JP2991933B2 - 半導体露光用放電ランプ - Google Patents
半導体露光用放電ランプInfo
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- JP2991933B2 JP2991933B2 JP6160792A JP16079294A JP2991933B2 JP 2991933 B2 JP2991933 B2 JP 2991933B2 JP 6160792 A JP6160792 A JP 6160792A JP 16079294 A JP16079294 A JP 16079294A JP 2991933 B2 JP2991933 B2 JP 2991933B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、波長２４０〜２５４ｎ
ｍの紫外線を利用して、回路パターンの焼き付けを行う
半導体露光装置のための光源ランプに関するものであ
る。
ｍの紫外線を利用して、回路パターンの焼き付けを行う
半導体露光装置のための光源ランプに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近の超ＬＳＩの開発の進歩は著しく、
高集積度化にともなって高解像度が要求され、露光に必
要な光の波長が短いランプが求められるようになって来
ている。従来の技術では、１Ｍｂｉｔｓ以下の集積度を
もつ半導体装置を露光する場合は、水銀灯のｇ線（中心
波長４３６ｎｍ）を用い、それ以上の集積度を有する半
導体装置では、変形照明を用いる等して、ｉ線（中心波
長３６５ｎｍ）を用いて、約６４ＭＤＲＡＭの半導体装
置の製造を可能にして来た。２５６ＭＤＲＡＭ以上の半
導体装置の露光に必要な光源として、高解像度、高ＮＡ
が可能なＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）が提案され、実
用化に向けて種々実験が行われている。しかし、この光
源はコヒーレント光なので、ウエハー上のレジスト膜厚
間での干渉効果により、高解像度化を困難にして来てお
り、更にこの光源はパルス的に照射される為にレンズで
ある硝材や反射鏡へのパワーダメージが大きく、その寿
命が短い等まだまだ解決すべき問題は多く残っている。
高集積度化にともなって高解像度が要求され、露光に必
要な光の波長が短いランプが求められるようになって来
ている。従来の技術では、１Ｍｂｉｔｓ以下の集積度を
もつ半導体装置を露光する場合は、水銀灯のｇ線（中心
波長４３６ｎｍ）を用い、それ以上の集積度を有する半
導体装置では、変形照明を用いる等して、ｉ線（中心波
長３６５ｎｍ）を用いて、約６４ＭＤＲＡＭの半導体装
置の製造を可能にして来た。２５６ＭＤＲＡＭ以上の半
導体装置の露光に必要な光源として、高解像度、高ＮＡ
が可能なＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）が提案され、実
用化に向けて種々実験が行われている。しかし、この光
源はコヒーレント光なので、ウエハー上のレジスト膜厚
間での干渉効果により、高解像度化を困難にして来てお
り、更にこの光源はパルス的に照射される為にレンズで
ある硝材や反射鏡へのパワーダメージが大きく、その寿
命が短い等まだまだ解決すべき問題は多く残っている。
【０００３】他方、２５６ＭＤＲＡＭの高集積度の半導
体装置の製造の光源に、水銀ランプの波長２５０ｎｍ周
辺の発光を利用しようとする試みが続けられている。例
えば、J. Vac. Sei. Technol. B7(6) 1989, PP1607-161
2 に見られる様に、硝材の色収差を無くす為に反射光学
系が採用されており、露光波長帯域幅を広くとることが
でき、従って、レジスト膜厚による干渉効果を防ぐこと
ができる。更に、レーザーに比べ、光の尖頭強度は非常
に小さいので硝材に与える損傷が回避できることが知ら
れている。ところで、上記の様な半導体露光装置に使用
されている水銀ランプでは、特公昭６２−２４２８によ
れば、水銀ランプからの放射波長域２００〜２５０ｎｍ
が強くなるのは、発光管単位体積当たりの水銀封入量を
Ｍ（ｍｇ／ｃｃ）、希ガス封入圧力をＰとする時１≦Ｍ
≦１３，０．１×１０5 ≦Ｐ≦１×１０6 であると規定
している。しかしながら、上記の封入量に従うと、産業
上に利用できる十分強い放射強度を得ることができず、
半導体露光プロセスにおけるスループットの低下即ち、
生産性の低下を招いていた。又、産業上利用できる強度
を得ようとすれば、ランプ入力を大幅に増大するしか他
に方法がなく、この方法によれば、装置が大型化すると
共に、ランプからの熱放射も増大し、装置への熱的損傷
を与える等解決困難な問題が新たに出てくるのが現状で
あった。
体装置の製造の光源に、水銀ランプの波長２５０ｎｍ周
辺の発光を利用しようとする試みが続けられている。例
えば、J. Vac. Sei. Technol. B7(6) 1989, PP1607-161
2 に見られる様に、硝材の色収差を無くす為に反射光学
系が採用されており、露光波長帯域幅を広くとることが
でき、従って、レジスト膜厚による干渉効果を防ぐこと
ができる。更に、レーザーに比べ、光の尖頭強度は非常
に小さいので硝材に与える損傷が回避できることが知ら
れている。ところで、上記の様な半導体露光装置に使用
されている水銀ランプでは、特公昭６２−２４２８によ
れば、水銀ランプからの放射波長域２００〜２５０ｎｍ
が強くなるのは、発光管単位体積当たりの水銀封入量を
Ｍ（ｍｇ／ｃｃ）、希ガス封入圧力をＰとする時１≦Ｍ
≦１３，０．１×１０5 ≦Ｐ≦１×１０6 であると規定
している。しかしながら、上記の封入量に従うと、産業
上に利用できる十分強い放射強度を得ることができず、
半導体露光プロセスにおけるスループットの低下即ち、
生産性の低下を招いていた。又、産業上利用できる強度
を得ようとすれば、ランプ入力を大幅に増大するしか他
に方法がなく、この方法によれば、装置が大型化すると
共に、ランプからの熱放射も増大し、装置への熱的損傷
を与える等解決困難な問題が新たに出てくるのが現状で
あった。
【０００４】上記事情に鑑み、最近は、水銀分子発光の
波長２４０ｎｍから２５４ｎｍの紫外線を効率良く取り
出せるようにした半導体露光用放電ランプの研究が進
み、例えば、水銀封入量を１４ｍｇ／ｃｍ3 から３０ｍ
ｇ／ｃｍ3 、キセノンを０．１×１０5 Ｐａから５×１
０Ｐａ（２５℃基準）に規定した放電ランプが提案され
た。しかしながら、このランプを長時間点灯使用する
と、発光管に歪みが発生したり、紫外線透過率の低下が
ｇ線用ランプやｉ線用ランプより早いことが分かった。
また、利用する露光波長が短波長になると、ランプ設計
時の紫外線の放射強度とランプ点灯中の紫外線の放射強
度が異なることも分かった。
波長２４０ｎｍから２５４ｎｍの紫外線を効率良く取り
出せるようにした半導体露光用放電ランプの研究が進
み、例えば、水銀封入量を１４ｍｇ／ｃｍ3 から３０ｍ
ｇ／ｃｍ3 、キセノンを０．１×１０5 Ｐａから５×１
０Ｐａ（２５℃基準）に規定した放電ランプが提案され
た。しかしながら、このランプを長時間点灯使用する
と、発光管に歪みが発生したり、紫外線透過率の低下が
ｇ線用ランプやｉ線用ランプより早いことが分かった。
また、利用する露光波長が短波長になると、ランプ設計
時の紫外線の放射強度とランプ点灯中の紫外線の放射強
度が異なることも分かった。
【０００５】
【課題が解決しようとする課題】本発明の課題は、波長
２４０ｎｍから２５４ｎｍの水銀分子発光を利用した半
導体露光用放電ランプにおいて、発光管の早期の歪み発
生や紫外線透過率の劣化を抑制すること、あるいは、ラ
ンプ点灯中でも設計時の紫外線放射強度が得られるよう
にすること、これらによって良好な半導体露光用放電ラ
ンプを提供することである。
２４０ｎｍから２５４ｎｍの水銀分子発光を利用した半
導体露光用放電ランプにおいて、発光管の早期の歪み発
生や紫外線透過率の劣化を抑制すること、あるいは、ラ
ンプ点灯中でも設計時の紫外線放射強度が得られるよう
にすること、これらによって良好な半導体露光用放電ラ
ンプを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、石英ガ
ラス製の発光管内に、近接して一対の電極を配置し、封
入物として、水銀と希ガスとを封入して波長２４０ｎｍ
から２５４ｎｍの範囲の水銀分子の発光を効率良く取り
出せるようにした半導体露光用放電ランプにおいて、前
記石英ガラスのＯＨ基含有量を、重量ｐｐｍで、３００
から８００に規定することによって達成できる。
ラス製の発光管内に、近接して一対の電極を配置し、封
入物として、水銀と希ガスとを封入して波長２４０ｎｍ
から２５４ｎｍの範囲の水銀分子の発光を効率良く取り
出せるようにした半導体露光用放電ランプにおいて、前
記石英ガラスのＯＨ基含有量を、重量ｐｐｍで、３００
から８００に規定することによって達成できる。
【０００７】あるいは、前記構成に加えて、当該石英ガ
ラスの金属不純物量を、重量ｐｐｍで、１以下に規定す
ることによって達成できる。
ラスの金属不純物量を、重量ｐｐｍで、１以下に規定す
ることによって達成できる。
【０００８】
【作用】従来より、ｇ線用ランプやｉ線用ランプの発光
管は、ＯＨ基含有量の少ない石英、例えば重量ｐｐｍ
で、数十ｐｐｍ以下あるいは、数ｐｐｍ以下の「無水石
英」を使用している。点灯使用中、発光管の温度が１０
００℃程度になっても、発光管から酸素，水素，水等の
放出が少ない長所があるからである。しかしながら、こ
のような石英は、紫外線によってカラーセンターが生じ
易く、それによって歪みが発生し易かったり、紫外線透
過率の低下をまねく。そのためＯＨ基の多い石英ガスを
用い、カラーセンターが発生しにくいようにした。重量
ｐｐｍで３００以上であれば、カラーセンター発生抑制
効果がある。ただし、水等の放出問題が生ずるが、発光
管内にタンタルやジルコニウムのゲッターを取り付ける
ことによって、これがもたらす他の問題は解決できる
が、それでも８００ｐｐｍは超えない方が良い。
管は、ＯＨ基含有量の少ない石英、例えば重量ｐｐｍ
で、数十ｐｐｍ以下あるいは、数ｐｐｍ以下の「無水石
英」を使用している。点灯使用中、発光管の温度が１０
００℃程度になっても、発光管から酸素，水素，水等の
放出が少ない長所があるからである。しかしながら、こ
のような石英は、紫外線によってカラーセンターが生じ
易く、それによって歪みが発生し易かったり、紫外線透
過率の低下をまねく。そのためＯＨ基の多い石英ガスを
用い、カラーセンターが発生しにくいようにした。重量
ｐｐｍで３００以上であれば、カラーセンター発生抑制
効果がある。ただし、水等の放出問題が生ずるが、発光
管内にタンタルやジルコニウムのゲッターを取り付ける
ことによって、これがもたらす他の問題は解決できる
が、それでも８００ｐｐｍは超えない方が良い。
【０００９】他方、金属不純物については、通常、室温
で石英ガラスの透過率測定検査を行い、所定の透過率の
材料であれば、重量ｐｐｍで、数十ｐｐｍ程度含有され
ていても使用していた。しかしながら、上記したよう
に、発光管は、ランプ点灯中１０００℃程度になり、不
純物金属の原子や分子の振動エネルギーの増大が無視で
きなくなり、例えば、不純物金属を２５ｐｐｍ含む石英
ガラスについて、波長２４８ｎｍの透過率を調べると、
室温時測定値を基準にして８００〜１０００℃では２０
％程透過率が低下することが分かった。したがって、本
発明では、金属不純物を１重量％以下にすることによっ
て、この課題を解決した。
で石英ガラスの透過率測定検査を行い、所定の透過率の
材料であれば、重量ｐｐｍで、数十ｐｐｍ程度含有され
ていても使用していた。しかしながら、上記したよう
に、発光管は、ランプ点灯中１０００℃程度になり、不
純物金属の原子や分子の振動エネルギーの増大が無視で
きなくなり、例えば、不純物金属を２５ｐｐｍ含む石英
ガラスについて、波長２４８ｎｍの透過率を調べると、
室温時測定値を基準にして８００〜１０００℃では２０
％程透過率が低下することが分かった。したがって、本
発明では、金属不純物を１重量％以下にすることによっ
て、この課題を解決した。
【００１０】上記作用により、ＯＨ基が適度に多く、か
つ不純物金属が少ない石英ガラスを用いると更に良い結
果が得られることは明らかである。
つ不純物金属が少ない石英ガラスを用いると更に良い結
果が得られることは明らかである。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の半導体露光用放電ランプの
実施例の説明図である。図において、１は石英ガラス製
の発光管であって、球形、紡錘形、ラグビーボール形等
をしていて、内部に陽極２、陰極３を近づけて配置して
いる。Ｌは両電極間の距離である。実験に供するランプ
においてはＬ＝３ｍｍとした。発光管１の両側には、気
密封止部４，５が連なり、モリブデン金属箔６，７が埋
設されている。８と９は、箔６，７に接続された外部リ
ード部材、１０と１１は、箔６，７に接続された内部リ
ード部材である。この実施例では、陰極３は、内部リー
ド部材１１の先端を所定の形状に加工し、先端からやや
後方の位置にタングステンワイヤ１２を巻き付けて構成
している。つまり、直流電源で点灯されるショートアー
ク型の放電ランプである。１３は、ランプ製作時に使用
した排気管の残部、いわゆるチップであって、その外面
には保温膜１４を有する。１５は、電極の後方を囲う発
光管の低温部に設けた保温膜である。
実施例の説明図である。図において、１は石英ガラス製
の発光管であって、球形、紡錘形、ラグビーボール形等
をしていて、内部に陽極２、陰極３を近づけて配置して
いる。Ｌは両電極間の距離である。実験に供するランプ
においてはＬ＝３ｍｍとした。発光管１の両側には、気
密封止部４，５が連なり、モリブデン金属箔６，７が埋
設されている。８と９は、箔６，７に接続された外部リ
ード部材、１０と１１は、箔６，７に接続された内部リ
ード部材である。この実施例では、陰極３は、内部リー
ド部材１１の先端を所定の形状に加工し、先端からやや
後方の位置にタングステンワイヤ１２を巻き付けて構成
している。つまり、直流電源で点灯されるショートアー
ク型の放電ランプである。１３は、ランプ製作時に使用
した排気管の残部、いわゆるチップであって、その外面
には保温膜１４を有する。１５は、電極の後方を囲う発
光管の低温部に設けた保温膜である。
【００１２】上記構造のランプにおいて、発光管内に水
銀２０ｍｇ／ｃｍ3 、キセノン０．５×１０5 Ｐａ封入
した。量は、いずれも２５℃基準である。このランプを
直流の定電力電源で、約２０００Ｗで点灯する。電圧は
約２９Ｖ、電流は約７０Ａである。
銀２０ｍｇ／ｃｍ3 、キセノン０．５×１０5 Ｐａ封入
した。量は、いずれも２５℃基準である。このランプを
直流の定電力電源で、約２０００Ｗで点灯する。電圧は
約２９Ｖ、電流は約７０Ａである。
【００１３】図２は、上記構造および電気定格のランプ
であって、発光管の石英ガラスの材質のＯＨ基の濃度の
異なるランプを製作し、波長２４８ｎｍをピークとする
波長２４０ｎｍか２５４ｎｍの範囲の光の放射照度を比
較調査したデータの説明図である。データの値は、点灯
後１００時間後の測定値である。図において、放射照度
は石英ガラスのＯＨ基濃度が７００重量ｐｐｍのランプ
の場合の値を１として他の値を表示した。判定欄で示す
ように、ＯＨ基が３００重量ｐｐｍ以上の石英ガラスが
良いが、多すぎると他の欠点が顕著になってくる。
であって、発光管の石英ガラスの材質のＯＨ基の濃度の
異なるランプを製作し、波長２４８ｎｍをピークとする
波長２４０ｎｍか２５４ｎｍの範囲の光の放射照度を比
較調査したデータの説明図である。データの値は、点灯
後１００時間後の測定値である。図において、放射照度
は石英ガラスのＯＨ基濃度が７００重量ｐｐｍのランプ
の場合の値を１として他の値を表示した。判定欄で示す
ように、ＯＨ基が３００重量ｐｐｍ以上の石英ガラスが
良いが、多すぎると他の欠点が顕著になってくる。
【００１４】図３は、金属不純物の異なる量の石英ガラ
スを用いてランプを製作し、ＯＨ基に関する場合と同様
なテストをした結果のデータの説明図である。図におい
て、石英ガラス中のＯＨ基濃度は３００重量ｐｐｍのも
のを使用し、放射照度は、波長２４０ｎｍから２５４ｎ
ｍの範囲の光の点灯初期の値を、ランプ（リ）の値を１
として他を表示した。このランプは、前記したように点
灯すると、発光管の内面で最高温度が１０００℃を超
え、金属不純物の濃度が高いとその影響が現れる。デー
タからも理解されるように、１重量ｐｐｍ以下が良い。
スを用いてランプを製作し、ＯＨ基に関する場合と同様
なテストをした結果のデータの説明図である。図におい
て、石英ガラス中のＯＨ基濃度は３００重量ｐｐｍのも
のを使用し、放射照度は、波長２４０ｎｍから２５４ｎ
ｍの範囲の光の点灯初期の値を、ランプ（リ）の値を１
として他を表示した。このランプは、前記したように点
灯すると、発光管の内面で最高温度が１０００℃を超
え、金属不純物の濃度が高いとその影響が現れる。デー
タからも理解されるように、１重量ｐｐｍ以下が良い。
【００１５】
【発明の効果】上記の発明と実施例の説明からも理解さ
れるように、本発明によれば、高集積度の半導体装置の
生産プロセスにおいて、露光波長がｇ線やｉ線よりも短
い場合、放電ランプを構成する発光管の石英ガラスに、
カラーセンターの生じにくいもの、金属不純物が少ない
ために熱振動による吸収の少ないものを使用することに
よって、波長２４８ｎｍにピークを有する波長２４０ｎ
ｍから２５４ｎｍの範囲の光を効率良く、長時間取り出
せる半導体露光用放電ランプを提供できる。
れるように、本発明によれば、高集積度の半導体装置の
生産プロセスにおいて、露光波長がｇ線やｉ線よりも短
い場合、放電ランプを構成する発光管の石英ガラスに、
カラーセンターの生じにくいもの、金属不純物が少ない
ために熱振動による吸収の少ないものを使用することに
よって、波長２４８ｎｍにピークを有する波長２４０ｎ
ｍから２５４ｎｍの範囲の光を効率良く、長時間取り出
せる半導体露光用放電ランプを提供できる。
【図１】本発明の半導体露光用放電ランプの実施例の説
明図である。
明図である。
【図２】ＯＨ基に関するデータの説明図である。
【図３】金属不純物に関するデータの説明図である。
１ 発光管 ２ 陽極 ３ 陰極 ４，５ 封止部 ６，７ モリブデン金属箔 ８，９ 外部リード部材 １０，１１ 内部リード部材 １２ タングステンワイヤ １３ チップ １４，１５ 保温膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 61/30 H01J 5/02
Claims (2)
- 【請求項１】 石英ガラス製の発光管内に、近接して一
対の電極を配置し、封入物として、水銀と希ガスとを封
入して波長２４０ｎｍから２５４ｎｍの範囲の水銀分子
の発光を効率良く取り出せるようにした半導体露光用放
電ランプにおいて、 前記石英ガラスのＯＨ基含有量が、重量ｐｐｍで、３０
０から８００であることを特徴とする半導体露光用放電
ランプ。 - 【請求項２】 石英ガラス製の発光管内に、近接して一
対の電極を配置し、封入物として、水銀と希ガスとを封
入して波長２４０ｎｍから２５４ｎｍの範囲の水銀分子
の発光を効率良く取り出せるようにした半導体露光用放
電ランプにおいて、 前記石英ガラスは、ＯＨ基含有量が、重量ｐｐｍで、３
００から８００であり、かつ金属不純物含有量が、重量
ｐｐｍで、１以下であることを特徴とする半導体露光用
放電ランプ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6160792A JP2991933B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 半導体露光用放電ランプ |
| KR1019950016285A KR100349800B1 (ko) | 1994-06-21 | 1995-06-19 | 방전램프 |
| US08/492,948 US5670844A (en) | 1994-06-21 | 1995-06-21 | Discharge lamp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6160792A JP2991933B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 半導体露光用放電ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087836A JPH087836A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2991933B2 true JP2991933B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=15722560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6160792A Expired - Fee Related JP2991933B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 半導体露光用放電ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991933B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3591470B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2004-11-17 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP6160792A patent/JP2991933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087836A (ja) | 1996-01-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
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