JP3108420U

JP3108420U - 複同調回路

Info

Publication number: JP3108420U
Application number: JP2004006293U
Authority: JP
Inventors: 山本　正喜
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2004-10-26
Filing date: 2004-10-26
Publication date: 2005-04-14
Anticipated expiration: 2010-10-26

Abstract

【課題】ハイバンド同調時の一次同調回路と二次同調回路との結合状態を調整可能として、同調特性のバラツキを抑える。
【解決手段】一次同調コイル２の他端と二次同調コイル５の他端とを共に第１の結合コイル７を介して接地し、第１のハイバンド同調コイル２ａと第１のローバンド同調コイル２ｂとの接続点と、第２のハイバンド同調コイル５ａと第２のローバンド同調コイル５ｂとの接続点との間に、直列接続された第１及び第２のスイッチダイオード９、１０を接続し、その接続点を第２の結合コイル４１を介して接地すると共に、且つ、インダクタンス素子４３と容量素子４６との直列回路によって接地し、第１及び第２のスイッチダイオード９、１０をバンド切替電圧によって共にオン又はオフに切り替えた。
【選択図】図１

Description

本考案はテレビジョンチューナ等に使用される複同調回路に関する。

従来の複同調回路１１を図４に示す。入力端１１ａは高周波増幅器（図示せず）に接続され、出力端１１ｂは混合器（図示せず）に接続される。一次同調回路１１ｃにおいては、一端同士によって直列接続されたハイバンド用同調コイル１２とローバンド用同調コイル１３とが設けられ、ハイバンド用同調コイル１２の他端は入力端１１ａに接続される。入力端１１ａとグランドとの間には直列接続された直流阻止用コンデンサ１４とバラクタダイオード１５とが接続される。また、二次同調回路１１ｄにおいては、一端同士によって直列接続されたハイバンド用同調コイル１６とローバンド用同調コイル１７が設けられ、ハイバンド用同調コイル１６の他端は、出力端１１ｂに接続される。出力端１１ｂとグランドとの間に、直列接続された直流阻止用コンデンサ１８とバラクタダイオード１９とが接続される。２つのローバンド用同調コイル１３、１７の他端同士とグランドの間には直列接続された第一の結合用コイル２０及び第一の直流阻止用コンデンサ２１が接続される。

次に、一次同調回路１１ｃのハイバンド用同調コイル１２とローバンド用同調コイル１３との接続点と、二次同調回路１１ｄのハイバンド用同調コイル１６とローバンド用同調コイル１７との接続点との間に、直列接続された第一のスイッチダイオード２２と第二のスイッチダイオード２３とが設される。第一のスイッチダイオード２２と第二のスイッチダイオード２３との接続点とグランドとの間に、直列接続された第二の結合用コイル２４及び第二の直流阻止用コンデンサ２５が接続される。第二の直流阻止用コンデンサ２５がグランド側に接続されている。第二の結合コイル２４と第二の直流阻止用コンデンサ２５との接続点に給電抵抗２６の一端が接続され、その他端が第一の切替端子２７に接続される。

さらに、一次同調回路１１ｃにおけるハイバンド用同調コイル１２とローバンド用同調コイル１３との接続点に、給電抵抗２８の一端を接続し、その他端を第二の切替端子２９に接続される。同様に、二次同調回路１１ｄにおけるハイバンド用同調コイル１６とローバンド用同調コイル１７との接続点に、給電抵抗３０の一端を接続し、その他端を第二の切替端子２９に接続される。一次同調回路１１ｃにおける直流阻止用コンデンサ１４とバラクタダイオード１５との接続点に給電抵抗３１の一端を接続し、その他端を同調電圧端子３２に接続する。同様に二次同調回路１１ｄにおける直流阻止用コンデンサ１８とバラクタダイオード１９の接続点に給電抵抗３３の一端を接続し、その他端を同調電圧端子３２に接続する。

この複同調回路１１を、ローバンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替える場合は、第一の切替端子２７に、例えば５Ｖのバンド切替電圧を印加し、第２の切替端子２９に０Ｖのバンド切替電圧を印加する。すると、第一のスイッチダイオード２２及び第二のスイッチダイオード２３は非導通状態となって、一次同調回路１１ｃはハイバンド用同調コイル１２及びローバンド用同調コイル１３とバラクタダイオード１５によってローバンドに同調し、二次同調回路１１ｄは、ハイバンド用同調コイル１６及びローバンド用同調コイル１７とバラクタダイオード１９によってローバンドに同調する。一次同調回路１１ｃと二次同調回路１１ｄは第１の結合コイル２０によって結合される。

一方、ハイバンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替える場合は、第二の切替端子２９に５Ｖのバンド切替電圧を印加し、第一の切替端子２７に０Ｖの切替電圧を印加する。すると、第一のスイッチダイオード２３及び第二のスイッチダイオード２４は導通状態になって、一次同調回路１１ｃはハイバンド用同調コイル１２とバラクタダイオード１５によってハイバンドに同調し、二次同調回路１１ｄはハイバンド用同調コイル１６とバラクタダイオード１９とによってハイバンドに同調する。一次同調回路１１ｃと二次同調回路１１ｄとは第２の結合コイル２４によって結合される（例えば、特許文献１参照。）。

特開平１１−２０５７００号公報（図１）

一次同調回路１１ｃと二次同調回路１１ｄとは、ハイバンド同調時とローバンド同調時にぞれ専用の結合コイル２４、２０によって結合されるが、ハイバンド時の結合コイル２４は非常に小さなインダクタンス値となるため、インダクタンス値のバラツキの割合が大きくなり、帯域幅等の同調特性を一定にすることが困難である。

本考案は、ハイバンド同調時の一次同調回路と二次同調回路との結合状態を調整可能として、同調特性のバラツキを抑えることを目的とする。

上記課題に対する第１の解決手段として、第１のバラクタダイオードを有する一次同調回路と、第２のバラクタダイオードを有する二次同調回路とを備え、前記一次同調回路には、直列接続された第１のハイバンド同調コイルと第１のローバンド同調コイルとからなって、前記第１のハイバンド同調コイル側の一端が前記第１のバラクタダイオードの一端に接続された一次同調コイルを設け、前記二次同調回路には、直列接続された第２のハイバンド同調コイルと第２のローバンド同調コイルとからなって、前記第２のハイバンド同調コイル側の一端が前記第２のバラクタダイオードの一端に接続された二次同調コイルを設け、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地すると共に、カソードに同調電圧を印加し、前記一次同調コイルの他端と前記二次同調コイルの他端とを共に第１の結合コイルを介して接地し、前記第１のハイバンド同調コイルと第１のローバンド同調コイルとの接続点と、前記第２のハイバンド同調コイルと前記第２のローバンド同調コイルとの接続点との間に、直列接続された第１及び第２のスイッチダイオードを接続し、その接続点を第２の結合コイルを介して接地すると共に、且つ、インダクタンス素子と容量素子との直列回路によって接地し、前記第１及び第２のスイッチダイオードをバンド切替電圧によって共にオン又はオフに切り替えた。

また、第２の解決手段として、前記バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、前記第１のスイッチダイオードと前記第２のスイッチダイオードとの接続点と前記切替端子との間に前記インダクタンス素子を介挿し、前記インダクタンス素子の前記切替端子側の一端を前記容量素子によって接地した。

また、第３の解決手段として、第３の解決手段として、前記バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、前記第１のスイッチダイオードと前記第２のスイッチダイオードとの接続点と前記切替端子との間に前記インダクタンス素子を介挿すると共に、前記インダクタンス素子と前記切替端子との間に給電用の抵抗を介挿し、前記抵抗に前記容量素子を並列に接続し、前記抵抗の前記切替端子側の一端を高周波的に接地した。

また、第４の解決手段として、第４の解決手段として、前記一次同調回路及び二次同調回路を回路基板上に構成し、前記インダクタンス素子を前記回路基板上に設けられた配線パターンで形成した。

第１の解決手段によれば、一次同調コイルの他端と二次同調コイルの他端とを共に第１の結合コイルを介して接地し、第１のハイバンド同調コイルと第１のローバンド同調コイルとの接続点と、第２のハイバンド同調コイルと第２のローバンド同調コイルとの接続点との間に、直列接続された第１及び第２のスイッチダイオードを接続し、その接続点を第２の結合コイルを介して接地すると共に、且つ、インダクタンス素子と容量素子との直列回路によって接地し、第１及び第２のスイッチダイオードをバンド切替電圧によって共にオン又はオフに切り替えたので、スイッチダイオードがオンとなるハイバンド同調時には、一次同調回路と二次同調回路とが第２の結合コイルによって結合されると共に、インダクタンス素子と容量素子との直列回路によっても結合される。そこで、結合状態が不適切である場合は、容量素子の交換によって容量値を変えることで、結合状態をきめ細かに補正することができる。

また、第２の解決手段によれば、バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、第１のスイッチダイオードと第２のスイッチダイオードとの接続点と切替端子との間にインダクタンス素子を介挿し、インダクタンス素子の切替端子側の一端を容量素子によって接地したので、インダクタンス素子をスイッチダイオードのオン／オフするための給電ラインとしても兼用できる。

また、第３の解決手段によれば、第３の解決手段として、バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、第１のスイッチダイオードと第２のスイッチダイオードとの接続点と切替端子との間にインダクタンス素子を介挿すると共に、インダクタンス素子と切替端子との間に給電用の抵抗を介挿し、抵抗に容量素子を並列に接続し、抵抗の切替端子側の一端を高周波的に接地したので、インダクタンス素子と容量素子とを直列接続状態とすることができる。

また、第４の解決手段によれば、第４の解決手段として、一次同調回路及び二次同調回路を回路基板上に構成し、インダクタンス素子を回路基板上に設けられた配線パターンで形成したので、インダクタンス素子のインダクタンス値とそのバラツキを小さくでき、結合状態の補正がし易い。

本考案の複同調回路１を図１に示す。入力端１ａは高周波増幅器（図示せず）に接続され、出力端１ｂは混合器（図示せず）に接続される。一次同調回路１ｃにおいては、直列接続された第１のハイバンド同調コイル２ａと第１のローバンド同調コイル２ｂとからなる一次同調コイル２が設けられ、第１のハイバンド同調コイル２ａ側の一端は入力端１ａに接続される。入力端１ａとグランドとの間には直列接続された直流阻止用コンデンサ３と第１のバラクタダイオード４とが接続される。

また、二次同調回路１ｄにおいては、直列接続された第２のハイバンド同調コイル５ａと第２のローバンド同調コイル５ｂとからなる二次同調コイル５が設けられ、第２のハイバンド同調コイル５ａ側の一端は出力端１ｂに接続される。出力端１ｂとグランドとの間には第２のバラクタダイオード６が接続される。２つのローバンド同調コイル２ｂ、５ｂ側の他端同士とグランドの間には直列接続された第１の結合コイル７及び第１の直流阻止コンデンサ８が接続される。第１の直流阻止コンデンサ８がグランド側に設けられる。第１の結合コイル７と第１の直流阻止コンデンサ８との接続点には電源電圧Ｖｂが印加される。

次に、一次同調回路１ｃにおける第１のハイバンド同調コイル２ａと第１のローバンド同調コイル２ｂとの接続点に第１のスイッチダイオード９のアノードが接続され、二次同調回路１ｄにおける第２のハイバンド同調コイル５ａと第２のローバンド同調コイル５ｂとの接続点との間に第２のスイッチダイオード１０のアノードが接続される。よって、２つのスイッチダイオード９、１０のアノードには、電源電圧Ｖｂが供給される。そして、それらのカソードが総合に接続されることで２つのスイッチダイオード９、１０が直列に接続される。

第１のスイッチダイオード９と第２のスイッチダイオード１０との接続点（カソード）とグランドとの間に、直列接続された第２の結合用コイル４１及び第２の直流阻止用コンデンサ４２が接続される。第１及び第２のスイッチダイオード９、１０のカソードは、順に、給電用のインダクタンス素子４３及び抵抗４４を介して切替端子４５に接続される。インダクタンス素子４３は一次及び二次同調回路１ｃ、１ｄと共に回路基板（図示せず）上に構成され、インダクタンス素子４３は配線パターンによって形成される。インダクタンス素子４３と抵抗４４との接続点は容量素子４６によって接地され、抵抗４４の切替端子側の一端は直流阻止コンデンサ４７によって高周波的に接地される。なお、容量素子４６は抵抗４４に並列に接続してもよい。切替端子４５にはスイッチダイオード９、１０を共にオンまたはオフに切り替えるための切替電圧Ｖｓが印加される。

第２のバラクタダイオード６のカソードは給電抵抗４８を介して同調電圧端子４９に接続される。また、第１のバラクタダイオード４のカソードは抵抗５０によって第２のハイバンド同調コイル５ａに接続される。同調電圧端子４９には２つのバラクタダイオード４、６の容量を変化する為の同調電圧が印加される。

この複同調回路１を、ローバンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替える場合は、切替端子４５に、例えば５Ｖのバンド切替電圧を印加して第１及び第２のスイッチダイオード９、１０をオフにする。この結果、図２に示すように、一次同調回路１ｃは第１のハイバンド同調コイル２ａ及び第１のローバンド同調コイル２ｂと第１のバラクタダイオード４とによってローバンドに同調し、二次同調回路１ｄは、第２のハイバンド同調コイル５ａ及び第２のローバンド同調コイル５ｂと第２のバラクタダイオード６とによってローバンドに同調する。一次同調回路１ｃと二次同調回路１ｄは第１の結合コイル８によって結合される。

一方、ハイバンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替える場合は、切替端子４５に０Ｖの切替電圧を印加して第１及び第２のスイッチダイオード９、１０をオンする。この結果、図３に示すように、一次同調回路１ｃは第１のハイバンド同調コイル２ａと第１のバラクタダイオード４とによってハイバンドに同調し、二次同調回路１ｄは第２のハイバンド同調コイル５ａと第２のバラクタダイオード６とによってハイバンドに同調する。一次同調回路１ｃと二次同調回路１ｄとは第２の結合コイル４１によって結合されるが、インダクタンス素子４３と容量素子４６との直列回路によっても結合される。

ここで、結合状態が不適切である場合は、容量素子４６の容量値を変えることで結合の補正が可能となる。即ち、第２の結合コイル４１及びインダクタンス素子４３のインダクタンス値は極めて小さいので、これらのインダクタンス値がばらついても適切な値に変えることは困難であるが、容量素子４６の容量値を変えることで全体のインダクタンス値をきめ細かに変えることは容易である。

本考案の複同調回路の構成を示す回路図である。本考案の複同調回路のローバンド同調時の等価回路図である。本考案の複同調回路のハイバンド同調時の等価回路図である。従来の複同調回路の構成を示す回路図である。

符号の説明

１：複同調回路
１ａ：入力端
１ｂ：出力端
１ｃ：一次同調回路
１ｄ：二次同調回路
２：一次同調コイル
２ａ：第１のハイバンド同調コイル
２ｂ：第１のローバンド同調コイル
３：直流カットコンデンサ
４：第１のバラクタダイオード
５：二次同調回路
５ａ：第２のハイバンド同調コイル
５ｂ：第２のローバンド同調コイル
６：第２のバラクタダイオード
７：第１の結合コイル
８：第１の直流カットコンデンサ
９：第１のスイッチダイオード
１０：第２のスイッチダイオード
４１：第２の結合コイル
４２：第２の直流カットコンデンサ
４３：インダクタンス素子
４４：抵抗
４５：切替端子
４６：容量素子
４７：直流カットコンデンサ
４８：抵抗
４９：同調電圧端子
５０：抵抗

Claims

第１のバラクタダイオードを有する一次同調回路と、第２のバラクタダイオードを有する二次同調回路とを備え、前記一次同調回路には、直列接続された第１のハイバンド同調コイルと第１のローバンド同調コイルとからなって、前記第１のハイバンド同調コイル側の一端が前記第１のバラクタダイオードの一端に接続された一次同調コイルを設け、前記二次同調回路には、直列接続された第２のハイバンド同調コイルと第２のローバンド同調コイルとからなって、前記第２のハイバンド同調コイル側の一端が前記第２のバラクタダイオードの一端に接続された二次同調コイルを設け、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地すると共に、カソードに同調電圧を印加し、前記一次同調コイルの他端と前記二次同調コイルの他端とを共に第１の結合コイルを介して接地し、前記第１のハイバンド同調コイルと第１のローバンド同調コイルとの接続点と、前記第２のハイバンド同調コイルと前記第２のローバンド同調コイルとの接続点との間に、直列接続された第１及び第２のスイッチダイオードを接続し、その接続点を第２の結合コイルを介して接地すると共に、且つ、インダクタンス素子と容量素子との直列回路によって接地し、前記第１及び第２のスイッチダイオードをバンド切替電圧によって共にオン又はオフに切り替えたことを特徴とする複同調回路。
第２の解決手段として、前記バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、前記第１のスイッチダイオードと前記第２のスイッチダイオードとの接続点と前記切替端子との間に前記インダクタンス素子を介挿し、前記インダクタンス素子の前記切替端子側の一端を前記容量素子によって接地したことを特徴とする請求項１に記載の複同調回路。
第３の解決手段として、前記バンド切替電圧を印加するための切替端子を設け、前記第１のスイッチダイオードと前記第２のスイッチダイオードとの接続点と前記切替端子との間に前記インダクタンス素子を介挿すると共に、前記インダクタンス素子と前記切替端子との間に給電用の抵抗を介挿し、前記抵抗に前記容量素子を並列に接続し、前記抵抗の前記切替端子側の一端を高周波的に接地したことを特徴とする請求項１に記載の複同調回路。
第４の解決手段として、前記一次同調回路及び二次同調回路を回路基板上に構成し、前記インダクタンス素子を前記回路基板上に設けられた配線パターンで形成したことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の複同調回路。