JP3135658B2 - ラクトン誘導体の新規製造方法 - Google Patents
ラクトン誘導体の新規製造方法Info
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
製造方法に関する。
ては、エリスロマイシン等のマクロライド系抗生物質を
初めとして、数多くの物質が知られており、ラクトン化
合物の合成反応は、有機合成上極めて重要な反応であ
る。
ては以下に示す方法が一般的である。
る閉環法、(2)すでにエステル結合を有する鎖状化合
物の炭素−炭素結合生成による閉環法、並びに(3)環
拡大による方法等であり、特に(1)の分子内エステル
結合生成による閉環法は、近年最も著しい進歩を遂げた
方法である。
質は様々な官能基を併せ持つことが多く、より温和な条
件で、より簡便で効率的なラクトン合成法が医薬品合成
上からも望まれている。
ドロキシカルボン酸誘導体から、より温和な条件下で、
効率的にラクトン誘導体を製造する方法を提供すること
にある。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシカ
ルボン酸誘導体からラクトン誘導体を製造する際に、一
般式(2) (R4CO)2O (2) (式中、R4は置換基を有していてもよいアリール基を
示す)で表されるカルボン酸無水物を触媒量のカチオン
性触媒の存在下に反応させることにより、温和な条件下
で、効率的にラクトン誘導体を製造できることを見出
し、発明を完成した。
を有していてもよいアルキレン基を、Zは水素又はSi
(R1)(R2)(R3)を示し、R1、R2 、R3は同一
又は相異なる低級アルキル基を示す)で表されるヒドロ
キシカルボン酸誘導体と、一般式(2) (R4CO)2O (2) (式中、R4は置換基を有していてもよいアリール基を
示す)で表されるカルボン酸無水物とを、触媒量のカチ
オン性触媒の存在下に反応させることを特徴とするラク
トン誘導体の製造方法に関する。
に、一般式(1) Z−O−A−COO−Z (1) (式中、A、Zは前記と同一)で表されるヒドロキシカ
ルボン酸誘導体と一般式(2) (R4CO)2O (2) (式中、R4は前記と同一)で表されるカルボン酸無水
物とを、アセトニトリル、エーテル、1,2−ジクロル
エタン、ベンゼン、トルエン、ジクロルメタン等の反応
に関与しない溶媒中、0〜50℃、好ましくは10〜3
0℃で反応させることにより対応するラクトン誘導体
(3)
ことができる。
本的にはいかなる置換基でもよく、一般にラクトン化反
応が困難とされている置換基を有するものでも本発明方
法によればラクトン化が可能である。また、不飽和結合
を有していてもよい。
も可能だが、Zが置換シリル基である場合が好ましく、
R1、R2、R3は、炭素数1〜6の低級アルキル基で、
例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基等が好まし
い。
基を有するアリール基が好ましく、特にフッ素原子、塩
素原子等のハロゲン原子、トリクロルメチル基、トリフ
ルオロメチル基等のハロゲン置換低級アルキル基等で置
換されたフェニル基が好ましい。
ン、塩化ハフニウム、塩化ジルコニウム、塩化アルミニ
ウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、塩化鉄、塩化ス
ズ(II)等の各種ルイス酸、又は過塩素酸銀、トリフルオ
ロメタンスルホン酸銀等の銀塩と各種ルイス酸との複合
塩、及びトリフルオロメタンスルホン酸スズ(II)等が好
ましく、基質である一般式(1)のヒドロキシカルボン
酸誘導体の0.01〜100モル%使用することが好ま
しい。0.01モル%以下では充分な触媒効果が得られ
ず、100モル%以上加えても触媒効果に変わりはな
く、製造コストが嵩むだけである。
合物は、対応するヒドロキシカルボン酸より通常良く知
られた方法により製造することができ、得られたシリル
化合物は単離する事なく、本発明方法に使用することが
できる。
示すが、本発明は実施例に限定されるものではない。
g)を2mlのジクロルメタンに懸濁させ、室温にて四
塩化チタンのトルエン溶液0.1177ml(0.5モ
ル濃度)を加え、同温度で0.5時間撹拌した。これに
室温にてトリメチルシリルオキシヘキサン酸トリメチル
シリルエステル(90.8mg)及び4−トリフルオロ
メチル安息香酸無水物(108.4mg)及びジクロル
メタン4mlの混液をゆっくり(5分間)加えて、同温
度で3時間撹拌した。反応液に飽和重曹水を加えた後、
ジクロルメタンで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、濾液を減圧濃縮した。残渣をシリカゲル薄
層クロマトグラフィー(展開溶媒ヘキサン:酢酸エチル
=3:1)にて精製し、目的物(24.6mg、収率7
1%)を得た。 NMR(CDCl3、TMS標準) δPPM: 4.25〜4.22(2H,m)、2.67〜2.63
(2H,m)、1.87〜1.75(6H,m)
ロキシカルボン酸誘導体から、温和な条件下に、高収率
でラクトン誘導体を製造することが可能である。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(1) Z−O−A−COO−Z (1) (式中、Aは、置換基を有していてもよく、不飽和結合
を有していてもよいアルキレン基を、Zは水素又はSi
(R1)(R2)(R3)を示し、R1、R2、R3は同一又
は相異なる低級アルキル基を示す)で表されるヒドロキ
シカルボン酸誘導体と一般式(2) (R4CO)2O (2) (式中、R4は置換基を有していてもよいアリール基を
示す)で表されるカルボン酸無水物とを触媒量のカチオ
ン性触媒の存在下に反応させることを特徴とするラクト
ン誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 一般式(2)におけるR4が4−フルオ
ロフェニル基である請求項1記載のラクトン誘導体の製
造方法。 - 【請求項3】 一般式(2)におけるR4が4−トリフ
ルオロメチルフェニル基である請求項1記載のラクトン
誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04023999A JP3135658B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ラクトン誘導体の新規製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04023999A JP3135658B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ラクトン誘導体の新規製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05213922A JPH05213922A (ja) | 1993-08-24 |
JP3135658B2 true JP3135658B2 (ja) | 2001-02-19 |
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ID=12126279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04023999A Expired - Fee Related JP3135658B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ラクトン誘導体の新規製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3135658B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107118199A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-01 | 中山大学惠州研究院 | 一种萃取提纯ε‑己内酯的方法 |
CN107129483A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-05 | 中山大学惠州研究院 | 一种结晶提纯ε‑己内酯的方法 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP04023999A patent/JP3135658B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH05213922A (ja) | 1993-08-24 |
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