JP2520561Y2 - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JP2520561Y2 JP2520561Y2 JP1990087749U JP8774990U JP2520561Y2 JP 2520561 Y2 JP2520561 Y2 JP 2520561Y2 JP 1990087749 U JP1990087749 U JP 1990087749U JP 8774990 U JP8774990 U JP 8774990U JP 2520561 Y2 JP2520561 Y2 JP 2520561Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- resistance value
- thermistor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、電話局交換機の電話回線を商用線との混線
や雷等による過電流から保護するために適用される正特
性サーミスタに関する。
や雷等による過電流から保護するために適用される正特
性サーミスタに関する。
［従来の技術と課題］ 一般に、電話局交換機の回路としては第７図に示すも
のが知られている。電話回線61a,61bに接続された２個
の正特性サーミスタ62a,62b、２個のバリスタ63a,63b及
び１個の避雷管64は、電話回線61a,61bを商用線との混
線、雷等による過電流から保護する。
のが知られている。電話回線61a,61bに接続された２個
の正特性サーミスタ62a,62b、２個のバリスタ63a,63b及
び１個の避雷管64は、電話回線61a,61bを商用線との混
線、雷等による過電流から保護する。
ところで、第７図に示す回路において、電話回線61a,
61bに流れる電流値が異なると、電話器の音量に差が生
じるため、正特性サーミスタ62a,62b相互の抵抗値が等
しいものが望ましい。しかし、正特性サーミスタの抵抗
値偏差は比較的大きく（約±20％）、抵抗値が略等しい
２個の正特性サーミスタを選別して組にしなければなら
ず、製造コストのアップを招いていた。
61bに流れる電流値が異なると、電話器の音量に差が生
じるため、正特性サーミスタ62a,62b相互の抵抗値が等
しいものが望ましい。しかし、正特性サーミスタの抵抗
値偏差は比較的大きく（約±20％）、抵抗値が略等しい
２個の正特性サーミスタを選別して組にしなければなら
ず、製造コストのアップを招いていた。
また、２個の正特性サーミスタ62a,62bを取り付ける
ためには広いスペースを確保しなければならなかった。
ためには広いスペースを確保しなければならなかった。
そこで、本考案の課題は、抵抗値偏差が小さい小型の
正特性サーミスタを提供することにある。
正特性サーミスタを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 以上の課題を解決するため、本考案に係る正特性サー
ミスタは、正特性サーミスタ素子と、この正特性サーミ
スタ素子に電気的に直列に接続した固定抵抗体とを備
え、前記正特性サーミスタ素子の抵抗値と前記固定抵抗
体の抵抗値の比が1:5以上であり、かつ、前記正特性サ
ーミスタ素子と前記固定抵抗体との合成抵抗値が50Ω以
上500Ω以下であることを特徴とする。
ミスタは、正特性サーミスタ素子と、この正特性サーミ
スタ素子に電気的に直列に接続した固定抵抗体とを備
え、前記正特性サーミスタ素子の抵抗値と前記固定抵抗
体の抵抗値の比が1:5以上であり、かつ、前記正特性サ
ーミスタ素子と前記固定抵抗体との合成抵抗値が50Ω以
上500Ω以下であることを特徴とする。
［作用］ 以上の構成において、正特性サーミスタ素子と固定抵
抗体とを電気的に直列に接続し、正特性サーミスタ素子
の抵抗値と固定抵抗体の抵抗値の比を1:5以上としたた
め、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体とを組み合わせ
た合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、抵抗値偏差の
小さい固定抵抗体が正特性サーミスタ素子の大きい抵抗
値偏差を吸収することとなる。
抗体とを電気的に直列に接続し、正特性サーミスタ素子
の抵抗値と固定抵抗体の抵抗値の比を1:5以上としたた
め、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体とを組み合わせ
た合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、抵抗値偏差の
小さい固定抵抗体が正特性サーミスタ素子の大きい抵抗
値偏差を吸収することとなる。
さらに、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体との合成
抵抗値は50Ω以上500Ω以下にされる。これは、電話局
交換機等とのインピーダンスマッチングをとるためであ
る。
抵抗値は50Ω以上500Ω以下にされる。これは、電話局
交換機等とのインピーダンスマッチングをとるためであ
る。
［実施例］ 以下、本考案に係る正特性サーミスタの実施例を添付
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
（第１実施例、第１図〜第３図） 第１図及び第２図はそれぞれ正特性サーミスタの正面
図、背面図を示す。第１図に示すように、アルミナ等か
らなる絶縁性基板１の表面中央部には正特性サーミスタ
素子取付け用電極２が設けられている。基板１の下部に
はリード端子取付け用電極4a,4b、基板１の左側の縁部
にはＬ字形の導体パターン５が設けられている。電極２
と電極4aとは接続している。一方、第２図に示すよう
に、基板１の裏面下部にはリード端子取付け用電極6a,6
bと導体パターン７とが設けられている。固定抵抗体８
は印刷等の手段により基板１の裏面に広範囲に設けら
れ、電極6bと導体パターン７とを接続している。この固
定抵抗体８は、例えば酸化ルテニウムとガラス質の材料
とでできている。
図、背面図を示す。第１図に示すように、アルミナ等か
らなる絶縁性基板１の表面中央部には正特性サーミスタ
素子取付け用電極２が設けられている。基板１の下部に
はリード端子取付け用電極4a,4b、基板１の左側の縁部
にはＬ字形の導体パターン５が設けられている。電極２
と電極4aとは接続している。一方、第２図に示すよう
に、基板１の裏面下部にはリード端子取付け用電極6a,6
bと導体パターン７とが設けられている。固定抵抗体８
は印刷等の手段により基板１の裏面に広範囲に設けら
れ、電極6bと導体パターン７とを接続している。この固
定抵抗体８は、例えば酸化ルテニウムとガラス質の材料
とでできている。
10は円形板の正特性サーミスタ素子であり、BaTiO3等
の材料からなり、その表裏面に電極を設けたものであ
る。この正特性サーミスタ素子10は、その一方の電極を
前記基板１の電極２に半田付け等の手段により接合し、
基板１に支持している。正特性サーミスタ素子10の他方
の電極はワイヤーボンディングの手段により金属線11に
導体パターン５と電気的に接続している。
の材料からなり、その表裏面に電極を設けたものであ
る。この正特性サーミスタ素子10は、その一方の電極を
前記基板１の電極２に半田付け等の手段により接合し、
基板１に支持している。正特性サーミスタ素子10の他方
の電極はワイヤーボンディングの手段により金属線11に
導体パターン５と電気的に接続している。
さらに、リード端子13及び14が電極4a,6a及び4b,6bに
半田付けされてハイブリッドIC化され、中継端子15が導
体パターン５と電極７との間を接続するために半田付け
されている。この後、正特性サーミスタはコーティング
等の手段にて外装樹脂を施されて製品とされる。
半田付けされてハイブリッドIC化され、中継端子15が導
体パターン５と電極７との間を接続するために半田付け
されている。この後、正特性サーミスタはコーティング
等の手段にて外装樹脂を施されて製品とされる。
以上の構成の正特性サーミスタの等価電気回路を第３
図に示す。正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８とが
直列接続している。ここに、正特性サーミスタ素子10と
固定抵抗体８とは、その抵抗値の比が1:5以上、かつ、
正特性サーミスタ素子10と抵抗体８との合成抵抗値が50
Ω以上500Ω以下（25℃の常温、以下抵抗値は常温時の
ものである）になるように形成されている。正特性サー
ミスタ素子10の抵抗値と抵抗体８の抵抗値の比を1:5以
上とすることにより、偏差の小さい固定抵抗体８の抵抗
値が合成抵抗値に対して占める割合が大きくなる。従っ
て、正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８とを組み合
わせた合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、固定抵抗
体８が正特性サーミスタ素子10の大きい抵抗値偏差を吸
収することとなる。例えば、合成抵抗値が100Ωの場合
を例にすると、正特性サーミスタ素子10の抵抗値の偏差
は中心値の±20％である。固定抵抗体８の抵抗値は殆ど
偏差はなく、偏差０％と考えれば、表１に示す計算値が
得られる。
図に示す。正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８とが
直列接続している。ここに、正特性サーミスタ素子10と
固定抵抗体８とは、その抵抗値の比が1:5以上、かつ、
正特性サーミスタ素子10と抵抗体８との合成抵抗値が50
Ω以上500Ω以下（25℃の常温、以下抵抗値は常温時の
ものである）になるように形成されている。正特性サー
ミスタ素子10の抵抗値と抵抗体８の抵抗値の比を1:5以
上とすることにより、偏差の小さい固定抵抗体８の抵抗
値が合成抵抗値に対して占める割合が大きくなる。従っ
て、正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８とを組み合
わせた合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、固定抵抗
体８が正特性サーミスタ素子10の大きい抵抗値偏差を吸
収することとなる。例えば、合成抵抗値が100Ωの場合
を例にすると、正特性サーミスタ素子10の抵抗値の偏差
は中心値の±20％である。固定抵抗体８の抵抗値は殆ど
偏差はなく、偏差０％と考えれば、表１に示す計算値が
得られる。
表１から、正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８と
の抵抗値比を1:5以上にすれば、合成抵抗値の偏差は約
３％以内になる。固定抵抗体８の抵抗値は修復作業によ
りその中心値に対して約５％程度上下させることができ
るので、この修復作業を併用することにより前記合成抵
抗値の偏差を例えば２％以内に納めることができる。ま
た、正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８との合成抵
抗値を50Ω以上500Ω以下とすることにより、電話局交
換機や伝送装置等とのインピーダンスマッチングが図れ
る。
の抵抗値比を1:5以上にすれば、合成抵抗値の偏差は約
３％以内になる。固定抵抗体８の抵抗値は修復作業によ
りその中心値に対して約５％程度上下させることができ
るので、この修復作業を併用することにより前記合成抵
抗値の偏差を例えば２％以内に納めることができる。ま
た、正特性サーミスタ素子10と固定抵抗体８との合成抵
抗値を50Ω以上500Ω以下とすることにより、電話局交
換機や伝送装置等とのインピーダンスマッチングが図れ
る。
（第２実施例、第４図〜第６図） 第２実施例は１枚の基板に２個の正特性サーミスタ素
子を搭載した場合の正特性サーミスタである。
子を搭載した場合の正特性サーミスタである。
第４図及び第５図はそれぞれ正特性サーミスタの正面
図、背面図を示す。第４図に示すように、絶縁性基板41
の表面中央部には一対の正特性サーミスタ素子取付け用
電極42a,42bが設けられている。基板41の下部には、リ
ード端子取付け用電極43a,43b,44a,44b、基板41の左右
の縁部にはＬ字形、逆Ｌ字形の導体パターン45a,45bが
設けられている。電極42a,42bと電極43a,43bとは接続し
ている。一方、第５図に示すように、基板41の裏面下部
にはリード端子取付け用電極46a,46b,49a,49b、左右の
縁部には導体パターン47a,47bが設けられている。固定
抵抗体48a,48bは基板41の裏面にそれぞれ右側及び左側
に配置されている。固定抵抗体48aは電極49aと導体パタ
ーン47aとを接続し、固定抵抗体48bは電極49bと導体パ
ターン47bとを接続している。
図、背面図を示す。第４図に示すように、絶縁性基板41
の表面中央部には一対の正特性サーミスタ素子取付け用
電極42a,42bが設けられている。基板41の下部には、リ
ード端子取付け用電極43a,43b,44a,44b、基板41の左右
の縁部にはＬ字形、逆Ｌ字形の導体パターン45a,45bが
設けられている。電極42a,42bと電極43a,43bとは接続し
ている。一方、第５図に示すように、基板41の裏面下部
にはリード端子取付け用電極46a,46b,49a,49b、左右の
縁部には導体パターン47a,47bが設けられている。固定
抵抗体48a,48bは基板41の裏面にそれぞれ右側及び左側
に配置されている。固定抵抗体48aは電極49aと導体パタ
ーン47aとを接続し、固定抵抗体48bは電極49bと導体パ
ターン47bとを接続している。
２個の正特性サーミスタ素子50a,50bは、表裏面に電
極を設けており、その電極の一方を前記基板41の電極42
a,42bに接合し、基板41に支持している。素子50a,50bの
他方の電極は金属線51a,51bにて導体パターン45a,45bと
電気的に接続している。
極を設けており、その電極の一方を前記基板41の電極42
a,42bに接合し、基板41に支持している。素子50a,50bの
他方の電極は金属線51a,51bにて導体パターン45a,45bと
電気的に接続している。
さらに、リード端子53a、53b、54a及び54bが電極43a,
46a、43b,46b、44a,49a及び44b,49bに半田付けされ、中
継端子55a及び55bが導体パターン45aと電極47a及び導体
パターン45bと電極47bとの間それぞれを接続している。
こうして得られた正特性サーミスタは、１枚の基板に２
個の正特性サーミスタ素子50a,50b等を備えることによ
り、部品の占有スペースが狭くてすむ。この正特性サー
ミスタの等価電気回路を第６図に示す。素子50a,50bに
それぞれ固定抵抗体48a,48bが直列接続している。
46a、43b,46b、44a,49a及び44b,49bに半田付けされ、中
継端子55a及び55bが導体パターン45aと電極47a及び導体
パターン45bと電極47bとの間それぞれを接続している。
こうして得られた正特性サーミスタは、１枚の基板に２
個の正特性サーミスタ素子50a,50b等を備えることによ
り、部品の占有スペースが狭くてすむ。この正特性サー
ミスタの等価電気回路を第６図に示す。素子50a,50bに
それぞれ固定抵抗体48a,48bが直列接続している。
（他の実施例） なお、本考案に係る正特性サーミスタは前記実施例に
限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形
することができる。
限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形
することができる。
リード端子は必ずしも必要ではなく基板を直にコネク
タに差し込んでコネクタのばね端子に基板上に設けた電
極を圧接させることによって取り付けてもよい。
タに差し込んでコネクタのばね端子に基板上に設けた電
極を圧接させることによって取り付けてもよい。
また、基板と正特性サーミスタ素子との固定には必ず
しも半田を使用する必要はなく、導電性接着剤を使用し
てもよい。但し、半田を用いれば基板とリード端子との
半田付けの際に一括してリフロー処理できるので省工程
になる。
しも半田を使用する必要はなく、導電性接着剤を使用し
てもよい。但し、半田を用いれば基板とリード端子との
半田付けの際に一括してリフロー処理できるので省工程
になる。
［考案の効果］ 以上のように、本考案によれば正特性サーミスタ素子
と固定抵抗体とを電気的に直列に接続し、正特性サーミ
スタ素子と抵抗体との抵抗値の比を1:5以上、かつ、正
特性サーミスタ素子と固定抵抗体との合成抵抗値が50Ω
以上500Ω以下としたため、合成抵抗値の偏差が小さく
なり、抵抗値が略等しい２個の正特性サーミスタ素子を
選別する作業が不要となる。従って、電話局交換機の電
話回線に適用される正特性サーミスタの製造コストを下
げることができる。
と固定抵抗体とを電気的に直列に接続し、正特性サーミ
スタ素子と抵抗体との抵抗値の比を1:5以上、かつ、正
特性サーミスタ素子と固定抵抗体との合成抵抗値が50Ω
以上500Ω以下としたため、合成抵抗値の偏差が小さく
なり、抵抗値が略等しい２個の正特性サーミスタ素子を
選別する作業が不要となる。従って、電話局交換機の電
話回線に適用される正特性サーミスタの製造コストを下
げることができる。
また、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体とを１枚の
基板にて支持する構造としたため、小型の正特性サーミ
スタが得られる。
基板にて支持する構造としたため、小型の正特性サーミ
スタが得られる。
第１図ないし第３図は本考案に係る正特性サーミスタの
第１実施例を示すもので、第１図及び第２図はそれぞれ
正特性サーミスタの正面図及び背面図、第３図はその等
価電気回路図である。第４図ないし第６図は本考案に係
る正特性サーミスタの第２実施例を示すもので、第４図
及び第５図はそれぞれ正特性サーミスタの正面図及び背
面図、第６図はその等価電気回路図である。第７図は電
話局交換機の電話回路図である。 １……基板、８……固定抵抗体、10……正特性サーミス
タ素子、41……基板、48a,48b……固定抵抗体、50a,50b
……正特性サーミスタ素子。
第１実施例を示すもので、第１図及び第２図はそれぞれ
正特性サーミスタの正面図及び背面図、第３図はその等
価電気回路図である。第４図ないし第６図は本考案に係
る正特性サーミスタの第２実施例を示すもので、第４図
及び第５図はそれぞれ正特性サーミスタの正面図及び背
面図、第６図はその等価電気回路図である。第７図は電
話局交換機の電話回路図である。 １……基板、８……固定抵抗体、10……正特性サーミス
タ素子、41……基板、48a,48b……固定抵抗体、50a,50b
……正特性サーミスタ素子。
Claims (1)
- 【請求項１】正特性サーミスタ素子と、この正特性サー
ミスタ素子に電気的に直列に接続した固定抵抗体とを備
え、前記正特性サーミスタ素子の抵抗値と前記固定抵抗
体の抵抗値の比が1:5以上であり、かつ、前記正特性サ
ーミスタ素子と前記固定抵抗体との合成抵抗値が50Ω以
上500Ω以下であることを特徴とする正特性サーミス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990087749U JP2520561Y2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990087749U JP2520561Y2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446502U JPH0446502U (ja) | 1992-04-21 |
| JP2520561Y2 true JP2520561Y2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=31820388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990087749U Expired - Lifetime JP2520561Y2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2520561Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10396543B2 (en) | 2013-09-25 | 2019-08-27 | Littelfuse Japan G.K. | Protection device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371504U (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-13 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP1990087749U patent/JP2520561Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446502U (ja) | 1992-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0620802A (ja) | バルク金属チップ抵抗器 | |
| US3585559A (en) | Variable resistance control | |
| US4660017A (en) | Chip-type varistor | |
| JP3736602B2 (ja) | チップ型サーミスタ | |
| JP3119124B2 (ja) | 通信回線保護用電子部品 | |
| US2877389A (en) | Printed electronic circuit | |
| JP2520561Y2 (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP2839262B2 (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
| JPS637601A (ja) | 面実装用ネツトワ−ク抵抗器 | |
| KR20000062838A (ko) | 부온도 계수 써미스터 | |
| JP2556410Y2 (ja) | 集合電子部品 | |
| JPH0312446B2 (ja) | ||
| JPH0963805A (ja) | 角形チップ抵抗器 | |
| JPH0331043Y2 (ja) | ||
| JPH051100Y2 (ja) | ||
| JP2568103Y2 (ja) | 通信用保安素子 | |
| JPS6010701A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
| JPS6134216B2 (ja) | ||
| JPS6242487Y2 (ja) | ||
| JP3000670B2 (ja) | サーミスタ装置 | |
| JP2975491B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH0138884Y2 (ja) | ||
| JPS6246048B2 (ja) | ||
| JPS61168902A (ja) | チツプ型電圧非直線抵抗磁器 | |
| JPH05225892A (ja) | チップ形過電流保護素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |