JP3057914B2 - ドライ現像用感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、可視光線、紫外線、Ｘ
線、電子線等に感応する感放射線性樹脂組成物に関し、
さらに詳しくは、プラズマエッチングを用いるドライ現
像用感放射線性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の製
造工程では、その加工されるべき基板上にポリイソプレ
ンの環化物にビスアジドを混合したネガ型ホトレジスト
やノボラック樹脂にキノンジアジド化合物を混合したポ
ジ型ホトレジスト等の感放射線性樹脂組成物を塗布し、
水銀灯のｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）を用いて露光し、現像液で現像することによりパタ
ーンを形成するホトリソグラフィ法が採用されている。
しかしながら、近年では、ＬＳＩがさらに微細化し、基
板上に形成されるべきパターンの最小寸法は１μｍ以下
の領域に入りつつあり、このように微細な寸法領域で
は、現像液を用いて現像する従来のホトリソグラフィ法
を採用しても、特に段差構造を有する基板を使用する場
合、露光時の光反射の影響や露光系における焦点深度の
浅さ等の理由から、パターンが十分解像されないという
問題があった。このような問題を解決する方法として、
現像液を用いて現像する代わりに、異方性を有する酸素
プラズマ等のガスプラズマを用いてエッチングすること
によりドライ現像して、レジストパターンを形成する方
法が提案されている。即ち、特開昭６１−１０７３４６
号公報には、光活性化合物と混合または結合されたポリ
マーを含む感光性樹脂層を基板に塗布し、該感光性樹脂
層の選択された部分だけを露光させるマスクを通して紫
外線または可視光線で露光し、露光後の感光性樹脂層を
シリル化剤で処理することにより、該シリル化剤を感光
性樹脂層の露光部分に選択的に拡散、吸収させて反応を
起こさせ、次いで、このように処理された感光性樹脂層
をプラズマエッチングしてドライ現像することにより、
その未露光部を選択的に除去して、所望のネガパターン
を形成する方法が記載されている。この方法によると、
可視光線または紫外線で露光された部分に選択的に吸収
されたシリル化剤がプラズマに対する耐性が非常に高い
ため、異方性の高い酸素プラズマ等によりエッチングを
行なうことにより、急峻な側壁を有するレジストパター
ンを得ることができ、したがって微細なパターンを解像
できることが知られている。また、平成３年秋期第５２
回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２，５３６
（１９９１）には、シリル化剤の代わりに、ビス（トリ
エチルゲルミル）アミン等の如きゲルミル化剤を用いる
ことにより、パターンが形成されることが明らかにされ
ている。これらのシリル化剤あるいはゲルミル化剤の種
類は多いが、物性および価格の面から、ヘキサメチルジ
シラザン（以下、「ＨＭＤＳ」という。）が最も使いや
すい物質である。しかしながら、ＨＭＤＳをシリル化剤
として使用すると、従来のレジストでは、シリル化温度
を１６０〜２００°Ｃといった高温にしなければ適当な
感度が得られなかった。即ち、これより低い温度では、
シリル化の進行が極めて緩慢でシリル化層の酸素プラズ
マに対する耐性が不十分なため、ドライ現像によりレジ
スト層の全領域がエッチングされてしまい、良好なパタ
ーンを形成することができない。しかしながら、シリル
化温度が高くなるにつれ、精密な温度制御が困難とな
り、またレジスト層が軟化変形するため、パターンの寸
法や形状の制御が困難となるなどの問題があった。した
がって、ＨＭＤＳを用い従来より低温でシリル化して
も、良好なパターンを形成することができるドライ現像
用レジストが強く望まれていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、ＨＭＤＳを用いる場合でも、従来のレジストより低
温度のシリル化処理により、高感度に、良好な形状を有
するレジストパターンを形成することができるドライ現
像用感放射線性樹脂組成物を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（ａ）フェノール性水酸基含有樹脂並びに（ｂ）
下記一般式(I) 、(II)、 (III)、 (IV) および(V) で示
される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の
化合物を含有し、且つ組成物中に（ｃ）１，２−キノン
ジアジドスルホン酸エステル成分を含有することを特徴
とするドライ現像用感放射線性樹脂組成物により達成さ
れる。

【化１】〔一般式(I) において、R¹は１個以上のハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいは
シアノ基で置換されていてもよいアリール基もしくはア
ルキル基、または下記一般式(VI)、(VII) もしくは(VII
I)｛一般式(VI)、(VII) および(VIII)において、R²、 R
³ 、 R⁴ および R⁵ は相互に独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基
あるいはシアノ基を表す。｝で示される１，２ーナフト
キノンジアジド基が光あるいは熱の作用により分解して
生成する基を表し、X¹は一般式(I) の硫黄原子と結合し
た窒素原子を環構成原子として含む非縮合環あるいは縮
合環の複素環基を表す。

【化６】

【化７】

【化８】〕

【化２】〔一般式(II)において、D は前記一般式(VI)、
(VII) もしくは(VIII)で示される１，２ーナフトキノン
ジアジド基を表し、X²は一般式(II)の硫黄原子と結合し
た窒素原子を環構成原子として含む非縮合環あるいは縮
合環の複素環基であって、１個の窒素原子と４〜１０個
の炭素原子、０〜３個の酸素原子および０〜３個の硫黄
原子とからなる複素環基、相互に隣接する２個の窒素原
子と３〜１０個の炭素原子、０〜３個の酸素原子および
０〜３個の硫黄原子とからなる複素環基、１個以上の炭
素原子、酸素原子あるいは硫黄原子により隔てられた２
個の窒素原子と３〜１０個の炭素原子、０〜３個の酸素
原子および０〜３個の硫黄原子とからなる複素環基、お
よび相互に隣接していても隣接していなくてもよい３〜
６個の窒素原子と２〜１０個の炭素原子、０〜３個の酸
素原子および０〜３個の硫黄原子とからなる複素環基か
ら選ばれる基を表す〕

【化３】〔一般式(III) において、R⁶は１個以上のハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるい
はシアノ基で置換されていてもよいアリール基もしくは
アルキル基、前記一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で
示される１，２ーナフトキノンジアジド基またはこれら
の１，２ーナフトキノンジアジド基が光あるいは熱の作
用により分解して生成する基を表し、X³は非縮合環ある
いは縮合環の炭素環または複素環基を表す。〕

【化４】〔一般式(IV)において、R⁷は１個以上のハロゲ
ン原子あるいは水酸基で置換されていてもよいアリール
基もしくはアルキル基、-S-R⁸(ここで、R⁸はアリール基
を表す。) または−SO₂-R⁹｛ここで、R⁹はニトロ基ある
いはシアノ基で置換されていてもよいアリール基、前記
一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で示される１，２ー
ナフトキノンジアジド基またはこれらの１，２ーナフト
キノンジアジド基が光あるいは熱の作用により分解して
生成する基を表す。｝、Y は１個以上のハロゲン原子、
水酸基、アルキル基、ニトロ基あるいはシアノ基で置換
されていてもよいアリーレン基、アルキレン基またはア
ルケニレン基を表し、Z は単結合またはオキシ基を表
す。〕

【化５】〔一般式(V) において、R¹⁰ は１個以上のハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるい
はシアノ基で置換されていてもよいアリール基もしくは
アルキル基、前記一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で
示される１，２ーナフトキノンジアジド基またはこれら
の１，２ーナフトキノンジアジド基が光あるいは熱の作
用により分解して生成する基を表し、R¹¹ およびR¹² は
相互に独立に水素原子、アルキル基または１個以上のハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基ある
いはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を表
し、R¹¹ およびR¹² の少なくとも一方は水素原子以外の
基である。〕

【０００５】以下本発明を具体的に説明するが、これに
より、本発明の目的、構成および効果が明確となるであ
ろう。まず、本発明において使用される（ａ）フェノー
ル性水酸基含有樹脂は、炭素環あるいは複素環の、また
非縮合環あるいは縮合環の芳香族環に直接結合した水酸
基を有する樹脂であり、その例としては、ノボラック樹
脂、フェノール性水酸基を有するスチレン系樹脂（以
下、「フェノール性スチレン系樹脂」という。）、これ
らの樹脂中のフノール性水酸基の一部を１，２ーキノン
ジアジドスルホン酸エステル化した樹脂等を挙げること
ができる。

【０００６】これらの（ａ）フェノール性水酸基含有樹
脂のうち、ノボラック樹脂は、フェノール性化合物とア
ルデヒドとを酸性触媒の存在下で重縮合することにより
製造される。前記フェノール性化合物としては、例えば
１−ナフトール、２−メチル−１−ナフトール、４−メ
トキシ−１−ナフトール、４−エトキシ−１−ナフトー
ル、４−プロポキシ−１−ナフトール、４−ブトキシ−
１−ナフトール、５−メチル−１−ナフトール、２−エ
チル−１−ナフトール、２−プロピル−１−ナフトー
ル、２−ブチル−１−ナフトール等のヒドロキシナフタ
リン類、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−
エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチル
フェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノ
ール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、
２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、３，６−キシ
レノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，
４，５−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノー
ル、レゾルシノール、ハイドロキノン、ハイドロキノン
モノメチルエーテル、ピロガロール、フロログルシノー
ル、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＣ、ビスフェノールＳ、没食子酸、没食子酸エ
ステル等のフェノール類を挙げることができる。これら
のフェノール性化合物は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。

【０００７】また、前記アルデヒドとしては、例えばホ
ルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニ
ルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒ
ド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズア
ルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニ
トロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、
ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデ
ヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズ
アルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド等を挙げ
ることができる。これらのアルデヒドのうち、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が好
ましい。これらのアルデヒドは、単独でまたは２種以上
を混合して使用される。

【０００８】アルデヒドの使用量は、フェノール性化合
物１モル当たり、好ましくは０．７〜３モル、特に好ま
しくは０．７〜２モルである。

【０００９】前記酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸
等の無機酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用され
る。酸性触媒の使用量は、フェノール性化合物１モル当
たり、好ましくは１×１０^-4〜５×１０^-1モルである。

【００１０】フェノール性化合物とアルデヒドとの縮合
反応に際しては、通常反応媒質として水が用いられる
が、使用するフェノール性化合物がアルデヒド類に溶解
せず、反応初期から不均一系となる場合は、親水性溶媒
を反応媒質として使用することもできる。この親水性溶
媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の環状エーテル類を挙げることができ
る。これらの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量
部当たり、好ましくは２０〜１，０００重量部である。

【００１１】フェノール性化合物とアルデヒドとの縮合
反応の温度は、反応原料の反応性に応じて変わるが、通
常１０〜２００°Ｃ、好ましくは７０〜１５０°Ｃであ
る。

【００１２】縮合反応の終了後、系内に存在する未反応
原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するため、通常反応
液の温度を１３０〜２３０°Ｃに上昇させ、減圧下で揮
発分を留去して、生成ノボラック樹脂を回収する。

【００１３】本発明におけるノボラック樹脂のポリスチ
レン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）
は、好ましくは１，０００〜２００，０００であり、さ
らに好ましくは２，０００〜５０，０００、特に好まし
くは２，０００〜３０，０００である。

【００１４】また、前記フェノール性スチレン系樹脂と
しては、例えばヒドロキシスチレン、α−メチル−ｍ−
ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチ
レン等のヒドロキシスチレン類あるいはそれらの誘導体
から選ばれる単量体の単独重合体またはこれらの単量体
相互の共重合体、前記ヒドロキシスチレン類あるいはそ
れらの誘導体から選ばれる少なくとも１種の単量体と他
のビニル系単量体、例えばスチレン、α−メチルスチレ
ン、ビニルエーテル、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル
酸エステル、無水マレイン酸、有機酸のビニルエステル
等、との共重合体、あるいはこれらの単独重合体あるい
は共重合体を、例えば塩素、臭素、ヨウ素等により、ハ
ロゲン化したハロゲン化フェノール性スチレン系樹脂等
を挙げることができる。

【００１５】これらのフェノール性スチレン系樹脂のう
ち、ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（α−メチル−
ｍ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（α−メチル−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン）等が好ましい。

【００１６】フェノール性スチレン系樹脂のＭｗは、好
ましくは１，０００〜２００，０００、さらに好ましく
は２，０００〜１００，０００、特に好ましくは３，０
００〜５０，０００である。

【００１７】本発明においては、前記ノボラック樹脂、
フェノール性スチレン系樹脂等のフェノール性水酸基含
有樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。

【００１８】また本発明においては、前記ノボラック樹
脂、フェノール性スチレン系樹脂等に代えて、あるいは
これらの樹脂とともに、該樹脂中のフェノール性水酸基
の一部を１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル化
した樹脂（以下、「エステル化樹脂」という。）を１種
以上使用することができる。本発明の組成物において
は、このエステル化樹脂は、後述する１，２−キノンジ
アジドスルホン酸エステル化合物等とともに、（ｃ）
１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル成分をなす
ものである。

【００１９】前記エステル化樹脂は、前記ノボラック樹
脂、フェノール性スチレン系樹脂等のフェノール性水酸
基含有樹脂を、例えば１，２−キノンジアジドスルホニ
ルハライドにより、適当な反応溶媒中で塩基性縮合触媒
を使用してエステル化することによって製造することが
できる。本発明における（ａ）フェノール性水酸基含有
樹脂としては、前記エステル化樹脂が特に好ましいもの
である。

【００２０】前記１，２−キノンジアジドスルホニルハ
ライドとしては、例えば１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノン
ジアジド−６−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルブロミド、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルブロミド、１，２−
ナフトキノンジアジド−６−スルホニルブロミド等の
１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルハライド類、
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリ
ド、１，２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、１，２−ベンゾキノンジアジド−６−スルホニ
ルクロリド、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホニルブロミド、１，２−ベンゾキノンジアジド−５−
スルホニルブロミド、１，２−ベンゾキノンジアジド−
６−スルホニルブロミド等の１，２−ベンゾキノンジア
ジドスルホニルハライド類などを挙げることができる。
これらの１，２−キノンジアジドスルホニルハライドは
単独でまたは２種以上を混合して使用することができ
る。

【００２１】これらの１，２−キノンジアジドスルホニ
ルハライドのうち、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド等が好ましい。

【００２２】エステル化樹脂における１，２−キノンジ
アジドスルホニルハライドによるエステル化率は、通
常、エステル化前のフェノール性水酸基含有樹脂中のフ
ェノール性水酸基の５０モル％以下であり、好ましくは
３０モル％以下である。エステル化率が５０モル％を超
えると、エステル化樹脂の溶剤への溶解性が低下して、
レジスト溶液を調製することが困難となる場合がある。

【００２３】フェノール性水酸基含有樹脂の１，２−キ
ノンジアジドスルホニルハライドによるエステル化反応
の反応溶媒としては、例えばアセトン、ジオキサン、乳
酸エチル、酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチ
ル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプ
ロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、
エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブアセテート、アセトニトリル、メチルエチルケトン、
ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等を挙げ
ることができる。これらの反応溶媒は、フェノール性水
酸基含有樹脂と１，２−キノンジアジドスルホニルハラ
イドとの合計１００重量部当たり、通常１００〜１０，
０００重量部、好ましくは２００〜３，０００重量部使
用される。前記エステル化反応に際しては、副生する塩
基とハロゲンとの塩を溶解させるために、必要に応じて
水を添加することもできる。水の添加量は、反応溶媒１
００重量部当たり１〜１０重量部程度である。

【００２４】また前記塩基性縮合触媒としては、例えば
炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム
等のアルカリ金属塩、トリエチルアミン、トリエタノー
ルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールアミン、
ピリジン等のアミン、水酸化アンモニウム、トリメチル
アンモニウム等のアンモニウム塩、アンモニア等を挙げ
ることができる。これらの縮合触媒の使用量は、１，２
−キノンジアジドスルホニルハライド１モル当たり、
０．１〜１０モルが好ましく、０．５〜２．０モルがさ
らに好ましい。

【００２５】前記エステル化反応は、好ましくは５〜５
０°Ｃ、さらに好ましくは１０〜４０°Ｃの温度で、好
ましくは１５分〜１０時間、さらに好ましくは３０分〜
５時間程度行なわれる。

【００２６】本発明のドライ現像用感放射線性樹脂組成
物には、少なくともその他に１，２−キノンジアジドス
ルホン酸エステル成分を含有しない場合は、下記１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル化合物が添加され
なければならない。但し、エステル化樹脂等の１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル成分を既に含有する
場合は、この１，２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル化合物は添加しても添加しなくてもよい。

【００２７】前記１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル化合物としては、例えば１，２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド
−６−スルホニル基あるいは１，２−ナフトキノンジア
ジド−８−スルホニル基を有する化合物等を挙げること
ができる。

【００２８】１，２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル化合物の具体例を挙げると、ｐ−クレゾール−１，２
−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、レ
ゾルシノール−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、ピロガロール−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒド
ロキシベンゼンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類；２，４−ジヒドロキシフェニル−プロピルケ
トン−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、２，４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−ヘキシ
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホン酸エステル、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−８−スルホン酸エステル、２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル−ｎ−ヘキシルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−６−スルホン酸エステル、２，３，４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−８−スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、２，２′，４，４′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−６−スルホン酸エステル、２，２′，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−８−スルホン酸エステル、２，３，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、
２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステ
ル、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−８−スルホン酸エ
ステル、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン−１，２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，３，４，２′，６′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、２，４，６，３′，４′，５′
−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒ
ドロキシフェニルアルキルケトンまたは（ポリ）ヒドロ
キシフェニルアリールケトンの１，２−キノンジアジド
スルホン酸エステル類；ビス（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフ
ェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等のビ
ス〔（ポリ）ヒドロキシフェニル〕アルカンの１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル類；３，５−ジヒド
ロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、２，３，４−トリヒドロ
キシ安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、３，４，５−トリヒドロキ
シ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、３，４，５−トリヒドロキシ
安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒドロキシ安息香酸
アルキルエステルまたは（ポリ）ヒドロキシ安息香酸ア
リールエステルの１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類；ビス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）メ
タン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイ
ル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、ビス（２，４，６−トリヒドロキシベ
ンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，３，４−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス
（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル等のビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕アルカン
またはビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼン
の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類；エチ
レングリコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエー
ト）−１，２−ナフトキンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、ポリエチレングリコール−ジ（３，４，５−ト
リヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフトキンジア
ジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）エチレング
リコール−ジ−〔（ポリ）ヒドロキシベンゾエート〕の
１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類；ヒドロ
キシ基を有するα−ピロン系天然色素の１，２−キノン
ジアジドスルホン酸エステル類；ヒドロキシ基を有する
γ−ピロン系天然色素の１，２−キノンジアジドスルホ
ン酸エステル類；ヒドロキシ基を有するジアジン系天然
色素の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類等
を挙げることができる。さらに、これらの例示化合物以
外に、Ｊ．Ｋｏｓａｒ著「Ｌｉｇｈｔ−Ｓｅｎｓｉｔｉ
ｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ」３３９〜３５２頁（１９６５）
（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ）やＷ．Ｓ．Ｄｅ Ｆｏｒｅｓｔ著「Ｐｈｏｔ
ｏｒｅｓｉｓｔ」５０頁（１９７５）（ＭｃＧｒａｗ−
Ｈｉｌｌ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に掲載されている１，２
−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物も使
用することができる。これらの１，２−キノンジアジド
スルホン酸エステル化合物は単独でまたは２種以上を混
合して使用することができる。

【００２９】１，２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル化合物の添加量は、組成物中の全固形成分１Kg当た
り、組成物中の１，２−キノンジアジドスルホニル基の
合計量が、通常０．１〜２．５モル％、好ましくは０．
２〜２．０モル％となるように調節する。ここで、固形
成分とは、２５°Ｃ、１気圧において固形状の物質をい
う。

【００３０】次に、本発明における（ｂ）成分のうち、
一般式(I) で示される化合物において、R¹のうちのアリ
ール基およびアルキル基は、１個以上のハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはシアノ基
で置換されていてもよく、また、これらの置換基および
R²、R³、R⁴あるいはR⁵における置換基は２種以上が併存
することもできる。一般式(I) で示される化合物として
は、例えば１−（４′−メチルベンゼンスルホニル）ピ
ロール、１−（４′−ニトロベンゼンスルホニル）ピロ
ール、１−（４′−シアノベンゼンスルホニル）ピロー
ル、１−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）ピロー
ル、１−（ナフタレン−２′−スルホニル）ピロール等
のアリールスルホニルピロール類；１−（１′，２′−
ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）ピロールの
光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジ
ド−５′−スルホニル）ピロールの光反応生成物、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニ
ル）ピロールの光反応生成物等の１′，２′−ナフトキ
ノンジアジドスルホニルピロール類の光反応生成物；１
−（４′−メチルベンゼンスルホニル）ピペリジン、１
−（４′−ニトロベンゼンスルホニル）ピペリジン、１
−（４′−シアノベンゼンスルホニル）ピペリジン、１
−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）ピペリジン、１
−（ナフタレン−２′−スルホニル）ピペリジン等のア
リールスルホニルピペリジン類；１−（１′，２′−ナ
フトキノンジアジド−４′−スルホニル）ピペリジンの
光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジ
ド−５′−スルホニル）ピペリジンの光反応生成物、１
−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホ
ニル）ピペリジンの光反応生成物等の１′，２′−ナフ
トキノンジアジドスルホニルピペリジン類の光反応生成
物；１−（４′−メチルベンゼンスルホニル）ピロリジ
ン、１−（４′−ニトロベンゼンスルホニル）ピロリジ
ン、１−（４′−シアノベンゼンスルホニル）ピロリジ
ン、１−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）ピロリジ
ン、１−（ナフタレン−２′−スルホニル）ピロリジン
等のアリールスルホニルピロリジン類；１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）ピロ
リジンの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−５′−スルホニル）ピロリジンの光反応生
成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′
−スルホニル）ピロリジンの光反応生成物等の１′，
２′−ナフトキノンジアジドスルホニルピロリジン類の
光反応生成物；１−（４′−メチルベンゼンスルホニ
ル）インドール、１−（４′−ニトロベンゼンスルホニ
ル）インドール、１−（４′−シアノベンゼンスルホニ
ル）インドール、１−（３′−ニトロベンゼンスルホニ
ル）インドール、１−（ナフタレン−２′−スルホニ
ル）インドール等のアリールスルホニルインドール類；
１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スル
ホニル）インドールの光反応生成物、１−（１′，２′
−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）インドー
ルの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジ
アジド−６′−スルホニル）インドールの光反応生成物
等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルイン
ドール類の光反応生成物；１−（４′−メチルベンゼン
スルホニル）ピラゾール、１−（４′−ニトロベンゼン
スルホニル）ピラゾール、１−（４′−シアノベンゼン
スルホニル）ピラゾール、１−（３′−ニトロベンゼン
スルホニル）ピラゾール、１−（ナフタレン−１′−ス
ルホニル）ピラゾール、１−（ナフタレン−２′−スル
ホニル）ピラゾール等のアリールスルホニルピラゾール
類；１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−
スルホニル）ピラゾールの光反応生成物、１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）ピラ
ゾールの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−６′−スルホニル）ピラゾールの光反応生
成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′
−スルホニル）−３，５−ジメチルピラゾールの光反応
生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
５′−スルホニル）−３，５−ジメチルピラゾールの光
反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド
−６′−スルホニル）−３，５−ジメチルピラゾールの
光反応生成物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドス
ルホニルピラゾール類の光反応生成物；１−（４′−メ
チルベンゼンスルホニル）イミダゾール、１−（４′−
ニトロベンゼンスルホニル）イミダゾール、１−（４′
−シアノベンゼンスルホニル）イミダゾール、１−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）イミダゾール、１
−（ナフタレン−１′−スルホニル）イミダゾール、１
−（ナフタレン−２′−スルホニル）イミダゾール等の
アリールスルホニルイミダゾール類；１−（１′，２′
−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）イミダゾ
ールの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノン
ジアジド−５′−スルホニル）イミダゾールの光反応生
成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′
−スルホニル）イミダゾールの光反応生成物等の１′，
２′−ナフトキノンジアジドスルホニルイミダゾール類
の光反応生成物；１−（４′−メチルベンゼンスルホニ
ル）−１，２，４−トリアゾール、１−（４′−ニトロ
ベンゼンスルホニル）−１，２，４−トリアゾール、１
−（４′−シアノベンゼンスルホニル）−１，２，４−
トリアゾール、１−（３′−ニトロベンゼンスルホニ
ル）−１，２，４−トリアゾール、１−（ナフタレン−
１′−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール、１−
（ナフタレン−２′−スルホニル）−１，２，４−トリ
アゾール、１−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−
３−ニトロ−１，２，４−トリアゾール、１−（４′−
ニトロベンゼンスルホニル）−３−ニトロ−１，２，４
−トリアゾール、１−（４′−シアノベンゼンスルホニ
ル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾール、１−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−３−ニトロ−
１，２，４−トリアゾール、１−（ナフタレン−１′−
スルホニル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾー
ル、１−（ナフタレン−２′−スルホニル）−３−ニト
ロ−１，２，４−トリアゾール等のアリールスルホニル
トリアゾール類；１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−４′−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール
の光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−５′−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール
の光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−６′−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール
の光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−４′−スルホニル）−３−ニトロ−１，２，４−
トリアゾールの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフ
トキノンジアジド−５′−スルホニル）−３−ニトロ−
１，２，４−トリアゾールの光反応生成物、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニ
ル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾールの光反応
生成物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルトリアゾール類の光反応生成物；１−（４′−メチル
ベンゼンスルホニル）ベンゾイミダゾール、１−（４′
−ニトロベンゼンスルホニル）ベンゾイミダゾール、１
−（４′−シアノベンゼンスルホニル）ベンゾイミダゾ
ール、１−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）ベンゾ
イミダゾール、１−（ナフタレン−１′−スルホニル）
ベンゾイミダゾール、１−（ナフタレン−２′−スルホ
ニル）ベンゾイミダゾール、１−（４′−ニトロベンゼ
ンスルホニル）−５−ニトロベンゾイミダゾール、１−
（４′−ニトロベンゼンスルホニル）−２−メチルベン
ゾイミダゾール、１−（４′−ニトロベンゼンスルホニ
ル）−２−フェニルベンゾイミダゾール等のアリールス
ルホニルベンゾイミダゾール類；１−（１′，２′−ナ
フトキノンジアジド−４′−スルホニル）ベンゾイミダ
ゾールの光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−５′−スルホニル）ベンゾイミダゾールの
光反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジ
ド−６′−スルホニル）ベンゾイミダゾールの光反応生
成物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニル
ベンゾイミダゾール類の光反応生成物；１−（４′−メ
チルベンゼンスルホニル）インダゾール、１−（４′−
ニトロベンゼンスルホニル）インダゾール等のアリール
スルホニルインダゾール類；１−（１′，２′−ナフト
キノンジアジド−４′−スルホニル）インダゾールの光
反応生成物、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド
−５′−スルホニル）インダゾールの光反応生成物等の
１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルインダゾ
ール類の光反応生成物；１−メチル−３−（４′−メチ
ルベンゼンスルホニル）ヒダントイン、１−メチル−３
−（４′−ニトロベンゼンスルホニル）ヒダントイン等
のアリールスルホニルヒダントイン類；１−メチル−３
−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホ
ニル）ヒダントインの光反応生成物、１−メチル−３−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）ヒダントインの光反応生成物等の１′，２′−ナフ
トキノンジアジドスルホニルヒダントイン類の光反応生
成物；１−メチル−４−（４′−ニトロベンゼンスルホ
ニル）ピペラジン、１−フェニル−４−（４′−ニトロ
ベンゼンスルホニル）ピペラジン等のアリールスルホニ
ルピペラジン類；１−メチル−４−（１′，２′−ナフ
トキノンジアジド−４′−スルホニル）ピペラジンの光
反応生成物、１−メチル−４−（１′，２′−ナフトキ
ノンジアジド−５′−スルホニル）ピペラジンの光反応
生成物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルピペラジン類の光反応生成物；２−（４′−ニトロベ
ンゼンスルホニル）フタルイミド、２−（４′−ニトロ
ベンゼンスルホニル）−４−ニトロフタルイミド等のア
リールスルホニルフタルイミド類；２−（１′，２′−
ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）フタルイミ
ドの光反応生成物、２−（１′，２′−ナフトキノンジ
アジド−５′−スルホニル）フタルイミドの光反応生成
物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルフ
タルイミド類の光反応生成物；２−（４′−ニトロベン
ゼンスルホニル）−１−フタラジノン、２−（４′−メ
チルベンゼンスルホニル）−１−フタラジノン等のアリ
ールスルホニルフタラジノン類；２−（１′，２′−ナ
フトキノンジアジド−４′−スルホニル）−１−フタラ
ジノンの光反応生成物、２−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−５′−スルホニル）−１−フタラジノンの
光反応生成物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドス
ルホニルフタラジノン類の光反応生成物；２−メチル−
３−（４′−ニトロベンゼンスルホニル）−４−キナゾ
リノン、２−メチル−３−（４′−メチルベンゼンスル
ホニル）−４−キナゾリノン等のアリールスルホニルキ
ナゾリノン類；２−メチル−３−（１′，２′−ナフト
キノンジアジド−４′−スルホニル）−４−キナゾリノ
ンの光反応生成物、２−メチル−３−（１′，２′−ナ
フトキノンジアジド−５′−スルホニル）−４−キナゾ
リノンの光反応生成物等の１′，２′−ナフトキノンジ
アジドスルホニルキナゾリノン類の光反応生成物；２−
（４′−ニトロベンゼンスルホニル）−１−フェニル−
３−ピラゾリジノン、２−（４′−メチルベンゼンスル
ホニル）−１−フェニル−３−ピラゾリジノン等のアリ
ールスルホニルピラゾリジノン類；２−（１′，２′−
ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）−１−フェ
ニル−３−ピラゾリジノンの光反応生成物、２−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）−１−フェニル−３−ピラゾリジノンの光反応生成
物等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルピ
ラゾリジノン類の光反応生成物；Ｎ−（４′−ニトロベ
ンゼンスルホニル）ナフトスルタム、Ｎ−（４′−メチ
ルベンゼンスルホニル）ナフトスルタム等のアリールス
ルホニルナフトスルタム類；Ｎ−（１′，２′−ナフト
キノンジアジド−４′−スルホニル）ナフトスルタムの
光反応生成物、Ｎ−（１′，２′−ナフトキノンジアジ
ド−５′−スルホニル）ナフトスルタムの光反応生成物
等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルナフ
トスルタム類の光反応生成物；４−（４′−ニトロベン
ゼンスルホニル）モルホリン、４−（４′−メチルベン
ゼンスルホニル）モルホリン等のアリールスルホニルモ
ルホリン類；４−（１′，２′−ナフトキノンジアジド
−４′−スルホニル）モルホリンの光反応生成物、４−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）モルホリンの光反応生成物等の１′，２′−ナフト
キノンジアジドスルホニルモルホリン類の光反応生成物
などを挙げることができる。なお、これらの一般式(I)
で示される化合物における光反応生成物は、キノンジア
ジド基の位置においてカルボキシル基が形成されてお
り、これは、以下の一般式(III) 、(IV)および (V)で表
される化合物においても同様である。

【００３１】また、一般式(II)で示される化合物として
は、例えば１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
４′−スルホニル）ピロール、１−（１′，２′−ナフ
トキノンジアジド−５′−スルホニル）ピロール、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニ
ル）ピロール等の１′，２′−ナフトキノンジアジドス
ルホニルピロール類；１−（１′，２′−ナフトキノン
ジアジド−４′−スルホニル）ピペリジン、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）ピペリジン、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−６′−スルホニル）ピペリジン等の１′，２′−
ナフトキノンジアジドスルホニルピペリジン類；１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニ
ル）ピロリジン、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−５′−スルホニル）ピロリジン、１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニル）ピロ
リジン等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルピロリジン類；１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−４′−スルホニル）インドール、１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）イン
ドール、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
６′−スルホニル）インドール等の１′，２′−ナフト
キノンジアジドスルホニルインドール類；１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）ピラ
ゾール、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
５′−スルホニル）ピラゾール、１−（１′，２′−ナ
フトキノンジアジド−６′−スルホニル）ピラゾール等
の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルピラゾ
ール類；１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
４′−スルホニル）イミダゾール、１−（１′，２′−
ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）イミダゾー
ル、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−
スルホニル）イミダゾール等の１′，２′−ナフトキノ
ンジアジドスルホニルイミダゾール類；１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）−
１，２，４−トリアゾール、１−（１′，２′−ナフト
キノンジアジド−５′−スルホニル）−１，２，４−ト
リアゾール、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド
−６′−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール、１
−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホ
ニル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾール、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾール、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニ
ル）−３−ニトロ−１，２，４−トリアゾール等の
１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルトリアゾ
ール類；１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
４′−スルホニル）ベンゾイミダゾール、１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）ベン
ゾイミダゾール、１−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−６′−スルホニル）ベンゾイミダゾール等の
１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルベンゾイ
ミダゾール類；１−（１′，２′−ナフトキノンジアジ
ド−４′−スルホニル）インダゾール、１−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）イン
ダゾール、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
６′−スルホニル）インダゾール等の１′，２′−ナフ
トキノンジアジドスルホニルインダゾール類；１−メチ
ル−３−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−
スルホニル）ヒダントイン、１−メチル−３−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）ヒダ
ントイン、１−メチル−３−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−６′−スルホニル）ヒダントイン等の
１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルヒダント
イン類；１−メチル−４−（１′，２′−ナフトキノン
ジアジド−４′−スルホニル）ピペラジン、１−メチル
−４−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−ス
ルホニル）ピペラジン、１−メチル−４−（１′，２′
−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニル）ピペラジ
ン等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルピ
ペラジン類；２−（１′，２′−ナフトキノンジアジド
−４′−スルホニル）フタルイミド、２−（１′，２′
−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）フタルイ
ミド、２−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′
−スルホニル）フタルイミド等の１′，２′−ナフトキ
ノンジアジドスルホニルフタルイミド類；２−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）−１
−フタラジノン、２−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−５′−スルホニル）−１−フタラジノン、２−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニ
ル）−１−フタラジノン等の１′，２′−ナフトキノン
ジアジドスルホニルフタラジノン類；２−メチル−３−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニ
ル）−４−キナゾリノン、２−メチル−３−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）−４
−キナゾリノン、２−メチル−３−（１′，２′−ナフ
トキノンジアジド−６′−スルホニル）−４−キナゾリ
ノン等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニル
キナゾリノン類；２−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−４′−スルホニル）−１−フェニル−３−ピラゾ
リジノン、２−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
５′−スルホニル）−１−フェニル−３−ピラゾリジノ
ン、２−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−６′−
スルホニル）−１−フェニル−３−ピラゾリジノン等の
１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニルピラゾリ
ジノン類；Ｎ−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
４′−スルホニル）ナフトスルタム、Ｎ−（１′，２′
−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）ナフトス
ルタム、Ｎ−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−
６′−スルホニル）ナフトスルタム等の１′，２′−ナ
フトキノンジアジドスルホニルナフトスルタム類；４−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニ
ル）モルホリン、４−（１′，２′−ナフトキノンジア
ジド−５′−スルホニル）モルホリン、４−（１′，
２′−ナフトキノンジアジド−６′−スルホニル）モル
ホリン等の１′，２′−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルモルホリン類などを挙げることができる。

【００３２】また、一般式(III) で示される化合物にお
いて、R⁶のうちのアリール基およびアルキル基は、１個
以上のハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニト
ロ基あるいはシアノ基で置換されていてもよく、また、
これらの置換基は２種以上が併存することもできる。一
般式(III) で示される化合物としては、例えば７−ヒド
ロキシクマリンと４−メチルベンゼンスルホニルクロリ
ド、４−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、４−シア
ノベンゼンスルホニルクロリド、ナフタレン−１−スル
ホニルクロリド、ナフタレン−２−スルホニルクロリ
ド、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スル
ホニルクロリド等との縮合物；４−ヒドロキシクマリン
と４−メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロ
ベンゼンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼンスル
ホニルクロリド、ナフタレン−１−スルホニルクロリ
ド、ナフタレン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、
１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルクロリ
ド等との縮合物；Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドと４−
メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼンスルホニル
クロリド、ナフタレン−１−スルホニルクロリド、ナフ
タレン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルクロリド等との縮
合物；３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ピロンと４−
メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼンスルホニル
クロリド、ナフタレン−１−スルホニルクロリド、ナフ
タレン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルクロリド等との縮
合物；４−ヒドロキシ−６−メチル−２−ピロンと４−
メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼンスルホニル
クロリド、ナフタレン−１−スルホニルクロリド、ナフ
タレン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルクロリド等との縮
合物；水酸基を有するα−ピロン系天然色素と４−メチ
ルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼンス
ルホニルクロリド、４−シアノベンゼンスルホニルクロ
リド、ナフタレン−１−スルホニルクロリド、ナフタレ
ン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナフト
キノンジアジド−６−スルホニルクロリド等との縮合
物；水酸基を有するγ−ピロン系天然色素と４−メチル
ベンゼンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼンスル
ホニルクロリド、４−シアノベンゼンスルホニルクロリ
ド、ナフタレン−１−スルホニルクロリド、ナフタレン
−２−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−６−スルホニルクロリド等との縮合物；
２−ヒドロキシベンゾイミダゾールと４−メチルベンゼ
ンスルホニルクロリド、４−ニトロベンゼンスルホニル
クロリド、４−シアノベンゼンスルホニルクロリド、ナ
フタレン−１−スルホニルクロリド、ナフタレン−２−
スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホニルクロリド等との縮合物；３−ヒ
ドロキシ−１，２，３−ベンゾトリアジン−４（３Ｈ）
−オンと４−メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−
ニトロベンゼンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼ
ンスルホニルクロリド、ナフタレン−１−スルホニルク
ロリド、ナフタレン−２−スルホニルクロリド、１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリ
ド、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルク
ロリド等との縮合物；１−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ルと４−メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−ニト
ロベンゼンスルホニルクロリド、４−シアノベンゼンス
ルホニルクロリド、ナフタレン−１−スルホニルクロリ
ド、ナフタレン−２−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、
１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルクロリ
ド等との縮合物；６−ヒドロキシ−１，３−ベンゾオキ
サチオール−２−オンと４−メチルベンゼンスルホニル
クロリド、４−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、４
−シアノベンゼンスルホニルクロリド、ナフタレン−１
−スルホニルクロリド、ナフタレン−２−スルホニルク
ロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−６−
スルホニルクロリド等との縮合物などを挙げることがで
きる。

【００３３】また、一般式(IV)で示される化合物におい
て、R⁷のうちのアリール基およびアルキル基は、１個以
上のハロゲン原子あるいは水酸基で置換されていてもよ
く、またY のアリーレン基、アルキレン基およびアルケ
ニレン基は１個以上のハロゲン原子、水酸基、アルキル
基、ニトロ基あるいはシアノ基で置換されていてもよ
い。R⁷およびY における前記置換基は２種以上が併存す
ることもできる。一般式(IV)で示される化合物として
は、例えばＮ−メチロールサッカリン、下記式(IX)、
(X)、 (XI) または(XII) で示される化合物、あるいは
式(IX)〜(XII) で示される化合物の光反応生成物等を挙
げることができる。

【化９】 、

【化１０】 、

【化１１】 、

【化１２】

【００３４】また、一般式(V) で示される化合物におい
て、R¹⁰ のうちのアリール基およびアルキル基は１個以
上のハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ
基あるいはシアノ基で置換されていてもよい。また、R
¹⁰ 、R¹¹ およびR¹² における置換基は２種以上が併存
することもできる。一般式(V) で示される化合物として
は、例えば２−メチルベンゼンスルホンアニリド、３−
メチルベンゼンスルホンアニリド、４−メチルベンゼン
スルホンアニリド、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホ
ニル）−２−ニトロアニリン、Ｎ−（４′−メチルベン
ゼンスルホニル）−３−ニトロアニリン、Ｎ−（４′−
メチルベンゼンスルホニル）−４−ニトロアニリン、Ｎ
−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−３−シアノア
ニリン、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−４
−シアノアニリン、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホ
ニル）−３−メチルアニリン、Ｎ−（４′−メチルベン
ゼンスルホニル）−４−メチルアニリン、Ｎ−（４′−
メチルベンゼンスルホニル）−３−クロロアニリン、Ｎ
−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−４−フルオロ
アニリン、Ｎ−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−
３−ニトロアニリン、Ｎ−（３′−ニトロベンゼンスル
ホニル）−４−ニトロアニリン、Ｎ−（４′−ニトロベ
ンゼンスルホニル）−３−ニトロアニリン、Ｎ−（４′
−ニトロベンゼンスルホニル）−４−ニトロアニリン、
Ｎ−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−３−シアノ
アニリン、Ｎ−（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−
４−シアノアニリン、Ｎ−（４′−ニトロベンゼンスル
ホニル）−３−シアノアニリン、Ｎ−（４′−ニトロベ
ンゼンスルホニル）−４−シアノアニリン、Ｎ−（４′
−メチルベンゼンスルホニル）−２−メトキシアニリ
ン、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−３−メ
トキシアニリン、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニ
ル）−４−メトキシアニリン、Ｎ−（４′−メチルベン
ゼンスルホニル）−Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−（１′，
BR>２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニル）
アニリンおよびその光反応生成物、Ｎ−（１′，２′−
ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）アニリンお
よびその光反応生成物、Ｎ−（１′，２′−ナフトキノ
ンジアジド−４′−スルホニル）−４−ニトロアニリン
およびその光反応生成物、Ｎ−（１′，２′−ナフトキ
ノンジアジド−５′−スルホニル）−４−ニトロアニリ
ンおよびその光反応生成物、Ｎ−（４−メチルベンゼン
スルホニル）−２，４−ジニトロアニリン等のアニリン
誘導体類；Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メチルベンゼンスル
ホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−４−メチルベンゼンス
ルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ニトロベンゼン
スルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−４−ニトロベンゼ
ンスルホンアミド、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−メチル−４−メ
チルベンゼンスルホンアミド、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−メチ
ル−４−ニトロベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホンア
ミドおよびその光反応生成物、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホンアミドおよび
その光反応生成物等のＮ，Ｎ−ジアルキルスルホンアミ
ド類などを挙げることができる。

【００３５】これらの（ｂ）成分のうち、好ましい化合
物は、Ｎ−メチロールサッカリン、Ｎ−（４′−ニトロ
ベンゼンスルホニル）−４−ニトロアニリン、Ｎ−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−４−シアノアニ
リン、１−（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′
−スルホニル）−１，２，４−トリアゾール、１−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）ピラゾール、Ｎ−（４′−ニトロベンゼンスルホニ
ル）イミダゾール、Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホ
ニル）イミダゾール、Ｎ−（ナフタレン−２−スルホニ
ル）イミダゾール等である。

【００３６】本発明における（ｂ）成分は、一般式[I]
〜[V] の各式で示される化合物それぞれについて、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができ、ま
た、前記各式で示される化合物を２種以上組み合わせて
使用することもできる。

【００３７】本発明における（ｂ）成分の使用量は、
（ａ）フェノール性水酸基含有樹脂１００重量部当た
り、通常０．００１〜５０重量部であり、好ましくは
０．０１〜３０重量部、さらに好ましくは０．１〜２０
重量部である。（ｂ）成分の使用量が０．００１重量部
未満では、本発明の効果が十分達成されず、また５０重
量部を超えると、ドライ現像後、未露光部分に残渣が残
り、現像性が低下する。

【００３８】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物に
は、必要に応じて、各種添加剤を配合することができ
る。このような添加剤としては、例えば界面活性剤を挙
げることができる。界面活性剤は、本発明の組成物の塗
布性、ストリエーション、乾燥塗膜形成後の露光部の現
像性等を改良する作用を示す。このような界面活性剤と
しては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチル
フェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート、オルガノシロキサ
ンポリマーであるＫＰ３４１（信越化学工業製）、アク
リル酸系またはメタクリル酸系の（共）重合体であるポ
リフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
製）のほか、フッ素系界面活性剤として、エフトップＥ
Ｆ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（以上、新秋田化成
製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（以
上、大日本インキ製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４
３１（以上、住友スリーエム製）、アサヒガードＡＧ７
１０，サーフロンＳー３８２，ＳＣー１０１、ＳＣー１
０２，ＳＣー１０３，ＳＣー１０４，ＳＣー１０５，Ｓ
Ｃー１０６（以上、旭硝子製）等を挙げることができ
る。これらの界面活性剤の配合量は、（ａ）フェノール
性水酸基含有樹脂１００重量部当たり、好ましくは２重
量部以下、さらに好ましくは０．００５〜１重量部であ
る。

【００３９】また、他の添加剤としては、露光部の潜像
を可視化させたり、露光時のハレーションの影響を少な
くする作用を示す染顔料、紫外線吸収剤等を挙げること
ができる。好ましい染顔料は、商品名で、例えばネオペ
ンゲルブ０７５（バスフ製）、ネオザボンゲルブ０７３
（同）、ソルベントイエロー１６２、ＳＯＴイエロー３
（保土谷化学工業製）、マクロレックスイエロー（バイ
エル製）、ハイドロキシアゾベンゼン、カヤライトＢ
（日本化薬製）、ヒドロキシメチルカルコン、オキサロ
イロキシカルコン等である。

【００４０】また、好ましい紫外線吸収剤は、例えば２
−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−ベン
ゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−
ブチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２′−
ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−
５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキ
シ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−
クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−
３′，５′−ジ−ｔ−アミルフェニル）−５−ベンゾト
リアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ
−ｔ−ブチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−
（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−ブチルフェニル）−ベ
ンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ
−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール等である。

【００４１】さらに、本発明の組成物には、場合によ
り、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することも
できる。

【００４２】本発明のドライ現像用感放射線性樹脂組成
物は、使用に際しては、固形分濃度が通常５〜５０重量
％となるように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２
μｍ程度のフィルターで濾過することによって、溶液と
して調製される。

【００４３】前記溶液の調製に使用される溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート、ブチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、アセトニルアセト
ン、アセトフェノン、イソホロン、ベンジルエチルエー
テル、１，２−ジブトキシエタン、ジヘキシルエーテ
ル、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、１−デカノール、ベンジルアルコール、酢
酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、２−エチルヘ
キシルアセテート、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル、
シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジエチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチル、マレイン酸ジメチ
ル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、フタル
酸ジメチル、フタル酸ジブチル、炭酸エチレン、炭酸プ
ロピレン、γ−ブチロラクトン、ジメチルイミダゾリジ
ノン等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で
または２種以上を混合して使用される。

【００４４】本発明の組成物からレジスト膜を形成する
際には、前記のようにして調製された溶液を、回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、例えばシ
リコンウエハー、アルミニウムが被覆されたウエハー等
の基板上に塗布する。次いで、溶剤を除去するため、例
えば７０〜１３０°Ｃの温度に予備加熱する。その後、
パターンを形成するため、基板上のレジスト層にマスク
を介して選択された部分のみに放射線で露光する。使用
される放射線には特に制限はなく、例えば可視光線、紫
外線、 KrFエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロト
ロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線などを使用
することができる。また、放射線量等の照射条件は、組
成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定
される。

【００４５】本発明のドライ現像用感放射線性樹脂組成
物においては、エステル化樹脂、１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル化合物等の（ｃ）１，２−キノン
ジアジドスルホン酸エステル成分における１，２−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル結合中の１，２−キノン
ジアジドスルホニル基が露光により分解される。露光
後、レジスト膜は、好ましくは１２０〜２００°Ｃ程度
に加熱され、それにより、未露光部に存在する１，２−
キノンジアジドスルホニル基とフェノール性水酸基含有
樹脂とが、また１，２−キノンジアジドスルホニル基同
士が、反応して、分子鎖に架橋構造が形成される。一
方、露光部では、１，２−キノンジアジドスルホニル基
が大部分分解しているため、架橋構造の形成は未露光部
に比べて極めて少なくなる。

【００４６】前記のようにして露光、露光後の加熱等の
処理工程を経たレジスト層は、ＨＭＤＳ等のシリル化剤
あるいはゲルミル化剤で処理することによって、露光部
は選択的に該シリル化剤あるいはゲルミル化剤を吸収し
て反応するが、未露光部は、その形成された架橋構造の
ため、シリル化剤あるいはゲルミル化剤をほとんど吸収
することができず、反応が強く抑制されることにより、
ドライエッチングに対するネガ型潜像が形成される。そ
の結果、露光部と未露光部とでドライ現像に対する耐性
に差を生じて、後述するドライ現像によりパターンが形
成されることになる。

【００４７】前記シリル化剤としては、例えばテトラク
ロロシラン、トリメチリクロロシラン、ジメチルジクロ
ロシラン、メチルトリクロロシラン、トリメチルブロモ
シラン、トリメチルヨードシラン、トリフェニルクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザン、１，１，３，３−テ
トラメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ヘキ
サフェニルジシラザン、１，３−ビス（クロロメチル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、Ｎ−トリ
メチルシリルイミダゾール、Ｎ−トリメチルシリルアセ
トアミド、Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン、Ｎ−
トリメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルシラン
ジアミン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリエチルシリル）アセトイ
ミド、Ｎ，Ｎ′−ビス（トリメチルシリル）尿素、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（トリメチルシリル）尿素等を
挙げることができる。これらのシリル化剤は、単独でま
たは２種以上を混合して使用することができる。

【００４８】また、前記ゲルミル化剤としては、例えば
ビス−（トリメチルゲルミル）−アミン、ビス−（ジメ
チルゲルミル）−アミン、ビス−（トリエチルゲルミ
ル）−アミン、ビス−（ジエチルゲルミル）−アミン、
トリメチルクロロゲルマン、トリエチルクロロゲルマ
ン、ジメチルジクロロゲルマン、メチルトリクロロゲル
マン、テトラクロロゲルマン、Ｎ−（ジメチルフェニル
ゲルミル）−ジメチルアミン、Ｎ−（トリメチルゲルミ
ル）−ジメチルアミン、Ｎ−（トリメチルゲルミル）−
ジエチルアミン、Ｎ−（ジエチルフェニルゲルミル）−
ジメチルアミン、Ｎ−（トリメチルゲルミル）−イミダ
ゾール、Ｎ−（トリメチルゲルミル）−アセトアミド、
トリメチルシアノゲルマン、ジメチルシアノゲルマン、
トリエチルシアノゲルマン、ジエチルシアノゲルマン等
を挙げることができる。これらのゲルミル化剤は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。

【００４９】前記シリル化剤あるいはゲルミル化剤によ
る処理の温度は、組成物の組成と使用される処理剤の種
類、処理時間等に応じて選定されるが、好ましい処理温
度は０〜２５０°Ｃであり、さらに好ましくは１００〜
２００°Ｃである。

【００５０】前記のようにしてシリル化剤あるいはゲル
ミル化剤により処理したレジスト膜は、例えば異方性の
酸素プラズマでエッチングすることによりドライ現像し
て、所望のネガ型パターンを形成させる。

【００５１】本発明のドライ現像用感放射線性樹脂組成
物は、シリコンウエハーを基板とするＩＣ、ＬＳＩ等の
パターン形成に使用することができるのみならず、シリ
コンウエハー、ガリウム・ひ素ウエハーのほか、金属、
ガラス、セラックス等を基板とする薄膜ヘッド、液晶表
示素子、撮像素子、表面弾性波素子等、さらには微小コ
イル、コンデンサー等の部品、マイクロメカニクス用部
品等の加工にも使用することができる。

【実施例】以下実施例および比較例を挙げて、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例
に限定されるものではない。ここで、各レジストの感度
および各樹脂のＭｗは、次のようにして測定した。 レジストの感度 ドライ現像用レジストをシリコンウエハー上にスピナー
を用いて塗布したのち、１２０°Ｃで９０秒間、ホット
プレート上で予備加熱して、膜厚１．５μｍのレジスト
フィルム層を形成した。次いで、このレジストフィルム
層に、ステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ１７５５ｉ
７Ａ）を用い、ラインパターンマスクを介して、同一の
シリコンウエハー上で場所により露光量を変えて露光し
たのち、シリル化装置（ＵＣＢ−ＪＳＲエレクトロニク
ス社製、ＰＬＡＳＭＡＳＴＥＲ−Ｓｉ）を用いて、一定
温度で３分間、真空中で焼成（以下、「シリル化前焼
成」という。）した。その後、前記シリル化装置を用い
て、シリコンウエハーをシリル化前焼成と同じ温度で焼
成しつつ、２分間、ＨＭＤＳ蒸気でシリル化処理を行な
った。次いで、シリル化処理後のシリコンウエハーを、
マグネトロン増強型反応性イオンエッチング装置（ＵＣ
Ｂ−ＪＳＲエレクトロニクス社製、ＰＬＡＳＭＡＳＴＥ
Ｒ−Ｄｅ）に装着して、２分３０秒間、異方性酸素プラ
ズマエッチングしてドライ現像し、レジストパターンを
形成した。この際のエッチング条件は次の通りである。
ＲＦパワー：１０００Ｗ、酸素流量：７０ＳＣＣＭ、圧
力：４ｍＴｏｒｒその後、走査型電子顕微鏡で同一シリ
コンウエハー上のラインパターンの幅を測定して、設計
幅０．５μｍどおりのラインパターンが形成されている
露光部分についての露光量を、感度とした。露光量がこ
れより少ないと、レジストパターンの寸法が設計幅より
細くなり、逆に多いと、レジストパターンの寸法が設計
幅より太くなる。

【００５２】レジストパターンの形状 走査型電子顕微鏡を用いて、０．５μｍのレジストパタ
ーンの現像後の方形状断面の下辺Ａと上辺Ｂとを測定
し、０．８５≦Ｂ／Ａ≦１である場合をパターン形状が
良好であると判定した。但し、Ｂ／Ａが前記範囲内であ
っても、パターン形状が裾を引いていたり、オーバーハ
ング状になっていたり、あるいはパターン表面に凹凸が
明らかに認められる場合は、良好とはみなさなかった。

【００５３】Ｍｗ Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇ
ＰＣ）法により測定した。測定条件は、次の通りであ
る。 装置 ：東ソー（株）製高速ＧＰＣ装置ＨＬＣ−８
０２Ａ、 検出器 ：ＲＩ、 カラム ：東ソー（株）製ＴＳＫ−ＧＥＬ，Ｇ４００
０Ｈ８，Ｇ３０００Ｈ８，Ｇ２０００Ｈ８×２本、 溶出溶媒 ：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、 流速 ：１．２ミリリットル／分、 カラム温度：４０°Ｃ、 試料濃度 ：０．０２ｇ／１０ミリリットル（ＴＨＦ
中）。

【００５４】実施例１ノボラック樹脂の製造 攪拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、ｍ−
クレゾール３０３ｇ、ｐ−クレゾール１３０ｇ、３７重
量％ホルムアルデヒド水溶液２７６ｇおよび蓚酸２水和
物０．７５６ｇを仕込んだ。次いで、攪拌下でフラスコ
を油浴中に浸して、液温を１００°Ｃに保持して２時間
反応させた。反応後、水５００ｇを加えて攪拌し、２分
間放置し、上層（水、未反応クレゾール、未反応ホルム
アルデヒドおよび蓚酸）を除去する処理を２回繰返し
た。その後、油浴温度を１８０°Ｃに上げて２時間攪拌
したのち、フラスコ内を減圧して、残留する水、未反応
クレゾール、未反応ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除去
した。次いで、溶融しているノボラック樹脂を室温まで
下げ、固化した樹脂を回収した。このノボラック樹脂の
Ｍｗは３，０００であった。

【００５５】エステル化ノボラック樹脂の製造 前記で得たノボラック樹脂１００ｇ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルクロリド３６．４ｇおよ
び水７７．６ｇを２３００ｇのプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＡ」とい
う。）に溶解したのち、トリエチルアミンの８重量％Ｐ
ＧＭＡ溶液１８８．６ｇを加え、攪拌しつつ９０分間反
応させた。その後、１規定塩酸１４．９２ｍｌを加えて
２０分間攪拌した。次いで、水１０００ｇを加えて攪拌
後放置し、水層と有機層とに分離し、水層を破棄する水
洗処理を行ったのち、さらに同様の水洗処理を２回行っ
て、反応溶液中に残存するトリエチルアミンとその塩酸
塩および塩酸を除去した。次いで、減圧下でＰＧＭＡお
よび水を反応溶液から除去して、部分的に１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル化した樹脂
（以下、「エステル化ノボラック樹脂Ａ」という。）１
２８ｇを得た。

【００５６】レジスト感度の評価 エステル化ノボラック樹脂Ａ ２０ｇ、 Ｎ−メチロールサッカリン ０．２ｇ、 ネオペンゲルプ０７５（染料） ０．６ｇ、 カヤライトＢ（染料） １ｇ、 メガファックＦ１７２（界面活性剤） ０．００４ｇ をＰＧＭＡ５８ｇに溶解した溶液を、孔径０．２μｍの
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について、前記測定法によりレ
ジストの感度を測定したところ、シリル化温度１４０°
Ｃにおいて５００ｍＪ／ｃｍ² であった。また、レジス
トパターンの形状は良好であった。

【００５７】実施例２ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりにＮ−
（４′−ニトロベンゼンスルホニル）−３−ニトロアニ
リン１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の成分および
方法でレジスト溶液を調製した。このレジスト溶液につ
いて測定したレジストの感度は、シリル化温度１４０°
Ｃにおいて４００ｍＪ／ｃｍ² であり、レジストパター
ンの形状も良好であった。

【００５８】実施例３ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりにＮ−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−３−ニトロアニ
リン１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の成分および
方法でレジスト溶液を調製した。このレジスト溶液につ
いて測定したレジストの感度は、シリル化温度１４０°
Ｃにおいて３００ｍＪ／ｃｍ² であり、レジストパター
ンの形状も良好であった。

【００５９】実施例４ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりにＮ−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）−３−シアノアニ
リン１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の成分および
方法でレジスト溶液を調製した。このレジスト溶液につ
いて測定したレジストの感度は、シリル化温度１４０°
Ｃにおいて４５０ｍＪ／ｃｍ² であり、レジストパター
ンの形状も良好であった。

【００６０】実施例５ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりにＮ−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニ
ル）アニリン１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の成
分および方法でレジスト溶液を調製した。このレジスト
溶液について測定したレジストの感度は、シリル化温度
１４０°Ｃにおいて６００ｍＪ／ｃｍ² であり、レジス
トパターンの形状も良好であった。

【００６１】実施例６ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりにＮ−
（１′，２′−ナフトキノンジアジド−４′−スルホニ
ル）−４−メチルアニリン１ｇを用いた以外は、実施例
１と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製した。
このレジスト溶液について測定したレジストの感度は、
シリル化温度１４０°Ｃにおいて６００ｍＪ／ｃｍ² で
あり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６２】実施例７ エステル化ノボラック樹脂Ａ ２０ｇ、 Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−２−ニトロ
アニリン ２ｇ、 ネオペンゲルプ０７５（染料） ０．６ｇ、 メガファックＦ１７２（界面活性剤） ０．００４ｇ をＰＧＭＡ５８ｇに溶解した溶液を、孔径０．２μｍの
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について測定したレジストの感
度は、シリル化温度１４０°Ｃにおいて５００ｍＪ／ｃ
ｍ² であり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６３】実施例８ Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−２−ニトロ
アニリン２ｇの代わりにＮ−（４′−メチルベンゼンス
ルホニル）−３−ニトロアニリン２ｇを用いた以外は、
実施例７と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について測定したレジストの感
度は、シリル化温度１４０°Ｃにおいて４００ｍＪ／ｃ
ｍ² であり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６４】実施例９ Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−２−ニトロ
アニリン２ｇの代わりにＮ−（４′−メチルベンゼンス
ルホニル）−４−ニトロアニリン２ｇを用いた以外は、
実施例７と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について測定したレジストの感
度は、シリル化温度１４０°Ｃにおいて３００ｍＪ／ｃ
ｍ² であり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６５】実施例１０ Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−２−ニトロ
アニリン２ｇの代わりにＮ−（４′−メチルベンゼンス
ルホニル）−３−クロロアニリン２ｇを用いた以外は、
実施例７と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について測定したレジストの感
度は、シリル化温度１４０°Ｃにおいて３５０ｍＪ／ｃ
ｍ² であり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６６】実施例１１ Ｎ−（４′−メチルベンゼンスルホニル）−２−ニトロ
アニリン２ｇの代わりにＮ−（４′−メチルベンゼンス
ルホニル）−３−メチルアニリン２ｇを用いた以外は、
実施例７と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について測定したレジストの感
度は、シリル化温度１４０°Ｃにおいて４００ｍＪ／ｃ
ｍ² であり、レジストパターンの形状も良好であった。

【００６７】実施例１２ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりに１−
（４′−メチルベンゼンスルホニル）イミダゾール１ｇ
を用いた以外は、実施例１と同様の成分および方法でレ
ジスト溶液を調製した。このレジスト溶液について測定
したレジストの感度は、シリル化温度１４０°Ｃにおい
て２５０ｍＪ／ｃｍ² であり、レジストパターンの形状
も良好であった。

【００６８】実施例１３ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりに１−
（３′−ニトロベンゼンスルホニル）イミダゾール１ｇ
を用いた以外は、実施例１と同様の成分および方法でレ
ジスト溶液を調製した。このレジスト溶液について測定
したレジストの感度は、シリル化温度１４０°Ｃにおい
て３００ｍＪ／ｃｍ² であり、レジストパターンの形状
も良好であった。

【００６９】実施例１４エステル化スチレン樹脂の製造 Ｍｗ＝２，６００のポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂１
００ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド４４ｇおよび水７７．６ｇを、２，３００ｇ
のＰＧＭＡに溶解したのち、トリエチルアミンの８重量
％ＰＧＭＡ溶液２２８ｇを加え、攪拌しつつ９０分間反
応させた。その後、１Ｎ塩酸１８ｇを加えて、２０分間
攪拌した。次いで、水１，０００ｇを加えて攪拌後、放
置して水層と有機層とに分離し、水層を廃棄する水洗処
理を行なったのち、さらに同様の水洗処理を２回行なっ
て、反応溶液中に残存するトリエチルアミンとその塩酸
塩および塩酸を除去した。その後、減圧下でＰＧＭＡお
よび水を反応溶液から除去して、部分的に１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル化した樹脂
（以下、「エステル化スチレン樹脂Ｂ」という。）１２
５ｇを得た。

【００７０】レジスト感度の評価 エステル化スチレン樹脂Ｂ ２０ｇ、 １−（１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ル）−１，２，４−トリアゾール
０．６ｇ、 ネオペンゲルプ０７５ ０．６ｇ、 カヤライトＢ １ｇ、 メガファックＦ１７２ ０．００４ｇ をＰＧＭＡ５８ｇに溶解した溶液を、孔径０．２μｍの
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液について、前記測定法によりレ
ジストの感度を測定したところ、シリル化温度１４０°
Ｃにおいて４３０ｍＪ／ｃｍ² であった。また、レジス
トパターンの形状も良好であった。

【００７１】比較例１ Ｎ−メチロールサッカリンを用いない以外は、実施例１
と同様の成分および方法でレジスト溶液を調製した。こ
のレジスト溶液については、シリル化温度１４０°Ｃに
おいては１０００ｍＪ／ｃｍ² 以下の露光量ではレジス
トパターンが形成されなかった。

【００７２】比較例２ 比較例１のレジスト溶液を用いて、シリル化温度１６０
°Ｃでシリル化したが、１０００ｍＪ／ｃｍ² 以下の露
光量ではレジストパターンが形成されなかった。

【００７３】比較例３ Ｎ−メチロールサッカリン０．２ｇの代わりに１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸（ＮＱＤＳ）
０．２ｇを用いた以外は、実施例１と同様の成分および
方法による処理を試みたが、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸が完全には溶解せず、レジスト溶
液を調製することができなかった。

【００７４】比較例４ エステル化ノボラック樹脂Ａ ２０
ｇ、 １，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸 ０．
２ｇ １，３−ジメチル−２−イミダゾリドン ０．
８ｇ ネオペンゲルプ０７５（染料） ０．
６ｇ、 カヤライトＢ（染料） １
ｇ、 メガファックＦ１７２（界面活性剤） ０．
００４ｇ をＰＧＭＡ５７ｇに溶解した溶液を、孔径０．２μｍの
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液を用いて、シリル化温度１４０
°Ｃでシリル化したが、１０００ｍＪ／ｃｍ² 以下の露
光量ではレジストパターンが形成されなかった。

【００７５】比較例５ 比較例４のレジスト溶液を用いて、シリル化温度１６０
°Ｃでシリル化したところ、感度は３００ｍＪ／ｃｍ²
であった。

【００７６】比較例６ 比較例４のレジスト溶液を用いて、シリル化温度１５０
°Ｃでシリル化したところ、感度は８００ｍＪ／ｃｍ²
と低く、また、レジストパターンの表面には凹凸が見ら
れた。

【００７７】以上示したように、本発明の感放射線性樹
脂組成物は、シリル化温度１５０°Ｃ以下においても、
ドライ現像により、高感度にレジストパターンを形成す
ることができ、またレジストパターンの形状も良好であ
る。これに対して、従来のレジストは、感度が低く、レ
ジストパターンを形成するためには、１６０°Ｃ以上の
高温でシリル化する必要があり、またレジストパターン
の形状も不十分である。各実施例および比較例について
の評価結果を、主要組成とともに、表１−１（実施例１
〜１０）、表１−２（実施例１１〜１４）および表２
（比較例１〜６）にまとめて示す。

【００７８】

【表１】

【００７９】

【表２】

【００８０】

【表３】

【００８１】

【発明の効果】本発明のドライ現像用感放射線性樹脂組
成物は、従来のレジストに比べて、感度が高く、シリル
化温度を低くすることができる。したがって、シリル化
処理時にレジスト層の軟化変形を来すおそれがなく、良
好な形状を有する精密なネガ型レジストパターンを形成
することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳原 健児 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−218442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−163364（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−58049（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−291269（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−104966（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−180545（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5060（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/022 G03F 7/36 H01L 21/027

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）フェノール性水酸基含有樹脂並び
   に（ｂ）下記一般式(I) 、(II)、 (III)、 (IV) および
   (V) で示される化合物からなる群から選ばれる少なくと
   も１種の化合物を含有し、且つ組成物中に（ｃ）１，２
   −キノンジアジドスルホン酸エステル成分を含有するこ
   とを特徴とするドライ現像用感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔一般式(I) において、R¹は１個以上のハロゲン原子、
   アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはシアノ基
   で置換されていてもよいアリール基もしくはアルキル
   基、または下記一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)｛一
   般式(VI)、(VII) および(VIII)において、R²、 R³ 、 R
   ⁴ および R⁵ は相互に独立に水素原子、ハロゲン原子、
   アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基あるい
   はシアノ基を表す。｝で示される１，２ーナフトキノン
   ジアジド基が光あるいは熱の作用により分解して生成す
   る基を表し、X¹は一般式(I) の硫黄原子と結合した窒素
   原子を環構成原子として含む非縮合環あるいは縮合環の
   複素環基を表す。 【化６】 【化７】 【化８】 〕 【化２】 〔一般式(II)において、D は前記一般式(VI)、(VII) も
   しくは(VIII)で示される１，２ーナフトキノンジアジド
   基を表し、X²は一般式(II)の硫黄原子と結合した窒素原
   子を環構成原子として含む非縮合環あるいは縮合環の複
   素環基であって、１個の窒素原子と４〜１０個の炭素原
   子、０〜３個の酸素原子および０〜３個の硫黄原子とか
   らなる複素環基、相互に隣接する２個の窒素原子と３〜
   １０個の炭素原子、０〜３個の酸素原子および０〜３個
   の硫黄原子とからなる複素環基、１個以上の炭素原子、
   酸素原子あるいは硫黄原子により隔てられた２個の窒素
   原子と３〜１０個の炭素原子、０〜３個の酸素原子およ
   び０〜３個の硫黄原子とからなる複素環基、および相互
   に隣接していても隣接していなくてもよい３〜６個の窒
   素原子と２〜１０個の炭素原子、０〜３個の酸素原子お
   よび０〜３個の硫黄原子とからなる複素環基から選ばれ
   る基を表す。〕 【化３】 〔一般式(III) において、R⁶は１個以上のハロゲン原
   子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはシア
   ノ基で置換されていてもよいアリール基もしくはアルキ
   ル基、前記一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で示され
   る１，２ーナフトキノンジアジド基またはこれらの１，
   ２ーナフトキノンジアジド基が光あるいは熱の作用によ
   り分解して生成する基を表し、X³は非縮合環あるいは縮
   合環の炭素環基または複素環基を表す。〕 【化４】 〔一般式(IV)において、R⁷は１個以上のハロゲン原子あ
   るいは水酸基で置換されていてもよいアリール基もしく
   はアルキル基、-S-R⁸(ここで、R⁸はアリール基を表
   す。) または−SO₂-R⁹｛ここで、R⁹はニトロ基あるいは
   シアノ基で置換されていてもよいアリール基、前記一般
   式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で示される１，２ーナフ
   トキノンジアジド基またはこれらの１，２ーナフトキノ
   ンジアジド基が光あるいは熱の作用により分解して生成
   する基を表す。｝、Y は１個以上のハロゲン原子、水酸
   基、アルキル基、ニトロ基あるいはシアノ基で置換され
   ていてもよいアリーレン基、アルキレン基またはアルケ
   ニレン基を表し、Z は単結合またはオキシ基を表す。〕 【化５】 〔一般式(V) において、R¹⁰ は１個以上のハロゲン原
   子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはシア
   ノ基で置換されていてもよいアリール基もしくはアルキ
   ル基、前記一般式(VI)、(VII) もしくは(VIII)で示され
   る１，２ーナフトキノンジアジド基またはこれらの１，
   ２ーナフトキノンジアジド基が光あるいは熱の作用によ
   り分解して生成する基を表し、R¹¹ およびR¹² は相互に
   独立に水素原子、アルキル基または１個以上のハロゲン
   原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはシ
   アノ基で置換されていてもよいアリール基を表し、R¹¹
   およびR¹² の少なくとも一方は水素原子以外の基であ
   る。〕