JP3119124B2 - 通信回線保護用電子部品 - Google Patents
通信回線保護用電子部品Info
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Description
品に関し、さらに詳しく述べると、電力線の混触等によ
り発生する異常電流から交換機等の通信機器を保護する
通信回線保護用電子部品に関する。
としては、図8に示す回路構成の通信回線保護用電子部
品が提案されている(特公平3−5135号公報)。同
図に示す通信回線保護用電子部品40は、通信回線側入
力端子のA線,B線間に、直列接続するとともに接続点
を接地してなるガスチューブアレスタ41a,41bを
接続し、被保護機器側出力端子のA線,B線間に、直列
接続するとともに接続点を接地してなるバリスタ43
a,43bをガスチューブアレスタ41a,41bと並
列に接続し、且つ、これらの間には、A線,B線の各々
に、正特性サーミスタ45a,45bと厚膜抵抗体47
a,47bとを直列接続したものを直列接続して構成さ
れる。
抗値のバラツキが±20%程度と大きいという欠点があ
るが、この場合、A線,B線間のインピーダンス不平衡
量を小さくするために、正特性サーミスタ45a,45
bと厚膜抵抗体47a,47bの合成抵抗値がおよそ±
1%の精度となるように、厚膜抵抗体47a,47bが
トリミングされている。
は、電力線の混触によって通信回線側入力端子から異常
電流が侵入した場合、正特性サーミスタ45a,45b
が自己発熱して急激に抵抗値を増大し、それにより異常
電流を抑制して交換機等の被保護機器を保護する。
従来の通信回線保護用電子部品40では、以下のような
問題点がある。
は、キュリー点以下の温度においても対温度抵抗変化率
が比較的大きい抵抗温度特性を有し、そのバラツキも大
きい。したがって、ある一定の温度で正特性サーミスタ
45a,45bと厚膜抵抗体47a,47bとの合成抵
抗値の精度を得ても、外部の温度が変化した場合に、正
特性サーミスタ45a,45bの温度特性のバラツキに
よってA線側とB線側の抵抗値に差が生じて、A線,B
線間のインピーダンス不平衡量が大きくなり、交換機等
の通話品質の低下を招く。
は、混触等による異常電流に耐え得るように、または破
壊しても発火に至らぬように、形状の大きなものが要求
されるため、正特性サーミスタ45a,45bを取り付
ける基板も大きくなる。
題を解決することであり、電力線の混触等による異常電
流から交換機等の通信機器を確実に保護する小型で高性
能な通信回線保護用電子部品を提供することである。
めに、本発明の通信回線保護用電子部品は、通信回線側
入力端子と被保護機器側出力端子との間に、正特性サー
ミスタと該正特性サーミスタに並列に接続した厚膜抵抗
体とを設け、前記正特性サーミスタ及び前記厚膜抵抗体
が、それぞれ表面または裏面に設けられたセラミック回
路基板を備える通信回線保護用電子部品において、前記
通信回線側入力端子から異常電流が侵入し、異常電流が
所定の許容電力を越えたときに、前記セラミック回路基
板が前記厚膜抵抗体の発熱によって割れて回路が断線さ
れることを特徴とする。
抵抗体を並列に接続して、これらの合成抵抗を得ること
により、正特性サーミスタ単体のときよりも良好な抵抗
温度特性が得られるとともに、正特性サーミスタ単体の
ときよりも小さい抵抗値が得られる。
信回線側入力端子から侵入した場合であって、異常電流
が所定の許容電力を越えたときに、通信回線保護用電子
部品を構成するセラミック回路基板が、厚膜抵抗体の発
熱によって割れて回路が断線されることにより、被保護
機器側への経路を断つことができる。
の一実施例を図面を参照にして説明する。図1は本発明
の一実施例である通信回線保護用電子部品10の回路構
成を示す回路図である。
続される通信回線側入力端子であり、1c,1dは交換
機等の被保護機器に接続される被保護機器側出力端子で
ある。入力端子1a及び出力端子1c間には、正特性サ
ーミスタ3aと厚膜抵抗体5aとが並列に接続される。
同様に、入力端子1b及び出力端子1d間には、正特性
サーミスタ3bと厚膜抵抗体5bとが並列に接続され
る。この場合、入力端子1a及び出力端子1c間と入力
端子1b及び出力端子1d間とのインピーダンス不平衡
量を小さくするために、正特性サーミスタ3aと厚膜抵
抗体5aとの合成抵抗値と、正特性サーミスタ3bと厚
膜抵抗体5bとの合成抵抗値とがおよそ±1%の精度と
なるように、厚膜抵抗体5a,5bがトリミングされ
る。
正特性サーミスタ3a,3bと出力端子1c,1dとの
間にそれぞれ厚膜抵抗体6a,6bを直列接続して、厚
膜抵抗体6a,6b、または厚膜抵抗体5a,5bと厚
膜抵抗体6a,6bとの両方をトリミングして、入力端
子1a及び出力端子1c間と入力端子1b及び出力端子
1d間とのインピーダンス不平衡量を小さくしてもよ
い。また、正特性サーミスタ3a,3bと厚膜抵抗体6
a,6bとの接続点7a,7bに、直列接続するととも
に接続点7cを接地してなる2つのバリスタ9a,9b
を接続してもよい。
具体的な構成について説明する。図3は通信回線保護用
電子部品10の構造の一実施例を示す要部平面図であ
る。
ックからなる矩形状の回路基板である。回路基板21の
表面中央部には、一対の金属線取付け用電極23a,2
3bが設けられ、その両側には、それぞれ正特性サーミ
スタ取付け用電極25a,25bが設けられている。回
路基板21表面の下側縁部には、4つの端子取付け用電
極27a,27b,27c,27dが所定の間隔を隔て
並設されている。回路基板21表面の上側縁部の両端に
は、それぞれ例えばRuO2 系の厚膜抵抗体5a,5b
が、印刷等の手段により設けられている。
電極25aと端子取付け用電極27aとは、回路基板2
1の左側縁部から上側縁部に沿うように形成された導体
パターン31aによって接続されている。そして、一方
の金属線取付け用電極23aと端子取付け用電極27b
とは、回路基板21の幅方向に沿って形成された導体パ
ターン33aによって接続されている。また、一方の厚
膜抵抗体5aは、導体パターン31aの一部と、一端が
導体パターン33aに接続された導体パターン35aの
他端とを接続している。
他方の正特性サーミスタ取付け用電極25bと端子取付
け用電極27dとが、導体パターン31bによって接続
され,他方の金属線取付け用電極23bと端子取付け用
電極27cとが、導体パターン33bによって接続さ
れ、他方の厚膜抵抗体5bが、導体パターン31bの一
部と、一端が導体パターン33bに接続された導体パタ
ーン35bの他端とを接続している。
ミスタであり、BaTiO3 等からなり、その両面に電
極が形成されている。これらの正特性サーミスタ3a,
3bは、その一方の電極をそれぞれ回路基板21の正特
性サーミスタ取付け用電極25a,25bに半田付け等
の手段により接合されている。正特性サーミスタ3a,
3bの他方の電極は、半田付け等の手段により金属線3
7a,37bによってそれぞれ金属線取付け用電極23
a,23bに接続されている。
用電極27b,27cにそれぞれ半田付けされ、出力端
子1c,1dが、端子取付け用電極27a,27dにそ
れぞれ半田付けされている。
は、正特性サーミスタ3a,3bは、図4のPに示すよ
うにキュリー点以下の温度においても対温度抵抗変化率
が比較的大きい抵抗温度特性を有するが、これに平坦な
抵抗温度特性Rを有する厚膜抵抗体5a,5bを並列に
接続して、これらの合成抵抗を得ることにより、正特性
サーミスタ3a,3b単体のときに比べて対温度抵抗変
化率が小さい、良好な抵抗温度特性Cを実現できる。よ
って、正特性サーミスタ3a,3bと厚膜抵抗体5a,
5bとの合成抵抗の抵抗温度特性のバラツキの幅も小さ
くなり、外部温度の変化によって生じる正特性サーミス
タ3a,3bと厚膜抵抗体5a,5bとの合成抵抗値の
差も小さくなって、入力端子1a及び出力端子1c間と
入力端子1b及び出力端子1d間とのインピーダンス不
平衡量の増加を防ぐことができる。
は、正特性サーミスタ3a,3bに厚膜抵抗体5a,5
bを並列に接続したことによって、その合成抵抗値を正
特性サーミスタ3a,3b単体のときの抵抗値よりも小
さくなるように調整できる。したがって、正特性サーミ
スタ3a,3bに形状の大きなものを用いたとしても、
交換機等の直流抵抗が小さくなるように、入力端子1a
及び出力端子1c間と、入力端子1b及び出力端子1d
間との抵抗値を調整できる。
では、混触によって異常電流が入力端子1a,1bから
侵入した場合、正特性サーミスタ3a,3bが反応して
自己発熱し、急激に抵抗値を上昇するが、厚膜抵抗体5
a,5bの発熱温度が正特性サーミスタ3a,3bの発
熱温度を上回るように設定できる。そして、この厚膜抵
抗体5a,5bの発熱温度がある温度に達すると、図5
に示すように、回路基板21における厚膜抵抗体5a,
5bを設けた部分とその周辺との温度差によって、厚膜
抵抗体5a,5bを設けた部分より実線Bで示したよう
に回路基板21が割れるようにすれば、厚膜抵抗体5
a,5bの付近に形成された導体パターン31a,31
bを断線して、交換機等への異常電流の侵入を防ぐこと
ができる。この場合、回路基板21が割れる温度は約6
00℃であるが、厚膜抵抗体5a,5bの抵抗値を選択
することにより、正特性サーミスタ3a,3bおよび厚
膜抵抗体5a,5b等の許容電力を越える異常電流が流
れたときには、回路基板21が割れるように設定でき
る。したがって、従来のように、正特性サーミスタが発
火しないよう配慮して、必要以上に形状の大きなものを
使用する必要がなくなり、通信回線保護用電子部品10
全体の小型化も実現できる。
の導体パターン31a,31b付近に厚膜抵抗体5a,
5bを設けたが、厚膜抵抗体5a,5bを設ける位置は
交換機等へ異常電流が侵入する経路を断つことができれ
ば特に限定されない。例えば、図6に示すように、厚膜
抵抗体5a,5bを回路基板21の幅方向に沿って略短
冊状に設け、実線Bで示したように回路基板21がその
幅方向に沿って割れるようにしてもよい。
21の表面に正特性サーミスタ3a,3bを設け、裏面
に厚膜抵抗体5a,5bを設け、両面の下端縁部に端子
取付け用電極27a,27b,27c,27dをそれぞ
れ設ける。そして、一端に略コ字状の嵌合部を有する入
力端子1a,1b及び出力端子1c,1dを、その嵌合
部によって、それぞれ対応する端子取付け用電極27
a,27b,27c,27dに半田付け等の手段で接合
し、入力端子1a,1b及び出力端子1c,1dを接続
点として、正特性サーミスタ3a,3b及び厚膜抵抗体
5a,5bを並列接続する。この構成のように、厚膜抵
抗体5a,5bが回路基板21の裏面にあって、実線B
で示すように裏面より回路基板21が割れるようにして
もよい。
信回線保護用電子部品よれば、正特性サーミスタに厚膜
抵抗体を並列に接続して、これらの合成抵抗を得たこと
により、正特性サーミスタ単体のときよりも良好な抵抗
温度特性を実現できるため、抵抗温度特性のバラツキの
幅も小さくなり、外部温度の変化によって生じるインピ
ーダンス不平衡量の増加を防ぎ、交換機等の被保護機器
の通話品質の低下を押さえることができる。さらに、正
特性サーミスタと抵抗体との合成抵抗値を正特性サーミ
スタ単体の抵抗値よりも小さくできるため、交換機等の
被保護機器の直流抵抗を小さくできる。
信回線側入力端子から侵入した場合であって、所定の許
容電力を越えたときに、通信回線保護用電子部品を構成
するセラミック回路基板が、厚膜抵抗体の発熱によって
割れて回路が断線されることにより、確実に被保護機器
を保護することができる。したがって、正特性サーミス
タが先に破壊して発火することが配慮する必要がなくな
り、必要以上に形状の大きなものを使用しなくともよく
なり、部品全体の小型化も実現できる。
示す回路図である。
回路図である。
図である。
抵抗の抵抗温度特性を示す特性図である。
抵抗体の発熱により回路基板が割れた状態を示す要部平
面図である。
を示す要部平面図である。
実施例を示す要部平面図である。
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】 通信回線側入力端子と被保護機器側出力
端子との間に、正特性サーミスタと該正特性サーミスタ
に並列に接続した厚膜抵抗体とを設け、前記正特性サー
ミスタ及び前記厚膜抵抗体が、それぞれ表面または裏面
に設けられたセラミック回路基板を備える通信回線保護
用電子部品において、 前記通信回線側入力端子から異常電流が侵入し、異常電
流が所定の許容電力を越えたときに、前記セラミック回
路基板が前記厚膜抵抗体の発熱によって割れて回路が断
線される ことを特徴とする通信回線保護用電子部品。
Priority Applications (3)
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- 1996-06-28 US US08/672,314 patent/US5867083A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-29 CN CN96108279A patent/CN1045505C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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