JP3076741B2 - 厚膜導電性回路用感光性樹脂組成物およびそれを用いた厚膜導電性回路の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、昨今ますます小型
化、多機能化していく電子部品もしくは回路部品分野
で、超小型、かつ、高性能な小型モーター用コイル、あ
るいはコンパクトディスクに見られるデータの読みとり
部品である光ピックアップといった部品の製造、ＬＳＩ
の細密な引き回し部分を含む回路基板、更には、ますま
す高精細化していく表示素子等の接続用回路部品の製造
に適した、厚膜導電性回路用感光性樹脂組成物およびそ
れを用いた厚膜導電性回路の製造方法に関するものであ
る。特に最小配線ピッチが１００μｍ未満の部分を含ん
だ高密度、かつ低抵抗な異ピッチ接続配線部品に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】ますます高性能化していくＬＳＩ（大規
模集積回路）等は、高性能化の要求とともにますますピ
ン数が増加し、また、そのピンのピッチもますます狭く
なっている。また、液晶ディスプレイにみられるよう
に、ますます高精細化の要求が高まる中、表示走査線の
本数が増加し、同時に配線間隔も極めて狭くなり、表示
を制御するＩＣの実装が困難となってきている。

【０００３】この様な技術趨勢の中、回路配線間隔の大
きく異なる部品同士、例えば、狭いピッチのピンを有す
るＩＣ、ＬＳＩ等とマザーボード（製法上回路配線間隔
が大きい）を接続する高密度かつ低抵抗な異ピッチ接続
配線部品の要求が高まっている。尚、この様な部品に対
し『インターポーザ』と定義する文献もあるが、（日経
エレクトロニクス１９９５．１．１６（Ｎｏ．６２６）
７９〜８６頁）本発明ではこれを異ピッチ接続配線部品
という。

【０００４】異ピッチ接続配線部品の要求性能などは、
例えば第六回マイクロエレクトロニクスシンポジウム頁
４３〜４６に記載されているように、ＣＰＵを高速動作
クロック数で作動させるとき、配線抵抗の増加に伴い信
号パルスの減衰が見られるとの報告がある。更に、高精
細液晶表示素子の制御用ＩＣと液晶基板との接続の配線
抵抗が大きくなると、Ｓ／Ｎ比の低下が見られ画像が不
安定になると言われている。その結果、異ピッチ接続配
線部品には、低抵抗回路配線で配線ピッチが小さいこと
が要求される。従って、回路配線は、その断面積が大き
い、すなわち、導体高さが高いことが要求される。

【０００５】またプリント基板等に見られる様に、従
来、導電性回路を形成する方法には、次の三法が挙げら
れる。すなわち、導電性基板上に形成された感光性樹脂
組成物の硬化樹脂像（以下、本発明では樹脂画像と呼称
する）を保護膜としてエッチング等により所望の回路を
形成していくサブトラクティブ法（エッチング法とも呼
称されている）、また絶縁基板上に樹脂画像を形成し、
無電解銅メッキなどを行い導体回路を形成していくアデ
ィティブ法、および両者の中間的な方法であるセミアデ
ィティブ法が挙げられる。

【０００６】前述した方法のうち現在ではサブトラクテ
ィブ法が主流をなしているものの、部品自体の小型化、
回路の高密度化の要求が高まっている技術趨勢の中で、
配線ピッチが５０μｍ以下の回路を形成するには技術的
な限界に来ている。たとえ技術的に形成できたとして
も、回路としての信頼性の低下、あるいは、電気的特
性、特に抵抗値が大きくなり、回路もしくは部品として
の機能を満足に発揮出来得ていないのが実状である。さ
らに、製造することが出来ても工程が極めて複雑であっ
たりして、産業上の利用価値を低下させている。

【０００７】他の高密度かつ低抵抗回路配線の作成法と
して、例えば、特開昭５２−１３７６６６号公報、特開
昭５７−１６２４８９号公報にはレジストパターンに厚
膜ペースト材料を充填する方法、特開昭５５−４１７２
９号公報には厚膜ペーストとポジ型レジストを混合し、
露光・現像する方法が開示されている。特開昭５９−１
９８７９２号公報には導電性基板をベースとして、レジ
スト積層・露光を繰り返した後、現像、電気メッキによ
る厚膜パターン導体の製造方法が開示されている。

【０００８】また特開昭５６−９４６９０号公報、特開
昭６０−１６１６０５号公報には導電性基板とフォトリ
ソグラフィーを組み合わせ、異方性電解メッキによるフ
ァインパターン回路の成形方法が示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銅張り
基板、フォトリソグラフィーおよびエッチングを組み合
わせる方法で得られる回路配線導体は、銅箔のエッチン
グ時におけるサイドエッチ現象を抑制することが極めて
困難な為、配線の高密度化、低抵抗化を妨げている。さ
らに、導体高さが大きくなるにつれて、この現象が顕著
になるため、通常使用されている銅張り基板の銅箔の厚
みは１８〜３５μｍ程度ではあるが、配線密度が１０本
／ｍｍ程度、つまり配線ピッチが１００μｍ程度以下に
なると十分に低抵抗にはできず、また技術的にも配線ピ
ッチ５０μｍ程度が限界である。

【００１０】また高密度かつ低抵抗回路配線の作成法で
得られる厚膜パターン導体は、ペーストの焼成時に導電
体内に気孔が生じ、その結果、導体抵抗の増大による回
路特性の悪化が起こる。特開昭５９−１９８７９２号公
報では比較的アスペクト比の高いレジストパターンが得
られることが予想されるが、工程が複雑であり、積層・
露光時の位置ズレによる欠陥の導入、レジスト形状不良
が起こり、それにともなう回路の短絡等、問題が多い。
さらに特開昭５６−９４６９０号公報、特開昭６０−１
６１６０５号公報の方法では、導体設計をメッキスター
ト幅でコントロールしており、かつ、導体形状が球形で
あるため、導体の幅に対して厚みを高くすることができ
ず、高密度・低抵抗回路配線が得られない。

【００１１】これらいずれの方法においても、導体配線
密度２０本／ｍｍ以上、つまり配線ピッチ５０μｍ以下
で、導体アスペクト比１．０以上である回路配線導体は
実用的に得られていない。そこで、本発明は高いアスペ
クト比の導体と小さい導体間距離の回路を形成すること
により、高密度でかつ低抵抗な異ピッチ接続配線部品を
得ること、さらに比較的簡便で安価に、かつ工業的生産
性が高く、安定した製品の製造方法を提供することを目
的とするものである。

【００１２】

【課題を解決ための手段】本発明者らは、こうした技術
動向を踏まえ、鋭意検討を重ねた結果、膜厚２０〜４０
０μｍ、光の波長３００〜４２０μｍで用いられる感光
性樹脂組成物において、エチレン性不飽和基を有し、分
子量が１２００〜２５０００のポリエステルプレポリマ
ーと、１分子中に少なくとも１つのアクリロイル基もし
くはメタクリロイル基をもつ重合性単量体を少なくとも
１種と、前記波長での光吸収極大におけるモル吸収係数
が５〜１０００リットル／ｍｏｌ・ｃｍの光重合開始剤
を０．５〜５重量％と、光吸収剤を０．０１〜１重量％
とを含み、光透過率が２０〜６０％であることを特徴と
する厚膜導電性回路用感光性樹脂組成物を見出した。ま
た、該厚膜導電性回路用感光性樹脂組成物を導電性基板
上に塗布し、露光、現像して厚膜樹脂像を形成した後、
導電性基板上に厚膜メッキを施し、導電性基板を除去す
ることを特徴とする厚膜導電性回路の製造方法を見い出
すに至った。さらに導電性基板が銅、またはアルミニウ
ムであることが好ましい。

【００１３】本発明において、エチレン性不飽和結合を
有するオリゴマーまたはプレポリマーが、アルキルジオ
ールまたは、分子内に５個以下のエーテル結合を有する
ジオールのいずれかのアルコール成分、あるいはこれら
の混合物からなるアルコール成分と、エチレン性不飽和
結合を有するジカルボン酸単独もしくはエチレン性不飽
和結合を有しないジカルボン酸とエチレン性不飽和結合
を有するジカルボン酸との混合物とからなる酸成分との
縮重合により得られる不飽和ポリエステルである場合に
特に好ましい画像が得られる。また、分子量が５００未
満の場合、感光性樹脂組成物としての感度が低下しすぎ
使用に耐えないし、さらに、５００００を越えると高エ
ネルギー線を照射した後の現像性が著しく低下し、高解
像力は得られない。さらに、導電性回路用組成物とし
て、感度、解像度の点から、１２００〜２５０００の分
子量が好ましい範囲である。

【００１４】本発明の感光性樹脂組成物として用いうる
オリゴマーまたはプレポリマーとして、不飽和ポリエス
テル、不飽和ポリウレタン、オリゴエステルアクリレー
ト類もしくはオリゴエステルメタクリレート類、不飽和
ポリアミド類、不飽和ポリイミド類、不飽和ポリエーテ
ル類、不飽和ポリアクリレート類もしくは不飽和ポリメ
タクリレート類及びこれらの各種変性体、混合物、炭素
−炭素二重結合を有する化合物を例示することが出来
る。これらの内、画像の高さと幅の比（以下、アスペク
ト比と呼称する）の大きい画像を得る場合の好ましい例
として、不飽和ポリエステル類、もしくは、不飽和ポリ
ウレタン類が挙げられる。

【００１５】不飽和ポリエステル類として、例えばマレ
イン酸、フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塩基酸
類またはその酸無水物とエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペン
タエリトリトール、末端水酸基を有する１、４−ポリブ
タジエン、水添もしくは非水添１、２−ポリブタジエ
ン、ブタジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アク
リロニトリル共重合体等の多価アルコールとを反応させ
たポリエステル類、又、前記酸成分の一部を飽和多塩基
酸に置き換えたポリエステル類、あるいは、乾性油脂酸
または半乾性油脂酸で変性したポリエステル類などが挙
げられる。

【００１６】不飽和ポリウレタン類としては、例えば前
記した多価アルコール類やポリエステルポリオール類、
ポリエーテルポリオール類等のポリオール類、末端水酸
基を有する１、４−ポリブタジエン、水添もしくは非水
添１、２−ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重
合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等と、ト
ルレンジイソシアネート、ジフェニルメタン、４、４’
−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート
などのポリイソシアネート類から誘導されたポリウレタ
ン類の末端イソシアネート基、あるいは水酸基の反応性
を利用して不飽和基を導入した化合物が挙げられる。す
なわち、水酸基、カルボキシル基、アミノ基等の活性水
素を有する化合物とイソシアネート類との反応により不
飽和基を導入したり、カルボキシル基と水酸基との反応
により不飽和基を導入したり、または、前記の不飽和ポ
リエステル類をポリイソシアネート類で連結した化合物
などである。

【００１７】特に好ましい例として、アルキルジオール
類と分子内に５個以下のエーテル結合を有するジオール
類との混合物からなるアルコール成分と、エチレン性不
飽和結合を有するジカルボン酸類単独もしくはエチレン
性不飽和結合を有しないジカルボン酸とエチレン性不飽
和結合を有するジカルボン酸類との混合物からなる酸成
分との縮重合により得られる、分子量５００〜５０００
０の不飽和ポリエステル類である。

【００１８】１分子中に少なくとも１つのアクリロイル
基もしくはメタクリロイル基をもつ重合性単量体として
は公知の種々の化合物を用いることが出来るが、好まし
い例を挙げればポリエチレングリコールのモノまたはジ
アクリレートおよびメタクリレート、プロピレングリコ
ールのモノまたはジアクリレートおよびメタクリレー
ト、シクロヘキサンジアクリレートおよびメタクリレー
ト、ビスフェノールＡのモノまたはジアクリレートおよ
びメタクリレート、イソボルニルアクリレートおよびメ
タクリレート、アクリルアミドおよびその誘導体、メタ
クリルアミドおよびその誘導体、トリメチロールプロパ
ントリアクリレートおよびメタクリレート、グリセロー
ルのジまたはトリアクリレートおよびメタクリレート、
ペンタエリスリトールのジ、トリ、またはテトラアクリ
レートおよびメタクリレート、およびこれら化合物のエ
チレンオキサイドまたはプロピレンオキサイド付加物な
どの化合物を挙げることが出来る。

【００１９】なお、単量体は液体クロマトグラフまたは
ガスクロマトグラフで検出することができる。本発明で
用いる光重合開始剤は波長が３００〜４２０ｎｍの範囲
での光吸収極大におけるモル吸光係数が５〜１０００リ
ットル／ｍｏｌ・ｃｍが好ましい。すなわち、モル吸光
係数が１０００リットル／ｍｏｌ・ｃｍをこえる光重合
開始剤を用いた場合、２０〜４００μｍの厚膜の光重合
組成物の内部まで光が到達せず、十分に硬化させること
が出来ない。また、露光時間を増加させると硬化しては
ならない部分まで硬化してしまい、メッキで導体を形成
することができない。

【００２０】一方、モル吸光係数が５リットル／ｍｏｌ
・ｃｍ未満の光重合開始剤では感光性樹脂組成物の感度
が低すぎて実用にたえない。なお、モル吸光係数、光透
過率の測定は、通常の分光光度計により測定することが
できる。このような光重合開始剤の例としてはベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインプ
ロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベン
ゾインブチルエーテル、２，２−ジヒドロキシ−２−フ
ェニルアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニ
ルアセトフェノン、などを挙げることが出来る。

【００２１】本発明における光吸収剤は波長が３００〜
４２０ｎｍの間に吸収を持ち、感光性樹脂組成物に均一
に溶解もしくは分散することの出来るものであれば色
素、紫外線吸収剤等、何でもよい。この光吸収剤は露光
系の散乱や反射による光の回り込みを効率よく吸収し、
本来硬化してはならない部分の感光性樹脂組成物が現像
用液体によって除去できないほどに硬化するのを防ぐ効
果がある。

【００２２】本発明では光重合開始剤と光吸収剤の組み
合わせによって感光性樹脂組成物の光透過率を制御する
ことが重要で、膜厚２０〜４００μｍ、光の波長３００
〜４２０ｎｍで用いられる場合、前記波長での光吸収極
大におけるモル吸光係数が５〜１０００リットル／ｍｏ
ｌ・ｃｍの光重合開始剤を０．１〜１０重量％含み、光
透過率が１５〜７５％になるように光吸収剤を０．０１
〜１重量％の範囲で含むときに未露光部の感光性樹脂組
成物の硬化を防ぐことができるため、例えば膜厚が１０
０μｍという厚膜でも解像ピッチ５０μｍ以下といった
高解像度を発揮でき、なおかつ未露光部の現像性をも向
上できるので導電性基板上にメッキ等で導体を形成した
ときに断線したり、導体が細くなったりすることが極め
て少なく、信頼性の高い低抵抗の厚膜導体を形成でき
る。さらに好ましい範囲を挙げれば、感光性樹脂組成物
の光重合開始剤は０．５〜５重量％の範囲、光透過率は
２０〜６０％の範囲である。即ち、露光時間と取り扱い
易さの観点で感光性樹脂組成物の紫外線に対する感度が
実用上、より好ましい範囲となる。

【００２３】次いで、感光性樹脂組成物を用いた厚膜導
体形成方法について述べる。すなわち、導電性基板上
に、本発明の厚膜導電性回路用感光性樹脂組成物を、２
０〜４００μｍの厚さに塗布し、高エネルギー線により
画像形成露光を施し、次いで、該感光性樹脂組成物の未
露光部分を現像用液体で溶解もしくは分散除去して導電
性基板上に所望の画像を形成した後、メッキ法により導
体を形成し、しかる後、導電性基板を除去することによ
って達成される。

【００２４】高エネルギー線源は平行光光源であること
が好ましい。平行光光源を用いた場合、樹脂画像パター
ン断面が矩形を呈し、よりアスペクト比の高いパターン
が得られる。導電性基板を除去する方法としては、例え
ば酸、アルカリ、塩の水溶液等でエッチングする方法、
研磨で削り取る方法、機械的に剥離する方法、あるいは
これらを組み合わせる方法等が選択できる。

【００２５】感光性樹脂組成物の塗布厚みは２０〜４０
０μｍの範囲で、電子部品、精密回路基板の必要導体厚
みによって決定される。また、導電性基板に特に制限は
ないが、アルミニウム、銅等の基板が好適に用いられ
る。必要に応じて、例えば導電性基板と感光性樹脂組成
物あるいはメッキ皮膜との密着力を向上させるために、
導電性基板に物理的、化学的な表面処理を施してもよ
い。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に本発明を実施例により詳細
に説明する。なお、本発明は実施例により制限されるも
のではない。

【００２７】

【実施例１】ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、アジピン酸、フマル酸、イソフタル酸をモル比で
０．４／０．１／０．２／０．１５／０．１５の割合で
窒素雰囲気中、反応温度２００℃、反応時間４時間、減
圧下で重縮合させて数平均分子量が１５００の不飽和ポ
リエステルプレポリマーを作製した。

【００２８】このプレポリマー１００重量部にテトラエ
チレングリコールジメタクリレート１２部、ジエチレン
グリコールジメタクリレート５部、２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート８部、ペンタエリスリトールトリメタ
クリレート１５部、リン酸モノ（メタクリロイルオキシ
エチル）５部、光重合開始剤として２，２−ジメトキシ
−２−フェニルアセトフェノン２部、４−ターシャリー
ブチルカテコール０．０５部、光吸収剤として日本化薬
（株）製カヤセットレッドＡ−２Ｇ０．１５部を加えて
よく撹拌混合し、感光性樹脂組成物を得た。

【００２９】２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノンのエタノール中におけるモル吸光係数は１８１
リットル／ｍｏｌ・ｃｍ（３３６ｎｍ）であった。ま
た、この感光性樹脂組成物の１００μｍ膜厚における、
光透過率は２４％であった。次にこの感光性樹脂組成物
をアルミ板上に１００μｍの厚さに塗布し、２５本／ｍ
ｍ（配線ピッチ４０μｍ）の密度の配線パターンに対応
したフォトマスクを通して水銀ショートアークランプの
紫外線を照射し、未露光部を１％のほう酸ナトリウム水
溶液で除去し、樹脂画像を形成した。次いで樹脂画像を
形成したアルミ板に電解銅メッキを施し、アルミ板を１
０％塩酸でエッチング除去して配線密度２５本／ｍｍ、
導体厚が１００μｍの厚膜導体配線板を得た。

【００３０】

【比較例】実施例１における２，２−ジメトキシ−２−
フェニルアセトフェノン２部の代わりに２−メチルアン
トラキノン１部を用いた他は実施例１と同様にして感光
性樹脂組成物を作製した。２−メチルアントラキノンの
モル吸光係数は３８００リットル／ｍｏｌ・ｃｍ（３２
６ｎｍ）であり、この感光性樹脂組成物の１００μｍ膜
厚における、光透過率は１．８％であった。

【００３１】次にこの感光性樹脂組成物をアルミ板上に
１００μｍの厚さに塗布し、２５本／ｍｍの密度の配線
パターンに対応したフォトマスクを通して水銀ショート
アークランプの紫外線を照射し、未露光部を１％のほう
酸ナトリウム水溶液で除去したところ、光がアルミ板に
到達せず、樹脂画像がアルミ板に残らなかった。光がア
ルミ板に到達するように紫外線の照射時間を５倍にした
ところ、未露光部の樹脂も硬化してしまい、メッキで導
体を形成することはできなかった。

【００３２】

【実施例２】東洋アルミニウム（株）製、厚み１００μ
ｍのアルミニウム基板を上村工業（株）製ＡＺ４０１処
理液を用いて３０℃、８０秒間の表面処理を行った。次
に、ジエチレングリコール、プロピレングリコールとア
ジピン酸、イタコン酸、フマル酸をそれぞれモル比で
０．４５／０．０５／０．２０／０．１５／０．１５の
割合で重縮合させて得た数平均分子量が１７００の不飽
和ポリエステル樹脂１００部に、ペンタエリスリトール
トリメタクリレート１５部、ジエチレングリコールジメ
タクリレート３部、テトラエチレングリコールジメタク
リレート７．５部、２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト３部、ジアセトンアクリルアミド１．５部、リン酸モ
ノ（メタクリロイルオキシエチル）３．６部、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル１部、４−ターシャリーブチルカ
テコール０．０４部、光吸収剤としてオリヱント化学
（株）製ＯＰＬＡＳイエロー１３０、０．０１４部を加
え、充分、撹拌・混合し、感光性樹脂組成物Ａを得た。

【００３３】また組成物Ａのベンゾインイソブチルエー
テル１部の代わりに２，２−ジメトキシ−２−フェニル
アセトフェノン２部を用い、オリエント化学（株）製Ｏ
ＰＬＡＳイエロー１３０の代わりにオリエント化学
（株）製オイルイエロー３Ｇ、０．０５部を用いた他は
組成物Ａと同様にして調製し感光性樹脂組成物Ｂを得
た。組成物Ａの３６５ｎｍにおける透過率を日立製作所
製Ｕ−３２１０型分光光度計で測定したところ、膜厚４
００μｍで２５％、膜厚１００μｍで７１％であった。
同様に組成物Ｂの光透過率は膜厚５０μｍで２６％、膜
厚２０μｍで５９％であった。

【００３４】調製した感光性レジストを上記処理したア
ルミニウム基板上に、旭化成工業（株）製ＳＲ−Ｂ装置
を用いて塗布した。この際、レジスト層がそれぞれ表１
の厚みになるようにスペーサーで調節した。所定のガラ
スマスクとオーク社製平行光方式光源を用いてマスク露
光・現像（ほう酸ソーダ１％溶液、４０℃、吐出圧力
０．１ｋｇ／ｃｍ² ）を行い、アルミニウム基板上に幅
６〜４０μｍで、所定の高さの樹脂画像パターンを作製
した。

【００３５】得られた樹脂画像パターンに、ハーショウ
村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密
度３Ａ／ｄｍ² の条件で、表１に示す膜厚のメッキ銅皮
膜を析出させ、パターン導体を形成した。得られた基板
の表面に接着剤（セメダインＥＰ００８、ＥＰ１７０）
をスクリーン印刷し、ガラスエポキシ絶縁基板上に転写
・接着した後、アルミニウム基板を１０％塩酸でエッチ
ング除去し、厚膜パターン導体を得た。

【００３６】得られた基板を２ｃｍ角に切断し、エポキ
シ樹脂で硬化させた後、研磨機により断面を鏡面研磨し
パターン形状観察を行い、さらに、単位長さ当たりの抵
抗値を測定した結果を表１に示した。表１の結果から明
らかなように本発明で得られる厚膜パターン導体は、配
線ピッチ１００μｍ未満の高密度配線が可能であり、さ
らに１ｃｍ当たりの抵抗値が極めて小さいことが分か
る。

【００３７】

【実施例３】光吸収剤を表２に示すような各種類、濃度
で用いた他は実施例２の組成物Ｂと同様な方法で感光性
樹脂組成物を調製し、厚み８０μｍで３６５ｎｍにおけ
る透過率を測定した。次に、実施例１と同様な方法で作
成した感光性樹脂、露光・現像装置を使用し、４０μｍ
ピッチ（２５本／ｍｍ配線）、高さ８０μｍのレジスト
パターンを作成し、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メ
ッキ液を用いて、陰極の電流密度３Ａ／ｄｍ² の条件
で、８０μｍのメッキ銅皮膜を析出させ、パターン導体
を形成した。

【００３８】得られた基板の表面に接着剤（セメダイン
ＥＰ００８、ＥＰ１７０）をスクリーン印刷し、ガラス
基板上に転写・接着した後、アルミニウム基板を１０％
塩酸でエッチング除去し、厚膜パターン導体を得た。得
られた導体の形状、抵抗値を表３に示す。表３のなかで
試料Ｎｏ．５、６は本発明の実施例外であり、比較例で
ある。感光性樹脂組成物の透過率が７５％以上である場
合、あるいは１５％以下である場合は配線ピッチ５０μ
ｍ未満の高密度配線は極めて困難であることが分かる。
透過率が７５％以上の場合、露光・現像時のカブリ現象
によりメッキ導体が部分的に析出せず、断線が起こりや
すい。また、透過率が１５％以下の場合レジストの硬化
が不十分で現像時にレジストパターンが剥離したり、メ
ッキ時にメッキ銅がレジストと基板の間に潜り込んだり
して導体間の短絡が起こりやすい。

【００３９】これに対し、試料Ｎｏ．７、８では配線ピ
ッチ５０μｍ未満の高密度配線が可能であり、さらに単
位当たりの抵抗値も０．１Ω以下で極めて低抵抗であ
る。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は光重合開始
剤と光吸収剤の組み合わせで液状感光性レジストの透過
率を１５〜７５％にしたことにより、未露光部に回り込
む光を効率よく吸収できるため解像度が高く、未露光部
の樹脂残渣がきわめて少ないためにメッキ不良による断
線もきわめて少なく、配線密度が高い、しかも低抵抗な
厚膜導体回路、異ピッチ接続部品を製造することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/027 G03F 7/004 G03F 7/028 H05K 3/06 H05K 3/20

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 膜厚２０〜４００μｍ、光の波長３００
   〜４２０μｍで用いられる感光性樹脂組成物において、
   エチレン性不飽和基を有し、分子量が１２００〜２５０
   ００のポリエステルプレポリマーと、１分子中に少なく
   とも１つのアクリロイル基もしくはメタクリロイル基を
   もつ重合性単量体を少なくとも１種と、前記波長での光
   吸収極大におけるモル吸収係数が５〜１０００リットル
   ／ｍｏｌ・ｃｍの光重合開始剤を０．５〜５重量％と、
   光吸収剤を０．０１〜１重量％とを含み、光透過率が２
   ０〜６０％であることを特徴とする厚膜導電性回路用感
   光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 請求項１記載の厚膜導電性回路用感光性
   樹脂組成物を導電性基板上に塗布し、露光、現像して厚
   膜樹脂画像を形成した後、導電性基板上に厚膜メッキを
   施し、導電性基板を除去することを特徴とする厚膜導電
   性回路の製造方法。