JP3073358B2 - 厚膜回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高い信頼性、高線占率
（高導体占有率）、高密度配線を要求される厚膜回路基
板に関するものである。さらには、回路に比較的高い電
流値が必要とされる、小型コイル、高密度コネクター等
に使用される厚膜回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的な厚膜回路として、銅張り基板、
フォトリソグラフィーおよびエッチングを組み合わせ得
られるものが知られている。しかしながら、この方法で
得られる厚膜回路は、エッチング時におけるサイドエッ
チ現象を抑制することが極めて困難であるため、導体パ
ターンの間隔が増大する傾向にあり、また、配線パター
ンの断面がエッチングにより台形状になるため高密度の
配線を得ることは出来なかった。さらに、導体高さが大
きくなるにつれて、この現象が顕著になるため、通常使
用されている銅張り基板の銅箔の厚みは１８〜３５μｍ
で、アスペクト比は２以下である。

【０００３】他の厚膜回路として、例えば、特開昭５２
−１３７６６６、特開昭５７−１６２４８９にはレジス
トパターンに厚膜ペースト材料を充填する方法、特開昭
５５−４１７２９には厚膜ペーストとポジ型レジストを
混合し、露光・現像する方法が開示されている。しかし
ながら、これらの方法で得られる厚膜回路は、導電体内
に気孔が生じたり、導体間での短絡による不良を招いた
り、さらには、導体抵抗の増大による回路特性の悪化が
起こる。

【０００４】特開昭５９−１９８７９２には導電性基板
をベースとして、レジスト積層・露光を繰り返した後、
現像、電気メッキによる厚膜回路およびその製造方法が
開示されている。この方法では比較的アスペクト比の高
いレジストパターンが得られることが予想されるが、工
程が複雑であり、積層・露光時の位置ズレによる欠陥の
導入、さらには現像段階でのサイドエッチによるレジス
ト形状不良にともなう回路の短絡等、問題が多い。

【０００５】また、特開昭５６−９４６９０、特開昭６
０−１６１６０５には導電性基板とフォトリソグラフィ
ーを組み合わせ、電解メッキによるファインパターン回
路の成形方法が示されている。この方法では、導体設計
をメッキスタート幅でコントロールしており、かつ、導
体形状が球形であるため、高密度化には好ましくない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解決するためになされたものである。すなわち、高い
アスペクト比の導体と小さい導体間距離の回路を形成す
ることにより、信頼性、回路特性を低下させることな
く、高密度配線でかつ比較的高い通過電流を可能にする
厚膜回路基板およびその製造方法を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、導体間の絶縁
層として感光性樹脂を用いた厚膜回路基板において、導
体の断面形状が矩形状を呈し、導体の幅方向の厚みのば
らつきが平均値の±２０％以内、導体断面の高さが２０
μｍ以上、さらに絶縁層がエチレン性不飽和結合濃度が
２×１０ ^-3 〜５×１０ ^-4 ｍｏｌ／ｇ、かつ分子量が３０
００〜１５０００であるエチレン性不飽和結合を有する
ポリエステルプレポリマーとエチレン性不飽和化合物単
量体とを含む液状感光性樹脂硬化物を用いることで問題
点を解決できることを見いだしたものである。この厚膜
回路基板を得る具体的な方法は、 （１）基板に必要に応じて無電解メッキに対する触媒付
与を行い、その表面に厚さ２０μｍ以上のエチレン性不
飽和結合濃度が２×１０ ^-3 〜５×１０ ^-4 ｍｏｌ／ｇ、か
つ分子量が３０００〜１５０００であるエチレン性不飽
和結合を有するポリエステルプレポリマーとエチレン性
不飽和化合物単量体からなる液状感光性樹脂を被着する
工程、 （２）上記感光性樹脂を露光・現像し、レジストパター
ンを形成する工程、 （３）感光性樹脂の除去された部分に、必要に応じて無
電解メッキを行い下地導電体層を形成した後、電解メッ
キにより金属皮膜を析出させ、導体を形成する工程、 （４）必要に応じて形成したレジストパターンおよび導
体を絶縁基板上に転写した後、ベース基板を除去し、導
体間を絶縁化する工程、を順次行うことで得られる。

【０００８】さらに、感光性樹脂組成物１００部に対し
て、不飽和基を有するリン酸部分エステルを０．１〜１
０重量部を含有する事により、基板と感光性樹脂との接
着性が向上し、極めて微細なレジストパターンが得られ
る。特に好ましいリン酸部分エステルとしてリン酸モノ
（２−メタクリロイルオキシエチル）が挙げられる。ま
た、露光時に平行光光源を使用すると、目的の厚膜回路
基板が比較的容易に得られる。

【０００９】なお、本発明での数値限定は、理想的な厚
膜回路での数値限定ではなく、現実的に得られる範囲に
おいてその数値を限定したものである。すなわち、導体
の断面形状は線占率を増大するために矩形状であること
が好ましい。導体形状を台形で仮定した場合、導体の幅
方向の厚みのばらつきが平均値（導体の高さ方向に１０
分割し、その点での導体の幅方向の厚みを測定した平均
値）の±Ｘ％の場合、一つの導体内での線占率Ｙ（％）
は以下の式で表せる。

【００１０】Ｙ＝１００００／（１００＋Ｘ） すなわち、一つの導体内での線占率８０％以上を与える
Ｘは約２０％以内である。導体断面の高さは２０μｍ未
満では回路を流れる電流が大きい場合、発熱による損失
が大きくなる。

【００１１】導体間距離は短いことが好ましいが、本発
明の厚膜回路基板では、導体の断面形状が実質矩形であ
り、しかもその幅方向の厚みのばらつきも非常に小さく
することができるので、短絡の心配なく導体間距離を２
μｍまでも短縮することができる。これにより従来技術
では到底実現することができないきわめて高密度の配線
が高アスペクト比で厚膜回路基板において可能となっ
た。

【００１２】使用する感光性樹脂が液状の場合、厚みの
制御が容易であり、さらに、現像性に優れているため、
極めてアスペクト比の高いレジストパターンが得られ
る。また、樹脂の透光性が高く、樹脂内部での光散乱が
小さいため、レジスト形状はシャープな矩形を呈する。

【００１３】感光性樹脂原料の代表的な構成は、エチレ
ン重合性不飽和基を有するプレポリマーとエチレン性不
飽和単量体であり、必要により光重合増感剤、熱重合禁
止剤が添加される。

【００１４】プレポリマー中のエチレン性不飽和結合濃
度が１０^-2ｍｏｌ／ｇを越えると、露光後の樹脂硬化物
の機械的強度が低下し、２×１０^-4ｍｏｌ／ｇ未満では
十分に架橋せず、解像度の著しい低下を招く。また、分
子量が１５００未満の場合、感光性樹脂の流動性が高
く、厚いレジストパターンを得ることができず、逆に５
００００を越えると露光後の現像性が著しく低下し、高
解像度のレジストパターンが得られない。

【００１５】プレポリマーとしては、不飽和ポリエステ
ル、不飽和ポリウレタン、オリゴエステルアクリレート
類、不飽和ポリアミド、不飽和ポリイミド、不飽和ポリ
エーテル、不飽和ポリ（メタ）アクリレート、およびこ
れらの各種変性体、側鎖に付加重合性炭素−炭素二重結
合を有する高分子化合物、炭素−炭素二重結合を有する
各種ゴム化合物等を例示することができる。

【００１６】不飽和ポリエステルとしては、例えばマレ
イン酸、フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塩基酸
またはその酸無水物とエチレングリコール、プロピレン
グリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリ
コール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタ
エリトリット、末端水酸基を有する１，４−ポリブタジ
エン、水添または非水添１，２−ポリブタジエン、ブタ
ジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体等の多価アルコールとを反応させたポリエ
ステル、また、前記酸成分の一部をコハク酸、アジピン
酸、フタル酸、イソフタル酸、無水フタル酸、トリメリ
ット酸等の飽和多塩基酸に置き換えたポリエステル、あ
るいは乾性油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性したポ
リエステルなどが挙げられる。

【００１７】不飽和ポリウレタンとしては、例えば、前
記した多価アルコールやポリエステルポリオール、ポリ
エーテルポリオールなどのポリオール、末端水酸基を有
する１，４−ポリブタジエン、水添または非水添１，２
−ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体、ブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体等と、トルイレン
ジイソシアネート、ジフェニルメタン、４，４’−ジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの
ポリイソシアネートから誘導されたポリウレタンの末端
イソシアネート基、あるいは水酸基の反応性を利用して
不飽和基を導入した化合物が挙げられる。すなわち、水
酸基、カルボキシル基、アミノ基等の活性水素を有する
化合物とイソシアネートとの反応により不飽和基を導入
したり、カルボキシル基と水酸基との反応により不飽和
基を導入したり、または前記の不飽和ポリエステルをポ
リイソシアネートで連結した化合物などである。

【００１８】オリゴエステルアクリレート類としては、
例えば、アジピン酸、フタル酸、イソフタル酸または酸
無水物などの多塩基酸とエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペン
タエリトリットなどの多価アルコールとのエステル化反
応にアクリル酸またはメタクリル酸を共存させ、縮合さ
せたものである。

【００１９】エポキシアクリレート類として、例えば、
多価アルコール、多価フェノール、ポリフェノールとエ
ピクロルヒドリン、アルキレノキシドとの縮重合反応に
より得られるエポキシ基を有する化合物と、アクリル酸
またはメタクリル酸とのエステルがある。

【００２０】側鎖に付加重合性炭素−炭素二重結合を有
する高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコ
ール、セルロースのような水酸基をもつ高分子化合物と
不飽和カルボン酸またはその酸無水物とを反応させて得
られる化合物や、アクリル酸またはメタクリル酸の重合
体または共重合体のようなカルボキシル基を持つ高分子
化合物に不飽和アルコール、グリシジルアクリレートま
たはメタクリレートをエステル結合させた化合物や、無
水マレイン酸を含有する共重合体とアリルアルコール、
ヒドロキシアルキルアクリレートまたはメタクリレート
との反応物や、グリシジルアクリレートまたはメタクリ
レートを共重合成分として含有する共重合体とアクリル
酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げることがで
きる。

【００２１】各種ゴム化合物としては、（１）１，４−
ポリブタジエン、１，２−ポリブタジエン、ブタジエン
−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、ＥＰＤＭ、（２）上記（１）の水添化物、イソ
ブチレン−イソプレン共重合体、そして（１）に示され
るゴム化合物に公知の技術によりエチレン性不飽和基を
導入した不飽和変性ゴムなどを開示できる。（１）の化
合物はそのままでも使用することができるが、その不飽
和基を導入するには末端官能基を有するゴム化合物を用
いるのが便利である。また、１，２−ポリブタジエンセ
グメントを有するゴム化合物の場合は該化合物に無水マ
レイン酸類を付加することにより、該不飽和基を容易に
導入できる。

【００２２】エチレン性不飽和単量体としては、公知の
種類の化合物を使用できる。例えばアクリル酸、メタク
リル酸などの不飽和カルボン酸またはそのエステルとし
て、例えばアルキル、シクロアルキル、ハロゲン化アル
キル、アルコキシアルキル、ヒドロキシアルキル、アミ
ノアルキル、テトラヒドロフルフリル、アリル、グリシ
ジル、ベンジル、フェノキシ等の各基を有するアクリレ
ートおよびメタクリレート、またアルキレングリコー
ル、ポリオキシアルキレングリコールのモノまたはジア
クリレートおよびメタクリレート、またトリメチロール
プロパントリアクリレートおよびメタクリレート、また
ペンタエリトリットテトラアクリレートおよびメタクリ
レートなどが挙げられる。

【００２３】アクリルアミド、メタクリルアミドまたは
その誘導体として、例えばアルキル、ヒドロキシアルキ
ルでＮ−置換またはＮ，Ｎ’−置換したアクリルアミド
およびメタクリルアミド、またジアセトンアクリルアミ
ドおよびメタクリルアミド、またＮ，Ｎ’−アルキレン
ビスアクリルアミドおよびメタクリルアミドなどが挙げ
られる。

【００２４】アリル化合物として、例えばアリルアルコ
ール、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、ト
リアリルシアヌレートなどが、またマレイン酸、無水マ
レイン酸、フマル酸またはそのエステルとして、例えば
アルキル、ハロゲン化アルキル、アルコキシアルキルの
モノまたはジマレエートおよびフマレエートなどが挙げ
られる。

【００２５】その他の不飽和化合物としては、例えばス
チレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、Ｎ−ビニルピロリドン等を挙げること
ができる。

【００２６】これらの単量体の一部をアジド系化合物、
例えば、４，４’−ジアジドスチルベン、ｐ−フェニレ
ン−ビスアジド、４，４’−ジアジドベンゾフェノン、
４，４’−ジアジドフェニルメタン、４，４’−ジアジ
ドアルコン，２，６−ジ（４’−アジドベンザル）−シ
クロヘキサノン、４，４’−ジアジドスチルベン−α−
カルボン酸、４，４’−ジアジドジフェニル，４，４’
−ジアジドスチルベン−２，２’−ジスルホン酸ソーダ
等に置き換えることができる。

【００２７】これらの単量体はプレポリマー１００部に
対し、０〜２００重量部の範囲で添加すればよい。ま
た、接着性向上のためリン酸部分エステルの添加が効果
的である。本発明において用いられる不飽和基を有する
リン酸部分エステルとは、三価の一部だけが不飽和基を
有する化合物でエステル化されたものを意味する。この
ような部分エステルの例としては、リン酸モノ（２−メ
タクリロイルオキシエチル）、リン酸モノ（２−アクリ
ロイルオキシエチル）、リン酸ジ（２−メタクリロイル
オキシエチル）、リン酸ジ（２−アクリロイルオキシエ
チル）などが挙げられるが、好ましくはリン酸モノ（２
−メタクリロイルオキシエチル）である。

【００２８】これらのリン酸エステルの添加量は、プレ
ポリマーと単量体からなる樹脂成分１００部に対して、
０．１〜１０重量部の範囲で選ばれる。この量が０．１
重量部未満では効果が不充分であるし、１０重量部を超
えると白濁が生じ、粘度も上昇するため、光硬化性、現
像性、硬化物の物性が低下するので好ましくない。

【００２９】さらに感光性レジストの感度を高める方法
として、光重合増感剤の添加が効果的である。光増感剤
としては公知のものが使用できる。例えば、ベンゾイン
やベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン−ｎ−プロピ
ルエーテル、ベンゾイン−イソプロピルエーテル、ベン
ゾイン−イソブチルエーテルなどのベンゾインアルキル
エーテル類、また２，２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン、ベンゾフェノン、ベンジル、ジアセチ
ル、ジフェニルスルフィド、エオシン、チオニン、９，
１０−アントラキノン、ミヒラーケトンなどがあり、組
成物に対して、０．００１〜１０重量部の範囲で使用で
きる。

【００３０】また感光性レジストを安定化させる目的で
熱重合禁止剤の添加も効果的である。一般に、ハイドロ
キノン、モノ第三ブチルハイドロキノン、ベンゾキノ
ン、２，５−ジフェニル−ｐ−ベンゾキノン、ピクリド
ン酸、ジ−ｐ−フルオロフェニルアミン、ｐ−メトキシ
フェノール、２，６−ジ第三ブチル−ｐ−クレゾールな
どを挙げることができる。これらの熱重合禁止剤は、熱
重合反応（暗反応）を防止するものであることが好まし
い。熱重合禁止剤の添加量は、プレポリマーとエチレン
性不飽和単量体の総量に対し、０．００５〜５．０重量
部の範囲であることが好ましい。

【００３１】露光時の光源としては、レジストパターン
を垂直に立てるために、平行光光源を使用するのが最も
好ましい。平行光を使用した場合、樹脂内部での光の直
進性が優れていること、基板表面からの反射光が垂直に
戻ることから、レジストのかぶりを最小限に抑えること
が可能であり、極めて微細なレジストパターンを作成す
ることができる。

【００３２】また、さらにアスペクト比の高い配線導体
が要求される場合は、基板表面に接着剤を塗布すること
で、現像時に起こるレジストパターンの消失やよれ等を
防ぐことが可能である。使用する接着剤は、通常の市販
品で充分であり、ニトリルゴム系、ポリエステル系、シ
アノアクリレート系、エポキシ系、酢ビ共重合系、合成
ゴム系、アクリル系、クロロプレン系、ウレタン系、シ
ラン化合物等が挙げられるが、特にウレタン系接着剤が
好ましい。

【００３３】

【実施例】以下、本発明を実施例を示し詳細に説明す
る。なお、本発明は実施例により限定されるものではな
い。

【００３４】実施例１ 所定のモル比になるように原料を秤量し、窒素雰囲気
中、反応温度１８０℃、６時間、減圧下で重合し、表１
の平均分子量、二重結合濃度を有するプレポリマーを得
た。このプレポリマー７０重量部にアクリル酸１０重量
部、アクリルアミド１０重量部、スチレン１０重量部、
ベンゾイン１重量部、ハイドロキノン０．１重量部をそ
れぞれ添加し、４０℃の温浴中で撹拌混合することによ
り、感光性樹脂組成物を調製した。

【００３５】

【表１】

【００３６】 ただし、ＰＰＧ＝ポリオキシプロピレングリコール（分
子量３００） ＤＥＧ＝ジエチレングリコール ＰＧ＝プロピレングルコール ＥＧ＝エチレングリコール ＴＭＧ＝テトラメチレングリコール ＭＡ＝マレイン酸 ＦＡ＝フマル酸 ＧＡ＝グルタコン酸 ＳＡ＝セバシン酸 ＧＬＡ＝グルタル酸 ＡＡ＝アジピン酸 次に＃６００の耐水研磨紙で表面を粗化した、厚さ１０
０μｍのアルミニウム基板上に、調製した感光性樹脂組
成物を旭化成工業（株）製ＳＲＢ装置を用いて塗布し
た。この際、レジスト層の厚みが２５μｍになるように
スペーサーで調節した。所定のガラスマスクとＯＲＣ社
製平行光方式光源を用いてマスク露光、現像（水酸化ナ
トリウム０．３％溶液、４０〜４５℃、吐出圧力０．１
ｋｇ／ｃｍ²）を行い、アルミニウム基板上に幅３μ
ｍ、高さ２４μｍのレジストパターンを得た。

【００３７】このレジストパターン内にハーショウ村田
社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度１
４Ａ／ｄｍ²の条件で２０μｍのメッキ銅皮膜を析出さ
せ、導体を形成した。

【００３８】得られた基板の表面に接着剤（セメダイン
ＥＰ００８、ＥＰ１７０）をスクリーン印刷し、ガラス
エポキシ絶縁基板上に転着した後、アルミニウム基板を
１０％塩酸でエッチング、除去し、厚膜回路基板を得
た。

【００３９】得られた基板を２ｃｍ角に切断し、エポキ
シ樹脂で硬化させた後、研磨機により断面を鏡面研磨し
た。回路部分を光学顕微鏡で観察した結果、表１記載の
いずれの原料組成による不飽和ポリエステルを用いた場
合においても導体間距離３μｍ、断面形状が幅６μｍ、
高さ２０μｍ、矩形状を呈する導体パターンが得られ
た。

【００４０】比較例１ ポリオキシプロピレングリコール、マレイン酸、セバシ
ン酸をそれぞれモル比で０．５０／０．０５／０．１２
の割合で縮合させて得た不飽和ポリエステル樹脂（二重
結合濃度：４×１０^-4、分子量：６００００）７０重量
部にアクリル酸１０重量部、アクリルアミド１０重量
部、スチレン１０重量部、ベンゾイン１重量部、ハイド
ロキノン０．１重量部をそれぞれ添加し、４０℃の温浴
中で撹拌混合することにより、感光性樹脂組成物を調製
した。

【００４１】次に＃６００の耐水研磨紙で表面を粗化し
た、厚さ１００μｍのアルミニウム基板上に、調製した
感光性樹脂組成物を旭化成工業（株）製ＳＲＢ装置を用
いて塗布した。この際、レジスト層の厚みが２０μｍに
なるようにスペーサーで調節した。所定のガラスマスク
とＯＲＣ社製平行光方式光源を用いてマスク露光、現像
（水酸化ナトリウム０．３％溶液、４０〜４５℃、吐出
圧力０．１ｋｇ／ｃｍ ²）を行ったところ、現像性が著
しく低下し、実施例１で得られたようなレジストパター
ンを得ることはできなかった。

【００４２】実施例２ 厚さ１００μｍのポリエステル基板の上に、東洋モート
ン社製ウレタン系接着剤を５μｍの厚みになるようにド
クターブレードで塗布し、乾燥・熟成を行った。この基
板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬処理した後、
塩化第一スズの塩酸水溶液、次いで塩化パラジウムの塩
酸水溶液で処理・乾燥し、無電解メッキに対する活性化
処理を行った。

【００４３】次に透明なガラス板上に、フォトマスクお
よび厚み２０μｍのポリプロピレンフィルムを重ね合わ
せ、実施例１で得た感光性樹脂組成物を実施例１と同様
の方法で塗布・露光・現像した。なお、レジスト層の厚
みは１５０μｍになるようにスペサーで調節した。かく
して、ポリエステル基板上に幅２０μｍ、高さ１５０μ
ｍのレジストパターンを得た。

【００４４】次いで、上村工業（株）社製無電解メッキ
液「ＥＬＣ−ＵＭ」を用いて、２〜３μｍの下地導電体
層を形成した後、硫酸銅溶液を用いて、陰極の電流密度
２．５Ａ／ｄｍ²の条件下で１４０μｍのメッキ銅皮膜
を析出させ、導体パターンを形成した。得られた導体を
光学顕微鏡で観察した結果、表１記載のいずれの原料組
成による不飽和ポリエステルを用いた場合においても導
体間距離２０μｍ、断面形状が幅４０μｍ、幅方向の厚
みのばらつきが平均値の±１％以内、高さ１４０μｍ、
矩形状を呈していた。

【００４５】実施例３ プロピレングリコール、ジエチレングリコールとアジピ
ン酸、イソフタル酸、フマル酸をそれぞれモル比で０．
１２／０．３８／０．２４／０．１２／０．１４の割合
で縮合させて得たプレポリマー（二重結合濃度：１×１
０^-3、分子量：３０００）１００重量部に、ジエチレン
グリコールジメタクリレート１２重量部、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート３０重量部、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート１２重量部、ジアセトンアク
リルアミド６重量部、リン酸モノ（２−メタクリロイル
オキシエチル）３重量部、ベンゾインイソブチルエーテ
ル２重量部、４−ターシャリーブチルカテコール０．０
３重量部を加え、充分、撹拌・混合し、感光性樹脂組成
物を得た。

【００４６】次に厚さ１００μｍのアルミニウム基板を
バフロール研磨機で表面研磨し、感光性樹脂組成物を実
施例１と同様の方法で塗布・露光・現像した。この際、
レジスト層の厚みが４１０μｍになるようにスペサーで
調節した。かくして、アルミニウム基板上に幅４０μ
ｍ、高さ４１０μｍのレジストパターンを得た。

【００４７】このレジストパターン内にハーショウ村田
社製ピロリドン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度
１４Ａ／ｄｍ²の条件で、４００μｍのメッキ銅皮膜を
析出させ、導体を形成した。

【００４８】得られた基板の表面に接着剤（セメダイン
ＥＰ００８、ＥＰ１７０）をスクリーン印刷し、ガラス
エポキシ絶縁基板上に転写・接着した後、アルミニウム
基板を１０％塩酸でエッチング、除去し、膜厚回路基板
を得た。

【００４９】得られた基板を２ｃｍ角に切断し、エポキ
シ樹脂で硬化させた後、研磨機により断面を鏡面研磨し
た。回路部分を光学顕微鏡で観察した結果、導体間距離
４０μｍ、断面形状が幅６２μｍ、幅方向の厚みのばら
つきが平均値の±３％以内、高さ４００μｍ、矩形状を
呈していた。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、導体間の絶縁層にエチ
レン性不飽和結合を有する特定のプレポリマーとエチレ
ン性不飽和化合物単量体からなる液状感光性樹脂硬化物
を用いることにより、幅方向の厚みのばらつきが小さ
く、高いアスペクト比で、狭い配線ピッチの回路構成が
可能であり、高信頼性、高線占率、高密度配線を要求さ
れる厚膜回路基板を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｂ (56)参考文献 特開 昭59−55425（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−17548（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−54192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−45440（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−72692（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292893（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/004 G03F 7/027 G03F 7/40 H05K 1/02 H05K 3/10 H05K 3/20

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体間の絶縁層として感光性樹脂硬化物
   を用いた厚膜回路基板において、導体の断面形状が矩形
   状を呈し、導体の幅方向の厚みのばらつきが平均値の±
   ２０％以内、導体断面の高さが２０μｍ以上、さらに絶
   縁層がエチレン性不飽和結合濃度が２×１０ ^-3 〜５×１
   ０ ^-4 ｍｏｌ／ｇ、かつ分子量が３０００〜１５０００で
   あるエチレン性不飽和結合を有するポリエステルプレポ
   リマーとエチレン性不飽和化合物単量体とを含む液状感
   光性樹脂硬化物であることを特徴とする厚膜回路基板。
2. 【請求項２】 絶縁層に使用するポリエステルプレポリ
   マーが、アルキルジオールと分子内に５個以下のエーテ
   ル結合を有するジオールとの混合物からなるアルコール
   成分と、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸単
   独もしくはエチレン性不飽和結合を有しないジカルボン
   酸とエチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸との混
   合物とからなる酸成分との縮重合により得られる不飽和
   ポリエステルプレポリマーであることを特徴とする請求
   項１に記載の厚膜回路基板。
3. 【請求項３】 絶縁層が樹脂組成物１００部に対して、
   不飽和基を有するリン酸部分エステルを０．１〜１０重
   量部を含有する請求項１または２記載の厚膜回路基板。
4. 【請求項４】 厚膜回路基板を製造する方法において、 （１）基板に必要に応じて無電解メッキに対する触媒付
   与を行い、その表面に厚さ２０μｍ以上の請求項１また
   は２または３記載の液状感光性樹脂を被着する工程、 （２）上記感光性樹脂を露光・現像し、レジストパター
   ンを形成する工程、 （３）感光性樹脂の除去された部分に、必要に応じて無
   電解メッキを行い、引き続き電解メッキにより金属皮膜
   を析出させ、導体を形成する工程、 （４）形成したレジストパターンおよび導体を、必要に
   応じて絶縁基板上に転写し、ベース基板を除去し、導体
   間を絶縁化する工程、 を有することを特徴とする請求項１〜３記載の厚膜回路
   基板の製造方法。