JP3029594B2 - テープキャリアパッケージの製造方法 - Google Patents
テープキャリアパッケージの製造方法Info
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- JP3029594B2 JP3029594B2 JP9240416A JP24041697A JP3029594B2 JP 3029594 B2 JP3029594 B2 JP 3029594B2 JP 9240416 A JP9240416 A JP 9240416A JP 24041697 A JP24041697 A JP 24041697A JP 3029594 B2 JP3029594 B2 JP 3029594B2
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- tape carrier
- groove
- carrier package
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、テープキャリア
のデバイスホール内に半導体素子を封止するテープキャ
リアパッケージの製造方法に関し、特に、封止により密
閉空間に閉じ込められるガスによる層間剥離を防止する
技術に関するものである。
のデバイスホール内に半導体素子を封止するテープキャ
リアパッケージの製造方法に関し、特に、封止により密
閉空間に閉じ込められるガスによる層間剥離を防止する
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に、ボールグリッドアレイ（Ball G
rid Array）を外部端子とした、つまりプリント配線基
板に表面実装できるように、パッケージ本体のベース面
に金属ボールまたは金属バンプを一定の間隔で格子状に
並べて外部端子とした従来のテープキャリアパッケージ
（Ｔ−ＢＧＡパッケージ）の一例を示す。Ｔ−ＢＧＡパ
ッケージは、たとえば次のようにして製造される。
rid Array）を外部端子とした、つまりプリント配線基
板に表面実装できるように、パッケージ本体のベース面
に金属ボールまたは金属バンプを一定の間隔で格子状に
並べて外部端子とした従来のテープキャリアパッケージ
（Ｔ−ＢＧＡパッケージ）の一例を示す。Ｔ−ＢＧＡパ
ッケージは、たとえば次のようにして製造される。
【０００３】ベースフィルム１にデバイスホール２等を
明けるパンチング工程、ベースフィルム１上に銅箔３を
ラミネートする銅箔ラミネート工程、その銅箔３上にフ
ォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程、露光
工程、現像工程、銅箔３をエッチングしてインナーリー
ド４等を形成するエッチング工程、フォトレジストを剥
離するレジスト剥離工程、ソルダーレジスト５を印刷す
るソルダーレジスト印刷工程、錫などの仕上げメッキを
施すメッキ工程を経てテープキャリアを製造する。
明けるパンチング工程、ベースフィルム１上に銅箔３を
ラミネートする銅箔ラミネート工程、その銅箔３上にフ
ォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程、露光
工程、現像工程、銅箔３をエッチングしてインナーリー
ド４等を形成するエッチング工程、フォトレジストを剥
離するレジスト剥離工程、ソルダーレジスト５を印刷す
るソルダーレジスト印刷工程、錫などの仕上げメッキを
施すメッキ工程を経てテープキャリアを製造する。
【０００４】次に、テープキャリアのデバイスホール２
内にＩＣチップ６を配置してインナーリード４に接合し
てから、封止樹脂７でＩＣチップ６を封止し、次いで、
銅箔３とは反対側において接着シート８によりベースフ
ィルム１にスティフナー９を貼り付けるとともに、銅箔
３側に金属ボールまたは金属バンプ１０を格子状に取り
付け、最後に接着シート１１によりスティフナー９にバ
ックプレート１２を貼り付ける。
内にＩＣチップ６を配置してインナーリード４に接合し
てから、封止樹脂７でＩＣチップ６を封止し、次いで、
銅箔３とは反対側において接着シート８によりベースフ
ィルム１にスティフナー９を貼り付けるとともに、銅箔
３側に金属ボールまたは金属バンプ１０を格子状に取り
付け、最後に接着シート１１によりスティフナー９にバ
ックプレート１２を貼り付ける。
【０００５】ここで、スティフナー９は、テープキャリ
アを固定するために用いるもので、材質は金属（主とし
てステンレス）である。また、バックプレート１２は、
パッケージを吸引して搬送する作業（ピックアップ）が
簡易に行えるようにするため、およびＩＣチップ６の放
熱のために用いるもので、材質は金属である。さらに、
封止樹脂７としては、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂
が用いられる。
アを固定するために用いるもので、材質は金属（主とし
てステンレス）である。また、バックプレート１２は、
パッケージを吸引して搬送する作業（ピックアップ）が
簡易に行えるようにするため、およびＩＣチップ６の放
熱のために用いるもので、材質は金属である。さらに、
封止樹脂７としては、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂
が用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、封止樹脂７
が硬化するときに、溶剤や揮発性成分がガスとして発生
し、そのガスが、バックプレート１２があるために、デ
バイスホール２の一部に残る密閉空間に閉じ込められて
しまう。また、ベースフィルム１にスティフナー９を貼
り付ける接着シート８、およびスティフナー９にバック
プレート１２を貼り付ける接着シート１１には、熱硬化
タイプのものを使用しているため、これらからもガスが
発生する。
が硬化するときに、溶剤や揮発性成分がガスとして発生
し、そのガスが、バックプレート１２があるために、デ
バイスホール２の一部に残る密閉空間に閉じ込められて
しまう。また、ベースフィルム１にスティフナー９を貼
り付ける接着シート８、およびスティフナー９にバック
プレート１２を貼り付ける接着シート１１には、熱硬化
タイプのものを使用しているため、これらからもガスが
発生する。
【０００７】しかし、従来は、このようなガスに対する
対策を講じていなかったので、密閉空間に閉じ込められ
たガスが熱膨張してパッケージの層間剥離を引き起こす
おそれがあった。
対策を講じていなかったので、密閉空間に閉じ込められ
たガスが熱膨張してパッケージの層間剥離を引き起こす
おそれがあった。
【０００８】この発明の目的は、ＩＣチップ等の半導体
素子を封止樹脂で封止したりスティフナーやバックプレ
ートを接着シートで接着したりすることによって発生す
るガスが、密閉空間に閉じ込められないようにすること
により、ガスによる層間剥離を防止することにある。
素子を封止樹脂で封止したりスティフナーやバックプレ
ートを接着シートで接着したりすることによって発生す
るガスが、密閉空間に閉じ込められないようにすること
により、ガスによる層間剥離を防止することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、テープキャ
リアのデバイスホール内に半導体素子を封止樹脂やバッ
クプレート等の封止材により封止するテープキャリアパ
ッケージの製造方法において、封止を行う際に発生する
ガスを、ガス抜き手段を通じてデバイスホールより逃が
すことを特徴とする。
リアのデバイスホール内に半導体素子を封止樹脂やバッ
クプレート等の封止材により封止するテープキャリアパ
ッケージの製造方法において、封止を行う際に発生する
ガスを、ガス抜き手段を通じてデバイスホールより逃が
すことを特徴とする。
【００１０】ガス抜き手段としては、種々の形態が考え
られる。たとえば、デバイスホール２の近傍においてベ
ースフィルム１に小孔１３を明けた場合には、この小孔
１３を封止樹脂７で埋めないように半導体素子を封止す
る。
られる。たとえば、デバイスホール２の近傍においてベ
ースフィルム１に小孔１３を明けた場合には、この小孔
１３を封止樹脂７で埋めないように半導体素子を封止す
る。
【００１１】また、デバイスホール２に連通してベース
フィルム１に、溝または孔１４を設けた場合にも、この
溝または孔１４を封止樹脂７で埋めないように半導体素
子を封止する。
フィルム１に、溝または孔１４を設けた場合にも、この
溝または孔１４を封止樹脂７で埋めないように半導体素
子を封止する。
【００１２】封止樹脂７による封止の際に、デバイスホ
ール２の隅部に、封止樹脂７で埋めない空隙１５を残せ
ば、この空隙１５からガスを逃がすことができる。
ール２の隅部に、封止樹脂７で埋めない空隙１５を残せ
ば、この空隙１５からガスを逃がすことができる。
【００１３】スティフナー９またはバックプレート１２
をベースフィルム１に接着するための接着シート８・１
１に溝１７を形成しておけば、この溝１７からガスを逃
がすことができる。
をベースフィルム１に接着するための接着シート８・１
１に溝１７を形成しておけば、この溝１７からガスを逃
がすことができる。
【００１４】ベースフィルム１に接着するスティフナー
自体９またはバックプレート１２自体に溝または孔を設
けておいても、この溝または孔からガスを逃がすことが
できる。
自体９またはバックプレート１２自体に溝または孔を設
けておいても、この溝または孔からガスを逃がすことが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を、
図面にしたがって説明する。
図面にしたがって説明する。
【００１６】図２に示す第１の実施形態は、デバイスホ
ール２の四隅の近傍のベースフィルム１に、デバイスホ
ール２等のパンチングと同時にガス抜き手段となる小孔
１３を明けておく。そして、封止樹脂７を滴下するとき
これらの小孔１３を封止樹脂７で埋めないように位置と
量を制御して、図１に示したようにＩＣチップ６をデバ
イスホール２内に封止する。このようにすると、封止樹
脂７から発生したガスは小孔１３から逃げるので、デバ
イスホール２にガスが閉じ込められるようなことがなく
なる。
ール２の四隅の近傍のベースフィルム１に、デバイスホ
ール２等のパンチングと同時にガス抜き手段となる小孔
１３を明けておく。そして、封止樹脂７を滴下するとき
これらの小孔１３を封止樹脂７で埋めないように位置と
量を制御して、図１に示したようにＩＣチップ６をデバ
イスホール２内に封止する。このようにすると、封止樹
脂７から発生したガスは小孔１３から逃げるので、デバ
イスホール２にガスが閉じ込められるようなことがなく
なる。
【００１７】図３に示す第２の実施形態は、デバイスホ
ール２の四隅から対角線方向にのびる溝または孔１４
を、デバイスホール２等のパンチングと同時にベースフ
ィルム１に設けておく。そして、これらの溝または孔１
４を封止樹脂７で埋めないようして、上記と同様にＩＣ
チップ６をデバイスホール２内に封止する。このように
すると、封止樹脂７から発生するガスは溝および孔１４
からデバイスホール２外へ逃げる。
ール２の四隅から対角線方向にのびる溝または孔１４
を、デバイスホール２等のパンチングと同時にベースフ
ィルム１に設けておく。そして、これらの溝または孔１
４を封止樹脂７で埋めないようして、上記と同様にＩＣ
チップ６をデバイスホール２内に封止する。このように
すると、封止樹脂７から発生するガスは溝および孔１４
からデバイスホール２外へ逃げる。
【００１８】図４に示す第３の実施形態は、封止樹脂７
を塗布してＩＣチップ６を図１に示すように封止する際
に、デバイスホール２の四隅には封止樹脂７を塗布しな
いようにして、その四隅に封止樹脂７で埋めない空隙１
５を残し、これらの空隙１５からガスを逃がす。
を塗布してＩＣチップ６を図１に示すように封止する際
に、デバイスホール２の四隅には封止樹脂７を塗布しな
いようにして、その四隅に封止樹脂７で埋めない空隙１
５を残し、これらの空隙１５からガスを逃がす。
【００１９】図５の（Ａ）および（Ｂ）に示す第４の実
施形態は、バックプレート１２を熱硬化タイプの接着シ
ート１１によりスティフナー９に貼り付けるに当たり、
接着シート１１に、デバイスホール２に対応する開口部
１６、およびこの開口部１６から四方にのびる溝１７を
予め設けておく。そして、接着シート１１から発生する
ガスを、溝１７を通じて逃がすことにより、デバイスホ
ール２にガスが閉じ込められないようにする。
施形態は、バックプレート１２を熱硬化タイプの接着シ
ート１１によりスティフナー９に貼り付けるに当たり、
接着シート１１に、デバイスホール２に対応する開口部
１６、およびこの開口部１６から四方にのびる溝１７を
予め設けておく。そして、接着シート１１から発生する
ガスを、溝１７を通じて逃がすことにより、デバイスホ
ール２にガスが閉じ込められないようにする。
【００２０】このようなガス抜きのための溝または孔
は、スティフナー９をベースフィルム１に貼り付ける接
着シート８に設けることもでき、またバックプレート１
２自体またはスティフナー９自体に設けることもでき
る。
は、スティフナー９をベースフィルム１に貼り付ける接
着シート８に設けることもでき、またバックプレート１
２自体またはスティフナー９自体に設けることもでき
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、デバイスホール内に半導体素子を封止樹脂やバック
プレート等の封止材により封止する際に発生するガス
を、ガス抜き手段を通じてデバイスホールより逃がすの
で、密閉空間にガスが閉じ込められ、そのガスにより層
間剥離を起こすようなことがなくなる。
ば、デバイスホール内に半導体素子を封止樹脂やバック
プレート等の封止材により封止する際に発生するガス
を、ガス抜き手段を通じてデバイスホールより逃がすの
で、密閉空間にガスが閉じ込められ、そのガスにより層
間剥離を起こすようなことがなくなる。
【図１】この発明の製造方法を適用するテープキャリア
パッケージ構造の一例を示す断面図である。
パッケージ構造の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の製造方法の第１の実施形態の概要図
である。
である。
【図３】第２の実施形態の概要図である。
【図４】第３の実施形態の概要図である。
【図５】第４の実施形態を示し、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）はその接着シートを貼り付けたバックプレートの
斜視図である。
（Ｂ）はその接着シートを貼り付けたバックプレートの
斜視図である。
１ ベースフィルム ２ デバイスホール ３ 銅箔 ４ インナーリード ５ ソルダーレジスト ６ ＩＣチップ（半導体素子） ７ 封止樹脂 ８ 接着シート ９ スティフナー １０ 金属バンプ １１ 接着シート １２ バックプレート １３ 小孔 １４ 溝または孔 １５ 空隙 １６ 開口部 １７ 溝
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子を封止樹脂やバックプレート
等の封止材でデバイスホール内に封止するテープキャリ
アパッケージの製造方法において、前記封止を行う際に
発生するガスを、ガス抜き手段を通じて前記デバイスホ
ールより逃がすことを特徴とする、テープキャリアパッ
ケージの製造方法。 - 【請求項２】 前記ガス抜き手段が、前記デバイスホー
ルの近傍においてベースフィルムに明けられた小孔で、
この小孔を前記封止樹脂で埋めないように前記半導体素
子を封止することを特徴とする、請求項１に記載のテー
プキャリアパッケージの製造方法。 - 【請求項３】 前記ガス抜き手段が、前記デバイスホー
ルに連通してベースフィルムに明けられた溝または孔
で、この溝または孔を前記封止樹脂で埋めないように前
記半導体素子を封止することを特徴とする、請求項１に
記載のテープキャリアパッケージの製造方法。 - 【請求項４】 前記封止樹脂による封止の際に、前記デ
バイスホールの隅部に、前記封止樹脂で埋めない空隙を
残し、この空隙を前記ガス抜き手段としてガスを逃がす
ことを特徴とする、請求項１に記載のテープキャリアパ
ッケージの製造方法。 - 【請求項５】 前記バックプレートまたはスティフナー
をベースフィルムに接着するための接着シートに溝を形
成しておき、この溝を前記ガス抜き手段としてガスを逃
がすことを特徴とする、請求項１に記載のテープキャリ
アパッケージの製造方法。 - 【請求項６】 ベースフィルムに接着するスティフナー
に溝または孔を設けておき、この溝または孔を前記ガス
抜き手段としてガスを逃がすことを特徴とする、請求項
１に記載のテープキャリアパッケージの製造方法。 - 【請求項７】 ベースフィルムに接着するバックプレー
トに溝または孔を設けておき、この溝または孔を前記ガ
ス抜き手段としてガスを逃がすことを特徴とする、請求
項１に記載のテープキャリアパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9240416A JP3029594B2 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | テープキャリアパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9240416A JP3029594B2 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | テープキャリアパッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167850A JPH1167850A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3029594B2 true JP3029594B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17059158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9240416A Expired - Fee Related JP3029594B2 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | テープキャリアパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029594B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101125A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置、回路基板並びに電子機器 |
| JP2006019450A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Sumitomo Metal Micro Devices Inc | 回路基板及び実装後基板 |
| WO2009096137A1 (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Panasonic Corporation | ドライバモジュール構造 |
| JP2009302556A (ja) * | 2009-08-31 | 2009-12-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| US9390968B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-07-12 | Intel Corporation | Low temperature thin wafer backside vacuum process with backgrinding tape |
-
1997
- 1997-08-21 JP JP9240416A patent/JP3029594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167850A (ja) | 1999-03-09 |
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