JP2858943B2 - モールド金型 - Google Patents

モールド金型

Info

Publication number
JP2858943B2
JP2858943B2 JP2331362A JP33136290A JP2858943B2 JP 2858943 B2 JP2858943 B2 JP 2858943B2 JP 2331362 A JP2331362 A JP 2331362A JP 33136290 A JP33136290 A JP 33136290A JP 2858943 B2 JP2858943 B2 JP 2858943B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
film carrier
tab film
plating
molding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2331362A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04199648A (ja
Inventor
龍善 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
APITSUKU YAMADA KK
Original Assignee
APITSUKU YAMADA KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by APITSUKU YAMADA KK filed Critical APITSUKU YAMADA KK
Priority to JP2331362A priority Critical patent/JP2858943B2/ja
Publication of JPH04199648A publication Critical patent/JPH04199648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2858943B2 publication Critical patent/JP2858943B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はモールド金型に関する。
(従来の技術) TAB用フィルムキャリアを用いた半導体装置では,TAB
用フィルムキャリアに半導体チップを搭載した後、アウ
ターリードを実装用基板にそのまま接合することで実装
する場合がある。
このように、TAB用フィルムキャリアをじかに実装す
る場合はポッティングによって樹脂封止する方法が一般
になされているが、リードフレームを樹脂封止するのと
同様にトランスファモールドによって直接的にTAB用フ
ィルムキャリアを樹脂封止する方法もなされている。
このようにTAB用フィルムキャリアを直接実装する場
合はアウターリードに実装用のはんだめっきを施さなけ
ればならないが、樹脂封止後にアウターリードにはんだ
めっきを施すことは工程的に困難であることから、リー
ドフレームの所要個所にあらかじめはんだめっきを施し
た製品が従来提供されている。
(発明が解決しようとする課題) 上記のはんだめっきを施したTAB用フィルムキャリア
をトランスファモールドする場合は、モールド金型でTA
B用フィルムキャリアをクランプしてモールドする。と
ころが、このモールドの際にモールド金型が高温である
ため、あらかじめ設けたはんだめっきが軟化あるいは溶
融してリード部分が変形したり、クランプすることによ
って変形しリード間で短絡が発生したりする。
このはんだめっきを施した部分で生じる上記の問題点
は後工程でもトラブルの発生原因となる。
上記のモールド時に発生する問題は半導体チップを樹
脂封止するためにトランスファモールドする場合に生じ
る問題で、ポッティングで樹脂封止する場合は問題とな
らない。
本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであ
り、その目的とするところは、TAB用フィルムキャリア
をトランスファモールドによって樹脂封止する場合にモ
ールド金型の型温によってあらかじめ設けたはんだめっ
きが軟化したり溶融したりすることなく、リード部分の
変形等を好適に防止することができるモールド金型を提
供しようとするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記問題点を達成するため次の構成をそなえ
る。
すなわち、TAB用フィルムキャリアをトランスファモ
ールドによって樹脂モールドするモールド金型におい
て、アウターリード等の導体部の所要箇所にモールド時
の金型温度に耐える耐熱性の保護めっきを施したTAB用
フィルムキャリアをクランプする金型のクランプ面上
に、TAB用フィルムキャリアのフィルム厚に合わせて、T
AB用フィルムキャリアの挾圧量を調整するためのスペー
サ部を設けたことを特徴とする。
(作用) TAB用フィルムキャリアの実装用の保護めっきとして
トランスファモールド時のモールド金型の型温に耐えら
れる耐熱性のめっきを施すことによってリード等を変形
させずにモールドすることができる。また、金型にスペ
ーサ部を設けることで過度のクランプ力がTAB用フィル
ムキャリアに加わらないようにして良好なモールドを可
能にする。
(実施例) 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
第1図は本発明に係るTAB用フィルムキャリアの一実
施例を示す説明図である。
図で10はTAB用フィルムキャリアのベースフィルムで
あり、12がアウターリード、14が樹脂封止部である。
第2図はトランスファモールドによって樹脂封止する
状態を示す。樹脂封止の際には、図のようにTAB用フィ
ルムキャリアを上金型16と下金型18とでクランプしてモ
ールド樹脂を充填する。
上金型16と下金型18は樹脂封止部14を除いた部分をク
ランプするもので、アウターリード12部分は上金型16と
下金型18とで直接クランプされる。このため、アウター
リード12にはモールド金型の型温がじかに作用する。
本実施例のTAB用フィルムキャリアはアウターリード1
2にあらかじめ実装用の保護めっきを施すが、上記のよ
うにアウターリード12部分はモールド金型でじかにクラ
ンプされるから、このアウターリード12の保護めっきと
してモールド金型の型温に耐えられるめっきを施すこと
を特徴とする。
なお、モールド時の型温に耐えられる保護めっきとし
ては、たとえば、高温はんだめっき、パラジウムめっき
等がある。
パラジウムめっきは耐熱性に優れると共に、薄い膜厚
で十分に保護めっきの効果があること、また、めっき膜
の平坦性や均一性に優れていることから、ベースフィル
ム10上で薄厚に形成されるアウターリード12部分に施す
ことで、めっきによるリード厚のばらつきを抑えること
ができ,これによって、クランプ時にリードの一部に部
分的に強圧が加わることがなくなり、リードの変形を効
果的に防止することができる。
トランスファモールドの際には、モールド金型は所定
温度に設定する必要があるが、上記のように耐熱性を有
するめっきを用いることによって、より高温での成形も
可能になり、成形温度、圧力範囲、使用樹脂の選択の幅
がひろがる。
なお、トランスファモールド時には型温によって保護
めっき部分が軟化したり溶融したりしてリードが変形し
たりリード間の短絡が生じるが、これはモールド金型の
クランプ力によって保護めっき部分がつぶれることによ
る。したがって、モールド時には樹脂封止が確実にでき
て、かつ過度にTAB用フィルムキャリアをクランプしな
い適正なクランプ力が加わるようにするのがよい。
第1図および第2図では、モールド金型にスペーサ部
20を設けることによってモールド時に適正なクランプ力
が作用するようにした例である。
実施例においては、ベースフィルム10の側縁に穿設し
たスプロケットホール22とウインドホール24の空隙部分
にスペーサ部20を設けた。スペーサ部20は第2図に示す
ように、TAB用フィルムキャリアの膜厚に応じて下金型1
8上に突起状に設ける。
スペーサ部20は上金型16と下金型18とがTAB用フィル
ムキャリアをクランプする際に、上金型16のクランプ面
に当接してTAB用フィルムキャリアに過度にクランプ力
が作用しないようにする。これによって、上記の耐熱性
の保護めっきを施したアウターリード12の変形を効果的
に防止することができる。
なお、スペーサ部20を設ける個所としては上金型16と
下金型18とでTAB用フィルムキャリアをクランプする際
に、両金型間でスペーサ的に設置できる個所であればと
くに設置位置等は限定されない。また、下金型に設ける
かわりに上金型側に設けてもよいし、上金型、下金型と
は別にスペーサ部を設けてもよい。
上記のように本発明に係るTAB用フィルムキャリアお
よびモールド金型を用いれば、TAB用フィルムキャリア
をモールド金型でクランプしてトランスファモールドし
てもアウターリード部分等の実装用に保護めっきを施し
た部分の変形が防止でき後工程でのトラブルの発生等を
効果的に防止することができ、良品の生産を効率的に行
うことができる。
以上、本発明について好適な実施例をあげて種々説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
(発明の効果) 本発明に係るモールド金型によれば、上述したよう
に、トランスファモールドによって樹脂封止した場合
に、TAB用フィルムキャリアに設けた実装用の保護めっ
きがつぶれたりせず、リードの変形やリード間の短絡を
おこすことなく良好に樹脂封止することができ、良品の
生産を効率的に行うことができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るTAB用フィルムキャリアをモール
ドした後、型開きした状態を示す説明図、第2図はモー
ルド金型によってTAB用フィルムキャリアをトランスフ
ァモールドする状態を示す断面図である。 10……ベースフィルム、12……アウターリード、14……
樹脂封止部、16……上金型、18……下金型、20……スペ
ーサ部、22……スプロケットホール、24……ウインドホ
ール。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】TAB用フィルムキャリアをトランスファモ
    ールドによって樹脂モールドするモールド金型におい
    て、 アウターリード等の導体部の所要箇所にモールド時の金
    型温度に耐える耐熱性の保護めっきを施したTAB用フィ
    ルムキャリアをクランプする金型のクランプ面上に、TA
    B用フィルムキャリアのフィルム厚に合わせて、TAB用フ
    ィルムキャリアの挾圧量を調整するためのスペーサ部を
    設けたことを特徴とするモールド金型。
JP2331362A 1990-11-29 1990-11-29 モールド金型 Expired - Lifetime JP2858943B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2331362A JP2858943B2 (ja) 1990-11-29 1990-11-29 モールド金型

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2331362A JP2858943B2 (ja) 1990-11-29 1990-11-29 モールド金型

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04199648A JPH04199648A (ja) 1992-07-20
JP2858943B2 true JP2858943B2 (ja) 1999-02-17

Family

ID=18242837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2331362A Expired - Lifetime JP2858943B2 (ja) 1990-11-29 1990-11-29 モールド金型

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2858943B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04199648A (ja) 1992-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5286679A (en) Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a patterned adhesive layer
US5691567A (en) Structure for attaching a lead frame to a heat spreader/heat slug structure
US5646829A (en) Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads
US6083775A (en) Method of encapsulating a chip
US7351612B2 (en) Method for fabricating quad flat non-leaded package
CA1195782A (en) Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
JP3893301B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法
JP2858943B2 (ja) モールド金型
JP3879823B2 (ja) 薄型半導体装置のモールド方法及びそのモールド金型
JP3281859B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
JP2001024001A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリードフレーム
CN108538728B (zh) 制造半导体器件的方法
US5661900A (en) Method of fabricating an ultrasonically welded plastic support ring
TWI294680B (ja)
JPS6030144A (ja) 半導体装置用モ−ルド金型
JP2954112B2 (ja) Bga型半導体装置及びその製造方法
JPH07147292A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3047716B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR100418512B1 (ko) 반도체 팩키지 몰딩용 금형 및 그 금형의 사용 방법
KR100196896B1 (ko) 반도체 패키지
JP3123976B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止金型
KR100585583B1 (ko) 반도체 팩키지 및 그 제조방법
JP2880877B2 (ja) 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法
KR0138213B1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지
JP2003347484A (ja) 混成集積回路装置