JP3127041B2 - フォトマスクの製法 - Google Patents
フォトマスクの製法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プリント回路板等の
製造に使用するフォトマスクの製法に関するものであ
る。
製造に使用するフォトマスクの製法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路板の製造工程において、フ
ォトマスクは、銅箔に対してフォトエッチングを行い、
回路を形成する用途等に用いられる。この種のフォトマ
スクは、従来は、カメラを使用し、原画を拡大・縮小
し、製造することが行われていた。また、ハロゲンラン
プを光源とし、指定アパチャーを通して感光フィルムに
露光しながら指定されたベクタデータに従い、フィルム
上を機械的手段により、ベクトル的に移動して描画する
ベクトルスキャン法を応用したフォトプロッターもフォ
トマスクの製造に使用されてきている。しかしながら、
上記カメラを使用して原画を拡大・縮小する方法ない
し、ベクトルスキャン法で描画する方法も、描画速度な
いし寸法精度等に問題があり、その改善が望まれてい
る。
ォトマスクは、銅箔に対してフォトエッチングを行い、
回路を形成する用途等に用いられる。この種のフォトマ
スクは、従来は、カメラを使用し、原画を拡大・縮小
し、製造することが行われていた。また、ハロゲンラン
プを光源とし、指定アパチャーを通して感光フィルムに
露光しながら指定されたベクタデータに従い、フィルム
上を機械的手段により、ベクトル的に移動して描画する
ベクトルスキャン法を応用したフォトプロッターもフォ
トマスクの製造に使用されてきている。しかしながら、
上記カメラを使用して原画を拡大・縮小する方法ない
し、ベクトルスキャン法で描画する方法も、描画速度な
いし寸法精度等に問題があり、その改善が望まれてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、最近では、フ
ォトマスク製造の高速化ないしマスクパターンの寸法精
度の向上等を目的として、ラスタースキャン法で、感光
フィルムにマスクパターンを描画するフォトプロッター
（例えばレーザーフォトプロッター）を用いる方法が応
用されるようになっている。このようなラスタースキャ
ン法による描画システムは、レーザーの光源と、レーザ
ーを左右に高速移動させる回転鏡等と、マスクパターン
の原画を入力するミニコンピューター等とを備えてい
る。このシステムでは、感光フィルム上に集光されたレ
ーザースポットが、フィルム上を、左から右等に高速で
移動するようになっている。そして、このスポットが移
動しながらミニコンピューターからのデーターの指令に
したがって、オン・オフし、そのスキャンライン上に、
求められるパターンを作成するようになっている。この
ようなラスタースキャン法による場合には、マスクパタ
ーンの全面を、有限の格子状ブロック（ピクセル）に区
分し、ピクセル単位で、オン・オフして露光描画を行う
ようになっている。このため、得られるフォトマスクの
マスクパターンの精度は、ピクセルの大きさに影響され
るのであり、ピクセルが小さい程高精度が得られる。こ
のような、ラスタースキャン法においては、マスクパタ
ーン中における直線パターンの部分をレーザースポット
のスキャン方向に平行にして描画することがおこなわれ
ている。しかし、このようにすると、上記直線パターン
の上部および下部が、それぞれ対応するピクセルの寸法
の半分以上を占める時には、そのピクセルがオンとな
り、ピクセル全体がオン状態となる。そのため、感光フ
ィルム上にはその直線パターンが設計値よりも幅広のも
のとなって形成されてしまう。例えば、直線パターンの
設計値の上部，下部が、図４に示すように、それに対応
するピクセルの２／３を占めるときには、そのピクセル
は図５に示すように全体がオンとなる。その結果、図４
と図５の対比からあきらかなように、描画された直線パ
ターンの幅寸法Ａは、図４よりも広くなってしまう。こ
れと逆に、直線パターンの上部および下部が、対応する
ピクセルの寸法の二分の一に満たないときには、そのピ
クセルはオフ状態を保つため、感光フィルムに描画され
る直線パターンは、寸法幅Ａが狭くなる。このように、
ラスタースキャン法では、パターン幅誤差は、原理的に
避けられない。しかしながら、最近では、プリント回路
板のパターン幅に対しても高精度であることが要求され
ており、設計値に対して正確に製造する必要が生じてき
ている。ところが、その製造に使用するフォトマスクを
ラスタースキャン方式に基づくフォトプロッターで作成
する場合には、上記のような不都合は避けられない。
ォトマスク製造の高速化ないしマスクパターンの寸法精
度の向上等を目的として、ラスタースキャン法で、感光
フィルムにマスクパターンを描画するフォトプロッター
（例えばレーザーフォトプロッター）を用いる方法が応
用されるようになっている。このようなラスタースキャ
ン法による描画システムは、レーザーの光源と、レーザ
ーを左右に高速移動させる回転鏡等と、マスクパターン
の原画を入力するミニコンピューター等とを備えてい
る。このシステムでは、感光フィルム上に集光されたレ
ーザースポットが、フィルム上を、左から右等に高速で
移動するようになっている。そして、このスポットが移
動しながらミニコンピューターからのデーターの指令に
したがって、オン・オフし、そのスキャンライン上に、
求められるパターンを作成するようになっている。この
ようなラスタースキャン法による場合には、マスクパタ
ーンの全面を、有限の格子状ブロック（ピクセル）に区
分し、ピクセル単位で、オン・オフして露光描画を行う
ようになっている。このため、得られるフォトマスクの
マスクパターンの精度は、ピクセルの大きさに影響され
るのであり、ピクセルが小さい程高精度が得られる。こ
のような、ラスタースキャン法においては、マスクパタ
ーン中における直線パターンの部分をレーザースポット
のスキャン方向に平行にして描画することがおこなわれ
ている。しかし、このようにすると、上記直線パターン
の上部および下部が、それぞれ対応するピクセルの寸法
の半分以上を占める時には、そのピクセルがオンとな
り、ピクセル全体がオン状態となる。そのため、感光フ
ィルム上にはその直線パターンが設計値よりも幅広のも
のとなって形成されてしまう。例えば、直線パターンの
設計値の上部，下部が、図４に示すように、それに対応
するピクセルの２／３を占めるときには、そのピクセル
は図５に示すように全体がオンとなる。その結果、図４
と図５の対比からあきらかなように、描画された直線パ
ターンの幅寸法Ａは、図４よりも広くなってしまう。こ
れと逆に、直線パターンの上部および下部が、対応する
ピクセルの寸法の二分の一に満たないときには、そのピ
クセルはオフ状態を保つため、感光フィルムに描画され
る直線パターンは、寸法幅Ａが狭くなる。このように、
ラスタースキャン法では、パターン幅誤差は、原理的に
避けられない。しかしながら、最近では、プリント回路
板のパターン幅に対しても高精度であることが要求され
ており、設計値に対して正確に製造する必要が生じてき
ている。ところが、その製造に使用するフォトマスクを
ラスタースキャン方式に基づくフォトプロッターで作成
する場合には、上記のような不都合は避けられない。
【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、マスクパターンにおける直線パターンの幅を
設計値に近似して描画することができるフォトマスクの
製法の提供を目的とする。
たもので、マスクパターンにおける直線パターンの幅を
設計値に近似して描画することができるフォトマスクの
製法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明のフォトマスクの製法は、ラスタースキャ
ン法を用い、フォトマスクのマスクパターンをマスクフ
ィルムに描画し、フォトマスクを製造する方法におい
て、上記マスクパターンにおける直線パターンを、スキ
ャン方向に対して０°を超え２０°未満の角度をもたせ
て描画するという構成をとる。
め、この発明のフォトマスクの製法は、ラスタースキャ
ン法を用い、フォトマスクのマスクパターンをマスクフ
ィルムに描画し、フォトマスクを製造する方法におい
て、上記マスクパターンにおける直線パターンを、スキ
ャン方向に対して０°を超え２０°未満の角度をもたせ
て描画するという構成をとる。
【０００６】
【作用】本発明者らは、上記の目的を達成するため、一
連の研究を重ねた結果、マスクパターンにおける直線パ
ターンを、ラスタースキャン法におけるスキャン方向に
対して角度を持たせて描画すると、微視的には設計値と
全く同一なパターンは形成できないものの、全体的・平
均的には、パターン幅が同一になることをつきとめ、こ
の発明に到達した。ところで、直線パターンの部分をス
キャン方向に対して角度を設ける（斜めにする）という
ことは、描画された直線パターンを長さ方向にながめて
ゆくと直線パターンの上部および下部に微小な段差を生
ずることから、従来はタブー視されていた。本発明者ら
は、このような従来の技術常識を打破し、直線パターン
をスキャン方向に対し、０°を超え２０°未満の角度を
持たせて描画すると、先に述べたように直線パターンの
上部および下部には多少の段差（ぎざつき）が生ずる
が、全体的・平均的にみると、直線パターンの部分の幅
が設計値とほぼ同一になることを見出し、この発明に到
達した。
連の研究を重ねた結果、マスクパターンにおける直線パ
ターンを、ラスタースキャン法におけるスキャン方向に
対して角度を持たせて描画すると、微視的には設計値と
全く同一なパターンは形成できないものの、全体的・平
均的には、パターン幅が同一になることをつきとめ、こ
の発明に到達した。ところで、直線パターンの部分をス
キャン方向に対して角度を設ける（斜めにする）という
ことは、描画された直線パターンを長さ方向にながめて
ゆくと直線パターンの上部および下部に微小な段差を生
ずることから、従来はタブー視されていた。本発明者ら
は、このような従来の技術常識を打破し、直線パターン
をスキャン方向に対し、０°を超え２０°未満の角度を
持たせて描画すると、先に述べたように直線パターンの
上部および下部には多少の段差（ぎざつき）が生ずる
が、全体的・平均的にみると、直線パターンの部分の幅
が設計値とほぼ同一になることを見出し、この発明に到
達した。
【０００７】つぎに、この発明を詳しく説明する。
【０００８】この発明では、マスクパターンにおける直
線パターンをスキャン方向に対して０°を超え２０°未
満の角度を持たせてマスクフィルムに描画する。
線パターンをスキャン方向に対して０°を超え２０°未
満の角度を持たせてマスクフィルムに描画する。
【０００９】上記マスクフィルムとしては、通常、感光
フィルムが用いられる。
フィルムが用いられる。
【００１０】また、上記直線パターンをスキャン方向に
対して角度を持たせて描画するようにすることは、ラス
タースキャンシステムに備えられているミニコンピュー
ターに対する入力を工夫することによって行うことがで
きる。そして、スキャン方向に対して角度を持たせる場
合における角度は、わずかな角度でも十分に効果があ
る。すなわち、通常、ピクセルサイズは小さいため、直
線パターンの線長にもよるが、わずかな角度でも充分に
効果があるようになる。このようにすることにより、図
１に示す設計値（２／３ピクセル）に基づき描画した場
合に、図２に示すようなマスクパターン（３ピクセルと
４ピクセルの混在パターン）が得られるようになる。図
１と図２との対比からわかるように、描画された直線パ
ターンでは、直線部の上部および下部に微小な段差（ぎ
ざつき）が生じている。しかし、全体からすれば直線パ
ターンの幅寸法は、設計値の幅寸法とほぼ同様になる。
このようなぎざつきのあるパターンをパターン幅の平均
値で評価するということは困難なため、角度０°と角度
を設けた時の差を、プリント回路板の電気抵抗値の変動
でみることとする。電気抵抗値は、Ｒ＝ｐ・ｌ／（ａ・
ｔ）であり、パターン幅ａの変動が同様に電気抵抗値に
もあらわれると考えられる。
対して角度を持たせて描画するようにすることは、ラス
タースキャンシステムに備えられているミニコンピュー
ターに対する入力を工夫することによって行うことがで
きる。そして、スキャン方向に対して角度を持たせる場
合における角度は、わずかな角度でも十分に効果があ
る。すなわち、通常、ピクセルサイズは小さいため、直
線パターンの線長にもよるが、わずかな角度でも充分に
効果があるようになる。このようにすることにより、図
１に示す設計値（２／３ピクセル）に基づき描画した場
合に、図２に示すようなマスクパターン（３ピクセルと
４ピクセルの混在パターン）が得られるようになる。図
１と図２との対比からわかるように、描画された直線パ
ターンでは、直線部の上部および下部に微小な段差（ぎ
ざつき）が生じている。しかし、全体からすれば直線パ
ターンの幅寸法は、設計値の幅寸法とほぼ同様になる。
このようなぎざつきのあるパターンをパターン幅の平均
値で評価するということは困難なため、角度０°と角度
を設けた時の差を、プリント回路板の電気抵抗値の変動
でみることとする。電気抵抗値は、Ｒ＝ｐ・ｌ／（ａ・
ｔ）であり、パターン幅ａの変動が同様に電気抵抗値に
もあらわれると考えられる。
【００１１】Ｒ：電気抵抗値 ｐ：導電体抵抗率
ｌ：パターン長さ ａ：導電体（パターン）幅 ｔ：導電体厚さ
ｌ：パターン長さ ａ：導電体（パターン）幅 ｔ：導電体厚さ
【００１２】したがって、以下に直線パターンをスキャ
ン方向に対して角度を持たせて描画した場合と、スキャ
ン方向に対して平行に描画した場合との電気抵抗値の変
動を中心に実施例と比較例について説明する。
ン方向に対して角度を持たせて描画した場合と、スキャ
ン方向に対して平行に描画した場合との電気抵抗値の変
動を中心に実施例と比較例について説明する。
【００１３】
【実施例，比較例】ラスタースキャンシステムのレーザ
ープロッターを用い、１ピクセルを１０μｍに設定し
た。また、マスクパターンにおける直線パターンの幅を
約２５０μｍに設定した。そして、直線パターンをスキ
ャン方向に対して角度を１°持たせるようにした。この
場合、レーザーフォトプロッターでは１ピクセルは先に
述べたように１０μｍのため、１本のパターンあたり、
最大で１０μｍの変動がある。そして、使用したパター
ン幅は上記のように約２５０μｍのため、平均約２％
（最大４％）の変動が予想される。このようにして、描
画された直線パターンでは、電気抵抗値の変動は、１．
３１％と、１．１９％であった。これに対し、比較例
（上記角度を０°とした以外は実施例と同じ）では２．
９４％と２．６０％であり、実施例品の直線パターン
は、設計値に極めて近似していることがわかる。
ープロッターを用い、１ピクセルを１０μｍに設定し
た。また、マスクパターンにおける直線パターンの幅を
約２５０μｍに設定した。そして、直線パターンをスキ
ャン方向に対して角度を１°持たせるようにした。この
場合、レーザーフォトプロッターでは１ピクセルは先に
述べたように１０μｍのため、１本のパターンあたり、
最大で１０μｍの変動がある。そして、使用したパター
ン幅は上記のように約２５０μｍのため、平均約２％
（最大４％）の変動が予想される。このようにして、描
画された直線パターンでは、電気抵抗値の変動は、１．
３１％と、１．１９％であった。これに対し、比較例
（上記角度を０°とした以外は実施例と同じ）では２．
９４％と２．６０％であり、実施例品の直線パターン
は、設計値に極めて近似していることがわかる。
【００１４】なお、ラスタースキャンシステムに備えら
れているミニコンピュータに対する入力を制御し、図３
に示すように所々パターン幅を広くする（３ピクセルと
４ピクセルの混在）ということをしても上記と同様の効
果を得ることができる。
れているミニコンピュータに対する入力を制御し、図３
に示すように所々パターン幅を広くする（３ピクセルと
４ピクセルの混在）ということをしても上記と同様の効
果を得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明は、ラスタース
キャン法を用い、フォトマスクのマスクパターンを描画
し、フォトマスクを製造する方法において、上記マスク
パターンにおける直線パターンを、スキャン方向に対し
て０°を超え２０°未満の角度をもたせて描画するた
め、全体的，平均的に設計値に近似した直線パターンを
描画することができる。したがって、これを用いてプリ
ント回路板を製造する場合、寸法精度の高い回路を形成
することが可能となる。
キャン法を用い、フォトマスクのマスクパターンを描画
し、フォトマスクを製造する方法において、上記マスク
パターンにおける直線パターンを、スキャン方向に対し
て０°を超え２０°未満の角度をもたせて描画するた
め、全体的，平均的に設計値に近似した直線パターンを
描画することができる。したがって、これを用いてプリ
ント回路板を製造する場合、寸法精度の高い回路を形成
することが可能となる。
【図１】直線パターンの設計値を示す図である。
【図２】図２の設計値により描画した直線パターンの模
式図である。
式図である。
【図３】図５のパターンに改良を加えたパターンの模式
図である。
図である。
【図４】従来のラスタースキャン法を用いる場合におけ
る設計値である。
る設計値である。
【図５】図４を描画したマスクパターンの模式図であ
る。
る。
Ａ 直線パターンの幅寸法
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−7265（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 H01L 21/027 H05K 3/00
Claims (1)
- 【請求項１】 ラスタースキャン法を用い、フォトマス
クのマスクパターンをマスクフィルムに描画し、フォト
マスクを製造する方法において、上記マスクパターンに
おける直線パターンを、スキャン方向に対して０°を超
え２０°未満の角度をもたせて描画することを特徴とす
るフォトマスクの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14210992A JP3127041B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | フォトマスクの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14210992A JP3127041B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | フォトマスクの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313345A JPH05313345A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3127041B2 true JP3127041B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=15307634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14210992A Expired - Fee Related JP3127041B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | フォトマスクの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127041B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829086B1 (en) | 1999-04-29 | 2004-12-07 | Synelec Telecom Multimedia | Projection screen |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001097096A1 (en) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Mentor Graphics Corporation | Integrated verification and manufacturability tool |
| US6641978B1 (en) | 2000-07-17 | 2003-11-04 | Creo Srl | Dry multilayer inorganic alloy thermal resist for lithographic processing and image creation |
| JP5009662B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-08-22 | 日本電信電話株式会社 | フォトマスクの作製方法およびフォトマスク、ならびにそのフォトマスクを使用したデバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP14210992A patent/JP3127041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829086B1 (en) | 1999-04-29 | 2004-12-07 | Synelec Telecom Multimedia | Projection screen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05313345A (ja) | 1993-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |