JP3055464B2 - 半導体集積回路の配線構造および形成方法 - Google Patents
半導体集積回路の配線構造および形成方法Info
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
配線構造に関し、特にクロストーク・ノイズを低減する
効果を有する配線構造および形成方法に関する。
配線構造に関し、特にクロストーク・ノイズを低減する
効果を有する配線構造および形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路においては、配線密度が
高いため、配線に電流が流れると、電磁波が発生し、隣
接した配線にクロストーク・ノイズを生じさせる。この
クロストーク・ノイズの影響を低減するために、上下に
シールド層を形成したり、隣接する配線間の間に、シー
ルド用のダミー配線を設ける方法などが提案されてい
る。
高いため、配線に電流が流れると、電磁波が発生し、隣
接した配線にクロストーク・ノイズを生じさせる。この
クロストーク・ノイズの影響を低減するために、上下に
シールド層を形成したり、隣接する配線間の間に、シー
ルド用のダミー配線を設ける方法などが提案されてい
る。
【０００３】その他の例として、特開平４−３５２４９
８号公報に示された発明が知られている。この発明は、
高透磁率を有する軟磁性粉を含有したペーストを用い
て、基板面に形成された回路の導体を包むように塗布す
ることによって、電磁波をシールドするというものであ
る。
８号公報に示された発明が知られている。この発明は、
高透磁率を有する軟磁性粉を含有したペーストを用い
て、基板面に形成された回路の導体を包むように塗布す
ることによって、電磁波をシールドするというものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のシールド層あるいは、シールド用ダミー配線を用い
た方法では、配線間容量の増大がクロストーク・ノイズ
を低減する効果を上回ってしまい、逆に伝播遅延が増大
してしまう場合がある。
来のシールド層あるいは、シールド用ダミー配線を用い
た方法では、配線間容量の増大がクロストーク・ノイズ
を低減する効果を上回ってしまい、逆に伝播遅延が増大
してしまう場合がある。
【０００５】特に半導体集積回路上の配線においては、
素子の高密度化が進み、配線密度が素子の集積化を制限
しているところへ、さらに新たな配線を設けることは、
素子の集積度の低下を招いてしまい、はじめからシール
ド用配線を設けずにノイズが気にならない程度に素子間
を離して配置した方が、集積度の点では、有利な場合も
ありうる。
素子の高密度化が進み、配線密度が素子の集積化を制限
しているところへ、さらに新たな配線を設けることは、
素子の集積度の低下を招いてしまい、はじめからシール
ド用配線を設けずにノイズが気にならない程度に素子間
を離して配置した方が、集積度の点では、有利な場合も
ありうる。
【０００６】こうしたクロストーク・ノイズ低減の効果
と、配線間容量増大の効果とのうちどちらが大きいか、
シールド層やダミー配線形成による集積度の低下がノイ
ズ低減による高速化によってカバーされるかといった、
技術のトレード・オフ・ポイントを見つけるために、配
線設計に大きな負担がかかってしまうという問題点があ
る。
と、配線間容量増大の効果とのうちどちらが大きいか、
シールド層やダミー配線形成による集積度の低下がノイ
ズ低減による高速化によってカバーされるかといった、
技術のトレード・オフ・ポイントを見つけるために、配
線設計に大きな負担がかかってしまうという問題点があ
る。
【０００７】また、特開平４−３５２４９８号公報に示
された発明では、絶縁体膜中に導電性の粉末が分散して
いるため、配線間がショートする恐れがある。また、高
粘度のペーストを用いているため、特に半導体集積回路
上の配線のような、微細なパターンをボイドなしに埋め
込むことは、非常に困難であるという問題もある。
された発明では、絶縁体膜中に導電性の粉末が分散して
いるため、配線間がショートする恐れがある。また、高
粘度のペーストを用いているため、特に半導体集積回路
上の配線のような、微細なパターンをボイドなしに埋め
込むことは、非常に困難であるという問題もある。
【０００８】本発明の目的は、伝播遅延を増加させず、
配線密度も増加させず、かつクロストーク・ノイズを低
減する半導体集積回路の配線構造およびその形成方法を
提供することにある。
配線密度も増加させず、かつクロストーク・ノイズを低
減する半導体集積回路の配線構造およびその形成方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体集積回路の配線構造は、通電用
配線を有する半導体集積回路の配線構造であって、配線
は、半導体集積回路に設けられ、配線の側面部のみが導
電性の高透磁率材料にて覆われたものである。
め、本発明に係る半導体集積回路の配線構造は、通電用
配線を有する半導体集積回路の配線構造であって、配線
は、半導体集積回路に設けられ、配線の側面部のみが導
電性の高透磁率材料にて覆われたものである。
【００１０】また本発明に係る半導体集積回路の配線構
造は、半導体集積回路に配線を形成した後、ＣＶＤ（ケ
ミカル・ベーパー・デポディション）法，スパッタリン
グ法などの薄膜形成装置を用いて、前記配線を高透磁率
膜で被覆させ、高透磁率膜で被覆された配線に対してド
ライエッチング処理をして、配線の側面以外の高透磁率
膜を除去することによって、配線の側面部を導電性の高
透磁率材料で覆うものである。
造は、半導体集積回路に配線を形成した後、ＣＶＤ（ケ
ミカル・ベーパー・デポディション）法，スパッタリン
グ法などの薄膜形成装置を用いて、前記配線を高透磁率
膜で被覆させ、高透磁率膜で被覆された配線に対してド
ライエッチング処理をして、配線の側面以外の高透磁率
膜を除去することによって、配線の側面部を導電性の高
透磁率材料で覆うものである。
【００１１】また層間絶縁膜に溝を形成し、ＣＶＤ法，
スパッタリング法などの薄膜形成装置で高透磁率膜で被
覆させ、その全面をドライエッチングの処理をして、溝
の側面以外の高透磁率膜を除去し、その溝内に配線材料
を埋め込み、最後に平坦化エッチバック工程によって、
溝に埋め込まれた部分以外の配線材料を除去することに
より、その側面部が導電性の高透磁率材料で被覆された
配線を形成するものである。
スパッタリング法などの薄膜形成装置で高透磁率膜で被
覆させ、その全面をドライエッチングの処理をして、溝
の側面以外の高透磁率膜を除去し、その溝内に配線材料
を埋め込み、最後に平坦化エッチバック工程によって、
溝に埋め込まれた部分以外の配線材料を除去することに
より、その側面部が導電性の高透磁率材料で被覆された
配線を形成するものである。
【００１２】
【作用】本発明の配線構造を用いれば、隣接する配線間
のクロストーク・ノイズを次のような効果によって、低
減することができる。配線の側面部が高透磁率膜で覆わ
れていると、隣接配線の信号伝播に起因した磁界変移に
よる誘導電流は、表皮効果によって配線の側面部の表面
近傍を流れるようになる。このときの電流の流れる範囲
は、表皮深さ（δ）と呼ばれ、次の式によって表され
る。
のクロストーク・ノイズを次のような効果によって、低
減することができる。配線の側面部が高透磁率膜で覆わ
れていると、隣接配線の信号伝播に起因した磁界変移に
よる誘導電流は、表皮効果によって配線の側面部の表面
近傍を流れるようになる。このときの電流の流れる範囲
は、表皮深さ（δ）と呼ばれ、次の式によって表され
る。
【００１３】
【式１】
【００１４】ここで、通常の配線の側面部を覆う高透磁
率膜の膜厚を、ある周波数から計算されたδの値と同等
あるいはそれ以上に厚くしておけば、その周波数以上の
成分から引き起こされるノイズは、高透磁率膜の中を主
に流れ、抵抗損失によってやがて減衰する。
率膜の膜厚を、ある周波数から計算されたδの値と同等
あるいはそれ以上に厚くしておけば、その周波数以上の
成分から引き起こされるノイズは、高透磁率膜の中を主
に流れ、抵抗損失によってやがて減衰する。
【００１５】このようにして、側面の高透磁率膜の厚さ
を、表皮深さと同等あるいはそれよりも厚くすることに
よって、高調波成分によるクロストーク・ノイズの影響
を除去することができる。
を、表皮深さと同等あるいはそれよりも厚くすることに
よって、高調波成分によるクロストーク・ノイズの影響
を除去することができる。
【００１６】一方、配線中を伝播していく信号の遅延
は、配線と上下の面とのカップリング容量によって支配
されているが、上下の面は高透磁率膜がないため、信号
波形の減衰もほとんどなく、波形が鈍ってしまうことも
ない。
は、配線と上下の面とのカップリング容量によって支配
されているが、上下の面は高透磁率膜がないため、信号
波形の減衰もほとんどなく、波形が鈍ってしまうことも
ない。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１８】図１は、本発明の一実施形態を示す断面図
である。図において、本発明の一実施形態に係る配線構
造は、通常の配線１の側面部を導電性の高透磁率膜２に
より覆ったものである。ここでいう通常の配線というの
は、配線基板の形態にあわせてよく使用される材料とい
う意味で、Ａｌまたは、それにＳｉやＣｕを添加された
もの、あるいはＣｕなどを意味する。ここで、重要なの
は、こうしたＡｌ，Ｃｕといった材料は、すべて非磁性
体であり、透磁率は真空中のものとほぼ同じと見なすこ
とができるということである。また配線１の側面部を高
透磁率膜２で被覆する理由は、配線１の側面部からクロ
ストーク・ノイズが隣接する配線に影響を与えるためで
ある。
である。図において、本発明の一実施形態に係る配線構
造は、通常の配線１の側面部を導電性の高透磁率膜２に
より覆ったものである。ここでいう通常の配線というの
は、配線基板の形態にあわせてよく使用される材料とい
う意味で、Ａｌまたは、それにＳｉやＣｕを添加された
もの、あるいはＣｕなどを意味する。ここで、重要なの
は、こうしたＡｌ，Ｃｕといった材料は、すべて非磁性
体であり、透磁率は真空中のものとほぼ同じと見なすこ
とができるということである。また配線１の側面部を高
透磁率膜２で被覆する理由は、配線１の側面部からクロ
ストーク・ノイズが隣接する配線に影響を与えるためで
ある。
【００１９】高透磁率膜２の厚さをｔμとすると、ｔμ
は側面における表皮効果深さよりは厚くなっていなけれ
ば、抵抗損失によってクロストーク・ノイズを減衰させ
ることができない。また、ｔμが厚すぎてクロストーク
・ノイズが無視できるくらいの間隔Ｓｎｏ_ｃｒになる
のであったら、わざわざ高透磁率膜２を配線１の側面に
被覆する意味がなくなってしまう。また、プロセス上の
問題により、配線幅ｗや配線厚さｔと比べてそれほど大
きな厚さのものは形成できない。したがって、次のよう
な条件が成り立つ必要がある。δ＜ｔμ≪Ｓｎｏ_ｃ
ｒ，ｗ，ｔ
は側面における表皮効果深さよりは厚くなっていなけれ
ば、抵抗損失によってクロストーク・ノイズを減衰させ
ることができない。また、ｔμが厚すぎてクロストーク
・ノイズが無視できるくらいの間隔Ｓｎｏ_ｃｒになる
のであったら、わざわざ高透磁率膜２を配線１の側面に
被覆する意味がなくなってしまう。また、プロセス上の
問題により、配線幅ｗや配線厚さｔと比べてそれほど大
きな厚さのものは形成できない。したがって、次のよう
な条件が成り立つ必要がある。δ＜ｔμ≪Ｓｎｏ_ｃ
ｒ，ｗ，ｔ
【００２０】逆に言うと、この条件を満たすようなρ，
μの値を持った高透磁率膜２を適用すれば、構造上，特
性上の問題はない。
μの値を持った高透磁率膜２を適用すれば、構造上，特
性上の問題はない。
【００２１】図２〜図５は、本発明に係る配線構造の形
成方法を製造工程順に示す断面図である。
成方法を製造工程順に示す断面図である。
【００２２】本発明の一実施形態に係る配線構造の製造
方法では、通常のエッチング工程などによって図２のよ
うに配線１を形成する。５は層間絶縁膜、１０は下層配
線である。図２のような配線１を形成した後、図３のよ
うに高透磁率膜２で配線１の全体を被覆させ、ドライエ
ッチングによって図４のように配線１の側面部に高透磁
率膜２を残すことによって、側面部が導電性の高透磁率
膜で覆われた配線構造を形成する。
方法では、通常のエッチング工程などによって図２のよ
うに配線１を形成する。５は層間絶縁膜、１０は下層配
線である。図２のような配線１を形成した後、図３のよ
うに高透磁率膜２で配線１の全体を被覆させ、ドライエ
ッチングによって図４のように配線１の側面部に高透磁
率膜２を残すことによって、側面部が導電性の高透磁率
膜で覆われた配線構造を形成する。
【００２３】図３に示す工程において、高透磁率膜２で
配線１の全体を被覆させるには、ＣＶＤ（ケミカル・ベ
ーパー・デポディション）法またはスパッタ法を用いれ
ばよい。また、被覆する高透磁率膜２の厚さは、後工程
のドライエッチングによって側面部も多少減少すること
を見越して、目標の厚さｔμよりも少し厚めに形成する
とよい。
配線１の全体を被覆させるには、ＣＶＤ（ケミカル・ベ
ーパー・デポディション）法またはスパッタ法を用いれ
ばよい。また、被覆する高透磁率膜２の厚さは、後工程
のドライエッチングによって側面部も多少減少すること
を見越して、目標の厚さｔμよりも少し厚めに形成する
とよい。
【００２４】図４に示す工程において、ドライエッチン
グによって配線１の側面部以外の高透磁率膜２をエッチ
ングする際、スパッタエッチングやイオンビームエッチ
ングなどの異方性ドライエッチングを用いるとよい。異
方性ドライエッチングを用いることによって、容易に配
線１の側面部に高透磁率膜２を残したエッチングを行う
ことができる。
グによって配線１の側面部以外の高透磁率膜２をエッチ
ングする際、スパッタエッチングやイオンビームエッチ
ングなどの異方性ドライエッチングを用いるとよい。異
方性ドライエッチングを用いることによって、容易に配
線１の側面部に高透磁率膜２を残したエッチングを行う
ことができる。
【００２５】図５は、図４の配線構造を形成した後、層
間絶縁膜５および上層の配線２０を形成した後の構造を
示した断面図である。配線２０も図２〜４の方法と同様
にして、その側面部が高透磁率膜２で覆われた配線構造
とすることもできる。ここで、上下の配線間のクロスト
ーク・ノイズは、例えば上下層の配線１と配線２０のパ
ターンを９０度に交わるように形成すれば、上下層間の
容量カップリングはごく小さく抑えられるので、問題と
ならない。
間絶縁膜５および上層の配線２０を形成した後の構造を
示した断面図である。配線２０も図２〜４の方法と同様
にして、その側面部が高透磁率膜２で覆われた配線構造
とすることもできる。ここで、上下の配線間のクロスト
ーク・ノイズは、例えば上下層の配線１と配線２０のパ
ターンを９０度に交わるように形成すれば、上下層間の
容量カップリングはごく小さく抑えられるので、問題と
ならない。
【００２６】図６〜図１１は、本発明の他の実施形態を
製造工程順に示す断面図である。まず図６に示す層間絶
縁膜５に図７のように溝６を形成した後、図８のように
高透磁率薄膜２を絶縁膜５の全体に被覆させ、ドライエ
ッチングによって図９のように溝６の側面部に高透磁率
膜２を残し、その後、図１０のように溝６内に通常の配
線１の材料を埋め込み、最後に図１１のように平坦化エ
ッチバック工程によって溝６に埋め込まれた部分以外の
配線材料を除去し、側面部が導電性の高透磁率膜２で覆
われた配線１の構造を形成する。
製造工程順に示す断面図である。まず図６に示す層間絶
縁膜５に図７のように溝６を形成した後、図８のように
高透磁率薄膜２を絶縁膜５の全体に被覆させ、ドライエ
ッチングによって図９のように溝６の側面部に高透磁率
膜２を残し、その後、図１０のように溝６内に通常の配
線１の材料を埋め込み、最後に図１１のように平坦化エ
ッチバック工程によって溝６に埋め込まれた部分以外の
配線材料を除去し、側面部が導電性の高透磁率膜２で覆
われた配線１の構造を形成する。
【００２７】高透磁率膜２を配線１の全体に被覆させる
には、前記方法と同様に、ＣＶＤ（ケミカル・ベーパー
・デポディション）法またはスパッタ法を用いればよ
い。また被覆する高透磁率膜２の厚さも前記方法と同様
の理由から、目標の厚さｔμよりも少し厚めに形成する
とよい。
には、前記方法と同様に、ＣＶＤ（ケミカル・ベーパー
・デポディション）法またはスパッタ法を用いればよ
い。また被覆する高透磁率膜２の厚さも前記方法と同様
の理由から、目標の厚さｔμよりも少し厚めに形成する
とよい。
【００２８】また、図９の工程において高透磁率膜２を
エッチングする際も、前記方法と同様にスパッタエッチ
ングやイオンビームエッチングなどの異方性ドライエッ
チングを用いるとよい。さらに図１１における平坦化エ
ッチバツク工程では、ＣＭＰによる平坦化や、平坦化剤
塗布後に全面エッチバックする平坦化工程などを用いれ
ばよい。
エッチングする際も、前記方法と同様にスパッタエッチ
ングやイオンビームエッチングなどの異方性ドライエッ
チングを用いるとよい。さらに図１１における平坦化エ
ッチバツク工程では、ＣＭＰによる平坦化や、平坦化剤
塗布後に全面エッチバックする平坦化工程などを用いれ
ばよい。
【００２９】（実施例）次に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００３０】図１２は、本発明の配線構造を半導体集積
回路に適用した実施例である。本実施例では、通常の配
線１としてＡｌ，高透磁率膜２としてパーマロイ（μ＝
８０００，ρ＝１６μΩ・ｃｍ），層間絶縁膜５として
ＳｉＯ2を用いた場合の例である。Ａｌの厚さ３を０．
６μｍ，パーマロイ（Ｆｅ＋７８．５％Ｎｉ）の厚さ４
を０．１μｍ，ＳｉＯ2を２μｍで形成されている。図
中３１はシリコン基板、３０は半導体デバイス層であ
る。この半導体集積回路の真中の配線１が５００ＭＨｚ
で動作しているとすると、それによって隣接配線に誘導
される電流の表皮深さを計算すると、
回路に適用した実施例である。本実施例では、通常の配
線１としてＡｌ，高透磁率膜２としてパーマロイ（μ＝
８０００，ρ＝１６μΩ・ｃｍ），層間絶縁膜５として
ＳｉＯ2を用いた場合の例である。Ａｌの厚さ３を０．
６μｍ，パーマロイ（Ｆｅ＋７８．５％Ｎｉ）の厚さ４
を０．１μｍ，ＳｉＯ2を２μｍで形成されている。図
中３１はシリコン基板、３０は半導体デバイス層であ
る。この半導体集積回路の真中の配線１が５００ＭＨｚ
で動作しているとすると、それによって隣接配線に誘導
される電流の表皮深さを計算すると、
【式２】 となり、パーマロイの厚さよりも表皮深さが下回る。し
たがって、５００ＭＨｚ以上の高調波成分は、すべて高
透磁率膜２の中を流れるため、抵抗損失によって減衰さ
れ、ノイズが減少する。
たがって、５００ＭＨｚ以上の高調波成分は、すべて高
透磁率膜２の中を流れるため、抵抗損失によって減衰さ
れ、ノイズが減少する。
【００３１】一方配線１と、配線１の下層に位置する配
線との容量カップリングによる表皮深さは
線との容量カップリングによる表皮深さは
【式３】 であるので、配線１の膜厚よりも十分大きいため、表皮
効果による減衰は、ほとんど影響がない。
効果による減衰は、ほとんど影響がない。
【００３２】ここで、高透磁率膜２としてパーマロイの
場合を示したが、他にも、純鉄，センダスト（Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ）やＦｅ−Ｚｒ，Ｆｅ−Ｍｎ，Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆ
ｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏなどの
鉄合金材料も適用することができる。ただし、動作周波
数および表皮深さを計算し、適当な厚さの膜を配線１の
側面部に形成しなければならない。
場合を示したが、他にも、純鉄，センダスト（Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ）やＦｅ−Ｚｒ，Ｆｅ−Ｍｎ，Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆ
ｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏなどの
鉄合金材料も適用することができる。ただし、動作周波
数および表皮深さを計算し、適当な厚さの膜を配線１の
側面部に形成しなければならない。
【００３３】図１２の実施例では第１層目の配線に本発
明の構造を適用した例を示したが、１層目のみに限ら
ず、２層目，３層目，…の配線に本発明の構造を適用し
てもよい。
明の構造を適用した例を示したが、１層目のみに限ら
ず、２層目，３層目，…の配線に本発明の構造を適用し
てもよい。
【００３４】図１３〜１５に、本発明の配線形成方法を
半導体集積回路に適用した実施例を示す。まず、図１３
のように半導体デバイス層３０の上に第１層目の配線
１、例えば厚さ０．６μｍを形成した後、図１４のよう
にスパッタ法で全面に高透磁率膜２、例えばパーマロイ
を厚さ０．１５μｍ形成し、ドライエッチングによって
図１５のように配線１の側面部以外の高透磁率膜２を除
去する。このパーマロイ膜のドライエッチングでは、例
えばイオンエネルギー１．０ｋｅＶ，電流密度１．０ｍ
Ａ／ｃｍ2，チャンバー内真空度５．０×１０-5Ｔｏｒ
ｒ，雰囲気ａｒイオンなどの条件でイオンビームエッチ
ングを行えばよい。
半導体集積回路に適用した実施例を示す。まず、図１３
のように半導体デバイス層３０の上に第１層目の配線
１、例えば厚さ０．６μｍを形成した後、図１４のよう
にスパッタ法で全面に高透磁率膜２、例えばパーマロイ
を厚さ０．１５μｍ形成し、ドライエッチングによって
図１５のように配線１の側面部以外の高透磁率膜２を除
去する。このパーマロイ膜のドライエッチングでは、例
えばイオンエネルギー１．０ｋｅＶ，電流密度１．０ｍ
Ａ／ｃｍ2，チャンバー内真空度５．０×１０-5Ｔｏｒ
ｒ，雰囲気ａｒイオンなどの条件でイオンビームエッチ
ングを行えばよい。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、伝播遅延
を増加させず、配線密度も増加させず、かつクロストー
ク・ノイズを低減する半導体集積回路の配線構造を実現
することができる。
を増加させず、配線密度も増加させず、かつクロストー
ク・ノイズを低減する半導体集積回路の配線構造を実現
することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る配線構造を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線形成方法のう
ち、通常の配線を形成した段階における断面構造を示し
た図である。
ち、通常の配線を形成した段階における断面構造を示し
た図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線形成方法のう
ち、通常の配線の上に高透磁率膜を形成した段階におけ
る断面構造を示した図である。
ち、通常の配線の上に高透磁率膜を形成した段階におけ
る断面構造を示した図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る配線形成方法のう
ち、配線の側面部以外の高透磁率膜を除去した段階にお
ける断面構造を示した図である。
ち、配線の側面部以外の高透磁率膜を除去した段階にお
ける断面構造を示した図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る配線形成方法のう
ち、配線の側面部を高透磁率膜で覆った後、層間絶縁膜
および上層の配線を形成した段階における断面構造を示
した図である。
ち、配線の側面部を高透磁率膜で覆った後、層間絶縁膜
および上層の配線を形成した段階における断面構造を示
した図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法のう
ち、層間絶縁膜が形成された段階における断面構造を示
した図である。
ち、層間絶縁膜が形成された段階における断面構造を示
した図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法のう
ち、層間絶縁膜上に溝を形成した段階における断面構造
を示した図である。
ち、層間絶縁膜上に溝を形成した段階における断面構造
を示した図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法のう
ち、層間絶縁膜上の溝に高透磁率膜を形成した段階にお
ける断面構造を示した図である。
ち、層間絶縁膜上の溝に高透磁率膜を形成した段階にお
ける断面構造を示した図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法のう
ち、溝の側面部分以外の高透磁率膜を除去した段階にお
ける断面構造を示した図である。
ち、溝の側面部分以外の高透磁率膜を除去した段階にお
ける断面構造を示した図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法の
うち、側面部分が高透磁率膜に覆われた溝の上に配線膜
を形成した段階における断面構造を示した図である。
うち、側面部分が高透磁率膜に覆われた溝の上に配線膜
を形成した段階における断面構造を示した図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る配線形成方法の
うち、溝の上に形成された配線膜を平坦化エッチバック
して、溝に埋め込まれた配線を形成した段階における断
面構造を示した図である。
うち、溝の上に形成された配線膜を平坦化エッチバック
して、溝に埋め込まれた配線を形成した段階における断
面構造を示した図である。
【図１２】本発明の配線構造を半導体集積回路に適用し
た一実施例を示す断面図である。
た一実施例を示す断面図である。
【図１３】本発明の配線形成方法を半導体集積回路に適
用した一実施例のうちの、１層目通常配線を形成した後
の構造を示す図である。
用した一実施例のうちの、１層目通常配線を形成した後
の構造を示す図である。
【図１４】本発明の配線形成方法を半導体集積回路に適
用した一実施例のうちの、通常配線の上に高透磁率材料
を被覆させた後の構造を示す図である。
用した一実施例のうちの、通常配線の上に高透磁率材料
を被覆させた後の構造を示す図である。
【図１５】本発明の配線形成方法を半導体集積回路に適
用した一実施例のうちの、通常配線の側面以外の高透磁
率材料を除去した後の構造を示す図である。
用した一実施例のうちの、通常配線の側面以外の高透磁
率材料を除去した後の構造を示す図である。
１ 通常の配線 ２ 高透磁率膜 ３ 通常の配線の幅 ４ 高透磁率膜の厚さ ５ 層間絶縁膜 ６ 溝 １０ 下層配線 ２０ 上層配線 ３０ 半導体デバイス層 ３１ シリコン基板
Claims (3)
- 【請求項１】 通電用配線を有する半導体集積回路の配
線構造であって、 配線は、半導体集積回路に設けられ、 配線の側面部のみが導電性の高透磁率材料にて覆われた
ものであることを特徴とする半導体集積回路の配線構
造。 - 【請求項２】 半導体集積回路に配線を形成した後、Ｃ
ＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポディション）法，スパ
ッタリング法などの薄膜形成装置を用いて、前記配線を
高透磁率膜で被覆させ、 高透磁率膜で被覆された配線に対してドライエッチング
処理をして、配線の側面以外の高透磁率膜を除去するこ
とによって、配線の側面部を導電性の高透磁率材料で覆
うことを特徴とする半導体集積回路の配線形成方法。 - 【請求項３】 層間絶縁膜に溝を形成し、ＣＶＤ法，ス
パッタリング法などの薄膜形成装置で高透磁率膜で被覆
させ、その全面をドライエッチングの処理をして、溝の
側面以外の高透磁率膜を除去し、 その溝内に配線材料を埋め込み、最後に平坦化エッチバ
ック工程によって、溝に埋め込まれた部分以外の配線材
料を除去することにより、その側面部が導電性の高透磁
率材料で被覆された配線を形成することを特徴とする半
導体集積回路の配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8144513A JP3055464B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 半導体集積回路の配線構造および形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8144513A JP3055464B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 半導体集積回路の配線構造および形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326587A JPH09326587A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3055464B2 true JP3055464B2 (ja) | 2000-06-26 |
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ID=15364106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8144513A Expired - Fee Related JP3055464B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 半導体集積回路の配線構造および形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055464B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3972951B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-09-05 | オムロン株式会社 | スイッチング電源、電源装置および電子機器 |
| TW201637190A (zh) | 2015-03-25 | 2016-10-16 | Sony Corp | 固體攝像裝置及電子機器 |
| CN116169037B (zh) * | 2023-04-24 | 2023-08-04 | 长电集成电路(绍兴)有限公司 | 一种芯片封装结构的制备方法 |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP8144513A patent/JP3055464B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09326587A (ja) | 1997-12-16 |
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