JPH029585B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプロスタグランデインE1類の新規な
製造法に関する。さらに詳しくは△7―プロスタ
グランデインE類を亜鉛系還元剤又はラネーニツ
ケルによる接触還元によつて選択的に還元するか
または7―ヒドロキシプロスタグランデインE類
からヒドロキシル基を脱離除去し、ついで選択的
に還元することによりプロスタグランデインE1
類を製造する新規な製造法に関する。
製造法に関する。さらに詳しくは△7―プロスタ
グランデインE類を亜鉛系還元剤又はラネーニツ
ケルによる接触還元によつて選択的に還元するか
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からヒドロキシル基を脱離除去し、ついで選択的
に還元することによりプロスタグランデインE1
類を製造する新規な製造法に関する。
プロスタグランデインE1は1型プロスタグラ
ンデインE類の一つであり、血小板凝集抑制作
用、血圧降下作用等の特異な生物活性を有する化
合物であり、近年医療の領域において未梢循環治
療薬として用いられている有用な天然物である。
従来プロスタグランデインE1の製取にあたつて
は(i)ジホモ―8―リノレン酸より生合成によつて
得る方法(D.A.Dorp et al.,Biocem.Biophys.
Acta,90,204(1964))および化学合成により(ii)
ニトロアルカン誘導体の分子内アルドール縮合反
応及び光学分割の手法を用いる方法(E.J.Corey
ら,J.Amer.Chem.Soc.,91,535(1969)参照)
(iii)2―置換―2―シクロペンテノン誘導体に有機
金属化合物をマイケル付加させて得る方法(C.J.
Sihら,J.Amer.Chem.Soc.,95,1676(1973)及
びA.F.Klugeら,JACS.,92,7827(1972)参照)
(iv)保護されたプロスタグランデインE2,F2αより
5,6―2重結合を選択的に還元して得る方法
(E.J.Coreyら,J.Amer,Chem.Soc.,92,2586
(1970).参照)等が知られている(J.B.Bindra
ら,Prostaglandin Synthesis,Academic
Press(1977).参照)。しかるにこれらの方法にお
いて、生合成によつて得る方法では原料であるジ
ホモ―8―リノレン酸からの収率が非常に低く、
副生成物からの精製取が困難であり、化学合成に
よつて得る方法では出発原料を得るのに多くの工
程を有し、他方容易に出発原料が得られてもかか
る出発原料からのプロスタグランデインE1の収
率は非常に低い等の欠点がある。
ンデインE類の一つであり、血小板凝集抑制作
用、血圧降下作用等の特異な生物活性を有する化
合物であり、近年医療の領域において未梢循環治
療薬として用いられている有用な天然物である。
従来プロスタグランデインE1の製取にあたつて
は(i)ジホモ―8―リノレン酸より生合成によつて
得る方法(D.A.Dorp et al.,Biocem.Biophys.
Acta,90,204(1964))および化学合成により(ii)
ニトロアルカン誘導体の分子内アルドール縮合反
応及び光学分割の手法を用いる方法(E.J.Corey
ら,J.Amer.Chem.Soc.,91,535(1969)参照)
(iii)2―置換―2―シクロペンテノン誘導体に有機
金属化合物をマイケル付加させて得る方法(C.J.
Sihら,J.Amer.Chem.Soc.,95,1676(1973)及
びA.F.Klugeら,JACS.,92,7827(1972)参照)
(iv)保護されたプロスタグランデインE2,F2αより
5,6―2重結合を選択的に還元して得る方法
(E.J.Coreyら,J.Amer,Chem.Soc.,92,2586
(1970).参照)等が知られている(J.B.Bindra
ら,Prostaglandin Synthesis,Academic
Press(1977).参照)。しかるにこれらの方法にお
いて、生合成によつて得る方法では原料であるジ
ホモ―8―リノレン酸からの収率が非常に低く、
副生成物からの精製取が困難であり、化学合成に
よつて得る方法では出発原料を得るのに多くの工
程を有し、他方容易に出発原料が得られてもかか
る出発原料からのプロスタグランデインE1の収
率は非常に低い等の欠点がある。
本発明者はかかる点に着目し、プロスタグラン
デインE1類の有利な化学合成法すなわち(i)容易
に得られる出発原料を用いる、(ii)反応工程が短か
い、(iii)全収率が高い等の利点を有する合成法を見
出すべく鋭意研究した結果、保護された4―ヒド
ロキシ―2―シクロペンテノンより一段の反応に
より高収率で得られる7―ヒドロキシプロスタグ
ランデインE類から、そのヒドロキシル基を脱離
除去して△7―プロスタグランデインE類とし、
次いで亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接
触還元によつて選択的に還元することによりプロ
スタグランデインE1類が容易にかつ高収率で得
られることを見出し本発明に到達したものであ
る。
デインE1類の有利な化学合成法すなわち(i)容易
に得られる出発原料を用いる、(ii)反応工程が短か
い、(iii)全収率が高い等の利点を有する合成法を見
出すべく鋭意研究した結果、保護された4―ヒド
ロキシ―2―シクロペンテノンより一段の反応に
より高収率で得られる7―ヒドロキシプロスタグ
ランデインE類から、そのヒドロキシル基を脱離
除去して△7―プロスタグランデインE類とし、
次いで亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接
触還元によつて選択的に還元することによりプロ
スタグランデインE1類が容易にかつ高収率で得
られることを見出し本発明に到達したものであ
る。
すなわち、本発明方法は下記式〔〕
[式中、R1は水素原子、C1〜C10のアルキル基又
はトリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基を表わし、
R2は置換もしくは非置換のC1〜C10のアルキル基
又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロアル
キル基を表わし、R5は水素原子又はメチル基を
表わし、R3,R4は同一もしくは異なり水酸基の
保護基を表わし、Aは−CH2CH2−,−CH=CH
−又は−C≡C−を表わす。] で表わされる△7―プロスタグランデインE類を
亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接触還元
によつて選択的に還元し、次いで必要に応じて脱
保護及び/又は加水分解反応に付することを特徴
とする下記式〔〕 [式中、R1,R2,R5は上記定義と同じであり、
R31,R41は同一もしくは異なり、水素原子又は
水酸基の保護基を表わす。] で表わされるプロスタグランデインE1類の製造
法、並びに下記式〔〕 [式中、R1,R2,R3,R4,R5,Aは上記定義に
同じ] で表わされる7―ヒドロキシプロスタグランデイ
ンE類を、塩基性化合物の存在下に有機スルホン
酸の反応性誘導体と反応せしめて下記式〔〕 [式中、R1、R2、R3、R4、R5,Aは上記定義に
同じ] で表わされる△7―プロスタグランデインE類を
得、次いで亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによ
る接触還元によつて選択的に還元し、更に必要に
応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付するこ
とを特徴とする下記式〔〕 [式中、R1,R2,R31,R41,R5は上記定義に同
じ] で表わされるプロスタグランデインE1類の製造
法である。
はトリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基を表わし、
R2は置換もしくは非置換のC1〜C10のアルキル基
又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロアル
キル基を表わし、R5は水素原子又はメチル基を
表わし、R3,R4は同一もしくは異なり水酸基の
保護基を表わし、Aは−CH2CH2−,−CH=CH
−又は−C≡C−を表わす。] で表わされる△7―プロスタグランデインE類を
亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接触還元
によつて選択的に還元し、次いで必要に応じて脱
保護及び/又は加水分解反応に付することを特徴
とする下記式〔〕 [式中、R1,R2,R5は上記定義と同じであり、
R31,R41は同一もしくは異なり、水素原子又は
水酸基の保護基を表わす。] で表わされるプロスタグランデインE1類の製造
法、並びに下記式〔〕 [式中、R1,R2,R3,R4,R5,Aは上記定義に
同じ] で表わされる7―ヒドロキシプロスタグランデイ
ンE類を、塩基性化合物の存在下に有機スルホン
酸の反応性誘導体と反応せしめて下記式〔〕 [式中、R1、R2、R3、R4、R5,Aは上記定義に
同じ] で表わされる△7―プロスタグランデインE類を
得、次いで亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによ
る接触還元によつて選択的に還元し、更に必要に
応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付するこ
とを特徴とする下記式〔〕 [式中、R1,R2,R31,R41,R5は上記定義に同
じ] で表わされるプロスタグランデインE1類の製造
法である。
本発明方法において用いられる上記式〔〕で
表わされる7―ヒドロキシプロスタグランデイン
類は、本発明者らが別途に提案した方法(特開昭
55―153725号公報及び特願昭55―81306)により
保護された4―ヒドロキシ―2―シクロペンテノ
ンより一段の反応により高収率でかつ容易に得る
ことが出来る。上記式〔〕中R1は水素原子、
C1〜C10の低級アルキル基またはトリ(C1〜C6)
炭化水素―シリル基を表わす。かかる低級アルキ
ル基としては例えばメチル,エチル,プロピル,
ブチル,ヘキシル,デシル,ベンジル基が挙げら
れ、トリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基として
はトリメチルシリル,トリエチルシリル,t―ブ
チルジメチルシリル基が挙げられる。
表わされる7―ヒドロキシプロスタグランデイン
類は、本発明者らが別途に提案した方法(特開昭
55―153725号公報及び特願昭55―81306)により
保護された4―ヒドロキシ―2―シクロペンテノ
ンより一段の反応により高収率でかつ容易に得る
ことが出来る。上記式〔〕中R1は水素原子、
C1〜C10の低級アルキル基またはトリ(C1〜C6)
炭化水素―シリル基を表わす。かかる低級アルキ
ル基としては例えばメチル,エチル,プロピル,
ブチル,ヘキシル,デシル,ベンジル基が挙げら
れ、トリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基として
はトリメチルシリル,トリエチルシリル,t―ブ
チルジメチルシリル基が挙げられる。
R2は置換もしくは非置換のC1〜C10のアルキル
基又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロア
ルキル基を表わす。非置換のC1〜C10のアルキル
基としては、直鎖状又は分岐状のいずれであつて
もよく、例えばペンチル,ヘキシル,2―ヘキシ
ル,2―メチルヘキシル,ヘプチル,オクチル基
等が挙げられ、好ましくはペンチル,ヘキシル,
2―メチルヘキシル基等が挙げられる。非置換の
5〜6員のシクロアルキル基としてはシクロペン
チル,シクロヘキシル基が挙げられる。非置換の
C1〜C10のアルキル基又は非置換の5〜6員のシ
クロアルキル基における置換基としては、メチ
ル,エチル,エチニル,フエニル,フエノキシ,
トリフルオロフエニル,トリフルオロメチル,メ
トキシ,エトキシ基が好ましく挙げられる。これ
らのなかでもR2はペンチル,ヘキシル,2―メ
チルヘキシル又はシクロヘキシル基が好ましい。
基又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロア
ルキル基を表わす。非置換のC1〜C10のアルキル
基としては、直鎖状又は分岐状のいずれであつて
もよく、例えばペンチル,ヘキシル,2―ヘキシ
ル,2―メチルヘキシル,ヘプチル,オクチル基
等が挙げられ、好ましくはペンチル,ヘキシル,
2―メチルヘキシル基等が挙げられる。非置換の
5〜6員のシクロアルキル基としてはシクロペン
チル,シクロヘキシル基が挙げられる。非置換の
C1〜C10のアルキル基又は非置換の5〜6員のシ
クロアルキル基における置換基としては、メチ
ル,エチル,エチニル,フエニル,フエノキシ,
トリフルオロフエニル,トリフルオロメチル,メ
トキシ,エトキシ基が好ましく挙げられる。これ
らのなかでもR2はペンチル,ヘキシル,2―メ
チルヘキシル又はシクロヘキシル基が好ましい。
R3,R4は同一もしくは異なり水酸基の保護基
であり、かかる保護基としてはトリ(C1〜C6)
炭化水素―シリル基又は水酸基の酸素原子と共に
アセタール結合を形成する基が挙げられる。トリ
(C1〜C6)炭化水素―シリル基としては前述した
ものと同様のものが挙げられ、水酸基の酸素原子
と共にアセタール結合を形成する基としては、例
えばメトキシエチル,1―エトキシエチル,2―
メトキシ―2―プロピル,2―エトキシ―2―プ
ロピル,(2―メトキシエトキシ)メチル,ベン
ジルオキシメチル,2―テトラヒドロピラニル,
2―テトラヒドロフラニル6,6―ジメチル―3
―オキサ―2―オキソ―ビシクロ〔3.1.0〕ヘキ
ス―4―イル基等が挙げられる。これらの保護基
のなかでもt―ブチルジメチルシリル基,1―エ
トキシエチル基,2―メトキシ―2―プロピル
基,(2―メトキシエトキシ)メチル基,2―テ
トラヒドロピラニル基が好ましい。
であり、かかる保護基としてはトリ(C1〜C6)
炭化水素―シリル基又は水酸基の酸素原子と共に
アセタール結合を形成する基が挙げられる。トリ
(C1〜C6)炭化水素―シリル基としては前述した
ものと同様のものが挙げられ、水酸基の酸素原子
と共にアセタール結合を形成する基としては、例
えばメトキシエチル,1―エトキシエチル,2―
メトキシ―2―プロピル,2―エトキシ―2―プ
ロピル,(2―メトキシエトキシ)メチル,ベン
ジルオキシメチル,2―テトラヒドロピラニル,
2―テトラヒドロフラニル6,6―ジメチル―3
―オキサ―2―オキソ―ビシクロ〔3.1.0〕ヘキ
ス―4―イル基等が挙げられる。これらの保護基
のなかでもt―ブチルジメチルシリル基,1―エ
トキシエチル基,2―メトキシ―2―プロピル
基,(2―メトキシエトキシ)メチル基,2―テ
トラヒドロピラニル基が好ましい。
本発明方法は、上記式〔〕の7―ヒドロキシ
プロスタグランデインE類における7位の水酸基
を脱離除去し、上記式〔〕の△7―プロスタグ
ランデインE類を導くことから開始される。すな
わち、上記式〔〕の化合物を塩基性化合物の存
在下、有機スルホン酸の反応性誘導体と反応せし
めることによつて式〔〕の化合物を容易に得る
ことができる。ここで用いられる塩基性化合物と
しては、アミン類が好ましく、かかるアミン類と
しては例えば、4―ジメチルアミノピリジン,ト
リエチルアミン,ジイソプロピルシクロヘキシル
アミン,イソプロピルジメチルアミン,ジイソプ
ロピルエチルアミンなどが挙げられ、なかでも特
に4―ジメチルアミノピリジンが好ましい。有機
スルホン酸の反応性誘導体としては、例えばメタ
ンスルホニルクロリド,p―トルエンスルホニル
クロリドなどの有機スルホン酸ハライド;無水メ
タンスルホン酸などの無水有機スルホン酸などが
挙げられる。
プロスタグランデインE類における7位の水酸基
を脱離除去し、上記式〔〕の△7―プロスタグ
ランデインE類を導くことから開始される。すな
わち、上記式〔〕の化合物を塩基性化合物の存
在下、有機スルホン酸の反応性誘導体と反応せし
めることによつて式〔〕の化合物を容易に得る
ことができる。ここで用いられる塩基性化合物と
しては、アミン類が好ましく、かかるアミン類と
しては例えば、4―ジメチルアミノピリジン,ト
リエチルアミン,ジイソプロピルシクロヘキシル
アミン,イソプロピルジメチルアミン,ジイソプ
ロピルエチルアミンなどが挙げられ、なかでも特
に4―ジメチルアミノピリジンが好ましい。有機
スルホン酸の反応性誘導体としては、例えばメタ
ンスルホニルクロリド,p―トルエンスルホニル
クロリドなどの有機スルホン酸ハライド;無水メ
タンスルホン酸などの無水有機スルホン酸などが
挙げられる。
用いられる有機スルホン酸の反応性誘導体は、
式〔〕の原料化合物に対して、0.5〜10当量、
好ましくは2〜3当量の範囲で用いられ、また塩
基性化合物は1〜10当量、好ましくは4〜6当量
の範囲で用いられる。
式〔〕の原料化合物に対して、0.5〜10当量、
好ましくは2〜3当量の範囲で用いられ、また塩
基性化合物は1〜10当量、好ましくは4〜6当量
の範囲で用いられる。
反応温度は0〜50℃で、好ましくは10〜30℃で
あり、原料化合物が消失するのを薄層クロマトグ
ラフイー等で追跡することにより反応の終結を確
認することができる。反応時間は通常は、0.5〜
1.0時間である。反応をスムーズに進行させるた
めに溶媒を用いても良い。かかる溶媒としては、
例えば、ジクロロメタン,クロロホルム,四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素;エーテル,テトラ
ヒドロフラン等のエーテル類;ベンゼン,トルエ
ン,ペンタン,ヘキサン,シクロヘキサン等の炭
化水素類が用いられ、好ましくはジクロロメタン
が用いられる。反応生成物は反応混合物を通常の
手段で、例えば抽出,水洗,乾燥,クロマトグラ
フイー等で精製取することが出来る。
あり、原料化合物が消失するのを薄層クロマトグ
ラフイー等で追跡することにより反応の終結を確
認することができる。反応時間は通常は、0.5〜
1.0時間である。反応をスムーズに進行させるた
めに溶媒を用いても良い。かかる溶媒としては、
例えば、ジクロロメタン,クロロホルム,四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素;エーテル,テトラ
ヒドロフラン等のエーテル類;ベンゼン,トルエ
ン,ペンタン,ヘキサン,シクロヘキサン等の炭
化水素類が用いられ、好ましくはジクロロメタン
が用いられる。反応生成物は反応混合物を通常の
手段で、例えば抽出,水洗,乾燥,クロマトグラ
フイー等で精製取することが出来る。
かくして得られた上記式〔〕で表わされるエ
ノン体(△7―プロスタグランデインE類)は次
いで選択的還元に供せられる。選択的還元に際し
用いられる方法としては、例えば亜鉛末,亜鉛―
銀,亜鉛―銅などの亜鉛系還元剤による還元;又
はラネーニツケルによる接触還元が好ましく挙げ
られる。亜鉛系還元剤を用いる場合には反応は氷
酢酸の共存下に行なわれる。用いられる亜鉛系還
元剤の量は原料化合物〔〕に対して1〜20当
量、好ましくは5〜10当量であり、氷酢酸は1〜
20当量、好ましくは2〜5当量である。反応をス
ムーズに進行させるために溶媒が用いられる。か
かる溶媒としては例えばメタノール,エタノー
ル,ブタノール等のアルコール類;酢酸,ジメト
キシエタン,ジメチルホルムアミド,ジメチルス
ルホキシドあるいはこれらの混合溶媒が好ましく
用いられる。特に好ましくはメタノールが用いら
れる。一方、ラネーニツケルによる接触還元は水
素雰囲気下に選択的還元が行なわれる。この場合
用いられるラネーニツケルは原料に対して1〜20
当量、好ましくは5〜10当量が用いられる。反応
をスムーズに進行させるために溶媒が用いられ
る。かかる溶媒としては例えば、メタノール,エ
タノール,ブタノール等のアルコール類;ジメト
キシタエン,テトラヒドロフラン等のエーテル
類;ジメチルホルムアミド;またはこれらの混合
溶媒が好ましく用いられる。特に好ましくはメタ
ノールが用いられる。
ノン体(△7―プロスタグランデインE類)は次
いで選択的還元に供せられる。選択的還元に際し
用いられる方法としては、例えば亜鉛末,亜鉛―
銀,亜鉛―銅などの亜鉛系還元剤による還元;又
はラネーニツケルによる接触還元が好ましく挙げ
られる。亜鉛系還元剤を用いる場合には反応は氷
酢酸の共存下に行なわれる。用いられる亜鉛系還
元剤の量は原料化合物〔〕に対して1〜20当
量、好ましくは5〜10当量であり、氷酢酸は1〜
20当量、好ましくは2〜5当量である。反応をス
ムーズに進行させるために溶媒が用いられる。か
かる溶媒としては例えばメタノール,エタノー
ル,ブタノール等のアルコール類;酢酸,ジメト
キシエタン,ジメチルホルムアミド,ジメチルス
ルホキシドあるいはこれらの混合溶媒が好ましく
用いられる。特に好ましくはメタノールが用いら
れる。一方、ラネーニツケルによる接触還元は水
素雰囲気下に選択的還元が行なわれる。この場合
用いられるラネーニツケルは原料に対して1〜20
当量、好ましくは5〜10当量が用いられる。反応
をスムーズに進行させるために溶媒が用いられ
る。かかる溶媒としては例えば、メタノール,エ
タノール,ブタノール等のアルコール類;ジメト
キシタエン,テトラヒドロフラン等のエーテル
類;ジメチルホルムアミド;またはこれらの混合
溶媒が好ましく用いられる。特に好ましくはメタ
ノールが用いられる。
かくして得られた生成物は、通常の手段で例え
ば、抽出,水洗,乾燥,クロマトグラフイー等で
精製取することが出来る。得られた生成物は必要
に応じて11位,15位のヒドロキシル基の保護基を
除去しても良い。除去にあたつては例えば酢酸―
水―テトロヒドフラン混合物(3:1:1〜3:
2:2)中で生成物を室温で処理することによつ
て達成される(E.J.Coreyら、J.Amer.Chem.
Soc.、94、6190(1972)を参照)。
ば、抽出,水洗,乾燥,クロマトグラフイー等で
精製取することが出来る。得られた生成物は必要
に応じて11位,15位のヒドロキシル基の保護基を
除去しても良い。除去にあたつては例えば酢酸―
水―テトロヒドフラン混合物(3:1:1〜3:
2:2)中で生成物を室温で処理することによつ
て達成される(E.J.Coreyら、J.Amer.Chem.
Soc.、94、6190(1972)を参照)。
また必要に応じて、1位のエステル基を加水分
解してもよい。かかる加水分解は、例えばリパー
ゼ等の酵素を用いて行なうことができる。かくし
て目的とするプロスタグランデインE1類が製造
される。
解してもよい。かかる加水分解は、例えばリパー
ゼ等の酵素を用いて行なうことができる。かくし
て目的とするプロスタグランデインE1類が製造
される。
本発明方法の特徴は容易に得られる出発原料
(保護された4―ヒドロキシシクロペンテノン)
からわずか3工程の反応によりプロスタグランデ
インE1類を容易にかつ比較的高収率で得ること
が出来る点にある。
(保護された4―ヒドロキシシクロペンテノン)
からわずか3工程の反応によりプロスタグランデ
インE1類を容易にかつ比較的高収率で得ること
が出来る点にある。
以下に実施例を挙げて本発明方法を説明する。
原料合成例 1
10mlのナスフラスコにdl―7―ヒドロキシ
PGE1メチルエステル(di―THP体)167mg
(0.302mmol)をとり、乾燥ジクロロメタン2.5ml
と4―ジメチルアミノピリジン220mg
(1.80mmol)を加えた。これを氷浴で冷却し、メ
タンスルホニルクロリド70μl(0.90mmol)を滴下
した。氷浴をはずして、室温(24℃)で11時間か
くはんした。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液15ml中に加えて振とうし、ジクロロメタ
ンで抽出した(10ml×3)。有機層は10%塩酸,
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄したのち、無水
硫酸マグネシウム上で乾燥した。濃縮し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフイー(7g,ヘキサ
ン:酢酸エテル=4:1)にて分取し、dl―7,
8―デヒドロPGE1メチルエステル(di―THP
体)67.4mg(42%)を得た。
PGE1メチルエステル(di―THP体)167mg
(0.302mmol)をとり、乾燥ジクロロメタン2.5ml
と4―ジメチルアミノピリジン220mg
(1.80mmol)を加えた。これを氷浴で冷却し、メ
タンスルホニルクロリド70μl(0.90mmol)を滴下
した。氷浴をはずして、室温(24℃)で11時間か
くはんした。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液15ml中に加えて振とうし、ジクロロメタ
ンで抽出した(10ml×3)。有機層は10%塩酸,
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄したのち、無水
硫酸マグネシウム上で乾燥した。濃縮し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフイー(7g,ヘキサ
ン:酢酸エテル=4:1)にて分取し、dl―7,
8―デヒドロPGE1メチルエステル(di―THP
体)67.4mg(42%)を得た。
スペクトルデータ
1Humr(CDCl3)δ:6.72(dt,J=7.8,2.0Hz,
1H),5.8―5.1(m,2H),4.8―4.5(m,2H),4.3
―3.2(m,10H),2.6―2.0(m,6H),0.88(t,
3H) IR(neat):1743,1734,1653cm-1 Mass(75eV,m/e):534(M+) 実施例 1 dl―7,8―デヒドロPGE1メチルエステル
(di―THP体)5.2mg(9.7μmol)を1mlのメタノ
ールに溶かし、氷酢酸5滴を加えた。これに亜鉛
末約350mg(5.3mmol)を3回にわけて加えなが
ら、23℃で2時間かくはんした。亜鉛をセライト
にて別し、液は真空ポンプにより濃縮した。
残査をクロロホルムに溶かして、不溶物を別
し、液は減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(5g,ヘキサン:酢エチ=4:
1)にて分取し、1.3mg(25%)の油状物を得た。
1H),5.8―5.1(m,2H),4.8―4.5(m,2H),4.3
―3.2(m,10H),2.6―2.0(m,6H),0.88(t,
3H) IR(neat):1743,1734,1653cm-1 Mass(75eV,m/e):534(M+) 実施例 1 dl―7,8―デヒドロPGE1メチルエステル
(di―THP体)5.2mg(9.7μmol)を1mlのメタノ
ールに溶かし、氷酢酸5滴を加えた。これに亜鉛
末約350mg(5.3mmol)を3回にわけて加えなが
ら、23℃で2時間かくはんした。亜鉛をセライト
にて別し、液は真空ポンプにより濃縮した。
残査をクロロホルムに溶かして、不溶物を別
し、液は減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(5g,ヘキサン:酢エチ=4:
1)にて分取し、1.3mg(25%)の油状物を得た。
このもののスペクトルデータは次の通りであつ
た。
た。
1Hnmr(CDCl3)δ:5.7〜5.4(m,2H),4.68
(br,2H),4.2〜3.3(m,9H) Mass(75eV,m/e):434(M+−102) このものは(−)−PGE1メチルエステルのdi―
THP体の標品とシリカゲルTLCにて一致した
(ヘキサン:酢酸エチル=2:1)。
(br,2H),4.2〜3.3(m,9H) Mass(75eV,m/e):434(M+−102) このものは(−)−PGE1メチルエステルのdi―
THP体の標品とシリカゲルTLCにて一致した
(ヘキサン:酢酸エチル=2:1)。
原料合成例 2
(TBDMS:t―ブチルジメチルシリル)
dl―5,6―デヒドロ―7―ヒドロキシPGE2
メチルエステル(ビス―TBDMS体)209mg
(0.343mmol)と4―ジメチルアミノピリジン127
mg(1.04mmol)を4mlの乾燥ジクロロメタンに
溶かし、メタンスルホニルクロリド40μ
(0.52mmol)を室温(〜25℃)で滴下した。30分
間かくはんののち、さらに10μ(0.13mmol)の
メタンスルホニルクロリドを追加し、15分間かく
はんした。反応混合物を20mlの飽和塩化アンモニ
ウム水溶液中に加えて振とうし、有機層を分離し
た。水層をジクロロメタンで抽出(10ml×2)
し、有機層を合わせて、10%塩酸で洗浄した。無
水硫酸マグネシウム上で乾燥ののち、濃縮し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフイー(10g,ヘキ
サン:エーテル=5:1)にて分取し、dl―5,
6,7,8―デヒドロPGE2メチルエステル(ビ
ス―TBDMS体)124mg(61%)を得た。
メチルエステル(ビス―TBDMS体)209mg
(0.343mmol)と4―ジメチルアミノピリジン127
mg(1.04mmol)を4mlの乾燥ジクロロメタンに
溶かし、メタンスルホニルクロリド40μ
(0.52mmol)を室温(〜25℃)で滴下した。30分
間かくはんののち、さらに10μ(0.13mmol)の
メタンスルホニルクロリドを追加し、15分間かく
はんした。反応混合物を20mlの飽和塩化アンモニ
ウム水溶液中に加えて振とうし、有機層を分離し
た。水層をジクロロメタンで抽出(10ml×2)
し、有機層を合わせて、10%塩酸で洗浄した。無
水硫酸マグネシウム上で乾燥ののち、濃縮し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフイー(10g,ヘキ
サン:エーテル=5:1)にて分取し、dl―5,
6,7,8―デヒドロPGE2メチルエステル(ビ
ス―TBDMS体)124mg(61%)を得た。
スペクトルデータ
1Hnmr(CDCl3)δ:6.52(br,1H),5.5―5.4
(m,2H),4.19(m,1H),4.00(br,1H),3.59
(s,1H),3.55(br,1H),2.5―2.3(m,6H),
2.0―1.1(m),0.9―0.8(m),0.0―0.1(m) IR(neat):2216,1750,1731,1621cm-1 Mass(75eV,m/e):590(M+) 実施例 2 1mlのメタノールにdl―5,6,7,8―デヒ
ドロPGE2メチルエステル(ビス―TBDMS体)
17.4mg(29.4μmol)を溶かし、ラネーニツケルW
―2を耳かき1/3杯加え、水素風船下に室温(29
℃)で1時間かくはんした。セライトにて触媒を
除き、液を濃縮してシリカゲルカラムクロマト
グラフイー(10g,ヘキサン:エーテル=6:
1)にて分取しより極性の高い成分よりdl―
PGE1メチルエステル(ビス―TBDMS体)6.7mg
(38%)を得た。
(m,2H),4.19(m,1H),4.00(br,1H),3.59
(s,1H),3.55(br,1H),2.5―2.3(m,6H),
2.0―1.1(m),0.9―0.8(m),0.0―0.1(m) IR(neat):2216,1750,1731,1621cm-1 Mass(75eV,m/e):590(M+) 実施例 2 1mlのメタノールにdl―5,6,7,8―デヒ
ドロPGE2メチルエステル(ビス―TBDMS体)
17.4mg(29.4μmol)を溶かし、ラネーニツケルW
―2を耳かき1/3杯加え、水素風船下に室温(29
℃)で1時間かくはんした。セライトにて触媒を
除き、液を濃縮してシリカゲルカラムクロマト
グラフイー(10g,ヘキサン:エーテル=6:
1)にて分取しより極性の高い成分よりdl―
PGE1メチルエステル(ビス―TBDMS体)6.7mg
(38%)を得た。
スペクトルデータ
1Hnmr(CDCl3)δ:5.6―5.4(m,2H),4.2―
3.8(m,2H),3.66(s,3H),2.64(dd,1H,J
=7.2,18.4Hz),2.4―1.8(m,4H),1.7―1.0
(m),1.0―0.8(m,21H),0.1〜0.0(m) IR(neat):1750cm-1 実施例 3 dl―PGEメチルエステル(ビス―TBDMS体)
6.0mg(10μmol)をテトラヒドロフラン―水―酢
酸(1:1:3)の混合液1ml中に溶解し、48時
間室温で撹拌した。反応液にトルエンを加えて減
圧下に溶媒を溜去して生成物として3.0mg
(8.1μmol)(収率80%)のdl―PGE1メチルエステ
ルを得た。
3.8(m,2H),3.66(s,3H),2.64(dd,1H,J
=7.2,18.4Hz),2.4―1.8(m,4H),1.7―1.0
(m),1.0―0.8(m,21H),0.1〜0.0(m) IR(neat):1750cm-1 実施例 3 dl―PGEメチルエステル(ビス―TBDMS体)
6.0mg(10μmol)をテトラヒドロフラン―水―酢
酸(1:1:3)の混合液1ml中に溶解し、48時
間室温で撹拌した。反応液にトルエンを加えて減
圧下に溶媒を溜去して生成物として3.0mg
(8.1μmol)(収率80%)のdl―PGE1メチルエステ
ルを得た。
スペクトルデータ
1Hnmr(CDCl3)δ:5.6―5.4(m,2H),4.2―
3.8(m,2H),3.63(s,3H),2.7―1.0(27H),
0.9(t,J=7Hz,3H) IR(neat):1750cm-1 Mass(20eV,m/e):368(M+) なおこの成分はHPLCにて(−)−PGE1メチル
エステル標品と一致した。(WATERS6000A,
JASCO UV IDEC100,UV210nm,流速1.5ml/
min,900psi溶媒:ヘキサン:テトラヒドロフラ
ン,カラムDevelosil100―5)
3.8(m,2H),3.63(s,3H),2.7―1.0(27H),
0.9(t,J=7Hz,3H) IR(neat):1750cm-1 Mass(20eV,m/e):368(M+) なおこの成分はHPLCにて(−)−PGE1メチル
エステル標品と一致した。(WATERS6000A,
JASCO UV IDEC100,UV210nm,流速1.5ml/
min,900psi溶媒:ヘキサン:テトラヒドロフラ
ン,カラムDevelosil100―5)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記式〔〕 [式中、R1は水素原子、C1〜C10のアルキル基ま
たはトリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基を表し、
R2は置換もしくは非置換のC1〜C10のアルキル基
又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロアル
キル基を表し、R5は水素原子又はメチル基を表
し、R3、R4は同一もしくは異なり水酸基の保護
基を表し、Aは−CH2CH2−,−CH=CH−又は
−C≡C−を表す。] で表される△7―プロスタグランデインE類を亜
鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接触還元に
よつて選択的に還元し、次いで必要に応じて脱保
護及び/又は加水分解反応に付することを特徴と
する下記式〔〕 [式中、R1,R2,R5は上記定義と同じであり、
R31、R41は同一もしくは異なり、水素原子又は
水酸基の保護基を表す。] で表されるプロスタグランデインE1類の製造法。 2 上記式〔〕において、R1は水素原子、メ
チル基またはエチル基である特許請求の範囲第1
項記載のプロスタグランデインE1類の製造法。 3 上記式〔〕において、R2がペンチル基、
ヘキシル基、2―メチルヘキシル基又はシクロヘ
キシル基である特許請求の範囲第1項又は第2項
記載のプロスタグランデインE1類の製造法。 4 上記式〔〕において、R3、R4が同一もし
くは異なり、2―テトラヒドロピラニル基、t―
ブチルジメチルシリル基、1―エトキシエチル
基、2―メトキシ―2―プロピル基または(2―
メトキシエトキシ)メチル基である特許請求の範
囲第1項〜第3項のいずれか1項記載のプロスタ
グランデインE1類の製造法。 5 下記式〔〕 [式中、R1は水素原子、C1〜C10のアルキル基ま
たはトリ(C1〜C6)炭化水素―シリル基を表し、
R2は置換もしくは非置換のC1〜C10のアルキル基
又は置換もしくは非置換の5〜6員のシクロアル
キル基を表し、R5は水素原子又はメチル基を表
し、R3、R4は同一もしくは異なり水酸基の保護
基を表し、Aは−CH2CH2−,−CH=CH−又は
−C≡C−を表す。] で表される7―ヒドロキシプロスタグランデイン
類を、塩基性化合物の存在下に有機スルホン酸の
反応性誘導体と反応せしめて下記式〔〕 [式中、R1、R2、R3、R4、R5,Aは上定義に同
じ。] で表される△7―プロスタグランデインE類を得、
次いで亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接
触還元によつて選択的に還元し、更に必要に応じ
て脱保護及び/又は加水分解に付することを特徴
とする下記式〔〕 [式中、R1、R2、R5は上記定義と同じであり、
R31、R41は同一もしくは異なり、水素原子又は
水酸基の保護基を表す。] で表されるプロスタグランデインE1類の製造法。 6 有機スルホン酸の反応性誘導体が、メタンス
ルホニルクロリド、P―トルエンスルホニルクロ
リド又は無水メタンスルホン酸である特許請求の
範囲第5項記載のプロスタグランデインE1類の
製造法。 7 塩基性化合物がアミン類である特許請求の範
囲第5項又は第6項記載のプロスタグランデイン
E1類の製造法。 8 上記式〔〕において、R1が水素原子、メ
チル基またはエチル基である特許請求の範囲第5
項〜第7項のいずれか1項記載のプロスタグラン
デインE1類の製造法。 9 上記式〔〕において、R2がペンチル基、
ヘキシル基、2―メチルヘキシル基又はシクロヘ
キシル基である特許請求の範囲第5項〜第8項の
いずれか1項記載のプロスタグランデインE1類
の製造法。 10 上記式〔〕において、R3、R4は同一も
しくは異なり、2―テトラヒドロピラニル基、t
―ブチルジメチルシリル基、1―エトキシエチル
基、2―メトキシ―2―プロピル基又は(2―メ
トキシエトキシ)メチル基である特許請求の範囲
第5項〜第9項のいずれか1項記載のプロスタグ
ランデインE1類の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180954A JPS5883670A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | プロスタグランデインe↓1類の製造法 |
DE8282305906T DE3275542D1 (en) | 1981-11-13 | 1982-11-05 | Process for prostaglandin e1, production and novel delta 7-prostaglandines e and 7-hydroxyprostaglandins e |
EP82305906A EP0079733B1 (en) | 1981-11-13 | 1982-11-05 | Process for prostaglandin e1, production and novel delta 7-prostaglandines e and 7-hydroxyprostaglandins e |
HU823648A HU190996B (en) | 1981-11-13 | 1982-11-12 | Process for preparing prostaglandin e down 1 compounds |
US07/147,124 US4845282A (en) | 1981-11-13 | 1988-01-21 | Process for prostaglandin E1 production, and novel delta 7-prostaglandins E and 7-hydroxyprostaglandins E |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180954A JPS5883670A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | プロスタグランデインe↓1類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5883670A JPS5883670A (ja) | 1983-05-19 |
JPH029585B2 true JPH029585B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16092175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56180954A Granted JPS5883670A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | プロスタグランデインe↓1類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5883670A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5955868A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Teijin Ltd | プロスタグランジンe↓1類の製造法 |
JPS60163842A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Teijin Ltd | プロスタグランジンe↓1類の製造法 |
JPS61172858A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-04 | Teijin Ltd | プロスタグランジンe↓1誘導体の製造法 |
JPS62103061A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Teijin Ltd | 16―置換―△7―プロスタグランジンe |
US6235780B1 (en) * | 1998-07-21 | 2001-05-22 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | ω-cycloalkyl-prostaglandin E1 derivatives |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56180954A patent/JPS5883670A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5883670A (ja) | 1983-05-19 |
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