JPH05271148A - 光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法 - Google Patents
光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法Info
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- JPH05271148A JPH05271148A JP4353977A JP35397792A JPH05271148A JP H05271148 A JPH05271148 A JP H05271148A JP 4353977 A JP4353977 A JP 4353977A JP 35397792 A JP35397792 A JP 35397792A JP H05271148 A JPH05271148 A JP H05271148A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07D263/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings
- C07D263/04—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07C59/00—Compounds having carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms and containing any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, groups, groups, or groups
- C07C59/40—Unsaturated compounds
- C07C59/42—Unsaturated compounds containing hydroxy or O-metal groups
- C07C59/54—Unsaturated compounds containing hydroxy or O-metal groups containing six-membered aromatic rings and other rings
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 カルバメート類を選択的塩基およびキレート
生成ジアミンの存在下で反応させてカルボアニオン錯化
合物を生成し、次にこれをジア−またはエナンチオ選択
的に脱プロトンし、その後ＣＯ2で置換し、最終段階と
して複素環式保護基を脱離する一般式Ｉの光学活性α−
ヒドロオキシカルボン酸類の製造方法。 〔ｎは数字１，２，３，４，５または６を表し、Ｒ１は
水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原子を有する直鎖
または分枝アルキル、もしくは式−Ｏ−Ｔ（Ｔは６個ま
での炭素原子を有する直鎖または分枝アルキルまたは典
型的水酸保護基である。）の基を表す。〕 【効果】 リポキシゲナーゼ抑制剤合成のための中間体
を好収率で得ることができる。
生成ジアミンの存在下で反応させてカルボアニオン錯化
合物を生成し、次にこれをジア−またはエナンチオ選択
的に脱プロトンし、その後ＣＯ2で置換し、最終段階と
して複素環式保護基を脱離する一般式Ｉの光学活性α−
ヒドロオキシカルボン酸類の製造方法。 〔ｎは数字１，２，３，４，５または６を表し、Ｒ１は
水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原子を有する直鎖
または分枝アルキル、もしくは式−Ｏ−Ｔ（Ｔは６個ま
での炭素原子を有する直鎖または分枝アルキルまたは典
型的水酸保護基である。）の基を表す。〕 【効果】 リポキシゲナーゼ抑制剤合成のための中間体
を好収率で得ることができる。
Description
【０００１】本発明は、いくつかは公知であり薬剤活性
化合物の合成特にリポキシゲナーゼ抑制剤合成のための
重要な中間体である光学活性α−オキシカルボン酸類の
新規な製造方法に関するものである。
化合物の合成特にリポキシゲナーゼ抑制剤合成のための
重要な中間体である光学活性α−オキシカルボン酸類の
新規な製造方法に関するものである。
【０００２】α−ヒドロオキシカルボン酸類は多数の出
版物により公知である［たとえばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．２４（１９５７）、１３０１、１３０８；特許番号
１，３５２，３３２（１９６４）参照］。
版物により公知である［たとえばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．２４（１９５７）、１３０１、１３０８；特許番号
１，３５２，３３２（１９６４）参照］。
【０００３】さらに、それらの製造方法は多量の塩基を
使用し且つ保護基の脱離が困難であり、その結果低収率
を生じるため大きな欠点を有する。
使用し且つ保護基の脱離が困難であり、その結果低収率
を生じるため大きな欠点を有する。
【０００４】本発明は、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化９】
【０００６】式中ｎは数字１、２、３、４、５または６
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
【０００７】
【化１０】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルもしくは典型的水酸保護基である、の基を表す、
で表される光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸類の製
造方法に関するものであり、本製造方法は 一般式（ＩＩ）
ルキルもしくは典型的水酸保護基である、の基を表す、
で表される光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸類の製
造方法に関するものであり、本製造方法は 一般式（ＩＩ）
【０００８】
【化１１】
【０００９】式中ｎおよびＲ1は上述の意味を有し、Ｒ2
は式
は式
【００１０】
【化１２】
【００１１】式中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは３から
６個の炭素原子を有するシクロアルキルを表すか、各々
の場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ
7およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成するの
基を表す、のカルバメート類を初めに不活性溶媒中で選
択的塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチウムの存在下
およびキレート生成ジアミン（以後Ｄと称する）の存在
下でジア−またはエナンチオ選択的に脱プロトンした結
果、 一般式（ＩＩＩ）
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは３から
６個の炭素原子を有するシクロアルキルを表すか、各々
の場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ
7およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成するの
基を表す、のカルバメート類を初めに不活性溶媒中で選
択的塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチウムの存在下
およびキレート生成ジアミン（以後Ｄと称する）の存在
下でジア−またはエナンチオ選択的に脱プロトンした結
果、 一般式（ＩＩＩ）
【００１２】
【化１３】
【００１３】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有し、Ｄはキレート生成ジアミ
ンたとえば（−）−スパルテインまたはＴＭＥＤＡを表
す、のカルボアニオン錯化合物類を生成し、続いて該生
成物を不活性溶媒中ＣＯ2で求電子置換反応により、 一般式（ＩＶ）
よびＲ8は上述の意味を有し、Ｄはキレート生成ジアミ
ンたとえば（−）−スパルテインまたはＴＭＥＤＡを表
す、のカルボアニオン錯化合物類を生成し、続いて該生
成物を不活性溶媒中ＣＯ2で求電子置換反応により、 一般式（ＩＶ）
【００１４】
【化１４】
【００１５】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に直接転換
するか、またはこれらを初めにエーテル中のジアゾメタ
ンで 一般式（Ｖ）
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に直接転換
するか、またはこれらを初めにエーテル中のジアゾメタ
ンで 一般式（Ｖ）
【００１６】
【化１５】
【００１７】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に転換し、
最終段階で複素環式保護基を一般的方法で脱離し、メチ
ル基を一般的方法で加水分解する、ことを特徴とする方
法である。
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に転換し、
最終段階で複素環式保護基を一般的方法で脱離し、メチ
ル基を一般的方法で加水分解する、ことを特徴とする方
法である。
【００１８】本発明による方法は以下の方定式の例によ
り説明することができる：
り説明することができる：
【００１９】
【化１６】
【００２０】上述した定義の範囲内での水酸保護基は一
般に、一連のトリメチルシリル、トリエチルシリル、ト
リイソプロピルシリル、ｔｅｒｔ．−ブチル−ジメチル
シリル、ｔｅｒｔ．−ブチルジフェニルシリル、トリフ
ェニルシリル、トリメチルシリルエトキシカルボニル、
メトキシメチルまたはベンゾイルから成る保護基を表
す。ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒｔ．−
ブチル−ジメチルシリルが好ましい。
般に、一連のトリメチルシリル、トリエチルシリル、ト
リイソプロピルシリル、ｔｅｒｔ．−ブチル−ジメチル
シリル、ｔｅｒｔ．−ブチルジフェニルシリル、トリフ
ェニルシリル、トリメチルシリルエトキシカルボニル、
メトキシメチルまたはベンゾイルから成る保護基を表
す。ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒｔ．−
ブチル−ジメチルシリルが好ましい。
【００２１】本発明による方法により好ましく製造され
た化合物類は 一般式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、フッ素、塩素または４個までの炭素原子を有す
る直鎖または分枝アルキル、もしくは式
た化合物類は 一般式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、フッ素、塩素または４個までの炭素原子を有す
る直鎖または分枝アルキル、もしくは式
【００２２】
【化１７】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは４個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキル、ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒ
ｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基を表す、で表さ
れる化合物類である。
ルキル、ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒ
ｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基を表す、で表さ
れる化合物類である。
【００２３】本発明による方法により特に好ましく製造
された化合物類は、 一般式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、メチル、塩素または、式
された化合物類は、 一般式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、メチル、塩素または、式
【００２４】
【化１８】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔはメチル、エチル、ベンゾイル、トリメチルシリ
ルまたはｔｅｒｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基
を表す、で表される化合物類である。
ルまたはｔｅｒｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基
を表す、で表される化合物類である。
【００２５】脱プロトン段階に好ましく好適な溶媒は不
活性有機溶媒たとえば炭化水素類たとえばヘキサン、ペ
ンタン、リグロインまたはトルエン、およびエーテル類
たとえばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオ
キサン、ジメトキシエタン、ダイグライム、トリグライ
ムまたはｔｅｒｔ．−ブチルメチルエーテルである。テ
トラヒドロフランおよびジエチルエーテルが特に好まし
い。
活性有機溶媒たとえば炭化水素類たとえばヘキサン、ペ
ンタン、リグロインまたはトルエン、およびエーテル類
たとえばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオ
キサン、ジメトキシエタン、ダイグライム、トリグライ
ムまたはｔｅｒｔ．−ブチルメチルエーテルである。テ
トラヒドロフランおよびジエチルエーテルが特に好まし
い。
【００２６】脱プロトン段階は温度範囲−１００℃から
室温まで、好ましくは約−７８℃から０℃で行なわれ
る。
室温まで、好ましくは約−７８℃から０℃で行なわれ
る。
【００２７】脱プロトン段階は常圧下並びに増圧または
減圧下（たとえば０．５から２バール）、好ましくは常
圧下で行なうことができる。
減圧下（たとえば０．５から２バール）、好ましくは常
圧下で行なうことができる。
【００２８】好適な選択的塩基はアルキル基に６個まで
の炭素原子を有するアルキルリチウム化合物類、好まし
くはｎ−ブチルリチウムまたはｓｅｃ．−ブチルリチウ
ムである。
の炭素原子を有するアルキルリチウム化合物類、好まし
くはｎ−ブチルリチウムまたはｓｅｃ．−ブチルリチウ
ムである。
【００２９】塩基は一般式（ＩＩ）の化合物類１モル当
り０．５から５モル間の量、好ましくは化学量論量で用
いられる。
り０．５から５モル間の量、好ましくは化学量論量で用
いられる。
【００３０】ＣＯ2での求電子置換反応は上述の溶媒中
で、好ましくはテトラヒドロフラン中常圧下で同様に行
なわれる。
で、好ましくはテトラヒドロフラン中常圧下で同様に行
なわれる。
【００３１】ジアゾメタンでのエステル化はエーテル中
室温で行なわれる。
室温で行なわれる。
【００３２】脱離は上述の溶媒のいずれか、好ましくは
メタノール中で酸および塩基で連続的に処理する一般的
方法により行なわれる。
メタノール中で酸および塩基で連続的に処理する一般的
方法により行なわれる。
【００３３】好適な酸類は強無機酸類および有機スルホ
ン酸類またはカルボン酸類たとえばメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスル
ホン酸、酢酸またはプロピオン酸である。
ン酸類またはカルボン酸類たとえばメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスル
ホン酸、酢酸またはプロピオン酸である。
【００３４】好適な塩基類はアルカリ金属水酸化物類お
よびアルカリ土金属水酸化物類たとえば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムまたは水酸化バリウムである。水酸
化バリウムが好ましい。
よびアルカリ土金属水酸化物類たとえば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムまたは水酸化バリウムである。水酸
化バリウムが好ましい。
【００３５】酸類および塩基類は一般式（ＩＶ）の化合
物類１モル当り０．０１から１０モル間の量好ましくは
１モルで用いられる。脱離は常圧下で温度範囲０℃から
＋１３０℃、好ましくは＋２０℃から＋１００℃で行な
われる。
物類１モル当り０．０１から１０モル間の量好ましくは
１モルで用いられる。脱離は常圧下で温度範囲０℃から
＋１３０℃、好ましくは＋２０℃から＋１００℃で行な
われる。
【００３６】脱離はまた水素化リチウムアルミニウムを
用い、上述の溶媒のいずれか好ましくはテトラヒドロフ
ラン中でも行なうことができる。
用い、上述の溶媒のいずれか好ましくはテトラヒドロフ
ラン中でも行なうことができる。
【００３７】カルボキシレート類は一般的方法、不活性
溶媒中一般的塩基でエステルを処理することにより加水
分解される。
溶媒中一般的塩基でエステルを処理することにより加水
分解される。
【００３８】加水分解に好適な塩基類は一般的無機塩基
類である。これらは好ましくはアルカリ金属水酸化物類
またはアルカリ土金属水酸化物類たとえば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムまたは水酸化バリウム、またはア
ルカリ金属炭酸塩類たとえば炭酸ナトリウムまたは炭酸
カリウム、もしくは炭酸水素ナトリウムを包含する。水
酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムは特に好ましく用
いられる。
類である。これらは好ましくはアルカリ金属水酸化物類
またはアルカリ土金属水酸化物類たとえば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムまたは水酸化バリウム、またはア
ルカリ金属炭酸塩類たとえば炭酸ナトリウムまたは炭酸
カリウム、もしくは炭酸水素ナトリウムを包含する。水
酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムは特に好ましく用
いられる。
【００３９】加水分解に好適な溶媒は水または加水分解
に対して一般的な有機溶媒である。これらは好ましくは
アルコール類たとえばメタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノールまたはブタノール、もしくは
エーテル類たとえばテトラヒドロフランまたはジオキサ
ン、もしくはジメチルホルムアミドまたはジメチルスル
ホキシドを包含する。アルコール類たとえばメタノー
ル、エタノール、プロパノールまたはイソプロパノール
は特に好ましく使用される。上述の溶媒の混合物を使用
することもまた可能である。
に対して一般的な有機溶媒である。これらは好ましくは
アルコール類たとえばメタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノールまたはブタノール、もしくは
エーテル類たとえばテトラヒドロフランまたはジオキサ
ン、もしくはジメチルホルムアミドまたはジメチルスル
ホキシドを包含する。アルコール類たとえばメタノー
ル、エタノール、プロパノールまたはイソプロパノール
は特に好ましく使用される。上述の溶媒の混合物を使用
することもまた可能である。
【００４０】エステル化は一般に温度範囲０℃から＋１
００℃好ましくは＋２０℃から８０℃で行なわれる。
００℃好ましくは＋２０℃から８０℃で行なわれる。
【００４１】一般にエステル化は常圧下で行なわれる。
しかしながら、大気圧以下もしくは大気圧以上での方法
を実施することもまた可能である（たとえば０．５から
５バール）。
しかしながら、大気圧以下もしくは大気圧以上での方法
を実施することもまた可能である（たとえば０．５から
５バール）。
【００４２】加水分解を行なう際塩基は一般にエステル
１モル当り１から３モルの量で、好ましくは１から１．
５モルで使用される。反応物のモル量が特に好ましく用
いられる。
１モル当り１から３モルの量で、好ましくは１から１．
５モルで使用される。反応物のモル量が特に好ましく用
いられる。
【００４３】一般式（ＩＩ）の化合物類は新規であり、 一般式（ＶＩ）
【００４４】
【化１９】
【００４５】式中ｎおよびＲ1は上述の意味を有する、
の化合物類を 一般式（ＶＩＩ）
の化合物類を 一般式（ＶＩＩ）
【００４６】
【化２０】
【００４７】式中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は
上述の意味を有し、Ｍはハロゲン、好ましくは塩素を表
す、の化合物類と上述の有機溶媒のいずれか、好ましく
はジエチルエーテル中で、塩基好ましくは水素化ナトリ
ウムの存在下で反応させるか、 一般式（ＶＩＩＩ）
上述の意味を有し、Ｍはハロゲン、好ましくは塩素を表
す、の化合物類と上述の有機溶媒のいずれか、好ましく
はジエチルエーテル中で、塩基好ましくは水素化ナトリ
ウムの存在下で反応させるか、 一般式（ＶＩＩＩ）
【００４８】
【化２１】
【００４９】式中Ｒ1およびＲ2は上述の意味を有する、
のクロルぎ酸ベンジル誘導体を初めに上述の溶媒のいず
れか、好ましくはテトラヒドロフラン中ＴＭＥＤＡで処
理し、続いてブチルリチウムを用いてヘキサン中で脱プ
ロトンし、最終段階で 一般式（ＩＸ）
のクロルぎ酸ベンジル誘導体を初めに上述の溶媒のいず
れか、好ましくはテトラヒドロフラン中ＴＭＥＤＡで処
理し、続いてブチルリチウムを用いてヘキサン中で脱プ
ロトンし、最終段階で 一般式（ＩＸ）
【００５０】
【化２２】
【００５１】式中Ｘはハロゲン好ましくはヨウ素を表
す、の化合物類を用いてアルキル化する、ことにより製
造することができる。
す、の化合物類を用いてアルキル化する、ことにより製
造することができる。
【００５２】脱プロトンは−７８℃および常圧下で行な
われる。
われる。
【００５３】アルキル化は温度範囲−７８℃から４０℃
で行なわれる。
で行なわれる。
【００５４】一般式（ＶＩＩＩ）の化合物類のいくつか
は新規であり、対応するクロルぎ酸誘導体をオキサゾリ
ジン誘導体と、エーテル中温度範囲−２０℃から＋１０
℃好ましくは０℃および常圧下で反応させることにより
製造することができる。
は新規であり、対応するクロルぎ酸誘導体をオキサゾリ
ジン誘導体と、エーテル中温度範囲−２０℃から＋１０
℃好ましくは０℃および常圧下で反応させることにより
製造することができる。
【００５５】一般式（ＩＸ）のハロゲン化シクロアルキ
ルは公知である。
ルは公知である。
【００５６】一般式（ＶＩ）および（ＶＩＩ）の化合物
類のいくつかは公知であり一般的方法により製造するこ
とができる（Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１（１）、３７
−５４；３４（１０）、２９６２−８３；ＰＣＴ ＷＯ
８６１０７０５６参照）。驚くべきことに、本発明に
よるエナンチオ選択的方法は一般式（Ｉ）の所望化合物
類を良好な収率で生成する。
類のいくつかは公知であり一般的方法により製造するこ
とができる（Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１（１）、３７
−５４；３４（１０）、２９６２−８３；ＰＣＴ ＷＯ
８６１０７０５６参照）。驚くべきことに、本発明に
よるエナンチオ選択的方法は一般式（Ｉ）の所望化合物
類を良好な収率で生成する。
【００５７】本方法は一連の利点により際立っている：
公知技術に反し、塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチ
ウムの化学量論量は脱プロトンに対して十分である。さ
らに本発明による方法は、光学活性アルコール類を使用
した際ジアステレオ選択性を調節させる。
公知技術に反し、塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチ
ウムの化学量論量は脱プロトンに対して十分である。さ
らに本発明による方法は、光学活性アルコール類を使用
した際ジアステレオ選択性を調節させる。
【００５８】キラル（−）−スパルテインを使用するこ
とは、非常に好収率の式（ＩＩ）の化合物類のエナンチ
オ選択的脱プロトンが対応するキラル化合物類好ましく
は式（ＩＩＩ）の（Ｓ）−リチウム化合物類、ＣＯ2と
さらに反応させることにより好ましくはＲ立体配置に転
換し得る該化合物を生成するという結果をもたらす。本
発明による化合物類はまた、保護基Ｒ2が求電子試薬
（ＣＯ2）のエナンチオ選択的導入後、遊離水酸基を形
成しながら極めて容易に脱離できることを特徴とする。
とは、非常に好収率の式（ＩＩ）の化合物類のエナンチ
オ選択的脱プロトンが対応するキラル化合物類好ましく
は式（ＩＩＩ）の（Ｓ）−リチウム化合物類、ＣＯ2と
さらに反応させることにより好ましくはＲ立体配置に転
換し得る該化合物を生成するという結果をもたらす。本
発明による化合物類はまた、保護基Ｒ2が求電子試薬
（ＣＯ2）のエナンチオ選択的導入後、遊離水酸基を形
成しながら極めて容易に脱離できることを特徴とする。
【００５９】一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）
の化合物類は新規であり、上記の方法で製造することが
できる。
の化合物類は新規であり、上記の方法で製造することが
できる。
【００６０】この様に本発明による方法は、リポキシゲ
ケーゼ抑制の活性化合物類の合成に有益な中間体である
光学活性α−オキシカルボン酸類［ＥＰ 第３４４，５
１９号参照］が見事に且つ好収率で得られる様にさせる
ものである。
ケーゼ抑制の活性化合物類の合成に有益な中間体である
光学活性α−オキシカルボン酸類［ＥＰ 第３４４，５
１９号参照］が見事に且つ好収率で得られる様にさせる
ものである。
【００６１】
【実施例】実施例１ ベンジル２，２，４，４，−テトラメチル−オキサゾリ
ジン−３−カルボキシレート
ジン−３−カルボキシレート
【００６２】
【化２３】
【００６３】クロルぎ酸ベンジル８．５００ｇ（５０．
００ｍｍｏｌ）を乾燥エーテル１００ｍｌ中に溶解さ
せ、該溶液を乾燥エーテル１００ｍｌ中オキサゾリジン
１２．８００ｇ（１００．００ｍｍｏｌ）の溶液に氷冷
しながらゆっくり加えた。氷冷を除去し、還流をさらに
１時間続けた。水仕上げおよびシリカゲルでの精製（エ
ーテル／石油エーテル１：１０）の結果、９１％の表題
化合物１１．９６７ｇ（４５．５０ｍｍｏｌ）が得られ
た。
００ｍｍｏｌ）を乾燥エーテル１００ｍｌ中に溶解さ
せ、該溶液を乾燥エーテル１００ｍｌ中オキサゾリジン
１２．８００ｇ（１００．００ｍｍｏｌ）の溶液に氷冷
しながらゆっくり加えた。氷冷を除去し、還流をさらに
１時間続けた。水仕上げおよびシリカゲルでの精製（エ
ーテル／石油エーテル１：１０）の結果、９１％の表題
化合物１１．９６７ｇ（４５．５０ｍｍｏｌ）が得られ
た。
【００６４】Ｒf：０．５１（エーテル／石油エーテル
１：５）。
１：５）。
【００６５】実施例２ シクロヘキシル−フェニル−メチル２，２，４，４−テ
トラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボキシ
レート
トラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボキシ
レート
【００６６】
【化２４】
【００６７】実施例１の化合物２．６３０ｇ（１０．０
０ｍｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ１０ｍｌ中に溶解させ、該混
合物をＴＭＥＤＡ１．１６０ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）
で処理した。該混合物を−７８℃に冷却した後、ヘキサ
ン中約１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液６．３ｍｌ
（１００．００ｍｍｏｌ）を用い脱プロトンした。約３
０分後ヨードシクロヘキサン４．２００ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。４時間後該混合物を室温に戻し、水仕上
げを行なった。シリカゲルで精製（エーテル／石油エー
テル１：９）した結果７９％の表題化合物２．７３６ｇ
（７．９０ｍｍｏｌ）が得られた。
０ｍｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ１０ｍｌ中に溶解させ、該混
合物をＴＭＥＤＡ１．１６０ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）
で処理した。該混合物を−７８℃に冷却した後、ヘキサ
ン中約１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液６．３ｍｌ
（１００．００ｍｍｏｌ）を用い脱プロトンした。約３
０分後ヨードシクロヘキサン４．２００ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。４時間後該混合物を室温に戻し、水仕上
げを行なった。シリカゲルで精製（エーテル／石油エー
テル１：９）した結果７９％の表題化合物２．７３６ｇ
（７．９０ｍｍｏｌ）が得られた。
【００６８】Ｒf：０．５６（エーテル／石油エーテル
１：３）。
１：３）。
【００６９】実施例３ シクロオクチル−フェニル−メチル２，２，４，４−テ
トラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボキシ
レート
トラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボキシ
レート
【００７０】
【化２５】
【００７１】実施例１の化合物２．６３０ｇ（１０．０
０ｍｍｏｌ）をＴＭＥＤＡ１．１６０ｇ（１０．００ｍ
ｍｏｌ）を用いて乾燥ＴＨＦ１０ｍｌ中に溶解させ、該
溶液を−７８℃に冷却した。ヘキサン中約１．６Ｍのｎ
−ブチルリチウム溶液６．３ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を
加え、次に該混合物を３０分間ヨードシクロオクチル
４．７６０ｇ（２０．００ｍｍｏｌ）を加えるまで撹拌
した。５時間後、該混合物を室温に戻し、水性媒体によ
り仕上げを行なった。シリカゲルで精製（エーテル／石
油エーテル１：９）した結果６８％の表題化合物２．５
４０ｇ（６．８ｍｍｏｌ）が得られた。
０ｍｍｏｌ）をＴＭＥＤＡ１．１６０ｇ（１０．００ｍ
ｍｏｌ）を用いて乾燥ＴＨＦ１０ｍｌ中に溶解させ、該
溶液を−７８℃に冷却した。ヘキサン中約１．６Ｍのｎ
−ブチルリチウム溶液６．３ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を
加え、次に該混合物を３０分間ヨードシクロオクチル
４．７６０ｇ（２０．００ｍｍｏｌ）を加えるまで撹拌
した。５時間後、該混合物を室温に戻し、水性媒体によ
り仕上げを行なった。シリカゲルで精製（エーテル／石
油エーテル１：９）した結果６８％の表題化合物２．５
４０ｇ（６．８ｍｍｏｌ）が得られた。
【００７２】Ｒf：０．５２（エーテル／石油エーテル
１：３）。
１：３）。
【００７３】実施例４ （２−シクロヘキシル−２−フェニル）−（２，２，
４，４−テトラメチル−１，５−オキサゾリジン−３−
カルボニルオキシ）−酢酸メチル
４，４−テトラメチル−１，５−オキサゾリジン−３−
カルボニルオキシ）−酢酸メチル
【００７４】
【化２６】
【００７５】実施例２の化合物６９０ｍｇ（２．００ｍ
ｍｏｌ）および（−）−スパルテイン２３５ｍｇ（１．
００ｍｍｏｌ）を乾燥エーテル２ｍｌ中に溶解させ、該
溶液を−７８℃に冷却した。シクロヘキサン／ヘキサン
中のｓｅｃ．−ブチルリチウム溶液０．７３ｍｌ（１．
００ｍｍｏｌ）を加え、該混合物を２４時間撹拌した。
次に乾燥ＣＯ2を該溶液に１０分間流し入れた。１時間
後該混合物を室温に戻して酸性仕上げを行ない、有機相
を硫酸マグネシウム上で乾燥した。該溶液を濾過し、次
に減圧下で濃縮し該溶液が黄色に保たれるまでジアゾメ
タンエーテル溶液を加えた。２時間後過剰のジアゾメタ
ンをシリカゲルを用いて除去し、減圧下での濃縮後に得
られた残渣にシリカゲルでクロマトグラフを行なった
（エーテル／石油エーテル１：６）。５３％の ---- ３
６９ｇ（１．０７ｍｍｏｌ）の他に２５％の表題化合物
２００ｍｇ（０．５０ｍｍｏｌ）も得られた。
ｍｏｌ）および（−）−スパルテイン２３５ｍｇ（１．
００ｍｍｏｌ）を乾燥エーテル２ｍｌ中に溶解させ、該
溶液を−７８℃に冷却した。シクロヘキサン／ヘキサン
中のｓｅｃ．−ブチルリチウム溶液０．７３ｍｌ（１．
００ｍｍｏｌ）を加え、該混合物を２４時間撹拌した。
次に乾燥ＣＯ2を該溶液に１０分間流し入れた。１時間
後該混合物を室温に戻して酸性仕上げを行ない、有機相
を硫酸マグネシウム上で乾燥した。該溶液を濾過し、次
に減圧下で濃縮し該溶液が黄色に保たれるまでジアゾメ
タンエーテル溶液を加えた。２時間後過剰のジアゾメタ
ンをシリカゲルを用いて除去し、減圧下での濃縮後に得
られた残渣にシリカゲルでクロマトグラフを行なった
（エーテル／石油エーテル１：６）。５３％の ---- ３
６９ｇ（１．０７ｍｍｏｌ）の他に２５％の表題化合物
２００ｍｇ（０．５０ｍｍｏｌ）も得られた。
【００７６】Ｒf：０．３６（エーテル／石油エーテル
１：３）。
１：３）。
【００７７】実施例５ ２−シクロオクチル−２−フェニル−（２，２，４，４
−テトラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボ
ニルオキシ）−酢酸メチル
−テトラメチル−１，３−オキサゾリジン−３−カルボ
ニルオキシ）−酢酸メチル
【００７８】
【化２７】
【００７９】製造は実施例４の方法と同様である。２５
％の表題化合物２２０ｍｇ（０．５１ｍｍｏｌ）が得ら
れた。
％の表題化合物２２０ｍｇ（０．５１ｍｍｏｌ）が得ら
れた。
【００８０】Ｒf：０．３４（エーテル／石油エーテル
１：３）。
１：３）。
【００８１】実施例６ シクロヘキシル−（４−メトキシ−フェニル）−メチル
２，２，４，４−テトラメチル−１．３−オキサゾリジ
ン−３−カルボキシレート
２，２，４，４−テトラメチル−１．３−オキサゾリジ
ン−３−カルボキシレート
【００８２】
【化２８】
【００８３】アルコール６６０ｍｇ（３．００ｍｍｏ
ｌ）を室温で乾燥ＤｎＥ２０ｍｌ中水素化ナトリウム９
０．０ｍｇ（３．００ｍｍｏｌ）の懸濁液（パラフィン
油中の８０％懸濁液）に加えた。該混合物を室温で５日
間撹拌した。ＤｎＥ（１０ｍｌ）に溶解させた塩化カル
バモイル５７６ｍｇ（３．００ｍｍｏｌ）を次に該混合
物に加え、５日間撹拌を続けた。水仕上げおよびシリカ
ゲルでの精製（エーテル／石油エーテル１：３）後に１
８％の表題化合物２０２ｍｇ（０．５４ｍｍｏｌ）が得
られた。
ｌ）を室温で乾燥ＤｎＥ２０ｍｌ中水素化ナトリウム９
０．０ｍｇ（３．００ｍｍｏｌ）の懸濁液（パラフィン
油中の８０％懸濁液）に加えた。該混合物を室温で５日
間撹拌した。ＤｎＥ（１０ｍｌ）に溶解させた塩化カル
バモイル５７６ｍｇ（３．００ｍｍｏｌ）を次に該混合
物に加え、５日間撹拌を続けた。水仕上げおよびシリカ
ゲルでの精製（エーテル／石油エーテル１：３）後に１
８％の表題化合物２０２ｍｇ（０．５４ｍｍｏｌ）が得
られた。
【００８４】Ｒf：０．４８（エーテル／石油エーテル
１：５）。
１：５）。
【００８５】本発明の主なる特徴および態様は以下のと
おりである。
おりである。
【００８６】１．一般式
【００８７】
【化２９】
【００８８】式中ｎは数字１、２、３、４、５または６
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
【００８９】
【化３０】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルまたは典型的水酸保護基である、の基を表す、の
光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法であっ
て、 一般式（ＩＩ）
ルキルまたは典型的水酸保護基である、の基を表す、の
光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法であっ
て、 一般式（ＩＩ）
【００９０】
【化３１】
【００９１】式中ｎおよびＲ1は上述の意味を有し、Ｒ2
は式
は式
【００９２】
【化３２】
【００９３】式中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは炭素原
子３から６個を有するシクロアルキルを表すか、各々の
場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ7
およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成するの
基を表す、のカルバメート類を初めに不活性溶媒中で選
択的塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチウムの存在下
およびキレート生成ジアミン（以後Ｄと称する）の存在
下でジア−またはエナンチオ選択的に脱プロトンして、 一般式（ＩＩＩ）
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは炭素原
子３から６個を有するシクロアルキルを表すか、各々の
場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ7
およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成するの
基を表す、のカルバメート類を初めに不活性溶媒中で選
択的塩基好ましくはｓｅｃ．−ブチルリチウムの存在下
およびキレート生成ジアミン（以後Ｄと称する）の存在
下でジア−またはエナンチオ選択的に脱プロトンして、 一般式（ＩＩＩ）
【００９４】
【化３３】
【００９５】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有し、Ｄはキレート生成ジアミ
ンたとえば（−）−スパルテインまたはＴＭＥＤＡを表
す、のカルボアニオン錯化合物類を生成し、該生成物を
次に不活性溶媒中ＣＯ2で求電子置換反応により 一般式（ＩＶ）
よびＲ8は上述の意味を有し、Ｄはキレート生成ジアミ
ンたとえば（−）−スパルテインまたはＴＭＥＤＡを表
す、のカルボアニオン錯化合物類を生成し、該生成物を
次に不活性溶媒中ＣＯ2で求電子置換反応により 一般式（ＩＶ）
【００９６】
【化３４】
【００９７】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に直接転換
するか、これらを初めにエーテル中のジアゾメタンで 一般式（Ｖ）
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に直接転換
するか、これらを初めにエーテル中のジアゾメタンで 一般式（Ｖ）
【００９８】
【化３５】
【００９９】式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に転換し、
最終段階で複素環式保護基を一般的方法で脱離し、メチ
ル基を通常の方法により加水分解することを特徴とする
方法。
よびＲ8は上述の意味を有する、の化合物類に転換し、
最終段階で複素環式保護基を一般的方法で脱離し、メチ
ル基を通常の方法により加水分解することを特徴とする
方法。
【０１００】２．式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、フッ素、塩素または４個までの炭素原子を有す
る直鎖または分枝アルキル、もしくは式
は水素、フッ素、塩素または４個までの炭素原子を有す
る直鎖または分枝アルキル、もしくは式
【０１０１】
【化３６】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは４個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキル、ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒ
ｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基を表す、で表わ
される化合物製造のための上記第１項記載の方法。
ルキル、ベンゾイル、トリメチルシリルまたはｔｅｒ
ｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基を表す、で表わ
される化合物製造のための上記第１項記載の方法。
【０１０２】３．上記第１項記載の式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、Ｒ1
は水素、メチル、塩素または式
は水素、メチル、塩素または式
【０１０３】
【化３７】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔはメチル、エチル、ベンゾイル、トリメチルシリ
ルまたはｔｅｒｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基
を表す、で表される化合物製造のための上記第１項記載
の方法。
ルまたはｔｅｒｔ．ブチルジメチルシリルを表す、の基
を表す、で表される化合物製造のための上記第１項記載
の方法。
【０１０４】４．温度範囲−１００℃から室温間で脱プ
ロトンが行なわれることを特徴とする上記第１項から第
３項記載の方法。
ロトンが行なわれることを特徴とする上記第１項から第
３項記載の方法。
【０１０５】５．アルキル基中に６個までの炭素原子を
有するアルキルリチウム化合物類を選択的塩基として使
用することを特徴とする上記第１項から第４項記載の方
法。 ６．温度範囲０℃から＋１３０℃で脱離が行なわれるこ
とを特徴とする上記第１項から第５項記載の方法。
有するアルキルリチウム化合物類を選択的塩基として使
用することを特徴とする上記第１項から第４項記載の方
法。 ６．温度範囲０℃から＋１３０℃で脱離が行なわれるこ
とを特徴とする上記第１項から第５項記載の方法。
【０１０６】７．水素化リチウムアルミニウムを用いて
脱離が行なわれることを特徴とする上記第１項から第６
項記載の方法。
脱離が行なわれることを特徴とする上記第１項から第６
項記載の方法。
【０１０７】８．一般式（ＩＩ）
【０１０８】
【化３８】
【０１０９】式中ｎは数字１、２、３、４、５または６
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式
【０１１０】
【化３９】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｒ2は式
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｒ2は式
【０１１１】
【化４０】
【０１１２】式中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは炭素原
子３から６個を有するシクロアルキルを表すか、各々の
場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ7
およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成する、
の基を表す、で表されるカルバメート。
同一もしくは相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、フェニルまたは炭素原
子３から６個を有するシクロアルキルを表すか、各々の
場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ7
およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を形成する、
の基を表す、で表されるカルバメート。
【０１１３】９．一般式（ＩＩＩ）
【０１１４】
【化４１】
【０１１５】式中ｎは数字１、２、３、４、または５を
表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原子
を有する直鎖または分枝アルキルを表すか、式
表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原子
を有する直鎖または分枝アルキルを表すか、式
【０１１６】
【化４２】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｄはキレート生成ジアミンたとえば（−）−スパルテイ
ンまたはＴＭＥＤＡを表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7
およびＲ8は同一もしくは相異なり且つ水素、８個まで
の炭素原子を有する直鎖または分枝アルキル、フェニル
または炭素原子３から６個を有するシクロアルキルを表
すか、各々の場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および
／またはＲ7およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を
形成する、で表されるカルボアニオン錯化合物。
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｄはキレート生成ジアミンたとえば（−）−スパルテイ
ンまたはＴＭＥＤＡを表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7
およびＲ8は同一もしくは相異なり且つ水素、８個まで
の炭素原子を有する直鎖または分枝アルキル、フェニル
または炭素原子３から６個を有するシクロアルキルを表
すか、各々の場合にＲ3およびＲ4、Ｒ5およびＲ6および
／またはＲ7およびＲ8は共に３から６員の飽和炭素環を
形成する、で表されるカルボアニオン錯化合物。
【０１１７】１０．一般式（ＩＶ）
【０１１８】
【化４３】
【０１１９】式中ｎは数字１、２、３、４、５または６
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキルを表すか、式
を表し、Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原
子を有する直鎖または分枝アルキルを表すか、式
【０１２０】
【化４４】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は同一もしくは相異
なり且つ水素、８個までの炭素原子を有する直鎖または
分枝アルキル、フェニルまたは炭素原子３から６個を有
するシクロアルキルを表すか、各々の場合にＲ3および
Ｒ4、Ｒ5および／またはＲ6、Ｒ7およびＲ8は共に３か
ら６員の炭素環を形成する、で表される化合物。
ルキルもしくは典型的水酸保護基を表す、の基を表し、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は同一もしくは相異
なり且つ水素、８個までの炭素原子を有する直鎖または
分枝アルキル、フェニルまたは炭素原子３から６個を有
するシクロアルキルを表すか、各々の場合にＲ3および
Ｒ4、Ｒ5および／またはＲ6、Ｒ7およびＲ8は共に３か
ら６員の炭素環を形成する、で表される化合物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイーター・ホツペ ドイツ連邦共和国デー2300キール・シユナ イダーカンプ17イー
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、 Ｒ1は水素、ハロゲンまたは６個までの炭素原子を有す
る直鎖または分枝アルキル、もしくは式 【化２】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは６個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキルまたは典型的水酸保護基である、 の基を表す、 の光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法であ
って、 一般式（ＩＩ） 【化３】 式中ｎおよびＲ1は上述の意味を有し、 Ｒ2は式 【化４】 式中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は同一もしくは
相異なり且つ水素、８個までの炭素原子を有する直鎖ま
たは分枝アルキル、フェニルまたは炭素原子３から６個
を有するシクロアルキルを表すか、各々の場合にＲ3お
よびＲ4、Ｒ5およびＲ6および／またはＲ7およびＲ8は
共に３から６員の飽和炭素環を形成するの基を表す、 のカルバメート類を初めに不活性溶媒中で選択的塩基好
ましくはｓｅｃ．−ブチルリチウムの存在下およびキレ
ート生成ジアミン（以後Ｄと称する）の存在下でジア−
またはエナンチオ選択的に脱プロトンして、 一般式（ＩＩＩ） 【化５】 式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は上
述の意味を有し、 Ｄはキレート生成ジアミンたとえば（−）−スパルテイ
ンまたはＴＭＥＤＡを表す、 のカルボアニオン錯化合物類を生成し、該生成物を次に
不活性溶媒中ＣＯ2で求電子置換反応により 一般式（ＩＶ） 【化６】 式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は上
述の意味を有する、 の化合物類に直接転換するか、これらを初めにエーテル
中のジアゾメタンで 一般式（Ｖ） 【化７】 式中ｎ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は上
述の意味を有する、 の化合物類に転換し、最終段階で複素環式保護基を一般
的方法で脱離し、メチル基を通常の方法により加水分解
することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 式（Ｉ） 式中ｎは数字１、２、３、４、５または６を表し、 Ｒ1は水素、フッ素、塩素または４個までの炭素原子を
有する直鎖または分枝アルキル、もしくは式 【化８】−Ｏ−Ｔ 式中Ｔは４個までの炭素原子を有する直鎖または分枝ア
ルキル、ベンゾイル、 トリメチルシリルまたはｔｅｒｔ．ブチルジメチルシリ
ルを表す、 の基を表す、で表される化合物製造のための特許請求の
範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4142190.6 | 1991-12-20 | ||
| DE4142190A DE4142190A1 (de) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Verfahren zur herstellung von optisch aktiven (alpha)-hydroxycarbonsaeuren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05271148A true JPH05271148A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=6447625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353977A Pending JPH05271148A (ja) | 1991-12-20 | 1992-12-15 | 光学活性α−ヒドロオキシカルボン酸の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0548671A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05271148A (ja) |
| CA (1) | CA2085634A1 (ja) |
| DE (1) | DE4142190A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US6180823B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-01-30 | Sepracor Inc. | Stereoselective process for alkyl phenylglycolic acids |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1015024A (en) * | 1962-02-17 | 1965-12-31 | Spofa Vereinigte Pharma Werke | New salts and quaternary salts of basic esters of substituted hexahydro benzilic acids, and a method of preparing same |
| US4467095A (en) * | 1969-02-10 | 1984-08-21 | Fmc Corporation | Anticholinergic compounds |
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