JP3112759B2 - マルチプライヤ - Google Patents

マルチプライヤ

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JP3112759B2
JP3112759B2 JP04356260A JP35626092A JP3112759B2 JP 3112759 B2 JP3112759 B2 JP 3112759B2 JP 04356260 A JP04356260 A JP 04356260A JP 35626092 A JP35626092 A JP 35626092A JP 3112759 B2 JP3112759 B2 JP 3112759B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バイポーラ集積回路上
に形成されるアナログ信号の乗算器たるマルチプライヤ
に係り、特に入力信号に対する直線性を改善すると共
に、高周波動作に好適なアナログマルチプライヤに関す
る。
【0002】
【従来の技術】アナログLSIの設計では、マルチプラ
イヤは不可欠の機能ブロックでありそれにはキルバート
マルチプライヤが良く知られているが、このギルバート
マルチプライヤにおいて一方の入力信号に対する直線性
を改善したマルチプライヤとしては、従来、例えば図7
や図8に示すものが知られている。
【0003】図7において、このマルチプライヤは、
(Q1、Q2)(Q3、Q4)(Q5、Q6)の3個の
対トランジスタで構成される。対トランジスタ(Q1、
Q2)はエミッタ抵抗RE を介して定電流源I0 で駆動
されるが、両ベース間には一方の入力電圧V1 が印加さ
れる。対トランジスタ(Q3、Q4)は両エミッタがQ
1のコレクタと接続されてQ1で駆動され、対トランジ
スタ(Q5、Q6)は両エミッタがQ2のコレクタと接
続されてQ2で駆動されるが、Q3とQ6のベース及び
Q4とQ5のベースはそれぞれ共通接続され、この2つ
共通接続ベース間には他方の入力電圧V2 が印加され
る。そして、Q3とQ5のコレクタ同士及びQ4とQ6
のコレクタ同士はそれぞれ共通接続され、差動出力対を
構成している。
【0004】動作は良く知られているので説明は省略す
るが、要するに、このマルチプライヤは、ルバートマ
ルチプライヤの基本形において入力電圧V1 が印加され
る差動対(Q1、Q2)にエミッタ抵抗RE を挿入し入
力電圧V1に対する直線性を改善しているのである。
【0005】次に、図8に示すマルチプライヤは、2つ
の差動対の出力端及び入力端を交差接続するギルバート
マルチプライヤにおいて図7における入力電圧V1 が印
加される1個の差動対をエミッタサイズの比が1:Kで
ある2個の不整合差動対で置換したものである。即ち、
対トランジスタ(Q2、Q1)と同(Q3、Q4)は、
それぞれ定電流源I0 で駆動されるが、Q2(Q3)の
エミッタサイズを1としたときQ1(Q4)のエミッタ
サイズはK倍となっている不整合差動対であり、Q1と
Q3及びQ2とQ4はそれぞれベース同士が共通接続さ
れ両共通接続ベース間に一方の入力電圧V1 が印加され
る。そして、Q1とQ3のコレクタ同士は共通接続され
てQ5とQ6の共通接続エミッタに接続され、同様にQ
2とQ4のコレクタ同士は共通接続されてQ7とQ8の
共通接続エミッタに接続される。
【0006】図8に示すマルチプライヤの動作概要は以
下の通りである。バイポーラトランジスタを構成する接
合ダイオードの電流は数式1で表される。なお、数式1
において、IE はエミッタ電流、IS は飽和電流、kは
ボルツマン定数、Tは絶対温度、qは単位電子電荷、V
BEはベースエミッタ間電圧である。
【0007】
【数1】IE =IS {exp(qVBE/kT)−1}
【0008】ここで、熱電圧VT を、VT =kT/qと
おくと、VBE》VT であるので、数式1は、exp(VBE
T)》1 として数式2のように近似できる。
【0009】
【数2】IE ≒IS exp(VBE/VT)
【0010】まず、エミッタサイズの比がK:1である
不整合差動対を構成するQ1とQ2のコレクタ電流IC1
と同IC2とを求める。入力電圧V1 とベースエミッタ間
電圧VBEi との関係、両トランジスタの飽和電流間の関
係、コレクタ電流ICiと定電流源I0 との関係等は数式
3で示される。なお、数式3において、αF は電流増幅
率である。
【0011】
【数3】V1 =VBE1 −VBE2BE1 =VT ln(IC1/IS1) VBE2 =VT ln(IC2/IS2) IS1=KIS2C1+IC2=αF0
【0012】従って、数式3から、IC1とIC2は数式4
と求まる。なお、数式4において、VK は、VK =VT
lnKである。
【0013】
【数4】
【0014】そして、差動出力電流ΔI1 は数式5と得
られ、トランスコンダクタンスGm1は数式6と求まる。
【0015】
【数5】ΔI1 =IC1−IC2 =αF0 tanh{(V1 +VK)/2VT
【0016】
【数6】
【0017】Q3とQ4からなる不整合差動対について
も同様であり、差動出力電流ΔI2は数式7と得られ、
トランスコンダクタンスGm2は数式8と求まる。
【0018】
【数7】ΔI2 =IC3−IC4 =αF0 tanh{(V1 −VK)/2VT
【0019】
【数8】
【0020】従って、図8に示すマルチプライヤの差動
出力電流ΔIは数式9となる。
【0021】
【数9】ΔI=(IC5+IC7)−(IC6+IC8) =(IC5−IC6)+(IC7−IC8) =αF1 tanh(V2 /2VT)+αF2 tanh(−V2
/2VT) =αF(I1 −I2 )tanh(V2 /2VT)
【0022】ここで、数式9におけるI1 −I2 は数式
10と求まるので、結局、差動出力電流ΔIは数式11
となる。
【0023】
【数10】 I1 −I2 =(IC1+IC3)−(IC2+IC4) =(IC1−IC2)+(IC3−IC4) =ΔI1 +ΔI2 =αF0 [tanh{(V1 +VK)/2VT }+tanh
{(V1 −VK)/2VT }]
【0024】
【数11】ΔI=αF 20 tanh(V2 /2VT)[tanh
{(V1 +VK)/2VT }+tanh{(V1 −VK)/2V
T }]
【0025】ところで、従来では、K=4と設定してい
るので、差動出力電流ΔIを入力電圧V1 で微分した
値、即ち、トランスコンダクタンスは最大平坦特性とは
ならず等リップル特性を持つが、図8の構成でも入力電
圧V1 に対する直線性は改善される。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図7に示した
マルチプライヤは、エミッタ抵抗を有するので、周波数
の増加と共に周波数特性が極端に悪くなる。また、図8
に示したマルチプライヤは、トランジスタのエミッタ面
積が約4倍となるので、トランジスタサイズが増加し高
周波動作には不向きであるという問題がある。
【0027】本発明は、このような問題に鑑みなされた
もので、その目的は、入力信号に対する直線性を改善で
きると同時に、高周波動作に好適なマルチプライヤを提
供することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のマルチプライヤは次の如き構成を有する。
即ち、第1発明のマルチプライヤは、定電流源で駆動さ
れる2個の対トランジスタであってそれぞれの一方のト
ランジスタのベース間に一方の入力電圧が印加される第
1及び第2の対トランジスタと、一方のトランジスタの
ベースと他方のトランジスタのベース間に他方の入力電
圧が印加される第3の対トランジスタと、一方のトラン
ジスタのベースを前記第3の対トランジスタの一方のト
ランジスタのベースと共通接続され他方のトランジスタ
のベースを前記第3の対トランジスタの他方のトランジ
スタのベースに接続される第4の対トランジスタと、を
備え、各対トランジスタの2つのトランジスタを同一特
性とし、第1の対トランジスタの一方のトランジスタの
ベースと第2の対トランジスタの他方のトランジスタの
ベースとの間に、また、第2の対トランジスタの一方の
トランジスタのベースと第1の対トランジスタの他方の
トランジスタのベースとの間に、それぞれ、一方のトラ
ンジスタのベースを正極とするバイアスオフセット電圧
が印加され、第1の対トランジスタの一方のトランジス
タと第2の対トランジスタの他方のトランジスタのコレ
クタ同士は第3の対トランジスタのエミッタ同士と共通
接続され、第2の対トランジスタの一方のトランジスタ
と第1の対トランジスタの他方のトランジスタのコレク
タ同士は第4の対トランジスタのエミッタ同士と共通接
続され、第3の対トランジスタと第4の対トランジスタ
では一方のトランジスタのコレクタ同士及び他方のトラ
ンジスタのコレクタ同士がそれぞれ共通接続され、前記
バイアスオフセット電圧は熱電圧とln(2+√3)と
の積であり、前記一方の入力電圧に対する直線性を改善
することを特徴とするものである。
【0029】第2発明のマルチプライヤは、定電流源で
駆動される2個の対トランジスタであってそれぞれの一
方のトランジスタのベース同士及び他方のトランジスタ
のベース同士がそれぞれ共通接続され両共通接続ベース
間に一方の入力電圧が印加される第1及び第2の対トラ
ンジスタと、エミッタ同士が前記第1の対トランジスタ
の一方のトランジスタのコレクタに接続される第3の対
トランジスタと、エミッタ同士が前記第1の対トランジ
スタの他方のトランジスタのコレクタに接続される第4
の対トランジスタと、エミッタ同士が前記第2の対トラ
ンジスタの一方のトランジスタのコレクタに接続される
第5の対トランジスタと、エミッタ同士が前記第2の対
トランジスタの他方のトランジスタのコレクタに接続さ
れる第6の対トランジスタと、を備え、各対トランジス
タの2つのトランジスタを同一特性とし、第3及び第4
の対トランジスタの一方のトランジスタのベース同士が
共通接続された共通接続ベースと、第5及び第6の対ト
ランジスタの一方のトランジスタのベース同士とが共通
接続された共通接続ベースとの間に他方の入力電圧が印
加され、第3の対トランジスタの一方のトランジスタの
ベースと第5の対トランジスタの他方のトランジスタの
ベースとの間に、第3の対トランジスタの他方のトラン
ジスタのベースと第5の対トランジスタの一方のトラン
ジスタのベースとの間に、第4の対トランジスタの一方
のトランジスタのベースと第6の対トランジスタの他方
のトランジスタのベースとの間に、また、第4の対トラ
ンジスタの他方のトランジスタのベースと第6の対トラ
ンジスタの一方のトランジスタのベースとの間に、それ
ぞれ、一方のトランジスタのベースを正極とするバイア
スオフセット電圧が印加され、第3の対トランジスタの
一方のトランジスタと第5の対トランジスタの他方のト
ランジスタのコレクタ同士と第6の対トランジスタの一
方のトランジスタと第4の対トランジスタの他方のトラ
ンジスタのコレクタ同士とが共通接続され、第4の対ト
ランジスタの一方のトランジスタと第6の対トランジス
タの他方のトランジスタのコレクタ同士と第5の対トラ
ンジスタの一方のトランジスタと第3の対トランジスタ
の他方のトランジスタのコレクタ同士とが共通接続さ
れ、前記バイアスオフセット電圧は熱電圧とln(2+
√3)との積であり、前記他方の入力電圧に対する直線
性を改善することを特徴とするものである。
【0030】また、第3発明のマルチプライヤは、定電
流源で駆動される第1、第2、第3及び第4の対トラン
ジスタと、これら4個の対トランジスタによってそれぞ
れ駆動される第5、第6、第7及び第8の対トランジス
タと、を備え、各対トランジスタの2つのトランジスタ
を同一特性とし、第1の対トランジスタの一方のトラン
ジスタのベースと第2の対トランジスタの一方のトラン
ジスタのベース同士とが共通接続されるとともに第1の
一方のトランジスタのベースと第3及び第4の対トラン
ジスタの一方のトランジスタのベースとの間に一方の入
力電圧が印加され、第5の対トランジスタの一方のトラ
ンジスタのベースと第6の対トランジスタの一方のトラ
ンジスタのベース同士とが共通接続されるとともに第5
のトランジスタのベースと第7及び第8の対トランジス
タの一方のトランジスタのベースとの間に他方の入力電
圧が印加され、第1の対トランジスタの一方のトランジ
スタのベースと第3の対トランジスタの他方のトランジ
スタのベースとの間に、第1の対トランジスタの他方の
トランジスタのベースと第3の対トランジスタの一方の
トランジスタのベースとの間に、第2の対トランジスタ
の一方のトランジスタのベースと第4の対トランジスタ
の他方のトランジスタのベースとの間に、第2の対トラ
ンジスタの他方のトランジスタのベースと第4の対トラ
ンジスタの一方のトランジスタのベースとの間に、第5
の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと第7
の対トランジスタの他方のトランジスタのベースとの間
に、第5の対トランジスタの他方のトランジスタのベー
スと第7の対トランジスタの一方のトランジスタのベー
スとの間に、第6の対トランジスタの一方のトランジス
タのベースと第8の対トランジスタの他方のトランジス
タのベースとの間に、また、第6の対トランジスタの他
方のトランジスタのベースと第8の対トランジスタの一
方のトランジスタのベースとの間に、それぞれ、一方の
トランジスタのベースを正極とするバイアスオフセット
電圧が印加され、第1の対トランジスタの一方のトラン
ジスタと第3の対トランジスタの他方のトランジスタの
コレクタ同士と第5の対トランジスタのエミッタ同士と
が共通接続され、第1の対トランジスタの他方のトラン
ジスタと第3の対トランジスタの一方のトランジスタの
コレクタ同士と第7の対トランジスタのエミッタ同士と
が共通接続され、第2の対トランジスタの一方のトラン
ジスタと第4の対トランジスタの他方のトランジスタの
コレクタ同士と第6の対トランジスタのエミッタ同士と
が共通接続され、第2の対トランジスタの他方のトラン
ジスタと第4の対トランジスタの一方のトランジスタの
コレクタ同士と第8の対トランジスタのエミッタ同士と
が共通接続され、第5の対トランジスタの一方のトラン
ジスタと第7の対トランジスタの他方のトランジスタの
コレクタ同士と第8の対トランジスタの一方のトランジ
スタと第6の対トランジスタの他方のトランジスタのコ
レクタ同士とが共通接続され、第6の対トランジスタの
一方のトランジスタと第8の対トランジスタの他方のト
ランジスタのコレクタ同士と第7の対トランジスタの一
方のトランジスタと第5の対トランジスタの他方のトラ
ンジスタのコレクタ同士とが共通接続され、前記バイア
スオフセット電圧は熱電圧とln(2+√3)との積で
あり、前記一方及び他方の入力電圧に対する直線性を改
善することを特徴とするものである。
【0031】
【作用】次に、前記の如く構成される本発明のマルチプ
ライヤの作用を説明する。本発明のマルチプライヤは、
2つの差動対の出力端及び入力端を交差接続するギルバ
ートマルチプライヤを基本とするが、各差動対は同一特
性のバイポーラトランジスタで構成し、直線性を改善す
る側の差動対はバイアスオフセットをかける方式として
ある。即ち、第1発明は一方の入力電圧に対する直線性
を改善し、第2発明は他方の入力電圧に対する直線性を
改善し、第3発明は双方の入力電圧に対する直線性を改
善するものであるが、それぞれ最小構成のトランジスタ
で形成できるので、高周波動作に好適なマルチプライヤ
が得られる。
【0032】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明の一実施例に係るマルチプライヤ
を示す。この第1実施例回路は、他方の入力電圧V2
印加される差動対(Q5、Q6)(Q7、Q8)は図7
や図8と同様構成であるが、これらを駆動すると共に一
方の入力電圧が印加される差動対(Q1、Q2)(Q
3、Q4)が出力端が交差接続され、しかも交差接続さ
れる入力端間にバイアスオフセット電圧VK が印加され
ている。
【0033】具体的には、(Q1、Q2)と(Q3、Q
4)の2個の対トランジスタは、それぞれ定電流源I0
で駆動される第1及び第2の対トランジスタであって、
それぞれの一方のトランジスタ(Q1、Q4)のベース
間に一方の入力電圧V1 が印加される。第1の対トラン
ジスタ(Q1、Q2)の一方のトランジスタQ1のベー
スと第2の対トランジスタ(Q3、Q4)の他方のトラ
ンジスタQ3のベースとの間に、また、第2の対トラン
ジスタ(Q3、Q4)の一方のトランジスタQ4のベー
スと第1の対トランジスタ(Q1、Q2)の他方のトラ
ンジスタQ2のベースとの間に、それぞれ、一方のトラ
ンジスタ(Q1、Q4)のベースを正極とするバイアス
オフセット電圧VK が印加される。
【0034】ベース間に他方の入力電圧V2 が供給され
る(Q5、Q6)は第3の対トランジスタで、ベース
それぞれ(Q5、Q6)のベースに共通接続される(Q
8、Q7)は第4の対トランジスタであり、第1の対ト
ランジスタ(Q1、Q2)の一方のトランジスタQ1と
第2の対トランジスタ(Q3、Q4)の他方のトランジ
スタQ3のコレクタ同士は第3の対トランジスタ(Q
5、Q6)のエミッタ同士と共通接続され、第2の対ト
ランジスタ(Q3、Q4)の一方のトランジスタQ4と
第1の対トランジスタ(Q1、Q2)の他方のトランジ
スタQ2のコレクタ同士は第4の対トランジスタ(Q
7、Q8)のエミッタ同士と共通接続される。
【0035】そして、第3の対トランジスタ(Q5、Q
6)と第4の対トランジスタ(Q7、Q8)では、一方
のトランジスタ(Q5、Q7)のコレクタ同士及び他方
のトランジスタ(Q6、Q8)のコレクタ同士がそれぞ
れ共通接続され、差動出力対を構成している。
【0036】以上の構成において、(Q1、Q2、I
0 )の差動対では、数式12が成り立つ。
【0037】
【数12】VBE1 −VBE2 =V1 +VKBE1 =VT ln(IC1/IS1) VBE2 =VT ln(IC2/IS2
【0038】そして、IS1=IS2、IC1+IC2=αF
0 であるので、IC1とIC2は数式13と求まる。数式4
と同一内容となっている。従って、図1に示すマルチプ
ライヤの差動出力電流ΔIは数式11と同一内容の数式
14となり、入力電圧V1 に対するトランスコンダクタ
ンス、即ちd(ΔI)/dV1 は数式15となる。
【0039】
【数13】
【0040】
【数14】ΔI=αF 20 tanh(V2 /2VT)[tanh
{(V1 +VK)/2VT }+tanh{(V1 −VK)/2V
T }]
【0041】
【数15】
【0042】ところで、バイアスオフセット電圧VK
は、VK =VT lnKにおいて、K=2+√3とした値、
即ち、VK =VT ln(2+√3)=1.317VT に選
ぶと、数式15で示すトランスコンダクタンスは、図2
に示すように最大平坦特性を示し、図3に示すように入
力電圧V1 に対する直線性が改善される。
【0043】なお、バイアスオフセット電圧VK の印加
方法は、例えば図4に示すようにするのが簡便である。
図4において、Q1〜Q4は図1に示すものであるが、
更に定電流源I00で駆動されるトランジスタ(Q13〜
Q16)を設けてある。Q13(Q15)とQ14(Q
16)はエミッタサイズの比がK:1であって、それぞ
れコレクタ同士及びベース同士が共通接続され、共通接
続コレクタは電源VCCに接続され、共通接続ベース間に
は入力電圧V1 が印加される。
【0044】そして、Q1のゲートはQ13のエミッタ
に接続され、Q3のゲートはQ14のエミッタに接続さ
れ、Q4のゲートはQ15のエミッタに接続され、Q2
のゲートはQ16のエミッタに接続されている。
【0045】即ち、ベース・エミッタ間電圧は、Q13
<Q14、Q15<Q16であるので、エミッタ電圧
は、Q13>Q14、Q15>Q16となり、バイアス
オフセット電圧VK の極性は、図1に示すように、Q1
とQ4側が高い電位となる。なお、図4において、K
は、前述したように、K=2+√3である。
【0046】次に、図5は、本発明の第2実施例に係る
マルチプライヤを示す。この第2実施例回路は、他方の
入力電圧V2 の直線性の改善を企図したもので、第1実
施例と同様の動作により図2や図3と同等の特性が得ら
れる。
【0047】具体的な接続関係を示す。定電流源I0
駆動される(Q1、Q2)と(Q3、Q4)2個の対ト
ランジスタは、第1及び第2の対トランジスタであっ
て、それぞれの一方のトランジスタ(Q1、Q3)のベ
ース同士及び他方のトランジスタ(Q2、Q4)のベー
ス同士がそれぞれ共通接続され両共通接続ベース間に一
方の入力電圧V1 が印加される。
【0048】第3の対トランジスタ(Q5、Q6)は、
エミッタ同士が第1の対トランジスタ(Q1、Q2)の
一方のトランジスタQ1のコレクタに接続される。第4
の対トランジスタ(Q7、Q8)は、エミッタ同士が第
1の対トランジスタ(Q1、Q2)の他方のトランジス
タQ2のコレクタに接続される。第5の対トランジスタ
(Q9、Q10)は、エミッタ同士が第2の対トランジ
スタ(Q3、Q4)の一方のトランジスタQ3のコレク
タに接続される。また、第6の対トランジスタ(Q1
1、Q12)は、エミッタ同士が第2の対トランジスタ
(Q3、Q4)の他方のトランジスタQ4のコレクタに
接続される。
【0049】第3の対トランジスタ(Q5、Q6)の一
方のトランジスタQ5と第の対トランジスタ(Q
)の一方のトランジスタQ7とはベース同士が共通
接続され、また第5の対トランジスタ(Q9、Q10)
の一方のトランジスタQ9と第6の対トランジスタ(Q
11、Q12)の一方のトランジスタQ11とはベース
士が共通接続され、この共通接続ベースと第の対ト
ランジスタ(Q、Q)の一方のトランジスタQ5の
ベースとの間に他方の入力電圧V2 が印加される。
【0050】第3の対トランジスタの一方のトランジス
タQ5のベースと第5の対トランジスタの他方のトラン
ジスタQ10のベースとの間に、第3の対トランジスタ
の他方のトランジスタQ6のベースと第5の対トランジ
スタの一方のトランジスタQ9のベースとの間に、第4
の対トランジスタの一方のトランジスタQ7のベースと
第6の対トランジスタの他方のトランジスタのQ12の
ベースとの間に、また、第4の対トランジスタの他方の
トランジスタQ8のベースと第6の対トランジスタの一
方のトランジスタQ11のベースとの間に、それぞれ、
一方のトランジスタのベースを正極とするバイアスオフ
セット電圧Vkが印加される。
【0051】そして、第3の対トランジスタの一方のト
ランジスタQ5と第5の対トランジスタの他方のトラン
ジスタQ10のコレクタ同士と第6の対トランジスタの
一方のトランジスタQ11と第4の対トランジスタの他
方のトランジスタQ8のコレクタ同士とが共通接続さ
れ、第4の対トランジスタの一方のトランジスタQ7と
第6の対トランジスタの他方のトランジスタQ12のコ
レクタ同士と第5の対トランジスタの一方のトランジス
タQ9と第3の対トランジスタの他方のトランジスタQ
6のコレクタ同士とが共通接続され、差動出力対を構成
している。
【0052】次に、図6は、本発明の第3実施例に係る
マルチプライヤを示す。この第3実施例回路は、2つの
入力電圧双方の直線性の改善を企図したもので、第1実
施例と同様の動作により図2や図3と同等の特性が得ら
れる。
【0053】具体的な接続関係を示す。(Q1、Q2)
(Q3、Q4)(Q5、Q6)(Q7、Q8)は、それ
ぞれ定電流源I0 で駆動される第1、第2、第3及び第
4の対トランジスタであり、(Q9、Q10)(Q1
1、Q12)(Q13、Q14)(Q15、Q16)
は、それぞれ第1、第2、第3及び第4の対トランジス
タによって駆動される第5、第6、第7及び第8の対ト
ランジスタである。
【0054】第1の対トランジスタ(Q1、Q2)の一
方のトランジスタQ1と第の対トランジスタ(Q
)の一方のトランジスタQ3のベースが共通接続さ
れ、第3の対トランジスタ(Q5、Q6)の一方のトラ
ンジスタQ5と第4の対トランジスタ(Q7、Q8)の
一方のトランジスタQ7のベース同士とが共通接続さ
れ、この共通接続ベースと第の対トランジスタ(Q
、Q)の一方のトランジスタQのベースとの間に
一方の入力電圧V1 が印加される。また、第5の対トラ
ンジスタ(Q9、Q10)の一方のトランジスタQ9と
第6の対トランジスタ(Q11、Q12)の一方のトラ
ンジスタQ11のベース同士が共通接続され、第7の対
トランジスタ(Q13、Q14)の一方のトランジスタ
Q13と第8の対トランジスタ(Q15、Q16)の一
方のトランジスタQ15のベース同士とが共通接続さ
れ、この共通接続ベースと第の対トランジスタ(Q
、Q1)の一方のトランジスタQのベースとの間
に他方の入力電圧V2 が印加される。
【0055】第1の対トランジスタの一方のトランジス
タQ1のベースと第3の対トランジスタの他方のトラン
ジスタQ6のベースとの間に、第1の対トランジスタの
他方のトランジスタQ2のベースと第3の対トランジス
タの一方のトランジスタQ5のベースとの間に、第2の
対トランジスタの一方のトランジスタQ3のベースと第
4の対トランジスタの他方のトランジスタQ8のベース
との間に、第2の対トランジスタの他方のトランジスタ
Q4のベースと第4の対トランジスタの一方のトランジ
スタQ7のベースとの間に、第5の対トランジスタの一
方のトランジスタQ9のベースと第7の対トランジスタ
の他方のトランジスタQ14のベースとの間に、第5の
対トランジスタの他方のトランジスタQ10のベースと
第7の対トランジスタの一方のトランジスタQ13のベ
ースとの間に、第6の対トランジスタの一方のトランジ
スタQ11のベースと第8の対トランジスタの他方のト
ランジスタQ16のベースとの間に、また、第6の対ト
ランジスタの他方のトランジスタQ12のベースと第8
の対トランジスタの一方のトランジスタQ15のベース
との間に、それぞれ、一方のトランジスタのベースを正
極とするバイアスオフセット電圧VK が印加される。
【0056】第1の対トランジスタの一方のトランジス
タQ1と第3の対トランジスタの他方のトランジスタQ
6のコレクタ同士と第5の対トランジスタ(Q9、Q1
0)のエミッタ同士とが共通接続され、第1の対トラン
ジスタの他方のトランジスタQ2と第3の対トランジス
タの一方のトランジスタQ5のコレクタ同士と第7の対
トランジスタ(Q13、Q14)のエミッタ同士とが共
通接続され、第2の対トランジスタの一方のトランジス
タQ3と第4の対トランジスタの他方のトランジスタQ
8のコレクタ同士と第6の対トランジスタ(Q11、Q
12)のエミッタ同士とが共通接続され、第2の対トラ
ンジスタの他方のトランジスタQ4と第4の対トランジ
スタの一方のトランジスタQ7のコレクタ同士と第8の
対トランジスタ(Q15、Q16)のエミッタ同士とが
共通接続される。
【0057】そして、第5の対トランジスタの一方のト
ランジスタQ9と第7の対トランジスタの他方のトラン
ジスタQ14のコレクタ同士と第8の対トランジスタの
一方のトランジスタQ15と第6の対トランジスタの他
方のトランジスタQ12のコレクタ同士とが共通接続さ
れ、第6の対トランジスタの一方のトランジスタQ11
と第8の対トランジスタの他方のトランジスタQ16の
コレクタ同士と第7の対トランジスタの一方のトランジ
スタQ13と第5の対トランジスタの他方のトランジス
タQ10のコレクタ同士とが共通接続され、差動出力対
を構成している。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチプ
ライヤによれば、2つの差動対の出力端及び入力端を交
差接続するギルバートマルチプライヤを基本とするが、
各差動対は同一特性のバイポーラトランジスタで構成
し、直線性を改善する側の差動対はバイアスオフセット
をかける方式としてあるので、第1発明では一方の入力
電圧に対する直線性を改善でき、第2発明では他方の入
力電圧に対する直線性を改善でき、第3発明は双方の入
力電圧に対する直線性を改善できるが、それぞれ最小構
成のトランジスタで形成できるので、高周波動作に好適
なマルチプライヤを提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るマルチプライヤの回
路図である。
【図2】図1に示すマルチプライヤのトランスコンダク
タンス特性図である。
【図3】図1に示すマルチプライヤの入出力特性図であ
る。
【図4】バイアスオフセット電圧の印加方式の一例の回
路図である。
【図5】本発明の第2実施例に係るマルチプライヤの回
路図である。
【図6】本発明の第3実施例に係るマルチプライヤの回
路図である。
【図7】従来のマルチプライヤの回路図である。
【図8】従来のマルチプライヤの回路図である。
【符号の説明】
Q1〜Q16 バイポーラトランジスタ I0 電流源 V1 ,V2 入力電圧 VK バイアスオフセット電圧

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 定電流源で駆動される2個の対トランジ
    スタであってそれぞれの一方のトランジスタのベース間
    に一方の入力電圧が印加される第1及び第2の対トラン
    ジスタと、 一方のトランジスタのベースと他方のトランジスタのベ
    ース間に他方の入力電圧が印加される第3の対トランジ
    スタと、 一方のトランジスタのベースを前記第3の対トランジス
    タの一方のトランジスタのベースと共通接続され他方の
    トランジスタのベースを前記第3の対トランジスタの他
    方のトランジスタのベースに接続される第4の対トラン
    ジスタと、を備え、各対トランジスタの2つのトランジスタを同一特性と
    し、 第1の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと
    第2の対トランジスタの他方のトランジスタのベースと
    の間に、また、第2の対トランジスタの一方のトランジ
    スタのベースと第1の対トランジスタの他方のトランジ
    スタのベースとの間に、それぞれ、一方のトランジスタ
    のベースを正極とするバイアスオフセット電圧が印加さ
    れ、 第1の対トランジスタの一方のトランジスタと第2の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士は第
    3の対トランジスタのエミッタ同士と共通接続され、 第2の対トランジスタの一方のトランジスタと第1の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士は第
    4の対トランジスタのエミッタ同士と共通接続され、 第3の対トランジスタと第4の対トランジスタでは一方
    のトランジスタのコレクタ同士及び他方のトランジスタ
    のコレクタ同士がそれぞれ共通接続され、 前記バイアスオフセット電圧は熱電圧とln(2+√
    3)との積であり、 前記一方の入力電圧に対する直線性を改善することを特
    徴とするマルチプライヤ。
  2. 【請求項2】 定電流源で駆動される2個の対トランジ
    スタであってそれぞれの一方のトランジスタのベース同
    士及び他方のトランジスタのベース同士がそれぞれ共通
    接続され両共通接続ベース間に一方の入力電圧が印加さ
    れる第1及び第2の対トランジスタと、 エミッタ同士が前記第1の対トランジスタの一方のトラ
    ンジスタのコレクタに接続される第3の対トランジスタ
    と、 エミッタ同士が前記第1の対トランジスタの他方のトラ
    ンジスタのコレクタに接続される第4の対トランジスタ
    と、 エミッタ同士が前記第2の対トランジスタの一方のトラ
    ンジスタのコレクタに接続される第5の対トランジスタ
    と、 エミッタ同士が前記第2の対トランジスタの他方のトラ
    ンジスタのコレクタに接続される第6の対トランジスタ
    と、を備え、各対トランジスタの2つのトランジスタを同一特性と
    し、 第3及び第4の対トランジスタの一方のトランジスタの
    ベース同士が共通接続された共通接続ベースと、第5及
    び第6の対トランジスタの一方のトランジスタのベース
    同士とが共通接続された共通接続ベースとの間に他方の
    入力電圧が印加され、 第3の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと
    第5の対トランジスタの他方のトランジスタのベースと
    の間に、第3の対トランジスタの他方のトランジスタの
    ベースと第5の対トランジスタの一方のトランジスタの
    ベースとの間に、第4の対トランジスタの一方のトラン
    ジスタのベースと第6の対トランジスタの他方のトラン
    ジスタのベースとの間に、また、第4の対トランジスタ
    の他方のトランジスタのベースと第6の対トランジスタ
    の一方のトランジスタのベースとの間に、それぞれ、一
    方のトランジスタのベースを正極とするバイアスオフセ
    ット電圧が印加され、 第3の対トランジスタの一方のトランジスタと第5の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    6の対トランジスタの一方のトランジスタと第4の対ト
    ランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士とが共
    通接続され、 第4の対トランジスタの一方のトランジスタと第6の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    5の対トランジスタの一方のトランジスタと第3の対ト
    ランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士とが共
    通接続され、 前記バイアスオフセット電圧は熱電圧とln(2+√
    3)との積であり、 前記他方の入力電圧に対する直線性を改善することを特
    徴とするマルチプライヤ。
  3. 【請求項3】 定電流源で駆動される第1、第2、第3
    及び第4の対トランジスタと、 これら4個の対トランジスタによってそれぞれ駆動され
    る第5、第6、第7及び第8の対トランジスタと、を備
    え、各対トランジスタの2つのトランジスタを同一特性と
    し、 第1の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと
    第2の対トランジスタの一方のトランジスタのベース同
    士とが共通接続されるとともに第1の一方のトランジス
    タのベースと第3及び第4の対トランジスタの一方のト
    ランジスタのベースとの間に一方の入力電圧が印加さ
    れ、 第5の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと
    第6の対トランジスタの一方のトランジスタのベース同
    士とが共通接続されるとともに第5のトランジスタのベ
    ースと第7及び第8の対トランジスタの一方のトランジ
    スタのベースとの間に他方の入力電圧が印加され、 第1の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと
    第3の対トランジスタの他方のトランジスタのベースと
    の間に、第1の対トランジスタの他方のトランジスタの
    ベースと第3の対トランジスタの一方のトランジスタの
    ベースとの間に、第2の対トランジスタの一方のトラン
    ジスタのベースと第4の対トランジスタの他方のトラン
    ジスタのベースとの間に、第2の対トランジスタの他方
    のトランジスタのベースと第4の対トランジスタの一方
    のトランジスタのベースとの間に、第5の対トランジス
    タの一方のトランジスタのベースと第7の対トランジス
    タの他方のトランジスタのベースとの間に、第5の対ト
    ランジスタの他方のトランジスタのベースと第7の対ト
    ランジスタの一方のトランジスタのベースとの間に、第
    6の対トランジスタの一方のトランジスタのベースと第
    8の対トランジスタの他方のトランジスタのベースとの
    間に、また、第6の対トランジスタの他方のトランジス
    タのベースと第8の対トランジスタの一方のトランジス
    タのベースとの間に、それぞれ、一方のトランジスタの
    ベースを正極とするバイアスオフセット電圧が印加さ
    れ、 第1の対トランジスタの一方のトランジスタと第3の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    5の対トランジスタのエミッタ同士とが共通接続され、 第1の対トランジスタの他方のトランジスタと第3の対
    トランジスタの一方のトランジスタのコレクタ同士と第
    7の対トランジスタのエミッタ同士とが共通接続され、 第2の対トランジスタの一方のトランジスタと第4の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    6の対トランジスタのエミッタ同士とが共通接続され、 第2の対トランジスタの他方のトランジスタと第4の対
    トランジスタの一方のトランジスタのコレクタ同士と第
    8の対トランジスタのエミッタ同士とが共通接続され、 第5の対トランジスタの一方のトランジスタと第7の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    8の対トランジスタの一方のトランジスタと第6の対ト
    ランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士とが共
    通接続され、 第6の対トランジスタの一方のトランジスタと第8の対
    トランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士と第
    7の対トランジスタの一方のトランジスタと第5の対ト
    ランジスタの他方のトランジスタのコレクタ同士とが共
    通接続され、 前記バイアスオフセット電圧は熱電圧とln(2+√
    3)との積であり、 前記一方及び他方の入力電圧に対する直線性を改善する
    ことを特徴とするマルチプライヤ。
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