ブロツクとを
前記複数の溝に接合材を充填することにより接合する工
程と、前記接合ブロツクが形成された磁性材ブロツクを
切断加工する工程とにより、前記間隔板アセンブリを複
数得る様にしたので、一部のみが磁性材と非磁性材の積
層構造であり、他の部分が非磁性材よりなる間隔板アセ
ンブリを効率よく製造できる。
法によれば、一対の磁気コアアセンブリを間隔板アセン
ブリを挟んでトラツク幅方向に並設してなる磁気ヘッド
の製造方法において、磁性材ブロツクに複数の溝を形成
する工程と、該磁性材ブロツクと非磁性材ブロツクとを
前記複数の溝に接合材を充填することにより接合する工
程と、前記接合ブロツクが形成された磁性材ブロツクを
切断加工する工程とにより、前記間隔板アセンブリを複
数得る様にしたので、一部のみが磁性材と非磁性材の積
層構造であり、他の部分が非磁性材よりなる間隔板アセ
ンブリを効率よく製造できる。
【図1】本発明の第1実施例の磁気ヘッド本体の分解斜
視図である。
視図である。
【図2】図1の磁気ヘッドの外観斜視図である。
【図3】図1の磁気ヘッドにおける間隔板の製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図4】本発明の第2実施例の磁気ヘッドにおける間隔
板の製造工程を示す図である。
板の製造工程を示す図である。
【図5】本発明の第3実施例の磁気ヘッドにおける間隔
板の製造工程を示す図である。
板の製造工程を示す図である。
【図6】本発明の第4実施例の磁気ヘッドにおける間隔
板の製造工程を示す図である。
板の製造工程を示す図である。
【図7】従来の複合磁気ヘッド本体の分解斜視図であ
る。
る。
【図8】図7の複合磁気ヘッド本体の外観斜視図であ
る。
る。
【図9】図7の複合磁気ヘッド本体を有する磁気ヘッド
全体を示す外観斜視図である。
全体を示す外観斜視図である。
1、21 コアアセンブリ 2、22 記録再生コア 7、8 スライダ 50 磁性材ブロツク 51 溝 52 非磁性材ブロツク 54 接合材 60 間隔板アセンブリ
Claims (4)
- 【請求項1】 一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッド
において、 前記間隔板アセンブリの、前記磁気コアアセンブリの磁
気ギヤツプに対接する部分は磁性材と非磁性材とが積層
して構成され、残りの部分は非磁性材のみで構成される
ことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】 一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッド
において、 前記磁気コアアセンブリは、それぞれフロントコア及び
バツクコアより構成される1以上の磁気コアを含み、前記間隔板アセンブリは、前記各磁気コアアセンブリの
フロントコア間に配置され、記録媒体摺動面に沿う摺動
部と、該摺動部に対して直交する方向に延びる脚部とを
有し、 前記脚部及び、前記摺動部の、前記磁気コアアセンブリ
の磁気ギヤツプに対接する部分は、磁性材と非磁性材と
が積層して構成され、前記摺動部の残りの部分は非磁性
材のみで構成されることを特徴とする 磁気ヘッド。 - 【請求項3】 一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラツク幅方向に並設される磁気ヘッド
の製造方法において、 磁性材ブロツクに複数の溝を形成する工程と、 非磁性材ブロツクに溝を形成する工程と 、 前記磁性材ブロツクを前記非磁性材ブロツクに形成され
た溝内に配置すると共に 、 前記磁性材ブロツクに形成さ
れた複数の溝に非磁性材からなる接合材を充填すること
により接合する工程と、 前記溝内に前記磁性材ブロツクが配置された前記非磁性
材ブロツクを所定の形状に切断加工することにより間隔
板アセンブリを得る工程と、 前記間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリで挟
んでトラツク幅方向に並設する工程と 、 を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項4】 一対の磁気コアアセンブリが間隔板アセ
ンブリを挟んでトラ ツク幅方向に並設される磁気ヘッド
の製造方法において、 磁性材ブロツクに複数の溝を形成する工程と、 前記磁性材ブロツクを一対の非磁性材ブロツク間に挟ん
で配置すると共に 、 前記磁性材ブロツクに形成された複
数の溝に非磁性材からなる接合材を充填することにより
接合する工程と、 前記溝内に前記磁性材ブロツクが配置された前記非磁性
材ブロツクを所定の形状に切断加工することにより間隔
板アセンブリを得る工程と、 前記間隔板アセンブリを一対の磁気コアアセンブリで挟
んでトラツク幅方向に並設する工程と 、 有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23618791A JP3155781B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
DE19924231019 DE4231019C2 (de) | 1991-09-17 | 1992-09-16 | Magnetkopf und Verfahren zu dessen Herstellung |
US08/448,971 US5479309A (en) | 1990-07-26 | 1995-05-24 | Magnetic head having spacer assembly with laminate of magnetic and non-magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23618791A JP3155781B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0573833A JPH0573833A (ja) | 1993-03-26 |
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Family
ID=16997068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-09-16 DE DE19924231019 patent/DE4231019C2/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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