JP3047716B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JP3047716B2 JP3047716B2 JP30504193A JP30504193A JP3047716B2 JP 3047716 B2 JP3047716 B2 JP 3047716B2 JP 30504193 A JP30504193 A JP 30504193A JP 30504193 A JP30504193 A JP 30504193A JP 3047716 B2 JP3047716 B2 JP 3047716B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dam bar
- resin
- lead frame
- lead
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ等の半導体に用い
る半導体装置用リードフレームに係り、特にダムバーを
改善したものに関する。
る半導体装置用リードフレームに係り、特にダムバーを
改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なダムバーの構造を図２に示す。
ＩＣ等の半導体装置用リードフレーム１は、リード３や
ダイパッド７を有し、ダムバー２はこれらと一体構造で
あり、同一材料で構成される。ダムバー２は、図３に示
すように半導体チップ４を搭載した後、樹脂封止を行う
際に金型内の封止樹脂５が、リード３間から流れ出さな
いように塞ぎ止める機能を有する。樹脂封止を行った
後、リード３を独立させるためにこのダムバー２は切り
離されなければならない。
ＩＣ等の半導体装置用リードフレーム１は、リード３や
ダイパッド７を有し、ダムバー２はこれらと一体構造で
あり、同一材料で構成される。ダムバー２は、図３に示
すように半導体チップ４を搭載した後、樹脂封止を行う
際に金型内の封止樹脂５が、リード３間から流れ出さな
いように塞ぎ止める機能を有する。樹脂封止を行った
後、リード３を独立させるためにこのダムバー２は切り
離されなければならない。
【０００３】ところで、最近、高集積化によりロジック
系ＩＣ用リードフレームを始めとして半導体装置用リー
ドフレームのリード数が多くなり、ピッチは０．３mm程
度と微細化している。図４に示すようにダムバー２は、
金型により打ち抜き除去されるのが一般的であるが、上
記微細化にともなって打ち抜きパンチ６も０．２mm程度
と細くなり、かつ刃数が多くなって来た。したがって打
ち抜き後にリード３の曲がり、ねじれ等の変形を生じた
り、パンチ６の折れやパンチを受けるダイとのかじりに
よる抜き不良の発生等の問題が大きくクロズーアップさ
れている。
系ＩＣ用リードフレームを始めとして半導体装置用リー
ドフレームのリード数が多くなり、ピッチは０．３mm程
度と微細化している。図４に示すようにダムバー２は、
金型により打ち抜き除去されるのが一般的であるが、上
記微細化にともなって打ち抜きパンチ６も０．２mm程度
と細くなり、かつ刃数が多くなって来た。したがって打
ち抜き後にリード３の曲がり、ねじれ等の変形を生じた
り、パンチ６の折れやパンチを受けるダイとのかじりに
よる抜き不良の発生等の問題が大きくクロズーアップさ
れている。
【０００４】一方、ダムバー専用金型の初期投資額、メ
ンテナンスに要する煩雑な作業、あるいはこれに要する
費用が大きくなり、この負担増加がリードフレームのコ
ストアップの大きな問題となっている。
ンテナンスに要する煩雑な作業、あるいはこれに要する
費用が大きくなり、この負担増加がリードフレームのコ
ストアップの大きな問題となっている。
【０００５】そこで、従来、そのような不具合を解消す
るために、可溶性耐熱性樹脂（ポリカーボネート、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリスルホンなど）や絶縁樹脂
を塗布する等によってダムバーを形成し、樹脂封止後、
ダムバーを溶かして容易に除去できるようにしたり、あ
るいはそのまま残存させたりすることが提案されている
（例えば、特開平４−９１４６４号公報、特開平４−１
３９８６８号公報など）。
るために、可溶性耐熱性樹脂（ポリカーボネート、ポリ
フェニレンオキサイド、ポリスルホンなど）や絶縁樹脂
を塗布する等によってダムバーを形成し、樹脂封止後、
ダムバーを溶かして容易に除去できるようにしたり、あ
るいはそのまま残存させたりすることが提案されている
（例えば、特開平４−９１４６４号公報、特開平４−１
３９８６８号公報など）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来技術には次のような欠点があった。樹脂を塗布して
ダムバーを形成した後、樹脂封止時の漏れを有効に防止
するためには、リードフレームを包囲するキャビティと
の間に隙間があるとまずいので、図５に示すように、リ
ード３表面に残っている樹脂２ａ（点線で示す部分）を
除去する必要がある。そのために、塗布部の樹脂をモー
ルド温度よりも高い温度で整形して、リード３間に樹脂
２ａを押込める工程が必要となる。
従来技術には次のような欠点があった。樹脂を塗布して
ダムバーを形成した後、樹脂封止時の漏れを有効に防止
するためには、リードフレームを包囲するキャビティと
の間に隙間があるとまずいので、図５に示すように、リ
ード３表面に残っている樹脂２ａ（点線で示す部分）を
除去する必要がある。そのために、塗布部の樹脂をモー
ルド温度よりも高い温度で整形して、リード３間に樹脂
２ａを押込める工程が必要となる。
【０００７】しかし、一般に可溶性耐熱性樹脂や絶縁樹
脂と呼ばれる樹脂は粘性が高いため、樹脂整形時リード
に力が加わり、リード変形が避けられず、良好なダムバ
ーを安定して形成することが出来なかった。特に、この
ような変形は多ピン化・微細化したリードフレームにあ
っては、致命的になりかねない。
脂と呼ばれる樹脂は粘性が高いため、樹脂整形時リード
に力が加わり、リード変形が避けられず、良好なダムバ
ーを安定して形成することが出来なかった。特に、この
ような変形は多ピン化・微細化したリードフレームにあ
っては、致命的になりかねない。
【０００８】そこで、ダムバー用樹脂にそのような問題
のない熱硬化性樹脂を用いることが考えられる。しか
し、熱硬化性樹脂は、一般に硬化材などに不純物を包含
しやすく電気絶縁性の低下の原因となったり、マイグレ
ーションによる短絡事故の発生の原因となる。また、硬
化のためのキュアに時間を要する上、キュア時に発生す
るアウトガスによるワイヤボンディング性の低下などの
問題があり、実用上問題がある。
のない熱硬化性樹脂を用いることが考えられる。しか
し、熱硬化性樹脂は、一般に硬化材などに不純物を包含
しやすく電気絶縁性の低下の原因となったり、マイグレ
ーションによる短絡事故の発生の原因となる。また、硬
化のためのキュアに時間を要する上、キュア時に発生す
るアウトガスによるワイヤボンディング性の低下などの
問題があり、実用上問題がある。
【０００９】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、リードに歪みや変形を生じることがなく、製
造上、品質上問題のないダムバーを有する半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
を解消し、リードに歪みや変形を生じることがなく、製
造上、品質上問題のないダムバーを有する半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、モールド時に封止樹脂が流出しないよ
うにリード間にダムバーを有する半導体装置用リードフ
レームにおいて、上記ダムバーが、モールド温度におい
ては１０ 7 ｄｙｎ／cm 2 以上の動的弾性率を有し、かつ
モールド温度より高い２２０℃〜２５０℃の温度領域で
は１０ 6 ポアズ以下の低い粘度を有する熱可塑性ポリエ
ーテルアミドイミドから成るものである。
ードフレームは、モールド時に封止樹脂が流出しないよ
うにリード間にダムバーを有する半導体装置用リードフ
レームにおいて、上記ダムバーが、モールド温度におい
ては１０ 7 ｄｙｎ／cm 2 以上の動的弾性率を有し、かつ
モールド温度より高い２２０℃〜２５０℃の温度領域で
は１０ 6 ポアズ以下の低い粘度を有する熱可塑性ポリエ
ーテルアミドイミドから成るものである。
【００１１】
【００１２】
【作用】一般に、熱可塑性樹脂は、モールド温度におい
て高い動的弾性率を有し、かつモールド温度より高い温
度領域では低い粘度を有する。したがって、熱可塑性樹
脂を用いると、モールド温度よりも高い温度で行われる
塗布部整形時、粘性が低いため、リードに加わる力を最
小限に抑えることができ、その結果、リード変形を有効
に防止でき、良好なダムバーを安定して形成することが
出来る。また、不純物の包含量が少ないので電気絶縁性
の低下がなく、マイグレーションによる短絡事故もなく
なる。また、熱可塑性であることから硬化のためのキュ
アを要さず、したがってキュア時に発生するアウトガス
によるワイヤボンディング性の低下もない。
て高い動的弾性率を有し、かつモールド温度より高い温
度領域では低い粘度を有する。したがって、熱可塑性樹
脂を用いると、モールド温度よりも高い温度で行われる
塗布部整形時、粘性が低いため、リードに加わる力を最
小限に抑えることができ、その結果、リード変形を有効
に防止でき、良好なダムバーを安定して形成することが
出来る。また、不純物の包含量が少ないので電気絶縁性
の低下がなく、マイグレーションによる短絡事故もなく
なる。また、熱可塑性であることから硬化のためのキュ
アを要さず、したがってキュア時に発生するアウトガス
によるワイヤボンディング性の低下もない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の実施例を説明する。リードフレームの図面は従来のも
のと共通する点が多いので、既に説明した従来図を利用
している。リードフレーム１は、ダムバー２がダイパッ
ド７やリー３ドと一体に形成されていない点を除いて、
従来の一体型のものと変らない。本実施例にあっては、
ダムバー２は熱可塑性樹脂で構成され、リードフレーム
１にストライプ状に塗布することで形成される。この熱
可塑性樹脂は、塗布を安定にしてダムバーを精度よく形
成するために、モールド温度においては大きな動的弾性
率を有する。また、塗布後モールド温度よりも高い温度
で整形するために、モールド温度より高い温度領域では
低い粘度を有する特性のものを使用する。このような特
性をもつ熱可塑性樹脂として、ポリイミド、ポリエーテ
ルアミドまたはポリエーテルアミドイミドを挙げること
ができる。
の実施例を説明する。リードフレームの図面は従来のも
のと共通する点が多いので、既に説明した従来図を利用
している。リードフレーム１は、ダムバー２がダイパッ
ド７やリー３ドと一体に形成されていない点を除いて、
従来の一体型のものと変らない。本実施例にあっては、
ダムバー２は熱可塑性樹脂で構成され、リードフレーム
１にストライプ状に塗布することで形成される。この熱
可塑性樹脂は、塗布を安定にしてダムバーを精度よく形
成するために、モールド温度においては大きな動的弾性
率を有する。また、塗布後モールド温度よりも高い温度
で整形するために、モールド温度より高い温度領域では
低い粘度を有する特性のものを使用する。このような特
性をもつ熱可塑性樹脂として、ポリイミド、ポリエーテ
ルアミドまたはポリエーテルアミドイミドを挙げること
ができる。
【００１４】熱可塑性樹脂の塗布後、ダムバー２を完成
させるために乾燥させるが、単に乾燥させただけでは、
リード３間の隙間以外にリード表面に余分な絶縁樹脂２
ａが塗布されたままとなる。このままではリード表面の
絶縁樹脂が邪魔をして、後に行われる樹脂封止時、キャ
ビティとリード間とに隙間を形成するため、樹脂封止を
行うと封止材が外部に漏れて流出してしまい、ダムバー
の樹脂流出防止機能が発揮できなくなる。
させるために乾燥させるが、単に乾燥させただけでは、
リード３間の隙間以外にリード表面に余分な絶縁樹脂２
ａが塗布されたままとなる。このままではリード表面の
絶縁樹脂が邪魔をして、後に行われる樹脂封止時、キャ
ビティとリード間とに隙間を形成するため、樹脂封止を
行うと封止材が外部に漏れて流出してしまい、ダムバー
の樹脂流出防止機能が発揮できなくなる。
【００１５】そこで、絶縁樹脂の乾燥後にプレス加工に
よりリード塗布部にプレス圧を加えて、リード表面上の
余分な絶縁樹脂をリード３間に押し込め、リード表面と
絶縁樹脂とが面一となるようにし、リード表面には絶縁
樹脂が残らないようにする（図５参照）。
よりリード塗布部にプレス圧を加えて、リード表面上の
余分な絶縁樹脂をリード３間に押し込め、リード表面と
絶縁樹脂とが面一となるようにし、リード表面には絶縁
樹脂が残らないようにする（図５参照）。
【００１６】ところで、このプレス加工時に、余分な力
がリードに加わるとリードが変形する虞が生じる。この
虞をなくすために、熱可塑性樹脂が流動しやすい、乾燥
時よりも高い成形温度で加工整形する。
がリードに加わるとリードが変形する虞が生じる。この
虞をなくすために、熱可塑性樹脂が流動しやすい、乾燥
時よりも高い成形温度で加工整形する。
【００１７】その結果、樹脂整形時リードに力が加わる
のを有効に防止でき、リード変形のない良好なダムバー
を安定して形成することが出来る。このようにして形成
した熱可塑性樹脂製ダムバーは、樹脂封止後に溶解除去
したり、あるいは残したりする。
のを有効に防止でき、リード変形のない良好なダムバー
を安定して形成することが出来る。このようにして形成
した熱可塑性樹脂製ダムバーは、樹脂封止後に溶解除去
したり、あるいは残したりする。
【００１８】次に、上述した実施例の具体例を説明す
る。ダムバーの厚さはリードフレームと同じ０．１５m
m、ダムバー幅は０．５mmである。使用した熱可塑性樹
脂はポリエーテルアミドイミドである。このガラス転移
温度Ｔｇは、図１に示すように１９５℃付近である。Ｔ
ｇ以下の温度では１０10dyn/cm2 以上の動的弾性率を持
ち、２２０℃以上では軟化し１０5 ポアズ以下の粘度を
有する。
る。ダムバーの厚さはリードフレームと同じ０．１５m
m、ダムバー幅は０．５mmである。使用した熱可塑性樹
脂はポリエーテルアミドイミドである。このガラス転移
温度Ｔｇは、図１に示すように１９５℃付近である。Ｔ
ｇ以下の温度では１０10dyn/cm2 以上の動的弾性率を持
ち、２２０℃以上では軟化し１０5 ポアズ以下の粘度を
有する。
【００１９】この具体例では、まずリードフレームのダ
ムバーとなる部分にディスペンサにより上記ポリエーテ
ルアミドイミドをワニス状にして滴下しダムバーを形成
する。次に、２００℃前後の温度で乾燥した後、約２５
０℃のホットプレートで上下から塗布部を加圧し、リー
ド間に樹脂を押し込める。この時、ホットプレートによ
る整形時に力がリードに加わってリードが変形するのを
回避するには、樹脂が流動しやすい約２５０℃の成形温
度で行うことが重要である。
ムバーとなる部分にディスペンサにより上記ポリエーテ
ルアミドイミドをワニス状にして滴下しダムバーを形成
する。次に、２００℃前後の温度で乾燥した後、約２５
０℃のホットプレートで上下から塗布部を加圧し、リー
ド間に樹脂を押し込める。この時、ホットプレートによ
る整形時に力がリードに加わってリードが変形するのを
回避するには、樹脂が流動しやすい約２５０℃の成形温
度で行うことが重要である。
【００２０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、ダムバ
ーをモールド温度においては１０ 7 ｄｙｎ／cm 2 以上の
動的弾性率を有し、かつモールド温度より高い２２０℃
〜２５０℃の温度領域では１０ 6 ポアズ以下の低い粘度
を有する熱可塑性ポリエーテルアミドイミドから構成し
たので、リードに歪みや変形を生じることがなく、安価
で良好なダムバーを安定して形成することが出来る。
ーをモールド温度においては１０ 7 ｄｙｎ／cm 2 以上の
動的弾性率を有し、かつモールド温度より高い２２０℃
〜２５０℃の温度領域では１０ 6 ポアズ以下の低い粘度
を有する熱可塑性ポリエーテルアミドイミドから構成し
たので、リードに歪みや変形を生じることがなく、安価
で良好なダムバーを安定して形成することが出来る。
【００２１】
【００２２】
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームのダムバ
ーを構成する熱可塑性樹脂の実施例による弾性率温度特
性図。
ーを構成する熱可塑性樹脂の実施例による弾性率温度特
性図。
【図２】従来のダムバーの外観図及び拡大図。
【図３】樹脂封止状況の概要図。
【図４】従来のダムバーの打抜き除去法を示す概要図。
【図５】整形後の樹脂製ダムバーの断面図。
１ リードフレーム ２ ダムバー ３ リード ４ 半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 康晴 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 小山 秀幸 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 審査官 田中 永一 (56)参考文献 特開 平４−206560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28 H01L 23/29 H01L 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】モールド時に封止樹脂が流出しないように
リード間にダムバーを有する半導体装置用リードフレー
ムにおいて、 上記ダムバーが、モールド温度においては１０ 7 ｄｙｎ
／cm 2 以上の動的弾性率を有し、かつモールド温度より
高い２２０℃〜２５０℃の温度領域では１０ 6 ポアズ以
下の低い粘度を有する熱可塑性ポリエーテルアミドイミ
ドから成ることを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30504193A JP3047716B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30504193A JP3047716B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161916A JPH07161916A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3047716B2 true JP3047716B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=17940397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30504193A Expired - Fee Related JP3047716B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047716B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343816A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Lintec Corp | 樹脂タイバー形成用テープ、樹脂タイバー、樹脂タイバー付リードフレーム、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| KR101020832B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2011-03-09 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 쏘잉 방법 |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP30504193A patent/JP3047716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161916A (ja) | 1995-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3361689B2 (ja) | 封入成形電子部品およびその製造方法 | |
| JPH0692076A (ja) | Ｉｃカードモジュール用リードフレーム形状 | |
| JP2989406B2 (ja) | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 | |
| JP3047716B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2590747B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3173250B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04299851A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH07245368A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH08250523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2648353B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH06326243A (ja) | 樹脂モールド型半導体装置用リードフレーム部材の製造方法 | |
| JPH07176670A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JP3064773B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| KR100250132B1 (ko) | 리드프레임 소성변형장치 및 그 방법 | |
| JPH0637126A (ja) | レジンモールド型半導体装置及びその製法 | |
| JPS62229864A (ja) | 半導体装置 | |
| CN115083923A (zh) | 制造半导体器件的方法和相应的半导体器件 | |
| JP2858943B2 (ja) | モールド金型 | |
| JPH0738035A (ja) | 樹脂封止電子回路装置の製造方法 | |
| JPH0379044A (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法 | |
| JPH08167685A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1022441A (ja) | リードフレーム | |
| JPH06334093A (ja) | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法及びそれに用いられる樹脂モールド金型 | |
| JPH05226549A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06334095A (ja) | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法及びそれに用いるダムバー代替部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |