JP3077126B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP3077126B2 JP3077126B2 JP27025091A JP27025091A JP3077126B2 JP 3077126 B2 JP3077126 B2 JP 3077126B2 JP 27025091 A JP27025091 A JP 27025091A JP 27025091 A JP27025091 A JP 27025091A JP 3077126 B2 JP3077126 B2 JP 3077126B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、強誘電性液晶を用い
た液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、この発明
は、強誘電性液晶を用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方
蒸着膜を有する液晶表示素子であって、直交偏光板の間
に挟んで使用した場合に、大きなコントラストがメモリ
ー性よく得られる液晶表示素子に関する。
た液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、この発明
は、強誘電性液晶を用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方
蒸着膜を有する液晶表示素子であって、直交偏光板の間
に挟んで使用した場合に、大きなコントラストがメモリ
ー性よく得られる液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュター、ワードプロセッサ
ーの発展に伴い、それらのディスプレイとして様々な種
類の液晶表示素子が広く開発されている。中でも強誘電
性液晶を用いた液晶表示素子は高速応答性とメモリ−性
（双安定性）に優れ、大表示容量のマトリックス表示に
好適な液晶表示素子として注目されている。
ーの発展に伴い、それらのディスプレイとして様々な種
類の液晶表示素子が広く開発されている。中でも強誘電
性液晶を用いた液晶表示素子は高速応答性とメモリ−性
（双安定性）に優れ、大表示容量のマトリックス表示に
好適な液晶表示素子として注目されている。
【０００３】強誘電性液晶を用いた液晶表示素子として
は、近年、その液晶層（ＳｍＣ*）の厚さを液晶のらせ
んピッチに対して薄く形成し、らせんがほどけた状態で
使用する所謂ＳＳＦＬＣ（surface stabilized ferroel
ectric liqiud crystal ）について研究が進められてい
る。このＳＳＦＬＣの使用態様としては、液晶を直交偏
光板の間に挟み複屈折効果を利用するものと、偏光板を
１枚用いたゲスト・ホスト形とがある。このうち、前者
の態様においては、液晶分子のみかけのコーン角（Ｓｍ
Ｃ*層の液晶分子の長軸方向がスイッチングする際に描
く円錐の頂角）が４５°となる場合に液晶表示素子は最
大のコントラストを有するようになる。このため、この
ような液晶表示素子の研究においては、液晶のみかけの
コーン角を４５°に近づけ、液晶表示素子が大きなコン
トラストを有するようにする方法が種々が試みられてい
る。
は、近年、その液晶層（ＳｍＣ*）の厚さを液晶のらせ
んピッチに対して薄く形成し、らせんがほどけた状態で
使用する所謂ＳＳＦＬＣ（surface stabilized ferroel
ectric liqiud crystal ）について研究が進められてい
る。このＳＳＦＬＣの使用態様としては、液晶を直交偏
光板の間に挟み複屈折効果を利用するものと、偏光板を
１枚用いたゲスト・ホスト形とがある。このうち、前者
の態様においては、液晶分子のみかけのコーン角（Ｓｍ
Ｃ*層の液晶分子の長軸方向がスイッチングする際に描
く円錐の頂角）が４５°となる場合に液晶表示素子は最
大のコントラストを有するようになる。このため、この
ような液晶表示素子の研究においては、液晶のみかけの
コーン角を４５°に近づけ、液晶表示素子が大きなコン
トラストを有するようにする方法が種々が試みられてい
る。
【０００４】たとえば、液晶のコーン角は基板に形成し
た配向膜の影響を大きく受けるので、種々の方法で配向
膜を形成することが試みられており、一般に、高真空下
で耐熱ボート中のＳｉＯを加熱蒸発させ、基板に対して
ＳｉＯを斜めに蒸着させたＳｉＯ斜方蒸着膜が有効であ
ることが知られている。
た配向膜の影響を大きく受けるので、種々の方法で配向
膜を形成することが試みられており、一般に、高真空下
で耐熱ボート中のＳｉＯを加熱蒸発させ、基板に対して
ＳｉＯを斜めに蒸着させたＳｉＯ斜方蒸着膜が有効であ
ることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
有効であるとされている従来のＳｉＯ斜方蒸着膜を形成
した強誘電性液晶表示素子においても、液晶のみかけの
コーン角を４５°にすることは困難であり、そのために
最大のコントラストを実現することができなかった。ま
た、強誘電性液晶の特徴である、電界をオフしてもなお
表示が保持されるメモリ効果についても、電界のオフ時
には電界の印加時と比較してみかけのコーン角が減少
し、メモリ時の表示がそこなわれ易いという問題もあっ
た。さらに、液晶注入時にＳｉＯ斜方蒸着膜の多孔性が
原因と考えられる気泡が液晶内に混入し、均一な配向が
得られ難いという問題もあった。
有効であるとされている従来のＳｉＯ斜方蒸着膜を形成
した強誘電性液晶表示素子においても、液晶のみかけの
コーン角を４５°にすることは困難であり、そのために
最大のコントラストを実現することができなかった。ま
た、強誘電性液晶の特徴である、電界をオフしてもなお
表示が保持されるメモリ効果についても、電界のオフ時
には電界の印加時と比較してみかけのコーン角が減少
し、メモリ時の表示がそこなわれ易いという問題もあっ
た。さらに、液晶注入時にＳｉＯ斜方蒸着膜の多孔性が
原因と考えられる気泡が液晶内に混入し、均一な配向が
得られ難いという問題もあった。
【０００６】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子において、液晶のみかけのコーン角が４５°
に十分近づくようにし、液晶表示素子を直交偏光板の間
に挟んで使用した場合に最大コントラストあるいはそれ
に近い大きなコントラストが得られるようにすること、
またメモリー性を向上させ、液晶注入時に気泡が混入し
ないようにすることを目的とする。
解決しようとするものであり、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子において、液晶のみかけのコーン角が４５°
に十分近づくようにし、液晶表示素子を直交偏光板の間
に挟んで使用した場合に最大コントラストあるいはそれ
に近い大きなコントラストが得られるようにすること、
またメモリー性を向上させ、液晶注入時に気泡が混入し
ないようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明者は、上記の目
的が、強誘電性液晶表示素子の液晶配向膜として、単な
るＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるのではなく、ＳｉＯ斜方蒸
着膜を形成後、特定の温度範囲でアニール処理してその
ＳｉＯ斜方蒸着膜が適度の表面粗度を有するようにした
ものを設けるか、あるいはＳｉＯ斜方蒸着膜を形成後、
特定の温度範囲でアニール処理してそのＳｉＯ斜方蒸着
膜が適度のＳｉ２ｐ結合エネルギーを有するようにした
ものを設けることにより達成できることを知見し、この
発明をなすに至った。
的が、強誘電性液晶表示素子の液晶配向膜として、単な
るＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるのではなく、ＳｉＯ斜方蒸
着膜を形成後、特定の温度範囲でアニール処理してその
ＳｉＯ斜方蒸着膜が適度の表面粗度を有するようにした
ものを設けるか、あるいはＳｉＯ斜方蒸着膜を形成後、
特定の温度範囲でアニール処理してそのＳｉＯ斜方蒸着
膜が適度のＳｉ２ｐ結合エネルギーを有するようにした
ものを設けることにより達成できることを知見し、この
発明をなすに至った。
【０００８】即ち、第１のこの発明は、強誘電性液晶を
用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶
表示素子において、該ＳｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３０
０℃でアニール処理され、その表面粗度が５．５ｎｍ以
下となっていることを特徴とする液晶表示素子を提供す
る。
用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶
表示素子において、該ＳｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３０
０℃でアニール処理され、その表面粗度が５．５ｎｍ以
下となっていることを特徴とする液晶表示素子を提供す
る。
【０００９】また、第２のこの発明は、強誘電性液晶を
用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶
表示素子において、該ＳｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３０
０℃でアニール処理され、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーが１
０３．０〜１０３．３ｅＶとなっていることを特徴とす
る液晶表示素子を提供する。
用い、液晶配向膜としてＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶
表示素子において、該ＳｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３０
０℃でアニール処理され、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーが１
０３．０〜１０３．３ｅＶとなっていることを特徴とす
る液晶表示素子を提供する。
【００１０】このように、この発明においては、液晶配
向膜として、表面粗度あるいはＳｉ２ｐ結合エネルギー
が上記の範囲を有するＳｉＯ斜方蒸着膜を設ける。これ
により、液晶のみかけのコーン角がメモリ時、電界印加
時共に最大コントラストが得られる４５°付近となる。
また、このように形成したＳｉＯ斜方蒸着膜は、気泡が
混入することもない。一方、表面粗度あるいはＳｉ２ｐ
結合エネルギーが上記の範囲外となると液晶のみかけの
コーン角が４５°から離れた値となり、最大コントラス
トを実現することができない。
向膜として、表面粗度あるいはＳｉ２ｐ結合エネルギー
が上記の範囲を有するＳｉＯ斜方蒸着膜を設ける。これ
により、液晶のみかけのコーン角がメモリ時、電界印加
時共に最大コントラストが得られる４５°付近となる。
また、このように形成したＳｉＯ斜方蒸着膜は、気泡が
混入することもない。一方、表面粗度あるいはＳｉ２ｐ
結合エネルギーが上記の範囲外となると液晶のみかけの
コーン角が４５°から離れた値となり、最大コントラス
トを実現することができない。
【００１１】表面粗度あるいはＳｉ２ｐ結合エネルギー
が上記の範囲を有するＳｉＯ斜方蒸着膜の形成方法とし
ては、まず従来例と同様にＳｉＯ斜方蒸着膜を形成し、
次いで、通常２５０〜３００℃程度に加熱し、アニール
処理すればよい。アニール温度をこの範囲よりも低い２
００℃程度とすると、通常ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面粗度
は５．５ｎｍよりも大きく、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーは
１０３．０ｅＶ未満となり、液晶のみかけのコーン角は
約３５°という小さい値をとるようになる。一方、アニ
ール温度をこの範囲よりも高い３６０℃程度とすると、
通常ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面粗度は５．５ｎｍよりも大
きく、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーは１０３．３ｅＶよりも
大きくなり、この場合も液晶のみかけのコーン角は約３
５°という小さい値をとるようになる。なお、アニール
温度を２００℃以下とすると気泡が混入し、液晶表示素
子のセル全体にわたって均一な配向が得られないので好
ましくない。
が上記の範囲を有するＳｉＯ斜方蒸着膜の形成方法とし
ては、まず従来例と同様にＳｉＯ斜方蒸着膜を形成し、
次いで、通常２５０〜３００℃程度に加熱し、アニール
処理すればよい。アニール温度をこの範囲よりも低い２
００℃程度とすると、通常ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面粗度
は５．５ｎｍよりも大きく、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーは
１０３．０ｅＶ未満となり、液晶のみかけのコーン角は
約３５°という小さい値をとるようになる。一方、アニ
ール温度をこの範囲よりも高い３６０℃程度とすると、
通常ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面粗度は５．５ｎｍよりも大
きく、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーは１０３．３ｅＶよりも
大きくなり、この場合も液晶のみかけのコーン角は約３
５°という小さい値をとるようになる。なお、アニール
温度を２００℃以下とすると気泡が混入し、液晶表示素
子のセル全体にわたって均一な配向が得られないので好
ましくない。
【００１２】上述したように、この発明の液晶表示素子
においては、液晶配向膜として、表面粗度が５．５ｎｍ
以下となるように、あるいはＳｉ２ｐ結合エネルギーが
１０３．０〜１０３．３ｅＶとなるように、２５０〜３
００℃でアニール処理したＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるこ
とを特徴とし、それ以外の構成要素、例えば基板、基板
間に注入する強誘電性液晶などについては従来の液晶表
示素子と同様にすることができる。
においては、液晶配向膜として、表面粗度が５．５ｎｍ
以下となるように、あるいはＳｉ２ｐ結合エネルギーが
１０３．０〜１０３．３ｅＶとなるように、２５０〜３
００℃でアニール処理したＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるこ
とを特徴とし、それ以外の構成要素、例えば基板、基板
間に注入する強誘電性液晶などについては従来の液晶表
示素子と同様にすることができる。
【００１３】
【作用】この発明の液晶表示素子においては、液晶配向
膜として表面粗度が５．５ｎｍ以下となるように２５０
〜３００℃でアニール処理したＳｉＯ斜方蒸着膜、ある
いはＳｉ２ｐ結合エネルギーが１０３．０〜１０３．３
ｅＶとなるように２５０〜３００℃でアニール処理した
ＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるので、液晶のみかけのコーン
角が４５°付近となる。したがって、このような液晶を
直交偏光板の間に挟むようにして使用すると、メモリ
時、電界印加時共に最大のコントラストを得ることが可
能となる。
膜として表面粗度が５．５ｎｍ以下となるように２５０
〜３００℃でアニール処理したＳｉＯ斜方蒸着膜、ある
いはＳｉ２ｐ結合エネルギーが１０３．０〜１０３．３
ｅＶとなるように２５０〜３００℃でアニール処理した
ＳｉＯ斜方蒸着膜を設けるので、液晶のみかけのコーン
角が４５°付近となる。したがって、このような液晶を
直交偏光板の間に挟むようにして使用すると、メモリ
時、電界印加時共に最大のコントラストを得ることが可
能となる。
【００１４】また、このようなＳｉＯ斜方蒸着膜には気
泡が混入することもないので、液晶表示素子のセル全体
にわたって均一な配向を得ることが可能となる。
泡が混入することもないので、液晶表示素子のセル全体
にわたって均一な配向を得ることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。
説明する。
【００１６】実施例１ ピンホールのあいた蓋付きタンタル製ボートにＳｉＯ粉
末（純度９９．９９％、フルウチ化学製）を入れ、それ
を以下の条件で抵抗加熱することにより、ＩＴＯ（面抵
抗１００Ω／□）が設けられたガラス基板上に膜厚６０
０オングストロームのＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した。
末（純度９９．９９％、フルウチ化学製）を入れ、それ
を以下の条件で抵抗加熱することにより、ＩＴＯ（面抵
抗１００Ω／□）が設けられたガラス基板上に膜厚６０
０オングストロームのＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した。
【００１７】真空度： ８×１０−６Ｔｏｒｒ 基板温度： １７０℃ ガラス基板の法線とボートの垂線との為す角度： ８
５° 蒸着速度： １オングストローム／秒 なお、基板温度は、真空蒸着器内部に設置された熱電対
で常時モニターし、得られた情報に応じて基板加熱用電
源を自動的に操作することにより一定に保持した。ま
た、蒸着速度は、水晶振動子膜厚計（ＣＲＴＭ−５００
０、アルバック社製）を用いて常時モニターし、得られ
た情報にタンタル製ボート加熱用電源を自動的に操作す
ることにより一定に保持した。
５° 蒸着速度： １オングストローム／秒 なお、基板温度は、真空蒸着器内部に設置された熱電対
で常時モニターし、得られた情報に応じて基板加熱用電
源を自動的に操作することにより一定に保持した。ま
た、蒸着速度は、水晶振動子膜厚計（ＣＲＴＭ−５００
０、アルバック社製）を用いて常時モニターし、得られ
た情報にタンタル製ボート加熱用電源を自動的に操作す
ることにより一定に保持した。
【００１８】次に、このようにしてＳｉＯ斜方蒸着膜を
形成したガラス基板を、ヤマト科学製クリーンオーブン
ＤＴ−６２を用い、空気中にて一定温度（２４０℃）で
１時間加熱し、アニール処理した。
形成したガラス基板を、ヤマト科学製クリーンオーブン
ＤＴ−６２を用い、空気中にて一定温度（２４０℃）で
１時間加熱し、アニール処理した。
【００１９】次に、アニール処理したＳｉＯ斜方蒸着膜
が形成されているガラス基板２枚を、１．６〜１．８μ
ｍの基板間ギャップで互いに蒸着方向が反平行になるよ
うに組み、その間に強誘電性液晶（ＣＳ−１０１４、チ
ッソ株式会社製）を、真空オーブン（ＤＰ−３２、ヤマ
ト科学製）を用いて真空下、等方相で注入し、その後、
自然冷却した。
が形成されているガラス基板２枚を、１．６〜１．８μ
ｍの基板間ギャップで互いに蒸着方向が反平行になるよ
うに組み、その間に強誘電性液晶（ＣＳ−１０１４、チ
ッソ株式会社製）を、真空オーブン（ＤＰ−３２、ヤマ
ト科学製）を用いて真空下、等方相で注入し、その後、
自然冷却した。
【００２０】このように製造した液晶セル中の液晶は欠
陥のない均一なモノドメイン（ＳｍＣ＊）を形成してい
た。
陥のない均一なモノドメイン（ＳｍＣ＊）を形成してい
た。
【００２１】実施例２〜４ ２５０℃、２６０℃、３００℃の各温度でアニール処理
する以外は実施例１と同様にしてＳｉＯ斜方蒸着膜をガ
ラス基板上に形成し、液晶セルを製造した。
する以外は実施例１と同様にしてＳｉＯ斜方蒸着膜をガ
ラス基板上に形成し、液晶セルを製造した。
【００２２】比較例１ アニール処理をしない以外は実施例１と同様にしてＳｉ
Ｏ斜方蒸着膜をガラス基板上に形成し、液晶セルを製造
した。
Ｏ斜方蒸着膜をガラス基板上に形成し、液晶セルを製造
した。
【００２３】比較例２〜６ １００℃、２００℃、２２０℃、３４０℃、３６０℃の
各温度でアニール処理する以外は実施例１と同様にして
ＳｉＯ斜方蒸着膜をガラス基板上に形成し、液晶セルを
製造した。
各温度でアニール処理する以外は実施例１と同様にして
ＳｉＯ斜方蒸着膜をガラス基板上に形成し、液晶セルを
製造した。
【００２４】評価 （表面粗度）実施例４（アニール温度３００℃）および
比較例１〜３、６（アニールなし、アニール温度１００
℃、２００℃、３６０℃）のＳｉＯ斜方蒸着膜（アニー
ル処理後のもの）について、ＡＦＭにより表面粗度Ｒｚ
を測定し、表面粗度Ｒｚとアニール温度との関係を調べ
た。なお、アニール処理をしなかった比較例１は、アニ
ール温度を２５℃とした。
比較例１〜３、６（アニールなし、アニール温度１００
℃、２００℃、３６０℃）のＳｉＯ斜方蒸着膜（アニー
ル処理後のもの）について、ＡＦＭにより表面粗度Ｒｚ
を測定し、表面粗度Ｒｚとアニール温度との関係を調べ
た。なお、アニール処理をしなかった比較例１は、アニ
ール温度を２５℃とした。
【００２５】結果を図１に示す。同図のように、室温か
ら３００℃程度まではアニール温度が高くなるにつれて
表面粗度Ｒｚは低下するが、３６０℃では表面粗度Ｒｚ
が飛躍的に増大していた。
ら３００℃程度まではアニール温度が高くなるにつれて
表面粗度Ｒｚは低下するが、３６０℃では表面粗度Ｒｚ
が飛躍的に増大していた。
【００２６】（Ｓｉ２ｐ結合エネルギー）実施例１、
３、４（アニール温度２４０℃、２６０℃、３００℃）
および比較例１〜６（アニールなし、アニール温度１０
０℃、２００℃、２２０℃、３４０℃、３６０℃）のＳ
ｉＯ斜方蒸着膜（アニール処理後のもの）について、Ｘ
ＰＳにより組成解析を行い、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーと
アニール温度との関係を調べた。
３、４（アニール温度２４０℃、２６０℃、３００℃）
および比較例１〜６（アニールなし、アニール温度１０
０℃、２００℃、２２０℃、３４０℃、３６０℃）のＳ
ｉＯ斜方蒸着膜（アニール処理後のもの）について、Ｘ
ＰＳにより組成解析を行い、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーと
アニール温度との関係を調べた。
【００２７】結果を図２に示す。なお、同図において、
縦軸はＳｉ２ｐ結合エネルギーのピーク位置を示してい
る。また、エネルギーの較正は、コンタミカーボンのピ
ーク位置を２８４．６ｅＶとして行った。
縦軸はＳｉ２ｐ結合エネルギーのピーク位置を示してい
る。また、エネルギーの較正は、コンタミカーボンのピ
ーク位置を２８４．６ｅＶとして行った。
【００２８】この結果、アニール温度が上昇するにつれ
て次第にＳｉＯ斜方蒸着膜の酸化が進んでＳｉＯ２のＳ
ｉ２ｐ結合エネルギーのピーク位置である１０３．４ｅ
Ｖに近づき、アニール温度が３４０℃以上ではほとんど
ＳｉＯ２と変わらず、酸化がほぼ完了することがわか
る。
て次第にＳｉＯ斜方蒸着膜の酸化が進んでＳｉＯ２のＳ
ｉ２ｐ結合エネルギーのピーク位置である１０３．４ｅ
Ｖに近づき、アニール温度が３４０℃以上ではほとんど
ＳｉＯ２と変わらず、酸化がほぼ完了することがわか
る。
【００２９】（コーン角）実施例２、４および比較例１
〜３、６で得た液晶セルに、±２０Ｖ、１ｍｓｅｃのパ
ルスを印加して液晶分子を反転させ、クロスニコル下の
消光位により、電界印加時およびメモリ時の液晶のみか
けのコーン角を測定した。また、気泡の有無をクロスニ
コル下で液晶セルを回転させることにより観察した。結
果を表１に示す。
〜３、６で得た液晶セルに、±２０Ｖ、１ｍｓｅｃのパ
ルスを印加して液晶分子を反転させ、クロスニコル下の
消光位により、電界印加時およびメモリ時の液晶のみか
けのコーン角を測定した。また、気泡の有無をクロスニ
コル下で液晶セルを回転させることにより観察した。結
果を表１に示す。
【００３０】
【表１】 アニール温度 気泡 メモリ時コーン角 電界印加時コーン角 比較例１ ２５℃ 有 ４３．１° ４５．８° 比較例２ １００℃ 有 ４４．６° ４６．６° 比較例３ ２００℃ 有 ２９．９° ３５．０° 実施例２ ２５０℃ 無 ４６．１° ４９．５° 実施例４ ３００℃ 無 ４２．３° ４４．８° 比較例６ ３６０℃ 無 ２８．４° ３５．２° 表１、図１および図２から、２５０〜３００℃程度の温
度でアニール処理し、表面粗度Ｒｚを５．５ｎｍ以下と
し、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーを１０３．０〜１０３．３
ｅＶとすると、メモリ時および電界印加時における液晶
のみかけのコーン角が４５°付近となることが確認でき
た。
度でアニール処理し、表面粗度Ｒｚを５．５ｎｍ以下と
し、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーを１０３．０〜１０３．３
ｅＶとすると、メモリ時および電界印加時における液晶
のみかけのコーン角が４５°付近となることが確認でき
た。
【００３１】（光学応答特性）実施例４で得た液晶セル
（アニール温度３００℃、表面粗度２．８ｎｍ、Ｓｉ２
ｐ結合エネルギー１０３．２４ｅＶ）および比較例６で
得た液晶セル（アニール温度３６０℃、表面粗度９．１
ｎｍ、Ｓｉ２ｐ結合エネルギー１０３．３８ｅＶ）に、
±２０Ｖ、１ｍｓｅｃのパルスを印加した際のクロスニ
コル下での光学応答（透過率）を図３に示した。
（アニール温度３００℃、表面粗度２．８ｎｍ、Ｓｉ２
ｐ結合エネルギー１０３．２４ｅＶ）および比較例６で
得た液晶セル（アニール温度３６０℃、表面粗度９．１
ｎｍ、Ｓｉ２ｐ結合エネルギー１０３．３８ｅＶ）に、
±２０Ｖ、１ｍｓｅｃのパルスを印加した際のクロスニ
コル下での光学応答（透過率）を図３に示した。
【００３２】同図から、実施例の液晶セルは、比較例の
液晶セルに比べてコントラストおよびメモリ特性が格段
に良好であることが確認できた。
液晶セルに比べてコントラストおよびメモリ特性が格段
に良好であることが確認できた。
【００３３】
【発明の効果】この発明の強誘電性液晶を用いた液晶表
示素子によれば、液晶のみかけのコーン角が４５°に十
分近づき、液晶表示素子を直交偏光板の間に挟んで使用
した場合に最大コントラストあるいはそれに近い大きな
コントラストが得られるようになる。またメモリー性も
向上し、液晶セル内の配向も均一となる。
示素子によれば、液晶のみかけのコーン角が４５°に十
分近づき、液晶表示素子を直交偏光板の間に挟んで使用
した場合に最大コントラストあるいはそれに近い大きな
コントラストが得られるようになる。またメモリー性も
向上し、液晶セル内の配向も均一となる。
【図１】実施例および比較例の表面粗度Ｒｚとアニール
温度との関係図である。
温度との関係図である。
【図２】実施例および比較例のＳｉ２ｐ結合エネルギー
とアニール温度との関係図である。
とアニール温度との関係図である。
【図３】実施例および比較例の光学応答性を表した図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松居 恵理子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 片岡 延江 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 宮下 真由美 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−267915（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−33722（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1337
Claims (2)
- 【請求項１】 強誘電性液晶を用い、液晶配向膜として
ＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶表示素子において、該Ｓ
ｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３００℃でアニール処理さ
れ、その表面粗度が５．５ｎｍ以下となっていることを
特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 強誘電性液晶を用い、液晶配向膜として
ＳｉＯ斜方蒸着膜を有する液晶表示素子において、該Ｓ
ｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３００℃でアニール処理さ
れ、Ｓｉ２ｐ結合エネルギーが１０３．０〜１０３．３
ｅＶとなっていることを特徴とする液晶表示素子。
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|---|---|---|---|
| JP27025091A JP3077126B2 (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27025091A JP3077126B2 (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580339A JPH0580339A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3077126B2 true JP3077126B2 (ja) | 2000-08-14 |
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ID=17483636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27025091A Expired - Fee Related JP3077126B2 (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 液晶表示素子 |
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| JP (1) | JP3077126B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5539612B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2014-07-02 | 三星ディスプレイ株式會社 | 配向膜の製造方法 |
| JP4968262B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-07-04 | 富士通株式会社 | 液晶表示素子及びそれを用いた電子ペーパー |
-
1991
- 1991-09-21 JP JP27025091A patent/JP3077126B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580339A (ja) | 1993-04-02 |
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