JP3146201B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 87
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 63
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 25
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
係り、特に、電子光学系の電子銃から照射された電子線
を電子線の絞り(本明細書では、絞りと呼ぶ)により任
意の図形の成形ビームに成形し、この成形ビームで、試
料上の所定位置へ照射描画する電子線描画装置における
絞り交換時の予備加熱手段に関するものである。
rd MicroprocessConference
のDigest Paper P.P.48−51に記
載の如く、電子線の成形および電流値制限を行なう薄板
の絞りを備えている。
構成を説明する。図4は、従来の電子線描画装置の説明
図である。鏡体部20の内部は、電子銃を有する電子光
学系を備え、真空排気系(図示せず)により、高真空状
態に維持されると共に、上部から電子線6を放射する電
子銃1、絞り15を載置する載置台25、ビームブラン
カー2、照射レンズ3、ブランキング絞り7、対物レン
ズ4、対物レンズ4の中にビーム偏向器5が配設されて
おり、一番下端部にはウエハ8を載置し移動する移動ス
テージ9を置かれる構造となっている。
用の絞り15を装着したアーム19が配設され、前記ア
ーム19が高真空状態に維持された絞り交換室16を通
過して前記鏡体部20内の載置台25迄移動し、前記載
置台25上に絞り15を載置するようになっている。前
記鏡体部20には前記載置台25の位置決めする移動機
構24が前記鏡体部20に付設されている。
明する。図5は、一般的な絞りの構成図である。図5分
図(a)は一般的な絞りの平面図、図5分図(b)は、
分図(a)の絞りのX−X′断面図である。図5におい
て、電子線6を任意の図形に成形する絞りOは、前記電
子線6を任意の図形に成形するための開口部15cを有
する薄板15aと、前記薄板15aを固定するホルダ1
5bにより構成されている。そして、ホルダ15bには
薄板15aに設けた開口部15cが連続し、前記開口部
15cは前記薄板15aでは角形状であり、前記ホルダ
15bでは前記角形状より大なる径を有する円形状とな
っている。また、前記薄板15aにおける開口部15c
は、描画ショツト形状を決めるよう薄膜等により高精度
の形状を持たせている。
て、描画動作と絞りの交換位置決めについて説明する。
制御計算機14が、描画対象の回路パターンに基づき描
画データを作成し、前記描画データが、前記ブランキン
グ制御回路10、偏向制御回路11に送られ、前記ブラ
ンキング制御回路10を介してビームブランカー2を制
御して、前記成形ビーム6aをブランキングし、また、
偏向制御回路11を介してビーム偏向器5を制御して前
記成形ビーム6aを偏向させる。
タに基づく描画位置を定め、ステージ制御回路13を介
して移動ステージ9を制御し、前記絞り15の開口部1
5cを電子線6の照射軸に一致させるように位置決めさ
せる。そして、前記開口部15cで任意の図形に成形さ
れた成形ビーム6aを試料8上の所定の位置に走査す
る。そして、メモリー等のLSI回路パターンが正確に
描画形成される。
多いデバイスの製造プロセスでは、回路パターンの描画
時間を短縮するため、上記繰り返しパターンと同形状の
図形開口部を有する絞りを使用するため、品種あるいは
工程毎に絞り交換が行なわれることになる。また、長期
間にわたる電子線照射により前記開口部のエッジにコン
タミネーションが付着し、該開口部の形状が変化し使用
できなくなった場合、また、絞りの寿命がつきた場合に
も絞り交換が行なわれていた。
ーンルーム内等に保管されており、絞り15自体の温度
はクリーンルームの室温(通常、クリーンルーム内では
約23℃)とほぼ同じ温度となっている。したがって、
この室温状態の絞り15を鏡体部20内の載置台25に
装着直後も室内保管温度とほぼ同じ温度である。
れ、電子線6で照射されると、その照射エネルギーによ
り加熱され、絞り15が熱膨張して変形し、前記の如
く、制御計算機14で電子線6の照射軸上に位置決めさ
れた開口部15cの位置ずれが生ずる。このため、絞り
15により電子線を任意の図形の成形ビーム6aの照射
位置が変化し、解像度および重ね合せ精度等の描画精度
が劣化するという欠点が生じていた。
形を少なくし、描画精度の劣化を防止し、高精度化を図
るためには、前記載置台25,絞り15が熱的飽和によ
つて一定温度になるまで待ち、そののち、前記制御計算
機14が上記の如く、上記開口部15cの位置決めが行
なっていた。その時まで、成形ビームの照射して試料8
上への回路パターン描画することを待たなければなら
ず、スループットおよび稼動率ならびに絞りの寿命が低
下するという欠点があった。
開平4−286843号公報記載の技術がある。この技
術は、走査顕微鏡等において用いられており、絞りを絞
り交換室で予め加熱した後、真空雰囲気内を移動させて
載置台に載置していた。
交換室で加熱されて到達する温度と、絞りが使用される
載置台が既に到達している飽和温度とは同一もしくはほ
ぼ同一ではなかった。したがった、絞りが載置台に載置
されたときの載置台との温度差における熱膨張差による
変形を低減する検討がなされてなく、前記熱膨張差を最
小に対する配慮が不十分であるという問題点があった。
めになされたもので、絞りを絞り交換室内で鏡体内の載
置台上で使用される時とほぼ同一温度に予熱し、前記絞
りが鏡体内の載置台上で電子線照射による描画時の絞り
の熱膨張量を低減し、解像度および重ね合せ精度等の描
画精度の向上を図ると共に、描画前の待機時間を短縮さ
せスループットおよび稼動率向上を図つた電子線描画装
置を提供することをその目的とする。
め、本発明に係る電子線描画装置の構成は、電子線照射
エネルギー量を変更可能な電子光学系を有する鏡体部
と、前記電子光学系の交換用絞りが配設される前記鏡体
部に付設された絞り交換室と、前記絞り交換室内の絞り
の温度を検出する温度検出手段と、前記絞り交換室内の
絞りを予熱する加熱手段と、前記絞りを前記絞り交換室
から前記鏡体部内へ移動させる移動手段と、前記移動さ
せた絞りを載置させる前記鏡体部内に配設した載置台
と、前記絞り交換室および前記鏡体部を真空にする排気
手段と、前記電子光学系を制御する電子光学系制御手段
とを少なくとも具備し、電子線照射エネルギーと、前記
電子線のビーム径と、前記絞りおよび載置台の熱伝導率
とから定まる前記載置台上の絞りの飽和温度測定手段
と、前記交換室内の絞りが前記飽和温度となるよう前記
加熱手段を制御する加熱制御手段とを設けたことを特徴
とするものである。前項記載の電子線描画装置におい
て、前記飽和温度測定手段は、前記載置台上の絞り近傍
の飽和温度を測定する温度検出部を備え、前記加熱制御
手段は、予め前記電子線照射エネルギー量に応じて測定
された前記飽和温度を記憶する記憶部と、前記記憶部に
記憶させた前記電子線照射エネルギー量に応じた飽和温
度を呼出し、前記交換室内の絞りが前記飽和温度となる
よう前記加熱手段を制御する制御部とを具備したことを
特徴とするものである。
は、電子線照射エネルギー量を変更可能な電子光学系を
有する鏡体部と、前記電子光学系の交換用絞りが配設さ
れる前記鏡体部に付設された絞り交換室と、前記絞り交
換室内の絞りを予熱する加熱手段と、前記絞りを前記絞
り交換室から前記鏡体部内へ移動させる移動手段と、前
記移動させた絞りを載置させる前記鏡体部内に配設した
載置台と、前記載置台の位置決め手段と、記電子光学系
を制御する電子光学系制御手段とを少なくとも具備し、
電子線照射エネルギーによる前記載置台上の絞りの熱膨
張に基づく試料上の電子ビームの照射位置の変化量が最
小となるよう前記絞りの加熱温度を定める評価手段と、
前記交換室内の絞りが前記評価温度となるよう加熱手段
を制御する加熱制御手段とを設けたことを特徴とするも
のである。前項記載の電子線描画装置において、前記評
価手段は、前記絞り交換室の絞り近傍の温度測定手段
と、交換室の絞りの加熱温度を変えて、試料上のマーク
位置に電子ビームを走査し、前記載置台上の絞りの熱膨
張によるマーク位置の変位が最小となるような加熱温度
を評価する評価部とを備え、前記加熱制御手段は、予め
前記電子線照射エネルギー量に応じ、前記評価された加
熱温度を記憶する記憶手段と、前記記憶させた評価温度
を呼出し、前記交換室内の絞りが前記評価温度となるよ
う前記加熱手段を制御する制御部とを具備したことを特
徴とするものである。
いて、前記加熱手段は、前記絞り交換室に設けた透過窓
を介して前記絞りを間接的に加熱するよう前記透過窓の
近傍に設けられた熱源を有することを特徴とするもので
ある。前項記載の電子線描画装置において、上記熱源
は、ハロゲンランプもしくはセラミックヒータ、カーボ
ンヒータ、シースヒータのいずれかで構成したことを特
徴とするものである。
に係る一実施形態の電子線描画装置を説明する。図1
は、本発明に係る一実施形態の電子線描画装置の説明
図、図2は、図1の電子線描画装置の要部説明図、図3
は、図1の電子線描画装置の動作フロシートである。
の原理を説明する。電子光学系の電子銃から照射された
電子線6を、絞り15により任意の図形のビームに成形
し、試料上の所定位置に照射描画する電子線描画装置
で、絞り15を絞り交換室16内で加熱できるよう絞り
加熱用熱源21(セラミックヒータもしくはハロゲンラ
ンプ)と、前記絞り15の温度をそれぞれ所定の位置で
測定するセンサ26a,26bを設けたものである。そ
して、絞り交換室16内で、絞り加熱制御部22により
絞り15の予熱温度が電子線6の照射時における載置台
25上の絞り15の飽和温度と同一もしくはほぼ同じ温
度になるよう制御するものである。
その部材が吸収する熱量と放散する熱量とが均衡してい
る状態の温度をいい、上記の場合は、下記式(1)に示
される。
1に示される電子源1の電源1aの印加電圧と、前記電
子源1の引出し電極(図示せず)の引出し電圧(ファラ
デーカップ1cで検出される電子線量を用いても差し支
えない)との積から得られる。この印加電圧は制御計算
機14で制御されており、その設定値を変更しない限り
一定であり、また、引出し電圧も同様に一定であり、電
子線量が変化しない。したがって、電子線照射エネルギ
ーは一定である。また、上式で、dは、円形電子ビーム
の径であり、図1に示される制限絞り1bの径と、その
放射角および電子源1と載置台25上の絞り15迄の距
離lとが変化しないかぎり一定である。さらに、上記
(1)式においてKは、その部材の熱伝導率である。い
ま、これを載置台25の熱伝導率とすれば、載置台の構
造と材質とで定まり一定である。したがつて、式(1)
に示される飽和温度を演算することが可能であり、前記
載置台25における電子線照射エネルギーで到達する飽
和温度として差し支えない。
記絞りの熱変形と当該載置台の熱変形とを加えたもので
あり、絞りと載置台がほぼ同一温度である場合には、構
造上載置台の熱変形に支配される。前記載置台が電子ビ
ームの照射により飽和温度に到達していると、ほぼ同一
温度の絞りを載置した際、載置台の熱容量が大であるた
め、絞りの飽和温度は絞りおよび載置台を合わせた部材
組の飽和温度とほぼ同一であり、さらに載置台の飽和温
度とほぼ同一で変化しない。従って、絞り交換室内で加
熱される絞りの加熱温度を前記載置台の飽和温度と同一
にすると、前記載置台上の絞りは熱変形が極端に少なく
なることになる。従って、載置台上の絞りの飽和温度と
して前記載置台の飽和温度を用いても実用的には差し支
えない。
線照射エネルギが定まれば一定であるが、プロセス条件
により加速電圧と電子線量、すなわち照射エネルギーを
変更することが必要であり、変更した場合は、絞りの予
熱する飽和温度を変更しなければならなくなる。変更し
た飽和温度で絞りを加熱することにより、絞りを通過し
た電子ビームの照射位置の変化を少なくすることができ
る。
子線描画装置の変形例を説明する。前記電子ビーム照射
エネルギーによる前記載置台と該載置台上の絞りの熱膨
張に基づく試料上の電子ビームの照射位置の変化量が最
小となるような評価温度を求め、この評価温度で絞りを
加熱制御することを説明する。電子線描画装置による使
用中は、電子線照射エネルギーを一定とすると、絞りの
温度は前記の如く一定の飽和温度である。
クを絞りにより成形された電子線ビームにより走査し、
マークから発生する反射電子によりマークの位置を計測
する。絞り交換室内において予熱されて温度測定された
絞りと、載置台上の絞りとの交換を実施し、再びマーク
の位置を計測する。これを繰返し、マーク位置の変位が
最小となる加熱条件を見つけるものであり、上記の飽和
温度を用いて制御する場合よりさらに正確な描画精度が
得られるものである。
態の電子線描画装置の構成を説明する。図1において、
鏡体部20の内部は、真空排気系(図示せず)により、
高真空状態に維持されている。前記鏡体部20内には、
上部に電子線6を放射する電子銃1と、前記電子銃1の
下方には前記電子線6の照射方向へ前記電子線6を成形
ビーム6aに成形する絞り15を載置する載置台25
と、前記載置台25に設けられた前記電子線6の照射で
昇温する前記絞り15の温度を測定する温度センサ26
bと、成形ビーム6aを描画データに従いブランキング
絞り7に当てるように偏向させ、前記成形ビーム6aを
カットするビームブランカー2と、前記成形ビーム6a
を照射する照射レンズ3と、前記成形ビーム6aを絞り
ブランキング時にカットするブランキング絞り7と、照
射ビームを偏向するビーム偏向器5と、前記ビーム偏向
器5の取り囲むように設けられている対物レンズ4とが
配設され、前記鏡体部20に続く試料部30には、ウエ
ハ8を載置する移動ステージ9が内設されている。
置には、前記載置台25をX,Y,Θ方向に位置決めで
きる機構を有する絞り移動機構24が設けられている。
前記鏡体部20の側方から交換用の絞り15を装着した
アーム19が前記絞り交換室16を通過して前記鏡体部
20内の載置台25迄移動するようになっており、絞り
の開口部15cを電子線6の照射軸上に位置決めさせる
ことができるようになっている。
上の交換用の絞り15の上部には、透過窓23が設けら
れている。交換用の絞り15を前記透過窓23を介して
加熱するハロゲンランプもしくはセラミックヒータ、カ
ーボンヒータ、シースヒータ等で構成される熱源21が
配設されている。さらに、この熱源21を制御する熱源
制御装置22が設けられている。交換用の絞り15の下
方で、且つアーム19の所定の部位には、前記交換用の
絞り15の温度を検出する温度センサ26aが配設され
ている。そして、上記の各部が所定の位置となり、その
機能が出せるように制御する制御計算機14が設けられ
ている。
ンに基づき描画データを作成する。この描画データに基
づき適宜に選定された絞り15により、電子銃1から放
出された電子線6が任意の図形に成形され、成形ビーム
6aを形成するようになっている。また、制御計算機1
4は、描画データに基づき、ブランキング制御回路10
を介してビームブランカー2、偏向制御回路11を介し
てビーム偏向器5等をそれぞれ制御する。
基づく描画位置情報をステージ制御回路13に送り、試
料8が載置されている移動ステージ9を移動させ、前記
絞り15により任意の図形に成形された成形ビーム6a
で前記試料8上を走査させ、メモリー等のLSI回路パ
ターンを描画・形成するようになっている。
部とを有し、記憶部は、前記載置台上近傍の温度センサ
26bで測定した各電子線照射エネルギー、電子ビーム
径、熱伝導率等に対応する飽和温度を制御パラメータと
して記憶する。実際には、電子ビーム径、熱伝導率等
は、電子線描画装置が決まれば一定であるので、熱源制
御装置22内に設定機構(図示せず)が設けられてい
る。制御パラメータの変数としては電子線照射エネルギ
ーだけとなる。勿論、上記式(1)を用いて演算した値
を用いても差し支えない。制御部は、電子描画装置の常
数、すなわち、電子線照射エネルギー、電子ビーム径等
に対応して記憶部に記憶されている飽和温度を呼出し、
温度設定値として絞り15の加熱温度を制御する。温度
センサ26aは、絞り交換室16の絞り15の加熱温度
の検出端である。
線速度を定める電源1aの印加電圧と、前記電子線ビー
ムの電子線量を定める電子銃1の下部に設けられた引出
し電極(図示せず)の引出し電圧と、電子ビームの径を
定める制限絞り1bの定数、すなわちその放射角および
電子源1と載置台25上の絞り15迄の距離lとの値が
入力されると、入力値に対応する飽和温度を呼出し、前
記飽和温度になるよう絞り15の加熱温度を自動的に制
御することができる。なお、引出し電極(図示せず)の
引出し電圧の代わりに、直接的に電子線量を測定するフ
ァラデーカップ1cの値を用いることが好ましい。な
お、制御計算機14と熱源制御装置22とは別体となっ
ているが、制御計算機14で全ての制御を行なわさせて
も差し支えない。
装置における所定温度に予備加熱された絞りの交換につ
いて説明する。ステップS1において、絞り交換室16
は、エアロック構造で構成したバルブ17および18に
より、鏡体部20側および大気側と遮断されている。絞
り15は、前記絞り交換室16をバルブ18を開けて大
気開放後、大気側より絞り交換室16内に手動あるいは
自動にて挿入され、アーム19に装着される。
じ、絞り交換室16内を絞り交換室用真空排気系(図示
せず)により真空排気する。ステップS3において、真
空排気中あるいは交換室内がある真空度に達した後、絞
り交換室16の外側(大気側)に取り付けられたハロゲ
ンランプ21で加熱する。
灯され、前記ハロゲンランプ21の照射光は透過窓23
を通り、前記アーム19に装着された絞り15に照射さ
れる。このようにして、前記ハロゲンランプ21の光照
射エネルギーにより絞り15が加熱される。
ンランプ21の光照射エネルギーによる絞り15の加熱
温度Tbは、電子線6の照射による絞り15の熱膨張を
低減するため、電子線6の加速電圧および電子線6によ
る絞り15への照射エネルギー量と、絞り15,絞り載
置台25,鏡体部20等の使用材の熱伝導率とから定ま
る前記絞り15の熱的に飽和した温度T0と同一または
ほぼ同じ温度にする必要がある。
2は、温度センサ26aにより測定された絞りの温度
(T)を取り込み、設定温度、すなわち制御パラメータ
であるT0飽和温度との差に応じてハロゲンランプ21
の照射時間tあるいはランプ光量pを制御して、前記温
度センサ26aの測定温度(T)を上記制御パラメータ
であるT0と同一あるいはほぼ同じ温度にする。
テップS6にすすむ。そうでない場合は、ステップS4に
戻り、前記点灯されたハロゲンランプ21の光照射エネ
ルギーにより前記絞り15の加熱温度Tbが熱的に飽和
した温度(T0)と同一またはほぼ同じ温度になるよう
加熱を継続する。
になったところで、絞り加熱制御部22は、ハロゲンラ
ンプを消灯し、加熱処理を終了し、バルブ17を開け
る。ステップS7において、絞り15をアーム19に装
着し、前記アーム19により鏡体部20内の絞り載置台
25迄搬送し、取り付ける。そして、電子銃から照射さ
れた電子線を、取り付けた絞りにより任意の図形のビー
ムに成形し、試料上の所定位置に照射描画することがで
きる。
形例において、評価温度を求め、絞り交換室内の絞り加
熱用の設定温度とする場合を説明する。前記飽和温度を
用いる実施形態の場合と共通する事項は簡単にし、特徴
点を詳細に説明する。加熱温度Tbは、電子線6の加速
電圧およびその電流量によつて定まる絞り15への照射
エネルギー量と、載置台25に固定されている絞り1
5,絞り載置台25の使用材による伝熱により電子描画
装置に一定の値となる。
り15に接して設置された温度センサ26aにより計測
された絞りの加熱温度とこの温度における前記絞り15
が載置台25上での熱膨張による試料8上への成形ビー
ム6aの照射位置の変化量を評価手段に評価する。評価
方法については上記原理の項にて説明の通りである。
となる温度(T0’)を測定しておき、加熱制御部22
に制御パラメータとして入力させておくようにする。そ
して、この温度(T0’)が電子描画装置の状態に応じ
て変化する場合、特に、電子ビーム照射エネルギーの変
更に対応して各パラメータを入力させておくようにす
る。
6内の絞り15の近傍の温度(T)を温度センサ26a
により測定させる。図3の動作フロシートにおいて、ス
テップS1からステップS4までは、飽和温度を絞り加熱
制御部22に設定温度として用いる場合と同一であるの
で再度の説明を省略し、ステップS5から説明する。ス
テップS5において、絞り加熱制御部22は、絞り交換
室16の温度センサ26aにより測定された絞りの温度
Tを取り込み、ハロゲンランプの熱源21の照射時間t
あるいはランプ光量pを制御して、前記温度センサ26
aの測定温度(T)を上記入力させて制御パラメータで
ある(T0’)と同一あるいはほぼ同じ温度にする。
ステップS6にすすむ。そうでない場合は、ステップS4
に戻り、前記点灯されたハロゲンランプ21の光照射エ
ネルギーにより前記絞り15の加熱温度Tbが(T
0’)と同一またはほぼ同じ温度になるよう加熱を継続
する。
0’)になったところで、絞り加熱制御部22は、ハロ
ゲンランプを消灯し、加熱処理を終了し、バルブ17を
開ける。ステップS7において、絞り15をアーム19
に装着し、前記アーム19により鏡体部20内の絞り載
置台25迄、搬送し取り付ける。そして、電子銃から照
射された電子線を、前記取り付けた絞りにより任意の図
形のビームに成形し、試料上の所定位置に照射し描画す
ることができる。
ける電子線の照射による絞りの熱膨張量が低減し、絞り
移動機構により電子線の軸上に位置決めされた開口部の
位置ずれが低減されることにより、絞りにより任意の図
形に成形された電子ビームの試料上における照射位置ず
れ量が低減され、解像度および重ね合せ精度等の描画精
度が向上し、且つ描画前の待機時間を短縮させスループ
ットおよび稼動率向上を図り、高精度、高スループット
および稼動率の高い電子線描画装置を提供することがで
きる。
明図である。
る。
4…対物レンズ 5…ビーム偏向器、6…電子線、7…ブランキング絞
り、8…ウェハ、9…移動ステージ、10…ブランキン
グ制御回路、11…偏向制御回路、13…ステージ制御
回路、14…制御計算機、15…絞り、15a…薄板、
15b…薄板固定ホルダ、15c…開口部、16…絞り
交換室、17…バルブ、18…バルブ、19…アーム、
20…鏡体部、21…加熱源、22…絞り加熱制御部、
23…透過窓、24…絞り移動機構、25…絞り載置
台、26a…温度センサ、26b…温度センサ。
Claims (6)
- 【請求項1】 電子線照射エネルギー量を変更可能な電
子光学系を有する鏡体部と、前記電子光学系の交換用絞
りが配設される前記鏡体部に付設された絞り交換室と、
前記絞り交換室内の絞りの温度を検出する温度検出手段
と、前記絞り交換室内の絞りを予熱する加熱手段と、前
記絞りを前記絞り交換室から前記鏡体部内へ移動させる
移動手段と、前記移動させた絞りを載置させる前記鏡体
部内に配設した載置台と、前記絞り交換室および前記鏡
体部を真空にする排気手段と、前記電子光学系を制御す
る電子光学系制御手段とを少なくとも具備し、電子線照
射エネルギーと、前記電子線のビーム径と、前記絞りお
よび載置台の熱伝導率とから定まる前記載置台上の絞り
の飽和温度測定手段と、前記交換室内の絞りが前記飽和
温度となるよう前記加熱手段を制御する加熱制御手段と
を設けたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項2】請求項1記載の電子線描画装置において、 前記飽和温度測定手段は、前記載置台上の絞り近傍の飽
和温度を測定する温度検出部を備え、前記加熱制御手段
は、予め前記電子線照射エネルギー量に応じて測定され
た前記飽和温度を記憶する記憶部と、前記電子線照射エ
ネルギー量に応じて前記記憶部に記憶させた飽和温度を
呼出し、前記交換室内の絞りが前記飽和温度となるよう
前記加熱手段を制御する制御部とを具備したことを特徴
とする電子線描画装置。 - 【請求項3】 電子線照射エネルギー量を変更可能な電
子光学系を有する鏡体部と、前記電子光学系の交換用絞
りが配設される前記鏡体部に付設された絞り交換室と、
前記絞り交換室内の絞りを予熱する加熱手段と、前記絞
りを前記絞り交換室から前記鏡体部内へ移動させる移動
手段と、前記移動させた絞りを載置させる前記鏡体部内
に配設した載置台と、前記載置台の位置決め手段と、前
記電子光学系を制御する電子光学系制御手段とを少なく
とも具備し、電子線照射エネルギーによる前記載置台上
の絞りの熱膨張に基づく試料上の電子ビームの照射位置
の変化量が最小となるような前記絞りの加熱温度を定め
る評価手段と、前記交換室内の絞りが前記評価温度とな
るよう加熱手段を制御する加熱制御手段とを設けたこと
を特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の電子線描画装置におい
て、 前記評価手段は、前記絞り交換室の絞り近傍の温度測定
手段と、前記交換室の絞りの加熱温度を変えて、試料上
のマーク位置に電子ビームを走査し、前記載置台上の絞
りの熱膨張によるマーク位置の変位が最小となるような
加熱温度を評価する評価部とを備え、前記加熱制御手段
は、予め前記電子線照射エネルギー量に応じた前記評価
された加熱温度を記憶する記憶手段と、前記記憶させた
評価温度を呼出し、前記交換室内の絞りが前記評価温度
となるよう前記加熱手段を制御する制御部とを具備した
ことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4記載のいずれかの電子
線描画装置において、前記加熱手段は、前記絞り交換室
に設けた透過窓を介して前記絞りを間接的に加熱するよ
う前記透過窓の近傍に設けられた熱源を有することを特
徴とする電子線描画装置。 - 【請求項6】 請求項5記載の電子線描画装置におい
て、 上記熱源は、ハロゲンランプもしくはセラミックヒー
タ、カーボンヒータ、シースヒータのいずれかで構成し
たことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16570199A JP3146201B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16570199A JP3146201B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000357484A JP2000357484A (ja) | 2000-12-26 |
JP3146201B2 true JP3146201B2 (ja) | 2001-03-12 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3146201B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2013069812A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Canon Inc | 荷電粒子線照射装置、荷電粒子線描画装置及び物品製造方法 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP16570199A patent/JP3146201B2/ja not_active Expired - Fee Related
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