KR970051412A - 메모리셀 어레이 블럭의 재배치가 가능한 반도체 메모리 장치 - Google Patents

메모리셀 어레이 블럭의 재배치가 가능한 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 메모리셀 어레이 블럭 구제 기능을 가지는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 하나의 메모리셀 어레이 블럭에 대단히 많은 결함 메모리셀이 존재하는 경우 양호한 메모리셀 어레이 블럭들의 구성을 재배치하여 결함셀의 어드레스가 없도록 하여 생산 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 상기의 반도체 메모리 장치는, 워드라인의 활성화에 대응된 메모리셀의 데이터를 비트라인으로 전달하는 다수의 메모리셀 어레이 블럭들과, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 설치되며 프리디코딩된 로우 어드레스를 디코딩하여 해당 워드라인을 활성화시키는 다수의 로우 디코더 및 워드라인 드라이버와, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 접속되며 미리 설정된 로우 어드레스의 활성화에 응답하여 해당 메모리셀 어레이 블럭을 선택하기 위한 블럭선택신호를 발생하는 노말블럭 선택회로와, 상기 노말블럭 선택회로의 출력노드에 접속되어 있으며 퓨즈융단에 의해 상기 노말블럭 선택신호의 출력을 차단함과 동시에 프로그램 퓨즈의 융단에 의해 상기 접속된 메모리셀 어레이 블럭의 블럭선택 어드레스를 프로그램밍하며 상기 프로그래밍된 어드레스의 입력에 응답하여 상기 블럭선택신호를 활성화시키는 프로그램머블 블럭선택회로를 포함하여 구성된다.

Description

메모리셀 어레이 블럭의 재배치가 가능한 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도, 제1b도 및 제1c도는 본 발명에 따라 구성된 반도체 메모리 장치의 구성관계를 도시한 것으로, 이는 결함 메모리셀 어레이 블럭의 재배치를 용이하게 하는 구성을 나타낸 도면이다.

Claims (3)

  1. 워드라인의 활성화에 대응된 메모리셀의 데이터를 비트라인으로 전달하는 다수의 메모리셀 어레이 블럭들과, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 설치되며 프리디코딩된 로우 어드레스를 디코딩하여 해당 워드라인을 활성화시키는 다수의 로우 디코더 및 워드라인 드라이버를 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 접속되며 미리 설정된 로우 어드레스의 활성화에 응답하여 해당 메모리셀 어레이 블럭을 선택하기 위한 블럭선택신호를 발생하는 노말블럭 선택회로와, 상기 노말블럭 선택회로의 출력노드에 접속되어 있으며 퓨즈융단에 의해 상기 노말블럭 선택신호의 출력을 차단함과 동시에 프로그램 퓨즈의 융단에 의해 상기 접속된 메모리셀 어레이 블럭의 블럭선택 어드레스를 프로그램밍하며 상기 프로그래밍된 어드레스의 입력에 응답하여 상기 블럭선택신호를 활성화시키는 프로그램머블 블럭선택 회로로 구성함을 특징으로 하는 반도체메모리 장치.
  2. 워드라인의 활성화에 대응된 메모리셀의 데이터를 비트라인으로 전달하는 다수의 메모리셀 어레이 블럭들과, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 설치되며 블럭구동신호의 입력에 의해 인에이블되어 프리디코딩된 로우 어드레스를 디코딩하여 해당 워드라인을 활성화시키는 다수의 로우 디코더 및 워드라인 드라이버를 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 다수의 로우 디코더 및 워드라인 드라이버에 대응하여 설치되어 각각의 블럭구동신호를 발생하며 퓨즈의 융단에 의해 상기 블럭구동신호를 디스에이블하는 다수의 블럭디스에이블 회로와, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭에 각각 대응하여 접속되며 미리 설정된 로우 어드레스의 활성화에 응답하여 해당 메모리셀 어레이 블럭을 선택하기 위한 블럭선택신호를 발생하는 노말블럭 선택회로와, 상기 노말블럭 선택회로의 출력노드에 접속되어 있으며 퓨즈융단에 의해 상기 노말블럭 선택신호의 출력을 차단함과 동시에 프로그램 퓨즈의 융단에 의해 상기 접속된 메모리셀 어레이 블럭의 블럭선택 어드레스를 프로그램밍하며 상기 프로그래밍된 어드레스의 입력에 응답하여 상기 블럭선택신호를 활성화시키는 프로그램머블 블럭선택회로와, 상기 다수의 메모리셀 어레이 블럭중의 하나와 이에 이웃하는 메모리셀 어레이 블럭에 공유되며 상기 이웃하는 메모리셀 어레이블럭을 선택하기 위한 블럭선택신호들의 입력에 따라 해당 메모리셀 어레이 블럭의 비트라인을 분리/접속하는 분리제어신호에 응답하여 입력되는 메모리셀 어레이 블럭의 출력을 감지증폭하여 해당 데이터 신호를 출력하는 칼럼 데이터 출력부로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 메모리셀 어레이 블럭의 칼럼라인에 접속되며, 상기 다수의 블럭디스에이블 회로로부터 출력되는 블럭구동신호의 디스에이블에 의해 상기 결함 메모리셀 어레이 블럭의 칼럼라인의 등화전위를 차단하는 다수의 등화회로를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950053540A 1995-12-21 1995-12-21 메모리셀 어레이 블럭의 재배치가 가능한 반도체 메모리 장치 KR0172382B1 (ko)

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