JP3065581B2 - ショートアーク型水銀ランプ、および紫外線発光装置 - Google Patents
ショートアーク型水銀ランプ、および紫外線発光装置Info
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- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はショートアーク型
水銀ランプに関する。特に、半導体露光装置に用いられ
る高集光効率で光安定性のよいショートアーク型水銀ラ
ンプに関する。
水銀ランプに関する。特に、半導体露光装置に用いられ
る高集光効率で光安定性のよいショートアーク型水銀ラ
ンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程のうち露光工程に
は中心波長３６５nm（以下ｉ線と称す）の紫外光を放射
するショートアーク型水銀ランプが使われる。この半導
体集積回路の集積度は年々高まり、それに伴って露光時
の解像度の要求も高くなっている。さらに、ウエハーの
大口径化もあって、露光面積も大きくなり、あるいは高
解像度を達成するために利用されている変形照明技術に
よって光源からの紫外光放射量（以下、単に「放射量」
ともいう）の増大が要求されている。
は中心波長３６５nm（以下ｉ線と称す）の紫外光を放射
するショートアーク型水銀ランプが使われる。この半導
体集積回路の集積度は年々高まり、それに伴って露光時
の解像度の要求も高くなっている。さらに、ウエハーの
大口径化もあって、露光面積も大きくなり、あるいは高
解像度を達成するために利用されている変形照明技術に
よって光源からの紫外光放射量（以下、単に「放射量」
ともいう）の増大が要求されている。
【０００３】さらに、製品の単位時間当たりの生産高を
表す指標であるスループットを高めることも要求され
る。つまり、光源としてのランプにはより高い放射効率
が要求され、この光源を含む発光装置には高い集光効率
が要求される。
表す指標であるスループットを高めることも要求され
る。つまり、光源としてのランプにはより高い放射効率
が要求され、この光源を含む発光装置には高い集光効率
が要求される。
【０００４】従来、ｉ線の強い放射を得る方法として、
ランプへの入力電力を増やす方法が考えられている。し
かしながら、ランプへの入力電力を増やすと、電極への
熱的負荷が高くなり、電極物質の蒸発が激しくなって、
発光管の黒化を速めることになる。また、入力電力を増
やすと必然的に、発光管の外観寸法が大きくなり、ラン
プから発生する熱を除去するための排風装置も大型化す
る。このため、ｉ線の強い放射を得るために、ランプへ
の入力電力を増やす方法は好まれていない。
ランプへの入力電力を増やす方法が考えられている。し
かしながら、ランプへの入力電力を増やすと、電極への
熱的負荷が高くなり、電極物質の蒸発が激しくなって、
発光管の黒化を速めることになる。また、入力電力を増
やすと必然的に、発光管の外観寸法が大きくなり、ラン
プから発生する熱を除去するための排風装置も大型化す
る。このため、ｉ線の強い放射を得るために、ランプへ
の入力電力を増やす方法は好まれていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明が解決しよう
とする課題は、クリアーな発光管を長時間維持し、ｉ線
の強い放射を得ることができるショートアーク型水銀ラ
ンプ、および紫外線発光装置を提供することである。
とする課題は、クリアーな発光管を長時間維持し、ｉ線
の強い放射を得ることができるショートアーク型水銀ラ
ンプ、および紫外線発光装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明のショートアーク型水銀ランプは、石英製
の発光管の中に陰極と陽極が対向して配置しており、こ
の発光管の中に水銀と希ガスが封入されており、少なく
とも希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）、もしくはクリプト
ン(Ｋｒ)が、室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入されてお
り、陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、当該発
光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰極が発
光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする時、０．
３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６であり、かつ、前記発光管の
軸方向に垂直な断面の方向を径方向としたとき、その最
大値をＤ(mm)とする時、０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ、
０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５)であることを特徴とする。
に、この発明のショートアーク型水銀ランプは、石英製
の発光管の中に陰極と陽極が対向して配置しており、こ
の発光管の中に水銀と希ガスが封入されており、少なく
とも希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）、もしくはクリプト
ン(Ｋｒ)が、室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入されてお
り、陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、当該発
光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰極が発
光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする時、０．
３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６であり、かつ、前記発光管の
軸方向に垂直な断面の方向を径方向としたとき、その最
大値をＤ(mm)とする時、０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ、
０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５)であることを特徴とする。
【０００７】さらに、ショートアーク型水銀ランプは、
希ガスとしてアルゴン、もしくはクリプトンを封入する
のではなく、アルゴンとクリプトンの混合ガスを合計値
で室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入することを特徴とす
る。
希ガスとしてアルゴン、もしくはクリプトンを封入する
のではなく、アルゴンとクリプトンの混合ガスを合計値
で室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入することを特徴とす
る。
【０００８】
【０００９】さらに、本発明は上記ショートアーク型水
銀ランプと、この水銀ランプに所定の電力を供給する電
源よりなることを紫外線発光装置であることを特徴とす
る。
銀ランプと、この水銀ランプに所定の電力を供給する電
源よりなることを紫外線発光装置であることを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明のショートアーク型水銀
ランプは、少なくとも数気圧のアルゴン（Ａｒ）又はク
リプトン（Ｋｒ）、あるいはその混合ガスをバッファガ
スとして封入することを特徴とする。このことによっ
て、ｉ線のスペクトル幅を広げることなく、露光面の放
射照度を十分に向上できることが実験によって確認され
ている。具体的には、数気圧程度のアルゴンガス等を封
入した場合は、１気圧程度のキセノンガス（Ｘｅ）を封
入した場合に比較して、１０〜２０％の放射効率（この
効率向上分は電力換算で２０〜４０％の増加分に相当す
る）が高められている。
ランプは、少なくとも数気圧のアルゴン（Ａｒ）又はク
リプトン（Ｋｒ）、あるいはその混合ガスをバッファガ
スとして封入することを特徴とする。このことによっ
て、ｉ線のスペクトル幅を広げることなく、露光面の放
射照度を十分に向上できることが実験によって確認され
ている。具体的には、数気圧程度のアルゴンガス等を封
入した場合は、１気圧程度のキセノンガス（Ｘｅ）を封
入した場合に比較して、１０〜２０％の放射効率（この
効率向上分は電力換算で２０〜４０％の増加分に相当す
る）が高められている。
【００１１】さらに本発明では、少なくとも数気圧のア
ルゴン（Ａｒ）又はクリプトン（Ｋｒ）、あるいはその
混合ガスをバッファガスとして所定の圧力で封入した条
件下において、発光管（以下、「発光管」ともいう）の
寸法、具体的には、陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向とし
て、その軸方向の長さの値、この軸方向において陰極が
発光空間内に突き出た部分の長さの値、さらには、軸方
向に垂直な断面の方向を径方向としたときその最大値、
を考慮した数値限定をすることを特徴とする。これは封
入されるバッファガスが、同時に封入されている水銀に
対して、その封入モル数が大きい場合に、このバッファ
ガスは、発光管内における熱的振る舞いという点で大き
な特徴を発揮して、これが理由でアークの特性に強い影
響を与えているからと考えられる。
ルゴン（Ａｒ）又はクリプトン（Ｋｒ）、あるいはその
混合ガスをバッファガスとして所定の圧力で封入した条
件下において、発光管（以下、「発光管」ともいう）の
寸法、具体的には、陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向とし
て、その軸方向の長さの値、この軸方向において陰極が
発光空間内に突き出た部分の長さの値、さらには、軸方
向に垂直な断面の方向を径方向としたときその最大値、
を考慮した数値限定をすることを特徴とする。これは封
入されるバッファガスが、同時に封入されている水銀に
対して、その封入モル数が大きい場合に、このバッファ
ガスは、発光管内における熱的振る舞いという点で大き
な特徴を発揮して、これが理由でアークの特性に強い影
響を与えているからと考えられる。
【００１２】この理由は必ずしも明らかではないが以下
のように推測される。すなわち、Ar、Krガスと、Xeガス
の熱伝導率の差に依存すると考えられる。熱伝導率が大
きいと熱エネルギーの伝達速度が大きくなり、アーク中
心の温度は容易に発光管内表面付近まで伝達され、また
逆に、発光管内表面付近の温度も容易にアーク中心まで
伝達される。ここで、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスの
熱伝導率κ（１０-4Ｗ／cm/K）は、（Ar：１．６３）＞
（Kr：０．８８）＞（Xe：０．５０）の順になってい
る。つまり、ArガスやKrガスを封入した水銀ランプは、
Xeガスを封入した水銀ランプに比べて、発光管の外表面
が排風冷却などされると容易にその影響を受けてしま
い、これが原因で発光管内表面近傍の低温化、およびア
ーク中心の低温化を招くことになる。
のように推測される。すなわち、Ar、Krガスと、Xeガス
の熱伝導率の差に依存すると考えられる。熱伝導率が大
きいと熱エネルギーの伝達速度が大きくなり、アーク中
心の温度は容易に発光管内表面付近まで伝達され、また
逆に、発光管内表面付近の温度も容易にアーク中心まで
伝達される。ここで、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスの
熱伝導率κ（１０-4Ｗ／cm/K）は、（Ar：１．６３）＞
（Kr：０．８８）＞（Xe：０．５０）の順になってい
る。つまり、ArガスやKrガスを封入した水銀ランプは、
Xeガスを封入した水銀ランプに比べて、発光管の外表面
が排風冷却などされると容易にその影響を受けてしま
い、これが原因で発光管内表面近傍の低温化、およびア
ーク中心の低温化を招くことになる。
【００１３】さらに、熱伝導率の違いは、アーク中心温
度の低温化だけでなく、発光空間内におけるガスの対流
にも大きな影響を及ぼす。このガスの対流によってはア
ークの安定性にも影響を与えることになり、不所望なガ
ス対流が発生するとアークの安定性を害して揺らぎを発
生させることにもなりかねない。
度の低温化だけでなく、発光空間内におけるガスの対流
にも大きな影響を及ぼす。このガスの対流によってはア
ークの安定性にも影響を与えることになり、不所望なガ
ス対流が発生するとアークの安定性を害して揺らぎを発
生させることにもなりかねない。
【００１４】このようにアーク中心温度の低温化、ある
いは不所望なガス対流によって生ずるアークの揺らぎ
は、半導体露光装置においては露光面の照度の揺らぎや
不均一性を生じ、さらには、露光ムラや解像度の低下を
招いてしまう。
いは不所望なガス対流によって生ずるアークの揺らぎ
は、半導体露光装置においては露光面の照度の揺らぎや
不均一性を生じ、さらには、露光ムラや解像度の低下を
招いてしまう。
【００１５】そこで、本発明者らは、ＡｒガスやＫｒガ
スを封入した水銀ランプは、ランプの形状に着目して、
発光管の軸方向の長さと、陰極が発光空間内に突出する
長さを所定の関係にすることにより、安定したガス対流
を得ることを見出した。そして、このようなガス対流の
下では、ガス対流によるアーク揺らぎは良好に防止でき
ることは当然のこと、アーク中心温度の低温化に基づき
アークの揺らぎも良好に防止できることを見出したもの
である。また、上記の発光管の軸方向の長さと、陰極が
発光空間内に突出する長さに加えて、径方向の最大値と
の関係を所定範囲にすることによっても、アークの揺ら
ぎと良好に防止できることをも見出している。
スを封入した水銀ランプは、ランプの形状に着目して、
発光管の軸方向の長さと、陰極が発光空間内に突出する
長さを所定の関係にすることにより、安定したガス対流
を得ることを見出した。そして、このようなガス対流の
下では、ガス対流によるアーク揺らぎは良好に防止でき
ることは当然のこと、アーク中心温度の低温化に基づき
アークの揺らぎも良好に防止できることを見出したもの
である。また、上記の発光管の軸方向の長さと、陰極が
発光空間内に突出する長さに加えて、径方向の最大値と
の関係を所定範囲にすることによっても、アークの揺ら
ぎと良好に防止できることをも見出している。
【００１６】この発光管内で安定したガス対流を得ると
いうことを説明すれば、発光管内のガス対流は、電極か
らの放射熱、および内部ガスが電極と衝突することで当
該ガスが電極からエネルギーを受け取り、これが原因で
上昇気流を形成する。この上昇気流は電極に沿って上昇
する。そして、発光管の内表面はアークの中心に比べて
温度が十分に小さいので、この上昇気流はランプの内表
面に沿って下降することになる。
いうことを説明すれば、発光管内のガス対流は、電極か
らの放射熱、および内部ガスが電極と衝突することで当
該ガスが電極からエネルギーを受け取り、これが原因で
上昇気流を形成する。この上昇気流は電極に沿って上昇
する。そして、発光管の内表面はアークの中心に比べて
温度が十分に小さいので、この上昇気流はランプの内表
面に沿って下降することになる。
【００１７】ここで、陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向と
し、発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、その軸方向におい
て陰極が発光空間内に突出する長さをＸ(mm)とすると
き、０．３ ≦ Ｘ／Ｌ ≦０．６ であれば、アーク
の揺らぎを防止した安定な点灯ができることを見出して
いる。これは、Ｘ／Ｌが大きすぎると、相対的に陽極の
長さが短くなり、陽極からの熱放射が小さくなるので陽
極の温度を上昇させることになる。結果として、陽極物
質の蒸発を促進させ、発光管の黒化を発生させてしま
う。また、Ｘ／Ｌが小さすぎると、陰極突出長が短すぎ
るため、陰極に沿った上昇気流を十分に得ることができ
ず、結果として発光管内面に沿った下降気流が強くなっ
て優勢になる。結果として、不安定な上昇気流によって
アークを不安定にさせてしまう。
し、発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、その軸方向におい
て陰極が発光空間内に突出する長さをＸ(mm)とすると
き、０．３ ≦ Ｘ／Ｌ ≦０．６ であれば、アーク
の揺らぎを防止した安定な点灯ができることを見出して
いる。これは、Ｘ／Ｌが大きすぎると、相対的に陽極の
長さが短くなり、陽極からの熱放射が小さくなるので陽
極の温度を上昇させることになる。結果として、陽極物
質の蒸発を促進させ、発光管の黒化を発生させてしま
う。また、Ｘ／Ｌが小さすぎると、陰極突出長が短すぎ
るため、陰極に沿った上昇気流を十分に得ることができ
ず、結果として発光管内面に沿った下降気流が強くなっ
て優勢になる。結果として、不安定な上昇気流によって
アークを不安定にさせてしまう。
【００１８】次に、本発明のショートアーク型水銀ラン
プでは、軸方向において陰極が発光空間内に突き出た部
分の長さＸ(ｍｍ)と、発光管の軸方向の長さＬ(ｍｍ)に
加えて、発光管の径方向の最大値Ｄ(ｍｍ)を所定の関係
にすることで、アークをさらに安定できることを見出し
た。この理由は、上記Ｄ、Ｌ、Ｘの関係が所定の範囲に
あるということは、発光管の径に対して陰極先端が適当
な位置にあるということであり、発光管内表面に沿った
下降気流と、両電極に沿った上昇気流が安定的に生ずる
ということになる。つまり、これが原因で安定した上昇
気流によって、アークが安定させられて揺らぎも小さく
なるものと考えられる。しかし、発光管の径が所定の範
囲を下回ると、電極と発光管内表面が相対的に近づくこ
とになり、両電極に沿った上昇気流と発光管内表面に沿
った下降気流が一部において衝突を起こし、これが原因
で乱流を発生させ、その結果アークの揺らぎを生じさせ
てしまう。
プでは、軸方向において陰極が発光空間内に突き出た部
分の長さＸ(ｍｍ)と、発光管の軸方向の長さＬ(ｍｍ)に
加えて、発光管の径方向の最大値Ｄ(ｍｍ)を所定の関係
にすることで、アークをさらに安定できることを見出し
た。この理由は、上記Ｄ、Ｌ、Ｘの関係が所定の範囲に
あるということは、発光管の径に対して陰極先端が適当
な位置にあるということであり、発光管内表面に沿った
下降気流と、両電極に沿った上昇気流が安定的に生ずる
ということになる。つまり、これが原因で安定した上昇
気流によって、アークが安定させられて揺らぎも小さく
なるものと考えられる。しかし、発光管の径が所定の範
囲を下回ると、電極と発光管内表面が相対的に近づくこ
とになり、両電極に沿った上昇気流と発光管内表面に沿
った下降気流が一部において衝突を起こし、これが原因
で乱流を発生させ、その結果アークの揺らぎを生じさせ
てしまう。
【００１９】図７に本発明の各パラメータを具体的に示
す。発光管の軸方向の長さＬ、軸方向において陰極が発
光空間内に突き出た部分の長さＸ、発光管の軸方向に垂
直な断面の方向を径方向としてその最大値Ｄとは、各々
図に示す部分を意味する。ここで、発光管の軸方向の長
さＬとは、発光空間に相当する部分であって、いわゆる
封止部を除外するものである。そして、発光空間の端部
が滑らかで終端の区別がつきにくい場合であっても電極
の根元を終端と定義する。
す。発光管の軸方向の長さＬ、軸方向において陰極が発
光空間内に突き出た部分の長さＸ、発光管の軸方向に垂
直な断面の方向を径方向としてその最大値Ｄとは、各々
図に示す部分を意味する。ここで、発光管の軸方向の長
さＬとは、発光空間に相当する部分であって、いわゆる
封止部を除外するものである。そして、発光空間の端部
が滑らかで終端の区別がつきにくい場合であっても電極
の根元を終端と定義する。
【００２０】
【実施例】つぎ本発明について図面等を用いて説明す
る。図１は本発明のショートアーク型水銀ランプの実施
例を示す。石英製の発光管１の中に陰極２と陽極３が対
向配置しており、それぞれの電極は内部リード部材１２
および１３を介して封止部６、７の内部で箔部８、９と
それぞれ接続されている。前記箔部８、９には外部リー
ド部材１０、１１がそれぞれ接続されている。
る。図１は本発明のショートアーク型水銀ランプの実施
例を示す。石英製の発光管１の中に陰極２と陽極３が対
向配置しており、それぞれの電極は内部リード部材１２
および１３を介して封止部６、７の内部で箔部８、９と
それぞれ接続されている。前記箔部８、９には外部リー
ド部材１０、１１がそれぞれ接続されている。
【００２１】図２は本発明の紫外線発光装置を示す。ラ
ンプ１４を出た光は楕円鏡１５、第一平面反射鏡１６を
経て、コリメイトレンズ１７、中心波長３６５ｎｍでバ
ンド幅１０ｎｍのバンドパスフィルター１８へ到り、イ
ンテグレータレンズ１９を通り、第二平面反射鏡２１で
反射され、コンデンサレンズ２２を通り、レチクル面２
３上に到達する。そして、レチクル面２３上にシリコン
フォトダイオード検出器２４が配置する。ランプ１４に
は電源２６が接続Ｓれて所望の電力は供給される。
ンプ１４を出た光は楕円鏡１５、第一平面反射鏡１６を
経て、コリメイトレンズ１７、中心波長３６５ｎｍでバ
ンド幅１０ｎｍのバンドパスフィルター１８へ到り、イ
ンテグレータレンズ１９を通り、第二平面反射鏡２１で
反射され、コンデンサレンズ２２を通り、レチクル面２
３上に到達する。そして、レチクル面２３上にシリコン
フォトダイオード検出器２４が配置する。ランプ１４に
は電源２６が接続Ｓれて所望の電力は供給される。
【００２２】＜実施例１＞まず、アルゴンもしくはクリ
プトンを少なくとも数気圧封入してｉ線の放射効率を向
上できることに関する実験について説明する。実験は、
アルゴン、クリプトン、キセノンの封入量以外の条件は
同一である水銀ランプを使い、図２で説明した検出器２
４でｉ線照度を測定している。具体的な水銀ランプの仕
様は、外径約５５ｍｍの略球形の石英製発光管内に、タ
ングステン製で直径２０ｍｍΦの陽極３と、酸化トリウ
ムを約２ｗｔ％含むタングステン製で有効先端直径が
１．０ｍｍΦの陰極２が電極間距離４．０ｍｍで対向し
て配置しているもので、水銀が発光管内に単位容積当た
り４．５ｍｇ／ｃｃ封入されている。ランプは定電力電
源により、約２１００Ｗの入力で点灯させた。
プトンを少なくとも数気圧封入してｉ線の放射効率を向
上できることに関する実験について説明する。実験は、
アルゴン、クリプトン、キセノンの封入量以外の条件は
同一である水銀ランプを使い、図２で説明した検出器２
４でｉ線照度を測定している。具体的な水銀ランプの仕
様は、外径約５５ｍｍの略球形の石英製発光管内に、タ
ングステン製で直径２０ｍｍΦの陽極３と、酸化トリウ
ムを約２ｗｔ％含むタングステン製で有効先端直径が
１．０ｍｍΦの陰極２が電極間距離４．０ｍｍで対向し
て配置しているもので、水銀が発光管内に単位容積当た
り４．５ｍｇ／ｃｃ封入されている。ランプは定電力電
源により、約２１００Ｗの入力で点灯させた。
【００２３】ランプの種類は、Ｘｅを室温で２ａｔｍ封
入したランプ（ランプＡ）、Ｘｅに加えてＡｒを封入し
たランプ（ランプＢ１〜Ｆ１）を５種類、同じくＸｅに
加えてＫｒを封入したランプ（ランプＢ２〜Ｆ２）を５
種類使った。Ａｒを封入したランプ、およびＫｒを封入
したランプは、それぞれ０．３気圧、１気圧、３気圧、
８気圧、１２気圧と封入量を変化させて５種類作った。
入したランプ（ランプＡ）、Ｘｅに加えてＡｒを封入し
たランプ（ランプＢ１〜Ｆ１）を５種類、同じくＸｅに
加えてＫｒを封入したランプ（ランプＢ２〜Ｆ２）を５
種類使った。Ａｒを封入したランプ、およびＫｒを封入
したランプは、それぞれ０．３気圧、１気圧、３気圧、
８気圧、１２気圧と封入量を変化させて５種類作った。
【００２４】実験の結果を図３に示す。ランプＡによる
ｉ線放射照度を基準として、上記それぞれのランプによ
る相対的なｉ線放射照度を示している。ここで、放射照
度の計測誤差は１〜２％と言われており、通常、この計
測誤差を考慮しても、４％以上増加した場合に半導体製
造工程の露光工程でのスループットが明らかに改善され
ると考えられる。図よりアルゴン、クリプトンがともに
１気圧以上封入した時に相対放射照度が４％以上増加し
ていることが示される。
ｉ線放射照度を基準として、上記それぞれのランプによ
る相対的なｉ線放射照度を示している。ここで、放射照
度の計測誤差は１〜２％と言われており、通常、この計
測誤差を考慮しても、４％以上増加した場合に半導体製
造工程の露光工程でのスループットが明らかに改善され
ると考えられる。図よりアルゴン、クリプトンがともに
１気圧以上封入した時に相対放射照度が４％以上増加し
ていることが示される。
【００２５】しかし、アルゴン、クリプトンとともに室
温で１２気圧封入したもの（ランプＦ１、Ｆ２）は、放
射照度は２０％増加したものの、ｉ線のスペクトル幅が
拡がってしまい、露光における解像度の低下を招いてし
まう。この結果、アルゴン、もしくはクリプトンを封入
した水銀ランプでは、アルゴン、もしくはクリプトンを
１．０気圧から８気圧封入すると、ｉ線のスペクトル幅
を広がらせることなく、効果的に放射照度を向上できる
ことが分かった。
温で１２気圧封入したもの（ランプＦ１、Ｆ２）は、放
射照度は２０％増加したものの、ｉ線のスペクトル幅が
拡がってしまい、露光における解像度の低下を招いてし
まう。この結果、アルゴン、もしくはクリプトンを封入
した水銀ランプでは、アルゴン、もしくはクリプトンを
１．０気圧から８気圧封入すると、ｉ線のスペクトル幅
を広がらせることなく、効果的に放射照度を向上できる
ことが分かった。
【００２６】なお、以上の実験例では、アルゴン（Ａ
ｒ）、クリプトン（Ｋｒ）はＸｅ（キセノン）とともに
封入するランプについて掲げたが、Ｘｅ（キセノン）を
封入することなく、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋ
ｒ）をそれぞれ単体で封入しても同様の効果が得られる
ことが確認されている。
ｒ）、クリプトン（Ｋｒ）はＸｅ（キセノン）とともに
封入するランプについて掲げたが、Ｘｅ（キセノン）を
封入することなく、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋ
ｒ）をそれぞれ単体で封入しても同様の効果が得られる
ことが確認されている。
【００２７】ここで、希ガスとしてＡｒとＸｅを封入し
たランプにおいては、Ａｒの封入圧力に対して、Ｘｅの
封入圧力を約３倍まで上昇させると、その上昇に伴っ
て、ｉ線のレチクル面での放射照度は増大する。しかし
ながら、それ以上にＸｅの封入圧力を上昇させてもｉ線
放射照度はほとんど向上しないことが確認されている。
このことから、希ガスとしてＡｒとＸｅを封入したラン
プにおいては、レチクル面上のｉ線放射照度の向上に
は、Ｘｅ封入圧力をＡｒ封入圧力の約３倍までとするこ
とが望ましい。同様に、Ａｒの替わりにＫｒを封入し、
ＫｒとＸｅの混合ガスとした場合においても、Ｘｅの封
入圧力をＫｒ封入圧力の約３倍までとすることが望まし
いことが確認されている。
たランプにおいては、Ａｒの封入圧力に対して、Ｘｅの
封入圧力を約３倍まで上昇させると、その上昇に伴っ
て、ｉ線のレチクル面での放射照度は増大する。しかし
ながら、それ以上にＸｅの封入圧力を上昇させてもｉ線
放射照度はほとんど向上しないことが確認されている。
このことから、希ガスとしてＡｒとＸｅを封入したラン
プにおいては、レチクル面上のｉ線放射照度の向上に
は、Ｘｅ封入圧力をＡｒ封入圧力の約３倍までとするこ
とが望ましい。同様に、Ａｒの替わりにＫｒを封入し、
ＫｒとＸｅの混合ガスとした場合においても、Ｘｅの封
入圧力をＫｒ封入圧力の約３倍までとすることが望まし
いことが確認されている。
【００２８】＜実施例２＞次に、同様にｉ線の放射効率
に関する実験を説明する。この実験では、ＡｒとＫｒの
両方を混合ガスとして封入したランプについて実験して
いる。各々のランプは封入量以外は、実施例１で示した
ときと同じ形状仕様で、ランプ５本（Ｇ〜Ｎ）を製作し
た。
に関する実験を説明する。この実験では、ＡｒとＫｒの
両方を混合ガスとして封入したランプについて実験して
いる。各々のランプは封入量以外は、実施例１で示した
ときと同じ形状仕様で、ランプ５本（Ｇ〜Ｎ）を製作し
た。
【００２９】図４は各々のランプ（Ａ、Ｇ〜Ｎ）の封入
ガスとその封入圧力を示す。ランプＡは実施例１で示し
たものと同じものであって、Ｘｅを２．０ａｔｍ封入し
ている。ランプＧ〜ＬはＸｅを封入することなく、Ａｒ
とＫｒを０．３ａｔｍ、０．５ａｔｍ、１．５ａｔｍ、
４．０ａｔｍ、５．０ａｔｍずつ封入したものである。
ランプＭ、Ｎは、Ｘｅを０．３ａｔｍ、３．０ａｔｍ封
入したうえでＡｒ、Ｋｒを０．５ａｔｍずつ封入したも
のである。
ガスとその封入圧力を示す。ランプＡは実施例１で示し
たものと同じものであって、Ｘｅを２．０ａｔｍ封入し
ている。ランプＧ〜ＬはＸｅを封入することなく、Ａｒ
とＫｒを０．３ａｔｍ、０．５ａｔｍ、１．５ａｔｍ、
４．０ａｔｍ、５．０ａｔｍずつ封入したものである。
ランプＭ、Ｎは、Ｘｅを０．３ａｔｍ、３．０ａｔｍ封
入したうえでＡｒ、Ｋｒを０．５ａｔｍずつ封入したも
のである。
【００３０】結果を図に示すが、室温でＡｒを０．５ａ
ｔｍとＫｒを０．５ａｔｍ封入したランプＨと、Ｘｅの
みを２ａｔｍ封入したランプＡとで比較を行うと、ラン
プＨの方が露光機に搭載して使用した場合、レチクル面
上のｉ線の紫外線放射照度はランプＡよりも約５％増加
した。しかし、室温でＡｒ５．０ａｔｍとＫｒ５．０ａ
ｔｍの混合ガスの封入圧１０．０ａｔｍで発光管に封入
したランプＬでは、ｉ線放射照度は１８％増加したもの
の、ｉ線のスペクトル幅が拡がり露光における解像度の
低下を招いた。以上のように、ランプの灯具を用いた実
験では、ＡｒとＫｒの混合ガスを合計値として、室温で
１．０ａｔｍから８．０ａｔｍ封入すると、レチクル面
の相対ｉ線放射照度が効果的に向上することが分かっ
た。
ｔｍとＫｒを０．５ａｔｍ封入したランプＨと、Ｘｅの
みを２ａｔｍ封入したランプＡとで比較を行うと、ラン
プＨの方が露光機に搭載して使用した場合、レチクル面
上のｉ線の紫外線放射照度はランプＡよりも約５％増加
した。しかし、室温でＡｒ５．０ａｔｍとＫｒ５．０ａ
ｔｍの混合ガスの封入圧１０．０ａｔｍで発光管に封入
したランプＬでは、ｉ線放射照度は１８％増加したもの
の、ｉ線のスペクトル幅が拡がり露光における解像度の
低下を招いた。以上のように、ランプの灯具を用いた実
験では、ＡｒとＫｒの混合ガスを合計値として、室温で
１．０ａｔｍから８．０ａｔｍ封入すると、レチクル面
の相対ｉ線放射照度が効果的に向上することが分かっ
た。
【００３１】更に、ＡｒとＫｒの混合ガスに加えてＸｅ
を加えたランプＭ、Ｎについても、ＡｒとＫｒの合計の
封入圧力が室温で１．０ａｔｍから８．０ａｔｍであれ
ば、ｉ線放射照度が効果的に向上できることが分かっ
た。そして、ランプＭとランプＮの比較により、Ｘｅの
封入圧力を上げると、それに伴って、ｉ線のレチクル面
上での放射照度も上昇することがわかる。しかしなが
ら、本発明者らの実験によれば、Ｘｅの封入圧力がＡｒ
とＫｒの合計の封入圧力に対して、約３倍を超えると、
ｉ線の放射照度はほとんど上昇しなくなることが確認さ
れている。従って、ｉ線放射照度の向上の点からは、Ｘ
ｅ封入圧力をＡｒとＫｒの合計の封入圧力の約３倍まで
とすることが望ましい。
を加えたランプＭ、Ｎについても、ＡｒとＫｒの合計の
封入圧力が室温で１．０ａｔｍから８．０ａｔｍであれ
ば、ｉ線放射照度が効果的に向上できることが分かっ
た。そして、ランプＭとランプＮの比較により、Ｘｅの
封入圧力を上げると、それに伴って、ｉ線のレチクル面
上での放射照度も上昇することがわかる。しかしなが
ら、本発明者らの実験によれば、Ｘｅの封入圧力がＡｒ
とＫｒの合計の封入圧力に対して、約３倍を超えると、
ｉ線の放射照度はほとんど上昇しなくなることが確認さ
れている。従って、ｉ線放射照度の向上の点からは、Ｘ
ｅ封入圧力をＡｒとＫｒの合計の封入圧力の約３倍まで
とすることが望ましい。
【００３２】＜実施例３＞次にアーク安定度、すなわ
ち、上記希ガスを封入したランプであって、ランプ形状
によるアークの安定に関する実験を説明する。まず、発
光管の軸方向の長さと、陰極が発光空間内部に突出する
長さとの関係について説明する。実施例１で試作したも
のと同型のランプにて、封入水銀量が４．５ｍｇ／ｃ
ｃ、希ガス封入量がＡｒ１．５ａｔｍ（他の希ガスは封
入しない）、Ｋｒ１．５ａｔｍ（他の希ガスを封入しな
い）、Ｘｅ０．５ａｔｍ（他の希ガスは封入しない）で
あって、発光管の軸方向の長さＬ(ｍｍ)と、陰極が発光
空間内部に突き出た長さＸ(ｍｍ)を変化させたランプを
使った。ランプ点灯には、定電流電源を用いた。また、
この実験では発光管の径方向の長さは関係しないが、上
記パラメータを変化させると径方向の大きさも変わるた
め、参考までに径方向の長さの記載している。
ち、上記希ガスを封入したランプであって、ランプ形状
によるアークの安定に関する実験を説明する。まず、発
光管の軸方向の長さと、陰極が発光空間内部に突出する
長さとの関係について説明する。実施例１で試作したも
のと同型のランプにて、封入水銀量が４．５ｍｇ／ｃ
ｃ、希ガス封入量がＡｒ１．５ａｔｍ（他の希ガスは封
入しない）、Ｋｒ１．５ａｔｍ（他の希ガスを封入しな
い）、Ｘｅ０．５ａｔｍ（他の希ガスは封入しない）で
あって、発光管の軸方向の長さＬ(ｍｍ)と、陰極が発光
空間内部に突き出た長さＸ(ｍｍ)を変化させたランプを
使った。ランプ点灯には、定電流電源を用いた。また、
この実験では発光管の径方向の長さは関係しないが、上
記パラメータを変化させると径方向の大きさも変わるた
め、参考までに径方向の長さの記載している。
【００３３】各々のランプのアークの揺らぎ具合を測定
する方法は次の通りである。図２で示したレチクル面２
４上のシリコンフォトダイオード検出器２４で検出した
光信号で、その出力信号の最大値をＭＡ、最小値をＭＩ
として、アーク安定度の評価は、２（ＭＡ−ＭＩ）／
（ＭＡ＋ＭＩ）×１００％で表した。通常、アーク安定
度が５％までであれば、露光焼き付けに際して露光むら
を生じないと言われており、これを良(○)として、５％
より大きいものを不良(×)とした。この結果を図５に示
すが、この結果より、Ｘ／Ｌの値が０．３〜０．６であ
ればアークが安定していることが、明確に示されてい
る。
する方法は次の通りである。図２で示したレチクル面２
４上のシリコンフォトダイオード検出器２４で検出した
光信号で、その出力信号の最大値をＭＡ、最小値をＭＩ
として、アーク安定度の評価は、２（ＭＡ−ＭＩ）／
（ＭＡ＋ＭＩ）×１００％で表した。通常、アーク安定
度が５％までであれば、露光焼き付けに際して露光むら
を生じないと言われており、これを良(○)として、５％
より大きいものを不良(×)とした。この結果を図５に示
すが、この結果より、Ｘ／Ｌの値が０．３〜０．６であ
ればアークが安定していることが、明確に示されてい
る。
【００３４】＜実施例４＞次に、発光管の軸方向の長
さ、陰極が発光空間内に突き出る長さに加えて、径方向
の長さも考慮した実験について説明する。実施例３で試
作したものと同型のランプにて、発光管の軸方向の長さ
Ｌと、軸方向において陰極が発光管内に突き出た長さＸ
と、発光管の径方向の長さを変化させて実験を行なっ
た。測定方法等も実施例３と同様に行なった。この結果
を図６に示すが、(Ｘ＋５)／Ｄ≦０．８５であり、か
つ、(Ｌ−(Ｘ＋５))／Ｄ≦０．８５であれば、良好にア
ークを安定できることが示されている。
さ、陰極が発光空間内に突き出る長さに加えて、径方向
の長さも考慮した実験について説明する。実施例３で試
作したものと同型のランプにて、発光管の軸方向の長さ
Ｌと、軸方向において陰極が発光管内に突き出た長さＸ
と、発光管の径方向の長さを変化させて実験を行なっ
た。測定方法等も実施例３と同様に行なった。この結果
を図６に示すが、(Ｘ＋５)／Ｄ≦０．８５であり、か
つ、(Ｌ−(Ｘ＋５))／Ｄ≦０．８５であれば、良好にア
ークを安定できることが示されている。
【００３５】
【発明の効果】この発明のショートアーク型水銀ランプ
は、少なくともアルゴン（Ａｒ）又はクリプトン（Ｋ
ｒ）を室温で１．０〜８．０ａｔｍ、あるいはその混合
ガスを合計値として室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入す
ることによって、ｉ線のスペクトル幅を広げることな
く、露光面の放射照度を十分に向上させることができ
る。さらに、発光管の軸方向の長さ、陰極が発光空間内
に突き出る長さ、発光管の径方向の最大値を所定の関係
にすることで、アークの揺らぎを良好に防止することが
できる。
は、少なくともアルゴン（Ａｒ）又はクリプトン（Ｋ
ｒ）を室温で１．０〜８．０ａｔｍ、あるいはその混合
ガスを合計値として室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入す
ることによって、ｉ線のスペクトル幅を広げることな
く、露光面の放射照度を十分に向上させることができ
る。さらに、発光管の軸方向の長さ、陰極が発光空間内
に突き出る長さ、発光管の径方向の最大値を所定の関係
にすることで、アークの揺らぎを良好に防止することが
できる。
【図１】本発明のショートアーク型水銀ランプを示す。
【図２】本発明の紫外線発光装置を示す。
【図３】本発明によるｉ線放射強度に関する実験結果を
示す。
示す。
【図４】本発明によるｉ線放射強度に関する実験結果を
示す。
示す。
【図５】本発明によるアーク安定に関する実験結果を示
す。
す。
【図６】本発明によるアーク安定に関する実験結果を示
す。
す。
【図７】本発明によるショートアーク型水銀ランプを示
す。
す。
１ 発光管 ２ 陰極 ３ 陽極 ４ 陰極先端放電領域 ５ アーク領域 ６ 封止部 ７ 封止部 ８ 箔部 ９ 箔部 １０ 外部リード部材 １１ 外部リード部材 １２ 内部リード部材 １３ 内部リード部材 １４ ランプ １５ 楕円鏡 １６ 第一平面反射鏡 １７ コリメイトレンズ １８ バンドパスフィルタ １９ インテグレータレンズ ２０ 絞り ２１ 第二平面反射鏡 ２２ コンデンスレンズ ２３ レチクル面 ２４ シリコンフォトダイオード検出器 ２５ モニター ２６ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−77967（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−105457（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−76157（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−126580（ＪＰ，Ａ) 特公 昭62−2428（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 61/88 H01J 61/16
Claims (5)
- 【請求項１】石英製の発光管の中に陰極と陽極が対向配
置しており、この発光管の中に水銀と希ガスが封入され
ているショートアーク型水銀ランプにおいて、 少なくとも希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）、もしくはク
リプトン(Ｋｒ)が、室温で１．０〜８．０ａｔｍ封入さ
れ、 陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、 当該発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰
極が発光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする
時、 ０．３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６ であり、かつ、前記発光管の軸方向に垂直な断面の方向
を径方向として、その最大値をＤ(mm)とする時、 ０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ ０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５) であることを特徴とするショートアーク型水銀ランプ。 - 【請求項２】石英製の発光管の中に陰極と陽極が対向配
置しており、この発光管の中に水銀と希ガスが封入され
ているショートアーク型水銀ランプにおいて、 少なくとも希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）とクリプトン
（Ｋｒ）が、合計値として室温で１．０〜８．０ａｔｍ
封入され、 陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、 当該発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰
極が発光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする
時、 ０．３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６ であり、かつ、前記発光管の軸方向に垂直な断面の方向
を径方向として、その最大値をＤ(mm)とする時、 ０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ ０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５) であることを特徴とするショートアーク型水銀ランプ。 - 【請求項３】石英製の発光管内に陰極と陽極が対向して
配置しており、この発光管の中に水銀と希ガスが封入さ
れているショートアーク型水銀ランプと、この水銀ラン
プに所定の電力を供給する電源よりなる紫外線発光装置
において、 前記水銀ランプは、少なくとも希ガスとしてアルゴン
（Ａｒ）、もしくはクリプトン(Ｋｒ)が、室温で１．０
〜８．０ａｔｍ封入されており、 陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、 当該発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰
極が発光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする
時、 ０．３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６ であり、かつ、 前記発光管の軸方向に垂直な断面の方向を径方向とし
て、その最大値をＤ(mm)とする時、 ０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ ０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５) であることを特徴とする紫外線発光装置。 - 【請求項４】石英製の発光管内に陰極と陽極が対向して
配置しており、この発光管の中に水銀と希ガスが封入さ
れているショートアーク型水銀ランプと、この水銀ラン
プに所定の電力を供給する電源よりなる紫外線発光装置
において、 前記水銀ランプは、少なくとも希ガスとしてアルゴン
(Ａｒ)とクリプトン（Ｋｒ）が、合計値として室温で
１．０〜８．０ａｔｍ封入されており、 陽極と陰極を結ぶ方向を軸方向としたとき、 当該発光管の軸方向の長さをＬ(mm)、軸方向において陰
極が発光空間内に突き出た部分の長さをＸ(mm)とする
時、 ０．３≦ Ｘ／Ｌ ≦ ０．６ であり、かつ、 前記発光管の軸方向に垂直な断面の方向を径方向とし
て、その最大値をＤ(mm)とする時、 ０．８５Ｄ≧(Ｘ＋５)、かつ ０．８５Ｄ≧Ｌ−(Ｘ＋５) であることを特徴とする紫外線発光装置。 - 【請求項５】前記ショートアーク型水銀ランプは、陽極
が上方で陰極が下方になるように垂直に配置したことを
特徴とする請求項３または請求項４に記載する紫外線発
光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10093847A JP3065581B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ショートアーク型水銀ランプ、および紫外線発光装置 |
| TW087118057A TW405145B (en) | 1998-03-24 | 1998-10-30 | Short-arc-type mercury lamp and UV emission device |
| US09/270,845 US6373189B1 (en) | 1998-03-24 | 1999-03-18 | Mercury lamp of the short arc type having specific relationship with various dimensions of the bulb and UV emission device |
| KR10-1999-0009673A KR100466763B1 (ko) | 1998-03-24 | 1999-03-22 | 쇼트아크형 수은램프 및 자외선 발광장치 |
| DE69910477T DE69910477T2 (de) | 1998-03-24 | 1999-03-24 | Kurzbogen-Quecksilberdampflampe und UV Emissionsvorrichtung |
| EP99105968A EP0945895B1 (en) | 1998-03-24 | 1999-03-24 | Mercury lamp of the short arc type and UV emission device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10093847A JP3065581B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ショートアーク型水銀ランプ、および紫外線発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273619A JPH11273619A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3065581B2 true JP3065581B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=14093808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10093847A Expired - Lifetime JP3065581B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ショートアーク型水銀ランプ、および紫外線発光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6373189B1 (ja) |
| EP (1) | EP0945895B1 (ja) |
| JP (1) | JP3065581B2 (ja) |
| KR (1) | KR100466763B1 (ja) |
| DE (1) | DE69910477T2 (ja) |
| TW (1) | TW405145B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3580205B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2004-10-20 | ウシオ電機株式会社 | 電磁エネルギー励起点光源ランプ装置 |
| JP2003257364A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀ランプ |
| JP3938038B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2007-06-27 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型放電ランプ |
| JP4400136B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2010-01-20 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型水銀蒸気放電ランプ |
| JP5856380B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2016-02-09 | 岩崎電気株式会社 | ショートアーク型放電ランプ |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3706000A (en) * | 1970-05-11 | 1972-12-12 | Westinghouse Electric Corp | Current-rated short-arc lamp for light projection apparatus |
| DE3029824A1 (de) * | 1980-08-06 | 1982-03-11 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 8000 München | Hochdruckentladungslampe |
| DE3716485C1 (de) * | 1987-05-16 | 1988-11-24 | Heraeus Gmbh W C | Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe |
| KR920000942B1 (ko) * | 1988-06-23 | 1992-01-31 | 도오시바 라이텍크 가부시기가이샤 | 쇼트아크 방전등 |
| JP3158633B2 (ja) * | 1992-04-01 | 2001-04-23 | 岩崎電気株式会社 | ショートアークメタルハライドランプ装置 |
| JP3020397B2 (ja) * | 1992-11-20 | 2000-03-15 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型カドミウム希ガス放電ランプおよびこれを搭載した投影露光装置 |
| DE69402641T2 (de) * | 1993-08-03 | 1997-08-21 | Ushio Electric Inc | Cadmiumentladungslampe |
| US5627430A (en) * | 1994-06-29 | 1997-05-06 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp having a cathode with a sintered tip insert |
| JPH0887066A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Ushio Inc | 光源装置 |
| JP3077541B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2000-08-14 | ウシオ電機株式会社 | ショートアークメタルハライドランプ |
| JPH1074447A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Iwasaki Electric Co Ltd | ショートアークメタルハライドランプ装置 |
| JPH10134775A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Ushio Inc | メタルハライドランプ |
| JP3298453B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2002-07-02 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型放電ランプ |
| US5942850A (en) * | 1997-09-24 | 1999-08-24 | Welch Allyn, Inc. | Miniature projection lamp |
| US6133694A (en) * | 1999-05-07 | 2000-10-17 | Fusion Uv Systems, Inc. | High-pressure lamp bulb having fill containing multiple excimer combinations |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP10093847A patent/JP3065581B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-30 TW TW087118057A patent/TW405145B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
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