JP3108505B2 - デコーダ回路 - Google Patents

デコーダ回路

Info

Publication number
JP3108505B2
JP3108505B2 JP04055764A JP5576492A JP3108505B2 JP 3108505 B2 JP3108505 B2 JP 3108505B2 JP 04055764 A JP04055764 A JP 04055764A JP 5576492 A JP5576492 A JP 5576492A JP 3108505 B2 JP3108505 B2 JP 3108505B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
row
array
cell array
repeater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04055764A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05258574A (ja
Inventor
克晃 松井
三平 宮本
民弘 石村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP04055764A priority Critical patent/JP3108505B2/ja
Priority to US08/030,708 priority patent/US5297105A/en
Publication of JPH05258574A publication Critical patent/JPH05258574A/ja
Priority to US08/215,487 priority patent/US5452260A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3108505B2 publication Critical patent/JP3108505B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10Decoders

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデコーダ回路、特に例え
ば半導体メモリに有利に適用されるデコーダ回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】大容量の半導体メモリは、動作マージン
の確保および消費電流の低減のために、たとえば複数の
サブアレイから構成され、サブアレイで分割動作される
のが一般的である。
【0003】図3はこのような分割動作を行う半導体メ
モリにおけるデコーダ回路の従来技術を示す構成図(以
後これを従来例1と称す)である。この半導体メモリ
は、ロウプリデコーダPDEC1,PDEC2、セルア
レイセレクタMCS1 〜MCSi 、ロウデコーダアレイ
DEC1 〜DECi およびセルアレイMCA1 〜MCA
i により構成される。
【0004】ロウプリデコーダPDEC1,PDEC2
は、複数ビットの入力アドレスA0〜A5をデコード
し、ロウプリデコード信号として出力するデコード回路
である。また、セルアレイセレクタMCS1 〜MCSi
は、複数ビットの入力アドレスA6〜A9をデコード
し、セルアレイ選択信号として出力するデコード回路で
あ。ロウデコーダアレイDEC1 〜DECi は、ロウプ
リデコード信号をデコードしてワード線を選択する複数
のロウデコーダDn-m (n=1〜i,m=1〜64)か
ら構成される。セルアレイMCA1 〜MCAi は、ワー
ド線により選択される複数のメモリセルから構成される
メモリ回路である。
【0005】ロウプリデコーダPDEC1には、ロウア
ドレスを伝えるロウアドレス信号線A0,A1,A2が
接続され、ロウプリデコーダPDEC2にはロウアドレ
ス信号線A3,A4,A5が接続される。また、ロウプ
リデコーダPDEC1およびPDEC2は各々が8本で
構成されるロウプリデコード信号線A012 1〜A0
12 8,A345 1〜A345 8によって、複数
のロウデコーダアレイに接続されている。
【0006】セルアレイセレクタMCSn (n=1〜
i)にはロウアドレス信号線A6,A7,A8,A9が
接続される。また、セルアレイセレクタMCSn (n=
1〜i)はセルアレイ選択信号線Sn (n=1〜i)に
よって、対応するロウデコーダアレイDECn (n=1
〜i)と接続されている。
【0007】ロウデコーダアレイDECn (n=1〜
i)を構成するロウデコーダDn-m (n=1〜i,m=
1〜64)の各々には、ロウプリデコード信号線A01
1〜A012 8の1本と、ロウプリデコード信号
線A345 1〜A345 8の1本およびセルアレイ
選択信号線Sn (n=1〜i)のいずれかが接続され
る。また、ロウデコーダDn-m の各々にはワード線WL
n-m によってセルアレイMCAn と接続されている。
【0008】図8は図3の部分拡大図である。同図に示
すように、たとえばロウデコーダD1-1 は、ロウプリデ
コード信号線A012 1、ロウプリデコード信号線A
345 1およびセルアレイ選択信号線S1 に接続さ
れ、ワード線WL1-1 を出力する。
【0009】図4を用いてロウアドレス入力により、ワ
ード線が選択される迄の従来例1の動作について述べ
る。ロウアドレス信号A0〜A8がロウアドレス信号線
A6,A7,A8,A9に伝わると、それを受けてセル
アレイセレクターの1個、たとえばセルアレイMCS2
が活性化し、セルアレイ選択信号線S2 が接地電位から
電源電位に立ち上り、ロウデコーダアレイDEC2 が活
性化する。
【0010】また、ロウアドレス信号がロウアドレス信
号線A0,A1,A2およびA3,A4,A5に伝わる
と、ロウプリデコーダPDEC1およびPDEC2が活
性化し、ロウプリデコード信号A012 1〜A012
8,A345 1〜A345 8の各々1本、たとえ
ばA012 1,A345 1が接地電位から電源電位
に立ち上る。
【0011】セルアレイ選択信号S2 により活性化され
たロウデコーダアレイDEC2 ではA012 1〜A0
12 8とA345 1〜A345 8の論理積をと
り、その結果A012 1,A345 1の接続するロ
ウデコーダD2 1の出力であるワード線WL2 1を
選択する。
【0012】図5は従来の半導体メモリの第2の構成例
(以後これを従来例2と称す)である。
【0013】この半導体メモリデコーダ回路は、従来例
1の構成要素であるロウプリデコーダPDEC1,PD
EC2、セルアレイセレクターMCSn 、ロウデコーダ
アレイDECn およびセルアレイMCAn の他に、各々
が16ケのリピータRn-l (n=1〜i,l=1〜1
6)で構成される複数のリピータアレイPREPn (n
=1〜i)で構成される。
【0014】ロウプリデコーダPDEC1にはロウアド
レス信号線A0,A1,A2が接続され、ロウプリデコ
ーダPDEC2にはロウアドレス信号線A3,A4,A
5が接続される。また、ロウプリデコーダPDEC1お
よびPDEC2はロウプリデコード信号線A012
〜A012 8,A345 1〜A345 8によっ
て、複数のリピータアレイPREPに接続されている。
【0015】セルアレイセレクターMCSn (n=1〜
i)にはロウアドレス信号線A6,A7,A8,A9が
接続される。また、セルアレイセレクターMCSn (n
=1〜i)は、セルアレイ選択信号Sn (n=1〜i)
によって、対応するリピータアレイPREPn (n=1
〜i)と接続されている。
【0016】リピータアレイPREPn (n=1〜i)
を構成するリピータRn-l (n=1〜i,l=1〜1
6)の各々には、ロウプリデコード信号線(A012+
A345)16本の内の1本と、セルアレイ選択信号線
n (n=1〜i)が接続される。また、リピータR
n-l の各々はサブデコード信号線S012 1−1〜S
012 8,S345 1〜S345
(n=1〜i)によって対応するロウデコーダアレイD
ECn (n=1〜i)と接続されている。
【0017】ロウデコーダアレイDECn (n=1〜
i)を構成するロウデコーダDn-m の各々には、サブデ
コード信号線S012 1〜S012 8の1
本と、S345 1〜S345 8の1本が接
続される。またロウデコーダDn-m の各々は、ワード線
WLn-m によってセルアレイMCAn と接続されてい
る。
【0018】図9は従来例2における部分拡大図であ
る。同図に示すように、たとえばリピータアレイPRE
1 のリピータR1-1 は、セルアレイ選択信号線S1
ロウプリデコード信号線A012_1に接続されてい
る。また、たとえばロウデコーダD1-1 はサブデコード
信号線S012 1とS345 1に接続され
る。
【0019】図6を用いてロウアドレス入力により、ワ
ード線が選択される迄の従来例2の動作について述べ
る。ロウアドレス信号がロウアドレス信号線A6,A
7,A8,A9に伝わると、それを受けてセルアレイセ
レクタの1個、たとえばセルアレイセレクタMCS2が
活性化し、セルアレイ選択信号線S2が接地電位(VS
S)から電源電位(VCC)に立ち上り、リピータアレ
イPREP2 が活性化する。
【0020】また、ロウアドレス信号がロウアドレス信
号線A0,A1,A2およびA3,A4,A5に伝わる
と、ロウプリデコーダPDEC1およびPDEC2が活
性化し、ロウプリデコード信号線A012〜A012
8,A345 1〜A345 8の各々1本、たとえばS
012 1,A345 1が接地電位(VSS)から電
源電位(VCC)に立ち上る。電源電位になったロウプ
リデコード信号線A012 1,A345 1をセルア
レイ選択信号線S2により活性化されたリピータアレイ
PREP2 が受け、サブデコード信号S012
1,S345 1が接地電位(VSS)から電源電位
(VCC)に立ち上る。
【0021】ロウデコーダアレイDECn (n=1〜
i)ではA012 1〜A012 8とA345
1〜A345 8の論理積をとり、その結果
A012 1,A345 1の接続するロウデ
コーダD2 1の出力であるワード線WL2 1のみを
選択する。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
メモリの大容量化に伴うチップサイズおよびロウデコー
ダ数の増大を考えた場合、従来例1の構成ではロウプリ
デコード信号が活性化されないロウデコーダアレイを含
む全てのロウデコーダアレイを駆動するため、ロウプリ
デコード信号の時定数(RC)が大きなものとなり、配
線遅延が大きくなる上、消費電流も大きいという問題点
があった。
【0023】一方、従来例2の構成をとる場合、リピー
タRを配置したことにより、ロウプリデコード信号の時
定数が低減し配線遅延が緩和されるとともに、セルアレ
イ選択信号線をリピータアレイPREPに接続すること
により、活性化されないロウデコーダアレイを駆動しな
いため消費電流も低減できる。しかしながらこの構成で
は、分割動作を行う場合、ロウデコーダアレイDECご
とに16ケのリピータRを配置しなければならないた
め、レイアウト面積の増大を招くという問題点があっ
た。
【0024】本発明は、このようなロウプリデコード信
号線の時定数による配線遅延の増大および消費電流の増
大を、僅かな回路付加により解消することでレイアウト
面積の増大を招かないデコーダ回路を提供することを目
的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、第1の信号、第2の信号および第3の信
号により構成される入力信号をデコードするデコーダ回
路は、第1の信号をデコードして第1のデコード信号を
出力する第1のデコード手段と、第2の信号をデコード
して第2のデコード信号を出力する第2のデコード手段
と、第3の信号をデコードして第3のデコード信号を出
力する第3のデコード手段と、第1のデコード信号と第
2のデコード信号を入力して第4のデコード信号を出力
する複数の第4のデコード手段と、第1のデコード信号
と第3のデコード信号を入力して第5のデコード信号を
出力する複数の第5のデコード手段と、第4のデコード
信号および第5のデコード信号を入力して第6のデコー
ド信号を出力する複数の第6のデコード手段とを有す
る。
【0026】
【作用】本発明によれば、入力信号がデコーダ回路に入
力されると、その第1の信号が第1のデコード手段によ
り、第2の信号が第2のデコード手段により、第3の信
号が第3のデコード手段によりそれぞれデコードされ
る。そして、第1のデコード手段によりデコードされた
第1のデコード信号と第2のデコード手段でデコードさ
れた第2のデコード信号が第4のデコード手段に入力さ
れ、第1のデコード信号と第3のデコード手段でデコー
ドされた第3のデコード信号が第5のデコード手段に入
力される。入力信号により、ある第4のデコード手段お
よび第5のデコードが活性化されると、これらデコード
手段はそれぞれ複数、例えば2つの第6のデコード手段
に活性化された旨の信号を出力する。そして、第4のデ
コード手段および第5のデコード手段により指定された
第6のデコーダ手段より入力信号のデコード出力が送出
される。
【0027】
【実施例】次に添付図面を参照して本発明によるデコー
ダ回路の実施例を詳細に説明する。
【0028】図1は、本発明によるデコーダ回路を半導
体メモリのロウアドレスを指定する半導体メモリデコー
ダ回路に適用した実施例を示す構成図である。本実施例
におけるデコーダ回路は、A0〜A2,A3〜A5,A
6〜A9で構成されるロウアドレス信号100を入力
し、この信号で指定されるセルアレイMCAのワード線
WLを活性化するデコーダ回路である。
【0029】この半導体メモリデコード回路は、2ケの
ロウプリデコーダPDEC1,PDEC2、複数のセル
アレイセレクターMCSn (n=1〜i)、複数のリピ
ータアレイセレクターREPSn (n=1〜i−1)、
ロウデコーダアレイDECn(n=1〜i)およびリピ
ータアレイREPn (n=0〜i)で構成される。
【0030】ロウプリデコーダPDEC1は、ロウアド
レス信号線A0,A1,A2よりロウアドレス信号A
0,A1,A2を入力し、これを8ビットのロウプリデ
コード信号A012_1〜A012_8として、対応す
る参照符号のロウブリデコード信号線に出力するデコー
ダ回路である。同様に、ロウプリデコーダPDEC2
は、ロウアドレス信号線A3,A4,A5よりロウアド
レス信号A3,A4,A5を入力し、これを8ビットの
ロウプリデコード信号A345_1〜A345_8とし
て、対応する参照符号のロウブリデコード信号線に出力
するデコーダ回路である。このようにロウプリデコーダ
PDECは、入力したアドレス信号よりロウプリデコー
ド信号106を出力する。
【0031】セルアレイセレクタMCS1 〜MCS
i は、ロウアドレス信号線A6〜A9よりロウアドレス
信号A6〜A9を入力し、この信号が自セレクタを示し
ている場合にセルアレイ選択信号線104(S1
i )に選択信号を出力するデコーダ回路である。セル
アレイセレクタMCSはそれぞれ、その出力側がリピー
タアレイセレクタREPS1 〜PREPSi-1 に接続さ
れている。
【0032】すなわち、セルアレイセレクタMCS
n (n=2〜i−1)はそれぞれ、セルアレイ選択信号
線Sn (n=2〜i−1)を介して、リピータアレイセ
レクターREPSn (n=1,3,...,i−2)お
よびREPSn-1 (n=2,4,...,i−1)と接
続される。また、MCS1 はセルアレイ選択信号S1
よりリピータアレイセレクターREPS1 とリピータア
レイREP0 に、セレクタMCSi はセルアレイ選択信
号Si によりREPSn-1 とREPn に接続される。
【0033】リピータアレイセレクタREPS1 〜PR
EPSi-1 はそれぞれ、2入力1出力のORゲートであ
り、リピータアレイ選択信号線RSn (n=1〜i−
1)によってリピータアレイREPn (n=1〜i−
1)と接続される。リピータアレイセレクタREPS
は、セルアレイ選択信号104により活性化されると、
接続されているリピータアレイ選択信号線RS1 〜RS
i-1 を介しリピータアレイREPにリピータアレイ選択
信号Sを出力する。
【0034】リピータアレイREP0 〜REPi はそれ
ぞれ、たとえば図7の部分拡大図に示すように、8ケの
リピータRn-P (n=0〜i,P=1〜8)で構成され
ている。リピータアレイREPn (n=1,3,5…i
−1)を構成するリピータRn-l (n=1,3,5…n
−1,P=1〜8)の各々は、ロウプリデコード信号線
A345−1〜A345−8の1本とリピータアレイ選
択信号線RSn (n=1,3,5…i−1)が接続され
ている。また、リピータアレイREPn (n=2,4,
6…i−2)を構成するリピータRn-P (n=2,4,
6…i−2,P=1〜8)の各々には、ロウプリデコー
ド信号線A012−1〜A012−8の1本と、リピー
タアレイ選択信号線RSn (n=1,3,5…i−1)
が接続される。
【0035】また、リピータアレイREP0 を構成する
リピータR0-P (P=1〜8)の各々には、A012
1〜A012 8の1本とセルアレイ選択信号線S1が
接続される。また、リピータアレイREPi を構成する
リピータRi-P (P=1〜8)の各々には、A012
1〜A012 8の1本とセルアレイ選択信号線Siが
接続される。さらに、リピータアレイREPi を構成す
るリピータRi-P (P=1〜8)の各々には、A012
1〜A012 8の1本とセルアレイ選択信号線Si
が接続される。
【0036】また、リピータRn-P (n=1,3,5…
i−1,P=1〜8)の各々は、サブデコード信号S3
45 1〜S345 8(n=1,3,5…i
−1)によって、ロウデコーダアレイDECn とDEC
n+1 (n=1,3,5…n−1)に接続されている。リ
ピータRn-P (n=2,4,6…n−2,P=1)の各
々は、サブデコード信号線S012 1〜S012
8(n=2,4,6…i=2)によって、ロウデ
コーダアレイDECn とDECn+1 (n=2,4,6…
n−2)に接続されている。
【0037】また、リピータR0-P (P=1〜8)の各
々は、サブデコード信号線S012 1〜S012
8によってロウデコーダアレイDEC0 に接続され
ており、Ri-P (1=P〜8)の各々はサブデコード信
号線S012_i_1〜S012_i_8によってロウ
デコーダアレイDECiに接続されている。
【0038】ロウデコーダDECn (n=1〜i)はそ
れぞれ、たとえば図7に示すように、ワード線WLを選
択する複数のロウデコーダロウデコーダDn-m (n=1
〜i,m=1〜64)から構成されている。ロウデコー
ダアレイDECn (n=1〜i)を構成するこれらロウ
デコーダDn-m (n=1〜i,m=1〜6)の各々に
は、サブコード信号線S012 1〜S012
8の1本とS345 1〜S345
8の1本、もしくはS012 1〜S012
8の1本とS345 1〜S345
の1本が接続される。またロウデコーダDn-m の各々は
ワード線WLn-m によってセルアレイMCAn (n=1
〜i)と接続されている。
【0039】セルアレイMCA1 〜MCAi はそれぞ
れ、1ビットを記憶する複数のメモリセルが2次元に配
列されたメモリセルアレイである。各セルアレイMCA
は、本実施例におけるロウデコーダ回路によりそのロウ
側が指定され、カラムデコーダ回路(図示せず)により
カラム側が指定されることにより、メモリセルの指定が
行われる。
【0040】次に、図2を用いてロウアドレス入力によ
り、ワード線が選択される迄の動作について述べる。ロ
ウアドレスと信号がロウアドレス信号線A6,A7,A
8,A9に伝わると、それを受けてセルアレイセレクタ
ーの1ケたとえばMCS2 が活性化し、セルアレイ選択
信号線S2 が接地電位(VSS)から電源電位(VC
C)に立ち上る。リピータアレイセレクターは、セルア
レイ選択信号線S2 が電源電位になると、セルアレイ選
択信号Sn とSn+1 (n=1〜i)の論理和をとる。そ
の結果、リピータ選択信号線RS1 ,RS2 が接地電位
(VSS)から電源電位(VCC)に立ち上がり、リピ
ータアレイREP1 ,REP2 が活性化する。
【0041】また、ロウアドレス信号がロウアドレス信
号線A0,A1,A2およびA3,A4,A5に伝わる
と、ロウプリデコーダPDEC1 ,PDEC2 が活性化
し、ロウプリデコード信号A012 1〜A012
8,およびA345 1〜A345 8の各々1本、た
とえばA012 1,A345 1が接地電位(VS
S)から電源電位(VCC)に立ち上る。
【0042】次に、リピータアレイ選択信号RS1 およ
びRS2 により活性化されたリピータアレイREP1
REP2 の内、リピータR1−1がロウプリデコード信
号A345 1の、リピータR2−1がロウプリデコー
ド信号A12 1の立ち上りをそれぞれ受け、サブデコ
ード信号S345 1およびS012 1が接
地電位(VSS)から電源電位に立ち上る。ロウデコー
ダアレイDECn (n=1〜i)では、それを構成する
ロウデコーダの各々が、接続されたサブデコード信号の
論理積をとる。
【0043】本実施例では、2系統のサブデコード信号
S012 1〜S012 8およびS345
1〜S345 8は、各々隣接する2ケのロウデ
コーダアレイDEC1 ,DEC2 およびDEC2 ,DE
3 に入力される。このため、たとえばサブデコード信
号S012 1とS345 1を入力するロウ
デコーダDECは、ロウデコーダアレイDEC2のデコ
ーダD 1となる。これにより、サブデコード信号
S012 1とS345 1が立ち上った場
合、論理積の結果選択されるワード線WLはロウデコー
ダアレイDEC2の中のWL2 1となる。
【0044】以上の動作において、本実施例におけるデ
コーダ回路のロウプリデコード信号A012 1および
A345 1の立ち上りは、リピータを配置することに
より、ロウプリデコード信号線A012 1およびA3
45 1の時定数、すなわちA012 1およびA34
1に寄生するゲート容量を低減できる。したがっ
て、従来例1に比べ配線遅延が生ずることがなく動作が
速くなる。この効果は、ロウプリデコード信号の時定数
の大きい大容量半導体メモリの場合に特に大きく、リピ
ータRによるゲート遅延を考慮してもワード線WLの選
択に必要な時間は短縮される。
【0045】また、サブデコード信号S012
はロウデコードアレイDEC2 とDEC3 を、S345
1はロウデコードアレイDEC1 とDEC2 を駆動す
るため、ロウプリデコード信号が全てのロウデコーダア
レイを駆動する従来例1に比べ消費電流も低減出来る。
さらに、1ケのリピータアレイREPに必要なリピータ
数が8ケであるため、1ケのリピータアレイに16ケの
リピータを必要とした従来例2に比べ、リピータの配置
が容易であり、レイアウト面積の増大も抑えられる。
【0046】このように本実施例によれば、2系統のプ
リデコード信号のリピータをそれぞれ配置し、これらリ
ピータをリピータアレイ選択信号により活性化する。そ
して、2系統のプリデコード信号を2系統のサブデコー
ド信号として出力し、接続される2系統のサブデコード
信号が共に活性化されるデコーダアレイと、接続される
2系統のサブデコード信号の一方のみが活性化されるデ
コーダアレイが存在するようにサブデコード信号線を接
続した。これにより、従来例1に比べプリデコード信号
の時定数が低減し、ワード線選択すなわちデコードの時
間短縮が出来るとともに、動作時に駆動するデコーダ数
すなわちゲート容量が減少するため消費電流も低減出来
る。また、従来例2に比べリピータ数が半減するため
に、レイアウト面積の増大を抑えることが出来る。
【0047】なお、本実施例では本発明をロウアドレス
のデコーダ回路に適用したときを説明したが、勿論カラ
ムアドレスのデコーダ回路にも適用可能である。また、
本発明は、本実施例で説明したように半導体メモリに有
利に適用されるが、通常の電子回路におけるデコーダ回
路としても適用可能である。
【0048】
【発明の効果】このように本発明によれば、第2および
第3のデコード信号を出力するロウプリデコード信号線
の時定数による配線遅延の増大および消費電流の増大
を、少ない回路付加により実現できる。したがって、例
えば大容量の半導体メモリ等に本発明を適用すれば、低
消費電力で小型な半導体メモリを実現することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるデコーダ回路の実施例を示す構成
図、
【図2】図1に示した実施例における動作例を示す波形
図、
【図3】従来技術におけるデコーダ回路の構成図、
【図4】図3に示した従来技術における動作例を示す波
形図、
【図5】従来技術におけるデコーダ回路の構成図、
【図6】図5に示した従来技術における動作例を示す波
形図、
【図7】図1に示した本実施例の部分拡大図、
【図8】図3に示した従来技術における部分拡大図、
【図9】図4に示した従来技術における部分拡大図であ
る。
【符号の説明】
MCA1 〜MCAi メモリセルアレイ MCS1 〜MCSi セルアレイセレクタ PDEC1,PDEC2 ロウプリデコーダ REP0〜REPi リピータアレイ REPS1 〜REPSi-1 リピータアレイセレクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−225991(JP,A) 特開 昭59−157891(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 11/40 - 11/419

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の信号、第2の信号および第3の信
    号により構成される入力信号をデコードするデコーダ回
    路において、 前記第1の信号をデコードして第1のデコード信号を出
    力する第1のデコード手段と、 前記第2の信号をデコードして第2のデコード信号を出
    力する第2のデコード手段と、 前記第3の信号をデコードして第3のデコード信号を出
    力する第3のデコード手段と、 前記第1のデコード信号と第2のデコード信号を入力し
    て第4のデコード信号を出力する複数の第4のデコード
    手段と、 前記第1のデコード信号と第3のデコード信号を入力し
    て第5のデコード信号を出力する複数の第5のデコード
    手段と、 前記第4のデコード信号および第5のデコード信号を入
    力して第6のデコード信号を出力する複数の第6のデコ
    ード手段とを有し、 前記第4のデコード手段および第5のデコード手段はそ
    れぞれ、少なくとも1つが複数の第6のデコード手段に
    接続され、前記第4のデコード信号および第5のデコー
    ド信号により前記第6のデコード手段が選択されること
    を特徴とするデコーダ回路。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のデコーダ回路におい
    て、前記第1のデコーダ手段は、複数のセルアレイセレ
    クタと、このセルアレイセレクタに接続される複数のリ
    ピータアレイセレクタとを有し、 前記リピータアレイセレクタは、少なくとも2つの前記
    セルアレイセレクタに接続され、これらセルアレイセレ
    クタのいずれか1つが活性化されると第1のデコード信
    号を出力することを特徴とするデコーダ回路。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のデコーダ回路におい
    て、この回路は半導体メモリに適用されることを特徴と
    するデコーダ回路。
JP04055764A 1992-03-13 1992-03-13 デコーダ回路 Expired - Fee Related JP3108505B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04055764A JP3108505B2 (ja) 1992-03-13 1992-03-13 デコーダ回路
US08/030,708 US5297105A (en) 1992-03-13 1993-03-12 Semiconductor memory circuit
US08/215,487 US5452260A (en) 1992-03-13 1994-03-21 Semiconductor memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04055764A JP3108505B2 (ja) 1992-03-13 1992-03-13 デコーダ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05258574A JPH05258574A (ja) 1993-10-08
JP3108505B2 true JP3108505B2 (ja) 2000-11-13

Family

ID=13007924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04055764A Expired - Fee Related JP3108505B2 (ja) 1992-03-13 1992-03-13 デコーダ回路

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5297105A (ja)
JP (1) JP3108505B2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3108505B2 (ja) * 1992-03-13 2000-11-13 沖電気工業株式会社 デコーダ回路
JPH0628861A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
US5528549A (en) * 1993-05-28 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Apparatus, systems and methods for distributed signal processing
JPH0784863A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Hitachi Ltd 情報処理装置およびそれに適した半導体記憶装置
KR960009955B1 (en) * 1994-02-07 1996-07-25 Hyundai Electronics Ind Semiconductor memory device
EP0751526B1 (en) * 1995-06-26 2000-08-30 STMicroelectronics S.r.l. Bit line selection decoder, particularly for electronic memories
JP3884299B2 (ja) * 1996-03-11 2007-02-21 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6134172A (en) * 1996-12-26 2000-10-17 Rambus Inc. Apparatus for sharing sense amplifiers between memory banks
WO2007030816A2 (en) 2005-09-09 2007-03-15 A123 Systems, Inc. Lithium secondary cell with high charge and discharge rate capability and low impedance growth
JP2007207301A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Ricoh Co Ltd 半導体記憶装置
US8837250B2 (en) * 2010-07-20 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for word line decoder layout

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4660178A (en) * 1983-09-21 1987-04-21 Inmos Corporation Multistage decoding
JPS60138796A (ja) * 1983-12-27 1985-07-23 Toshiba Corp 半導体装置
NL8602178A (nl) * 1986-08-27 1988-03-16 Philips Nv Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
US4811297A (en) * 1986-12-16 1989-03-07 Fujitsu Limited Boundary-free semiconductor memory device
US5161121A (en) * 1988-06-27 1992-11-03 Oki Electric Industry Co., Ltd. Random access memory including word line clamping circuits
JP2875321B2 (ja) * 1990-01-29 1999-03-31 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置
JP3108505B2 (ja) * 1992-03-13 2000-11-13 沖電気工業株式会社 デコーダ回路

Also Published As

Publication number Publication date
US5452260A (en) 1995-09-19
JPH05258574A (ja) 1993-10-08
US5297105A (en) 1994-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE36089E (en) Column selecting circuit in semiconductor memory device
US5313425A (en) Semiconductor memory device having an improved error correction capability
JPH01171190A (ja) 大記憶容量高速動作スタティックramメモリ
JPH0863990A (ja) 半導体記憶装置
US5373471A (en) Semiconductor memory device having redundancy memory cells for replacing defective
JPH073754B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3108505B2 (ja) デコーダ回路
JP2000011639A (ja) 半導体記憶装置
JPS63220500A (ja) 半導体記憶装置の冗長回路
US6366526B2 (en) Static random access memory (SRAM) array central global decoder system and method
JP3220009B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3938803B2 (ja) ダイナミック型ram
KR100374632B1 (ko) 반도체 메모리장치 및 이의 메모리셀 어레이 블락 제어방법
US5487050A (en) Decoding circuit and method for a semiconductor memory device
JP3093432B2 (ja) 行デコーダ
US6765845B2 (en) Hierarchical word line scheme with decoded block selecting signals and layout method of the same
KR100301039B1 (ko) 칼럼선택선신호를제어하여데이터를마스킹하는반도체메모리장치및이의칼럼디코더
US6208581B1 (en) Hybrid memory device and method for controlling same
KR970051412A (ko) 메모리셀 어레이 블럭의 재배치가 가능한 반도체 메모리 장치
JP3715805B2 (ja) 半導体メモリ装置のワードライン駆動回路
JP2000251471A (ja) マルチバンクdramでのバンキング制御のための階層ロウ活動化方法
US6175527B1 (en) Semiconductor memory device having reduced component count and lower wiring density
JP2999477B2 (ja) 半導体記憶装置
KR0172352B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 제어회로
JP2821393B2 (ja) 半導体メモリ回路

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000829

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070908

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees