JP3018769B2 - チップ配列方法 - Google Patents

チップ配列方法

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JP3018769B2
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祐三 下別府
三幸 坂口
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,ICの選別工程に用い
るチップ配列方法に関する。近年,ICの選別には多く
の装置が導入されており,迅速,且つ正確な作業と信頼
性が要求されている。
【0002】特に,チップ配列の際の,コレットによる
チップ吸着時の真空リークによる障害はあってはなら
ず,そのため,ICのチップ全般に統一して使用できる
吸着方法を,真空リークの起こらない方法にする必要が
ある。
【0003】
【従来の技術】図3は従来例の説明図である。図におい
て,1はフレーム,2は粘着テープ,3はチップ,4は
突き上げピン,5はコレット,6はピン保持台である。
【0004】従来のチップ配列方法においては,図3
(a)に示すように,粘着シート2上のフルカットダイ
シングされたLSI等のチップ3を,図3(b)に示す
ように先端曲率半径が30μm程度の3本の針により,
角錐状のコレット5等により吸着した後,コレット5毎
チップ3を搬送して,チップトレー等に配列を行ってい
た。
【0005】図3(c)の点線円内の突き上げピン4の
部分を図3(d)の左側に平面図で,右側に先端の拡大
図で示す。ところが,LSIの集積度の増大にともな
い,チップ3そのものの大きさもそれに伴って大きくな
ってきた。そのため,前述のコレット5においても,チ
ップ3のコレット5への真空吸着の際にも,図3(e)
の左側に示すように,チップ3がきちっとして角錐状の
コレット5内に収納されず,図3(e)の右側に示すよ
うに,チップ3の表面にダメージを与えたり,吸着して
もチップ3の回転等のずれにより,タレット5のチップ
3に対する真空がリークして,チップ3の配列性が悪く
なったり,吸着した良品チップを放り出したりしてい
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従って,チップの大き
さが大きくなるにつれて,チップを針で突き上げる時
に,粘着テープから剥がれる反動力が強く,コレットに
激しくぶつかる様になり,コレット吸着時において,コ
レットの内部でチップが躍り,吸着ミスやチップの表面
傷の発生といった問題が生じていた。
【0007】本発明は,以上の点を鑑み,コレット吸着
の際のチップの躍りや,吸着ミス,チップ表面傷の発生
を防止することを目的として提供されるものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図において,1はフレーム,2は粘着テー
プ,3はチップ,4は突き上げピン,5はコレット,6
はピン保持台である。
【0009】問題解決の手段として,本発明では,チッ
プ吸着の際の真空リークやチップの躍りを防止するため
に,最初に針でチップを突き上げ田時,突き上げたチッ
プを一次吸着して後,一度コレットへの真空吸着を止
め,チップを突き上げピン上に戻し,チップを平らな位
置に静止させた後,再度,二次吸着を行う。
【0010】また,チップの突き上げに際して,チップ
の回転やチップの傾き等のばらつきを防止するために,
突き上げピンの先端のRを従来30μm程度であったも
のを70〜85μm程度にする。
【0011】即ち, 本発明の目的は, 図1(a)に示す
ように,フレーム1に貼られた粘着テープ2上のフルカ
ットダイシングされたチップ3を該粘着テープ2の裏側
から複数の突き上げピン4にて突き上げ, 該チップ3上
に位置する該チップ3より少なくとも大きいサイズのコ
レット5にて真空吸着し, 該チップ3を所定の場所に配
列するチップ配列方法において,図1(b)に示すよう
に,該チップ3を該突き上げピン4により該粘着テープ
2の裏側から突き上げて, 図1(c)に示すように,該
コレット5に該チップ3を真空吸着する工程と,図1
(d)に示すように,該コレット5の真空吸着を一旦止
めて, 真空吸着された該チップ3を該コレット5より開
放し, 該突き上げピン4上に静置する工程と,図1
(e)に示すように,該チップ3を該突き上げピン4に
より該粘着テープ2の裏側から突き上げて, 再び該コレ
ット5に該チップ3を真空吸着する工程とを含むことに
より達成される。
【0012】
【作用】本発明によれば, 突き上げピンにより,粘着シ
ートから剥離されたチップをコレットにより一次的に吸
着する。この時,真空リークしたり,チップがコレット
内で躍ったりするので,一次的に吸着したあと,真空を
止めてチップをコレットから突き上げ複数の突き上げピ
ン上に戻して静止状態とし,再度真空にてコレット吸着
する。
【0013】従って,この場合には,チップが躍った
り,傾いたりすることがなくなり,チップ表面傷の発生
も防止される。
【0014】
【実施例】図1は本発明の原理説明図兼一実施例の工程
順模式断面図であり,図2は一実施例におけるウエハダ
イシング,紫外線照射,チップトランスファ各工程の説
明図である。
【0015】図において,1はフレーム,2は粘着テー
プ,3はチップ,4は突き上げピン,5はコレット,6
はピン保持台,7はウエハ,8はブレード,9はダイシ
ングライン,10は紫外線発光ランプ, 11は搬送アーム,
12はチップトレーである。
【0016】図1及び図2により,本発明の一実施例に
ついて説明する。図2(a)に示すように,ウエハ7は
ダイヤモンド砥粒を有するブレード8により所定のピッ
チに縦横にダイシングして,図2(b)に示すように,
ダイシングライン9でそれぞれのチップ3が形成され
る。
【0017】図2(c)に示すように,ウエハ7は粘着
テープ2に貼られており,フレーム1に粘着テープ2を
伸ばして貼ることによりチップ3はダイシングライン9
でそれぞれ分割されて,裏面が粘着テープ2に接着して
いる。この粘着テープ2の粘着力をなくすために,粘着
テープ2側から紫外線発光ランプ10を走査して, チップ
3背面の粘着テープ2を照射する。
【0018】続いて,本発明の工程に移る。即ち,図1
(a)に示すように,粘着テープ2から剥がれ易くなっ
ているチップ3は,図1(b)に示すように,フレーム
1に貼られた粘着テープ2上のフルカットダイシングさ
れたチップ3を粘着テープ2の裏側から3本の突き上げ
ピン4にて突き上げる。
【0019】突き上げピンは従来先端の曲率半径が30
μm程度のものを使用していたが,チップ3の突き上げ
時の衝撃によるコレット5内の躍りを緩和するために,
曲率半径が70〜85μm程度に先端がゆるやかなもの
を本発明では使用する。
【0020】そして,図1(c)に示すように,チップ
3上に位置するチップ3より少なくとも大きいサイズの
角錐状のコレット5にて真空吸着する。この時,チップ
3はコレット5の中に平坦に真空吸着されていれば良い
が,前述の図2(e)に示すように,コレット5内に傾
いて真空吸着されたり,外れ掛かっていたりする場合が
ある。
【0021】そのため,図1(d)に示すように,コレ
ット5の真空吸着を一旦止めて, 真空吸着されたチップ
3をコレット5より開放し, 3本の突き上げピン4上に
静置して傾きを無くする。
【0022】続いて,図1(e)に示すように,チップ
3を突き上げピン4により粘着テープ2の裏側から静か
に突き上げて, 再びコレット5にチップ3を真空吸着す
る。この場合,チップ3は傾きを修正されているので,
コレット5内に平坦に真空吸着される。
【0023】コレット5内に真空吸着されたチップ3
は,図2(d)に示すように,チップトランスファの工
程に入る。すなわち, コレット5を支持する搬送アーム
11を回転して, チップトレー12上にチップ3を搬送し,
ここで真空吸着を解除してチップ3をチップトレー12内
の溝に順次収納していく。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように,本発明の装置と方
法を用いれば, チップトレー内に安定したチップの配列
を行うことが出来,チップの真空吸着ミスによる不良発
生の減少に効果が大きく,しかも時間的なロスもなく行
うことができ,製品の信頼性向上に寄与するところが大
きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の原理説明図
【図2】 本発明の一実施例の説明図
【図3】 従来例の説明図
【符号の説明】
1 フレーム 2 粘着テープ 3 チップ 4 突き上げピン 5 コレット 6 ピン保持台 7はウエハ 8はブレード 9はダイシングライン 10は紫外線発光ランプ 11は搬送アーム 12はチップトレー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/52 H01L 21/301 H01L 21/68

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フレーム(1) に貼られた粘着テープ(2)
    上のフルカットダイシングされたチップ(3) を該粘着テ
    ープ(2) の裏側から複数の突き上げピン(4)にて突き上
    げ, 該チップ(3) 上に位置するチップより少なくとも大
    きいサイズのコレット(5) にて真空吸着し, 該チップ
    (3) を所定の場所に配列するチップ配列方法において, 該チップ(3) を該突き上げピン(4) により該粘着テープ
    (2) の裏側から突き上げて, 該チップ(3) を該コレット
    (5) に真空吸着する工程と, 該コレット(5) の真空吸着を一旦止めて, 真空吸着され
    た該チップ(3) を該コレット(5) より開放し, 該突き上
    げピン(4) 上に静置する工程と, 該チップ(3) を該突き上げピン(4) により該粘着テープ
    (2) の裏側から突き上げて, 再び該チップ(3) を該コレ
    ット(5) に真空吸着する工程とを含むことを特徴とする
    チップ配列方法。
  2. 【請求項2】 前記突き上げピン(4) の先端の曲率半径
    が70乃至85μmであることを特徴とする請求項1記
    載のチップ配列方法。
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