JP3129068B2 - 製品製造システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体やＴＦＴ（Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶，コンピ
ュータ用ディスク等の製品の製造システムに係り、省ス
ペース化と省エネルギー化及び設備のイニシャルコスト
低減を図るのに好適な製品製造システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体やＴＦＴ液晶，コンピュータ用デ
ィスク等を製造するには塵埃と温湿度を制御したクリー
ンルームが必要である。図１４は、従来技術の代表的な
例である全面ダウンフロー方式と呼ばれるクリーンルー
ムを示す。この従来例では、空調，送風機械室９１で空
調された空気は天井チャンバ部９２に送風され、天井全
面に配列されたＨＥＰＡフィルタ９３により清浄化され
た空気がダウンフローでクリーンルーム９０の室内を流
れ、グレーチング床９４より床下還流部９５を経て空
調，送風機械室９１に還流する。また、従来例では半導
体等の製造装置９６はクリーンルーム９０に設置され、
製造装置の補機（図示せず）が床下還流部９５に設けら
れる構成となっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では。半
導体等の製造装置９６がクリーンルーム９０内に設置さ
れるため、生産規模の最大時に合わせたクリーンルーム
を当初より製作する必要があり、クリーンルームのイニ
シャルコストが高価になるという問題がある。また、従
来例では、製造装置の補機（図示せず）が床下還流部９
５に設けられるので、半導体製造装置９６の熱負荷に加
えて補機の熱負荷も循環気流中の熱負荷に含まれ空調負
荷が増大すると共に、初期の生産量が少ない段階におい
ても、クリーンルーム全室の空調，送風を行う必要があ
るため、省エネルギーを図ることが困難であった。

【０００４】さらに、半導体等の製造装置が高度化する
につれ、製造装置個別に清浄度や空調条件を制御するこ
とが必要になりつつあるが、従来例のクリーンルームで
は、天井チャンバ部が共通のため、半導体等の製造装置
個別に清浄度や空調条件を制御することが困難であり、
これらへの対応ができないという問題がある。

【０００５】また、最近の様に半導体で２５６ｋＤＲＡ
Ｍの製造や１ＧＤＲＡＭの研究においては、ＨＥＰＡフ
ィルタの性能を０．０１μｍ粒子等の超微細粒子を対象
としたものに向上する必要があり、フィルタ価格の点か
ら見て従来例のクリーンルームは建設費が高騰して設備
投資額が回収できないレベルにまで達し、今後建設する
ことは困難という問題がある。

【０００６】本発明は、上記従来例の問題点を解決し、
今後の半導体等の製造で必要となる次の課題を解決する
ものである。

【０００７】（１）半導体等の生産ライン内のそれぞれ
の製造装置（工程）毎に清浄度及び空調条件を変化（制
御）可能とする。

【０００８】（２）製造装置を複数台組合せたモジュー
ルをユニット化し、清浄化及び空調の省エネルギー化を
図ると共に、高度なクリーンルームを不要とし、設備費
の低減（省コスト化）と省エネルギー化を可能とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、製品の製造工程中の第１の工程を処理す
る第１の処理装置と該第１の処理装置内の雰囲気の条件
を制御する第１の雰囲気条件制御装置および該第１の処
理装置に物品の受渡しを行なう第１の搬送手段とを有す
る第１の工程処理モジュールと、製品の製造工程中の第
２の工程を処理する第２の処理装置と該第２の処理装置
内の雰囲気の条件を制御する第２の雰囲気条件制御装置
および該第２の処理装置に物品の受渡しを行なう第２の
搬送手段とを有する第２の工程処理モジュールと、製品
の製造工程中の第３の工程を処理する第３の処理装置と
該第３の処理装置内の雰囲気の条件を制御する第３の雰
囲気条件制御装置および該第３の処理装置に物品の受渡
しを行なう第３の搬送手段とを有する第３の工程処理モ
ジュールと、製品の製造工程中の第４の工程を処理する
第４の処理装置と該第４の処理装置内の雰囲気の条件を
制御する第４の雰囲気条件制御装置および該第４の処理
装置に物品の受渡しを行なう第４の搬送手段とを有する
第４の工程処理モジュールと、前記第１の搬送手段、第
２の搬送手段、第３の搬送手段、第４の搬送手段のそれ
ぞれに接続されてこれらとの間で物品の受渡しを行なう
受渡し手段と、前記第１の工程処理モジュール、第２の
工程処理モジュール、第３の工程処理モジュール、第４
の工程処理モジュールとは、それぞれ四角形の各頂点と
なる位置に配置し、該四角形の中央部に前記受渡し手段
を配置し、前記第１の雰囲気条件制御装置、第２の雰囲
気条件制御装置、第３の雰囲気条件制御装置および第４
の雰囲気条件制御装置は、前記第１の処理装置、第２の
処理装置、第３の処理装置および第４の処理装置の各々
ごとに雰囲気の条件を制御でき、前記処理装置の下方に
配置されて前記雰囲気条件制御装置から供給された空気
が流入する還流部を有する床架台と、該還流部に流入し
た空気を前記雰囲気制御装置に還流させる循環ダクトと
を具備し、前記各々の処理装置と雰囲気条件制御装置と
受渡し手段とを有した各々の工程処理モジュールと、前
記受渡し手段と、前記床架台と、前記循環ダクトとを一
体に組み立てユニット化したことを特徴とするものであ
る。

【００１０】

【００１１】

【作用】処理装置は製品の製造工程中の所定の工程を処
理する。雰囲気条件制御装置はこの処理装置内の清浄
度、温度、湿度等の雰囲気の条件を制御する。搬送手段
はこの処理装置と部品あるいは処理が行なわれる前後の
製品等の物品の受渡しを行なう。工程処理モジュールは
これらの処理装置、雰囲気条件制御装置、搬送手段を有
して搬送手段から受け取った物品に対して所定の工程の
処理を行ない、処理後の物品を搬送手段に渡巣。工程処
理モジュールは、一つのシステムで複数の工程が行なえ
るよう複数台設けられる。受渡し手段はこの複数台の工
程処理モジュールの搬送手段のそれぞれに接続されてこ
れらとの間で物品の受渡しを行ない、モジュール間での
物品の受渡しを可能にする。複数台の工程処理モジュー
ルは受渡し手段を囲む位置に配置されるのでどの工程処
理モジュールともほぼ同じ時間で物品の受渡しができ
る。雰囲気条件制御装置は各処理装置ごとに雰囲気の条
件を制御できるよう構成され、必要最小限の空気清浄化
と空調負荷の制御で済み、生産ライン内のそれぞれの製
造装置（工程）毎の条件設定を可能にする。

【００１２】好ましい実施態様においては、工程処理モ
ジュールは、処理装置の下方に配置されて雰囲気条件制
御装置から供給された空気が流入する還流部を有する床
架台と、還流部に流入した空気を雰囲気制御装置に還流
させる循環ダクトを備え、雰囲気条件制御装置が処理装
置の上方に配置され、雰囲気条件制御装置と、処理装置
と、床架台と、循環ダクトが一体に組み立てられてユニ
ット化されるので、ユニット単位での増設が可能で、そ
れぞれ独立して清浄度や空調の制御が可能なため、生産
能力向上の計画に応じてフレキシブルに増設が対応で
き、従来の大部屋クリーンルームに比べ、省エネルギー
化、及び省コスト化を図る個とができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図１３及び図
１５〜図１９により説明する。本実施例は半導体の製造
装置を例に説明するが、ＴＦＴ液晶，磁気ディスク、光
ディスク等のコンピュータ用ディスクの製造装置にも同
様に適用できる。本発明に至る過程で図１６及び図１７
に示す様に、半導体等の製造装置を複数台組合せたもの
をモジュールとし、これらのモジュール単位で製造設備
の増設を図る新しい製造ラインの構成方法が検討され、
特願平４−２３４４７０号として出願された。

【００１４】この出願は半導体の様に繰り返し作業の多
い製品の生産ラインにおいて、複数の製造装置で組合せ
た設備をモジュールとし、モジュールは一連の加工処理
単位に複数の装置が組合され、モジュール内の設備は加
工処理順序に並べ、更にモジュールを複数持ち、このモ
ジュール単位にライン配置を行って生産ラインを構成す
るものである。この製造ラインの構成の例を図１６に示
し、半導体製造装置モジュール５３の詳細を図１７に示
す。図１６及び図１７に示す製造装置モジュールには、
空気清浄化及び温湿度制御の機能は無い。

【００１５】本実施例はこの新しい構成をベースとし
て、製造装置のモジュールを架台上に集約し、製造装置
と清浄空気を供給するクリーン化ユニット及び空調装置
とこれらに必要な気流を閉空間に形成することにより、
半導体等の製造に必要なクリーン度、及び温湿度制御を
各製造装置（各工程）毎に変化（制御）させることを可
能としたものである。すなわち、半導体等、繰り返し作
業の多い微細加工が主体で工程数が多い生産ラインで、
この生産ラインを構成する製造装置を複数台組合せたも
のをモジュールとし、この様なモジュールを複数設置し
て製品を製造する設備において、製造装置を複数台組合
せたモジュール単位で、それぞれの製造装置（工程）毎
に、空気清浄度及び温湿度等の空調条件を個別に変化
（制御）できるように構成したものである。このモジュ
ールは、循環気流用の環気ダクトを兼ねた床架台に製造
装置，空気清浄装置，空調装置，空気循環ダクト系，ユ
ーティリティ（用役）配管等が一体に設置され、ユニッ
ト化されている。

【００１６】又、このモジュール単位でユーティリティ
配管等まで含めてユニット化し、モジュールユニット単
位で増設することにより、工場の大部屋クリーンルーム
を最初から作る必要が無くなり、空調負荷も軽減される
ことから、省エネルギー化、及び生産ライン設備のイニ
シャルコストの低減が可能になる。本発明の第１実施例
を図１、図２、図５〜図１０および図１５により説明す
る。図１は本発明の第１実施例のシステムの外観を示
す。本実施例は製造装置モジュールに空気清浄化及び温
湿度制御の機能を付加し、省エネルギー，省コスト化を
図るもので、４台の工程処理モジュールを架台上に配置
してユニット化した製造装置システム２を、建屋１の内
部に複数ユニット設置した例の斜視図である。尚、図１
では図示を省略しているが、各製品製造システム２間に
は、後述の図３に示すように、ウエハのモジュール間搬
送装置１９が接続される。

【００１７】本実施例では、図２に示すように、製品の
製造工程中の第１の工程を処理する第１の処理装置、第
２の工程を処理する第２の処理装置、第３の工程を処理
する第３の処理装置、第４の工程を処理する第４の処理
装置としての半導体製造装置４、５、６、７が受渡し手
段としてのウエハ受渡し装置８を中心に配置される。半
導体製造装置４、５、６、７にはそれぞれこれらの半導
体製造装置内の清浄度および温湿度等の雰囲気の条件を
制御する第１の雰囲気条件制御装置１２ａ、第２の雰囲
気条件制御装置１２ｂ、第３の雰囲気条件制御装置１２
ｃ、第４の雰囲気条件制御装置１２ｄが設けられ、これ
らの雰囲気条件制御装置は半導体製造装置４、５、６、
７の天井部から清浄度、温湿度が制御された空気が供給
される。また、半導体製造装置４、５、６、７にはそれ
ぞれ物品の受渡しを行なう第１の搬送手段、第２の搬送
手段、第３の搬送手段、第４の搬送手段が設けられる。
本実施例では半導体製造装置に雰囲気条件制御装置、搬
送手段が組合わされた状態で所定の工程を処理する機能
を有する工程処理モジュールが構成される。本実施例で
は、半導体製造装置４、５、６、７はそれぞれ第１の工
程処理モジュール、第２の工程処理モジュール、第３の
工程処理モジュール、第４の工程処理モジュールに組み
込まれる。

【００１８】ウエハ受渡し装置８は第１の搬送手段、第
２の搬送手段、第３の搬送手段、第４の搬送手段のそれ
ぞれに接続されてこれらとの間で物品としてのウエハの
受渡しを行なう。ウエハ受渡し装置８はどの工程処理モ
ジュールともほぼ同じ所要時間でウエハの受渡しができ
るよう、各工程処理モジュールの中間となる位置に配置
される。また、各工程処理モジュールの雰囲気条件制御
装置は半導体製造装置４、５、６、７の各々ごとに雰囲
気の条件を制御できるよう構成される。

【００１９】工程処理モジュール内の配置の例を図５及
び図６に示す。本実施例では、製品製造システムが４つ
の工程処理モジュールからなるので、第１の工程処理モ
ジュール、第２の工程処理モジュール、第３の工程処理
モジュール、第４の工程処理モジュールはそれぞれが四
角形の各頂点となる位置（図５ではＪ、Ｋ、Ｌおよび
Ｍ、図６ではＰ、Ｑ、ＲおよびＳ）に配置され、この四
角形の内部に上記受渡し手段が配置される。具体的に
は、図５はウエハ受渡し装置８を中心に半導体製造装置
４，５，６，７を平行状態に配列したもの、図６はウエ
ハ受渡し装置８を中心にまんじ状に配列したものであ
る。本実施例では図５に示す配列を主体に説明するが、
両者共ウエハ受渡し装置８を中心に四方に製造装置を配
している形態は基本的に同一である。

【００２０】次に図１で示した工程処理モジュール２の
詳細を図２、図７、図８、図９、図１０、図１５により
説明する。図２は工程処理モジュールの全体構成を示す
斜視図で、図７及び図１０は工程処理モジュールの立面
図である。図８及び図９は半導体製造装置内部の構造を
示す立面の断面図である。図１５は空調の系統図であ
る。これらの図を使って工程処理モジュールの詳細を説
明する。まずウエハ受渡し装置８を中心に半導体製造装
置４，５，６，７を配置する。例えばこれらは（１）酸
化，拡散，低圧ＣＶＤ装置、（２）フォトリソグラフィ
装置、（３）ドライエッチ装置、（４）アツシヤ除去装
置、等で構成されている。ウエハ受渡し装置８とそれぞ
れの半導体製造装置４〜７は、それぞれの装置に装着さ
れているウエハ搬送部９によりウエハを工程順に移動さ
せる。

【００２１】これらの半導体製造装置はサブミクロン粒
子まで除去した清浄空間と適切な温湿度空間を必要とす
る。本実施例では、雰囲気条件制御装置として空調装置
２８およびクリーン化ユニット１１〜１３が用いられ
る。ウエハ受渡し装置８、及び半導体製造装置４〜７の
上部にはそれぞれ、清浄空気を供給するクリーン化ユニ
ット１１〜１３を配置して、半導体製造装置の必要部分
に清浄空気を供給する。これらは半導体製造装置の構造
に応じて清浄空気の供給が局所で良い場合には、クリー
ンユニット１２の様に局所的に、又、装置全体が必要な
場合には、クリーンユニット１１及び１３の様に装置全
体に清浄空気を供給する。ウエハ搬送部９はウエハ移動
経路全体が清浄になる様にウエハ搬送部クリーン化ユニ
ット１０を設置する。

【００２２】更に、これらの装置は架台１５の上に設置
され、半導体製造装置の下面と架台は開口付床３０によ
り空気が流通する様になっている。クリーンユニットか
ら供給された空気は、半導体製造装置内部を通過して、
架台１５と建屋床３２の間で形成される床下ダクト３１
に集まり、更に空調装置２８により温湿度制御され、空
気リターンダクト１４を通ってクリーンユニットに還流
する。ウエハ受渡し装置８についても同様である。半導
体製造装置内部の構造を図８及び図９に示すが、製造装
置内部では、ウエハ３３の搬送及び加工を行う部分に清
浄空気が供給される様になっている。ウエハ搬送部クリ
ーン化ユニット１０はウエハ受渡し装置８から、開口３
７を通して空気を取り入れ、ウエハ搬送部９を通して製
造装置下面より架台内に流れる。また、半導体製造装置
４、５、６、７毎に温湿度条件が異なる場合は各半導体
製造装置ごとに空調装置を設けてもよい。

【００２３】この様にして空気の流れは全て閉空間内で
還流し、清浄化，温湿度制御が行えるので、従来の大部
屋クリーンルームに比べて、大幅な省エネルギー化が図
れると共に、それぞれの製造装置に対し図１５に一例を
示す空調ダクト系を採用することにより、それぞれの製
造装置の温湿度を個別に最的値に調節することが可能に
なる。これらは、今まで説明した様に、図２に示す様に
架台を含めて製造装置をモジュールユニットを形成する
ことにより、達成できるものである。又、半導体製造装
置には必要なユーティリティ配管を各工程処理モジュー
ル毎にセットしておくことにより、よりユニット化の効
果を高めている。

【００２４】本発明の第２実施例を図３、図１１により
説明する。本実施例は、図２に示す第１実施例に対し製
造装置間に作業用チャンバ１８を設けたものであり、床
下部分と作業用チャンバ１８以外の構成は基本的には第
１実施例と同じである。又、図３には図２に示されてい
なかったウエハのモジュール間搬送装置１９が図示され
ている。このモジュール間搬送装置１９のとなりのモジ
ュールの間にウエハ搬送装置用排気部２０を設けている
のは、この様に中間部で排気することにより、各モジュ
ールよりモジュール間搬送装置１９内に清浄空気が吸引
され、この搬送装置内部の清浄度を向上させるのに有効
である。

【００２５】作業チャンバ１８は、製造装置の構造上、
床下に気流を流せず、図２の方法では閉空間が形成でき
ない場合に有効である。例えば、図１１に示す様に、製
造装置４の床下に気流が流せず、排気用開口部３９を側
面に設けざるを得ない場合、対向する製造装置との間に
作業用チャンバ１８を設けることにより、図２よりは容
積が拡大するが、閉空間を形成することができる。これ
は大部屋のクリーンルームに比べれば容積は小さいので
図２に示す例と同様の効果を出すことができる。 本発
明の第３実施例を図４、図１２により説明する。図４は
本実施例の斜視図を示し、図１２は本実施例の立面図を
示す。本実施例は第２実施例を発展させたものであり、
製造装置の内部に気流を流しにくい装置が多い場合、
又、局所的でなく全体的に清浄気流が必要な場合等に有
効な構造である。尚、図４は図６に示す製造装置の配置
例に対応した形状を示している。本実施例は、それぞれ
の製造装置に対応したクリーン化ユニット２１ａ〜ｄ
と、ウエハ受渡し装置８に対応したクリーンユニット２
２で形成し、図１２に示す様に、天井のクリーンユニッ
トから供給された清浄空気は室内を流れ、開口付床３０
から床下ダクト３１を通って、空気リターンダクト２４
に吸引される。リターンダクト内には、空調用熱交換器
４０が設置され、温湿度制御を行い、クリーンユニット
に還流される。本例では、クリーンユニットをそれぞれ
の製造装置に対応させ、図１２に示す垂れ壁５６により
区画することにより、前述の実施例と同様に、各製造装
置別に清浄度，温湿度条件を変化されられ、又、前述の
例よりは閉空間の容積が大きくなるが、大部屋のクリー
ンルームに比べれば十分に小さく、省エネルギー化を図
れる。

【００２６】本発明の第４実施例を図１８により説明す
る。本実施例は、製品製造システムを３つの工程処理モ
ジュール４、５、６により構成したものである。各工程
処理モジュールは第１実施例と同様に半導体製造装置に
雰囲気条件制御装置、搬送手段が組合わされたもので、
各工程処理モジュールがそれぞれが三角形の各頂点Ｕ、
Ｖ、Ｗの位置に配置されてこの三角形の内部に受渡し手
段が配置される。

【００２７】本発明の第５実施例を図１９により説明す
る。本実施例は、製品製造システムを２つの工程処理モ
ジュール４、５により構成したものである。各工程処理
モジュールは第１実施例と同様である。本実施例では受
渡し手段をはさんで２つの工程処理モジュールが配置さ
れる。

【００２８】上記のごとく、製品製造システムを構成す
る工程処理モジュールの数が異なればそれに応じた形状
に配置され、すなわち、工程処理モジュールの数がＮ
（Ｎは３以上の整数）個の場合は各工程処理モジュール
がそれぞれがＮ角形の各頂点となる位置に配置されてこ
のＮ角形の内部に受渡し手段が配置されて製品製造シス
テムが構成される。

【００２９】以上、工程処理モジュールがユニット化さ
れた製品製造システム単位での実施例について述べた
が、実際には図１に示されるように製品製造システムが
複数組設けられ、各製品製造システムの受渡し手段間を
結ぶ搬送路が設置されて、この搬送路を介して受渡し手
段間で物品の受渡しを行なうような大きなシステムが構
築される。このような増設されて大システム化された場
合の効果の１例を図１３に示す。今まで述べた様にモジ
ュール単位でユニット化して、清浄化、及び空調まで含
めて独立系となっているため、本実施例の製品製造シス
テム２を設置する建屋は図１３に示す如く、非常に低レ
ベルのクリーン化、及び空調を備えた建屋であればよ
く、生産量の拡大に応じて製品製造システム２を増設す
れば良く、当初の設備費用を大幅に低減することが可能
である。

【００３０】また、大システム化を行なう場合、製造す
る物品によっては各製品製造システム中の工程処理モジ
ュールの数がすべて同一である必要はなく、例えば、本
発明の第１実施例の製品製造システム（工程処理モジュ
ール４台）と第４実施例の製品製造システム（工程処理
モジュール３台）と第５実施例の製品製造システム（工
程処理モジュール２台）を適宜組み合わせてもよい。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば次の効果を得ることがで
きる。

【００３２】（１）半導体等の生産ライン内のそれぞれ
の製造装置（工程）毎に清浄度、及び温湿度等の空調条
件を変化（制御）させて設定することが可能となる。

【００３３】（２）製造装置のモジュール単位でユニッ
ト化された閉空間内に装置で設置して制御するために空
調系で大幅な省エネルギー化を図ることができる。

【００３４】（３）生産量の拡大に応じ、製造装置のモ
ジュールユニット単位で増設が可能で、又、処理する建
屋の清浄度，空調条件等は低レベルで良いため、建屋全
体としての省エネルギー及び設備費のイニシャルコスト
の大幅低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１実施例を拡大して示す斜視図であ
る。

【図３】本発明の第２実施例を示す斜視図である。

【図４】本発明の第３実施例を示す斜視図である。

【図５】本発明の第１実施例における工程処理モジュー
ルの配置例を示す平面図である。

【図６】本発明の第１実施例における工程処理モジュー
ルの別の配置例を示す平面図である。

【図７】本発明の第１実施例を一部断面図化して示す立
面図である。

【図８】本発明の第１実施例の半導体製造装置の内部を
説明した側立面図である。

【図９】本発明の第１実施例の正面立面図である。

【図１０】本発明の第１実施例を一部断面図化して示す
立面図である。

【図１１】本発明の第２実施例の変形例を示す部分立面
図である。

【図１２】本発明の第３実施例を一部断面図化して示す
立面図である。

【図１３】本発明の第１実施例または第２実施例の製品
製造システムとクリーンルームとの関係を示す立面図で
ある。

【図１４】従来例のクリーンルームを示す立面図であ
る。

【図１５】本発明の第１実施例の製品製造システムに適
用される空調方法の一例を示す空調系統図である。

【図１６】本発明のベースとなっている半導体製造装置
の新しい構成方法の例を示す平面図である。

【図１７】図１６の１モジュールを説明する拡大平面図
である。

【図１８】本発明の第４実施例における工程処理モジュ
ールの配置例を示す平面図である。

【図１９】本発明の第５実施例における工程処理モジュ
ールの配置例を示す平面図である。

【符号の説明】

１…建屋，２…製品製造システム，３…ユーティリティ
配管本管，４…半導体製造装置Ａ，５…半導体製造装置
Ｂ，６…半導体製造装置Ｃ，７…半導体製造装置Ｄ，８
…ウエハ受渡し装置，９…ウエハ搬送部，１０…ウエハ
搬送部クリーン化ユニット，１１…クリーン化ユニット
ａ１２…クリーン化ユニットｂ，１３…クリーン化ユニ
ットｃ，１４…空気リターンダクト（環気ダクト），１
５…架台，１６…ユーティリティ配管，１７…ユーティ
リティ配管接続部，１８…作業用チャンバ，１９…ウエ
ハのモジュール間搬送装置２０…ウエハ搬送装置用排気
部，２１…クリーン化ユニットｄ，２２…クリーン化ユ
ニットｅ，２３…ファン，２４…空気リターンダクト，
２５…半導体製造装置Ｅ，２６…ファン，２７…ＨＥＰ
Ａフィルタ，２８…空調装置，２９…床（開口なし），
３０…床（開口付），３１…床下ダクト，３２…建屋
床，３３…ウエハ，３４…ウエハ搬送用装置３５…清浄
気流通過スペース，３６…排気用開口部，３７…清浄空
気取入れ用開口，３８…ウエハ受渡し用開口，３９…排
気用開口部，４０…熱交換器（空調用），４１…清浄度
が低レベルのクリーンルーム，４３…送風ダクト，４４
…フィルタユニット，４５…空調機，４６…空調源ダク
ト，４７…給気ダクト，４８…リターンダクト，４９…
バイパスダクト，５０…空調空気調節ダンパ，５１…バ
イパス空気調節ダンパ，５２…工場建屋，５３…半導体
製造装置モジュール，５４…ウエハステージ，５５…ウ
エハ投入口，５６…垂れかべ，９０…クリーンルーム，
９１…空調，送風機械室，９２…天井チャンバ，９３…
ＨＥＰＡフィルタ，９４…グレーチング床，９５…床下
還流部，９６…半導体製造装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−57158（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−199839（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−20030（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) F24F 7/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】製品の製造工程中の第１の工程を処理する
   第１の処理装置と該第１の処理装置内の雰囲気の条件を
   制御する第１の雰囲気条件制御装置および該第１の処理
   装置に物品の受渡しを行なう第１の搬送手段とを有する
   第１の工程処理モジュールと、 製品の製造工程中の第２の工程を処理する第２の処理装
   置と該第２の処理装置内の雰囲気の条件を制御する第２
   の雰囲気条件制御装置および該第２の処理装置に物品の
   受渡しを行なう第２の搬送手段とを有する第２の工程処
   理モジュールと、 製品の製造工程中の第３の工程を処理する第３の処理装
   置と該第３の処理装置内の雰囲気の条件を制御する第３
   の雰囲気条件制御装置および該第３の処理装置に物品の
   受渡しを行なう第３の搬送手段とを有する第３の工程処
   理モジュールと、 製品の製造工程中の第４の工程を処理する第４の処理装
   置と該第４の処理装置内の雰囲気の条件を制御する第４
   の雰囲気条件制御装置および該第４の処理装置に物品の
   受渡しを行なう第４の搬送手段とを有する第４の工程処
   理モジュールと、 前記第１の搬送手段、第２の搬送手段、第３の搬送手
   段、第４の搬送手段のそれぞれに接続されてこれらとの
   間で物品の受渡しを行なう受渡し手段と、 前記第１の工程処理モジュール、第２の工程処理モジュ
   ール、第３の工程処理モジュール、第４の工程処理モジ
   ュールとは、それぞれ四角形の各頂点となる位置に配置
   し、該四角形の中央部に前記受渡し手段を配置し、 前記第１の雰囲気条件制御装置、第２の雰囲気条件制御
   装置、第３の雰囲気条件制御装置および第４の雰囲気条
   件制御装置は、前記第１の処理装置、第２の処理装置、
   第３の処理装置および第４の処理装置の各々ごとに雰囲
   気の条件を制御でき、 前記処理装置の下方に配置されて前記雰囲気条件制御装
   置から供給された空気が流入する還流部を有する床架台
   と、 該還流部に流入した空気を前記雰囲気制御装置に還流さ
   せる循環ダクトとを具備し、 前記各々の処理装置と雰囲気条件制御装置と受渡し手段
   とを有した各々の工程処理モジュールと、前記受渡し手
   段と、前記床架台と、前記循環ダクトとを一体に組み立
   てユニット化したことを特徴とする製品製造システム。