JPH05267451A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体ウエハのダイシング後にチッ
プのダイス付けを行う工程の半導体装置の製造方法に関
し、チップのテープからの分離を確実に行うことを目的
とする。 【構成】 ピンマウントホルダ１１上にＵＶテープ１５
を吸着して保持固定した後、ピンマウント１３による突
上げピン１２及びガイド１６を突き上げ、ガイド１６に
よりチップ１４の周辺部分を支持する。そして、ピンマ
ウント１３による突上げピン１２をさらに突き上げ、Ｕ
Ｖテープ１５よりチップ１４を分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのダイシ
ング後にチップのダイス付けを行う工程の半導体装置の
製造方法に関する。

【０００２】近年、半導体装置の製造工程における半導
体ウエハのダイシング工程ではフルカット方式が主流に
なってきている。この場合、ダイシング後にテープより
チップを分離する際に、チップ突き上げミスを回避する
ことが必要である。

【０００３】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハの所定の処理後に、フレームに取着されて
いるＵＶ（紫外線）テープに固着し、フルカット方式で
チップ状にダイシングする。そして、ＵＶテープに紫外
線を照射して該ＵＶテープとチップとの接着力を弱め、
該チップを分離してダイス付けを行う。

【０００４】そこで、図３に、従来のチップ分離を説明
するための図を示す。まず、図３（Ａ）において、吸着
手段を内設するピンマウントホルダ１１内に、突上げピ
ン１２が立設されたピンマウント１３が上下動可能に設
けられる。

【０００５】ピンマウントホルダ１１上をダイシング、
ＵＶ照射後のチップ１４が固着されているＵＶテープ１
５が移動し、分離対象のチップが該ピンマウントホルダ
１１上に位置され、吸着手段により吸着固定される。

【０００６】そして、図３（Ｂ）において、ピンマウン
ト１３を上昇させて突上げピン１２により、ＵＶテープ
１５を突き破り、チップ１４をＵＶテープ１５より分離
させる。

【０００７】分離されたチップ１４は、図示しないが、
リードフレーム等のステージ上にダイス付けされるもの
である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図３（Ｂ）に
示すように、突上げピン１２で突き上げる際、ピンマウ
ントホルダ１１で吸着されているＵＶテープ１５は、Ａ
点を支点として張力を生じる。そのため、突上げピン１
２の突上げ力とＵＶテープ１５の伸びようとする力（張
力）とが相殺され、突き上げ力がチップ１４の接着強度
以下となって完全に分離できない場合がある。

【０００９】すなわち、突上げピン１２の不完全な突き
上げによりチップ１４に傷を付着させ、またシリコン片
を発生させることになるという問題がある。

【００１０】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、チップのテープからの分離を確実に行う半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理説
明図を示す。図１において、半導体ウエハの所定の処理
後、該半導体ウエハをフレームの粘着テープ上に固着し
てチップ状にダイシングを行い、光を照射してチップを
分離する半導体装置の製造方法であって、第１の工程で
は、前記光照射後に、分離するチップを固着した前記粘
着テープを、テープ支持手段及び突上げ手段を内設する
分離部上に位置させて保持固定する。第２の工程では、
該突上げ手段及びテープ支持手段を突き上げ、該テープ
支持手段で、該粘着テープの該チップ周辺部分を支持す
る。そして、第３の工程では、該テープ支持手段により
該粘着テープを支持した状態で、該突上げ手段をさらに
突上げて該粘着テープより該チップを分離する。

【００１２】

【作用】上述のように、分離部上に粘着テープを保持固
定した後、突上げ手段及びテープ支持手段を突き上げ
る。このとき、テープ支持手段により粘着テープのチッ
プ周辺部分を支持する。

【００１３】そして、突上げ手段をさらに突き上げる場
合、突上げ力は、粘着テープのテープ支持手段で支持さ
れた範囲内で作用する。すなわち、突上げ手段で粘着テ
ープが伸びようする力が小さくなって、該突上げ手段の
突上げ力と該粘着テープの張力とが加えられた力で、粘
着テープとチップに作用する。

【００１４】これにより、チップの粘着テープからの分
離を確実に行うことが可能となり、突上げミスによる品
質の劣化を防止することが可能となる。

【００１５】

【実施例】図２に、本発明の一実施例の製造工程図を示
す。なお、図３と同一の構成部分には同一の符号を付
す。

【００１６】まず、前工程として、半導体ウエハの所定
処理後、該半導体ウエハをフレーム（図示せず）の粘着
テープであるＵＶテープ１５上に固定して、フルカセッ
ト方式によりチップ１４にダイシングを行う。そして、
ＵＶテープ１５側より紫外線（ＵＶ）を照射する。この
ＵＶ照射により、ＵＶテープ１５とチップ１４との接着
力が弱められる。

【００１７】そこで、図２（Ａ）に示すように、分離す
るチップ１４を固着したＵＶテープ１５を、分離部であ
るピンマウントホルダ１１上に位置させて保持固定す
る。ここで、ピンマウントホルダ１１は、真空吸着機構
（図示せず）を備えており、上記ＵＶテープ１５を吸着
して保持固定する。

【００１８】また、ピンマウントホルダ１１は、上下動
する突上げ手段であるピンマウント１３及びテープ支持
手段であるガイド１６を内設する。ピンマウント１３は
チップ１４を突き上げる突上げピン１２が所定数立設さ
れており、ガイド１６はＵＶテープ１５のチップ１４の
周辺を支持するように配設されている。

【００１９】続いて、図２（Ｂ）に示すように、ピンマ
ウント１３及びガイド１６を突き上げる。このとき、ガ
イド１６はＵＶテープ１５のチップ１４の周辺部分を支
持する。すなわち、１度目の突き上げで、ＵＶテープ１
５のＡ点を支点として突上げ力と該ＵＶテープ１５の伸
びようとする力（張力）と相殺させ、ガイド１６により
ＵＶテープ１５のＢ点を支点として支持させるものであ
る。

【００２０】そして、図２（Ｃ）に示すように、ガイド
１６によりＵＶテープ１５のＢ点を支点とした状態で、
ピンマウント１３をさらに突き上げる。これにより、突
き上げピン１２はＵＶテープ１５を貫通し、チップ１４
を分離させるものである。

【００２１】すなわち、突き上げピン１２の二度目の突
き上げは、ＵＶテープ１５のガイド１６で支持されたＢ
点の範囲内で張力が作用することになる。従って、突上
げピン１２の突上げ力とＵＶテープ１５の張力とが加え
られた力が、ＵＶテープ１５とチップ１４との接着力よ
り大きくなり、確実に突上げピン１２がＵＶテープ１５
を貫通してチップ１４を分離することができるものであ
る。

【００２２】このように、半導体装置の製造工程のダイ
ス工程で、チップ１４をＵＶテープ１５より確実に分離
することができることから、不完全な突き上げによるチ
ップ１４の傷の発生や、シリコン片の発生を防止するこ
とができるものである。

【００２３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、突上げ手
段の１度目の突き上げで粘着テープを分離部上で支持し
て該粘着テープの張力と突上げ力とを相殺させ、テープ
支持手段を支持して突上げ手段の２度目の突上げでチッ
プを分離することにより、チップの粘着テープからの分
離を確実に行うことができ、突き上げミスによる品質の
劣化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。

【図３】従来のチップ分離を説明するための図である。

【符号の説明】

１１ ピンマウントホルダ １２ 突上げピン １３ ピンマウント １４ チップ １５ ＵＶテープ １６ ガイド

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの所定の処理後、該半導体
   ウエハをフレームの粘着テープ上に固着してチップ（１
   ４）状にダイシングを行い、光を照射してチップ（１
   ４）を分離する半導体装置の製造方法において、 前記光照射後に、分離するチップ（１４）を固着した前
   記粘着テープ（１５）を、テープ支持手段（１６）及び
   突上げ手段（１２，１３）を内設する分離部（１１）上
   に位置させて保持固定する工程と、 該突上げ手段（１２，１３）及びテープ支持手段（１
   ６）を突き上げ、該テープ支持手段（１６）で、該粘着
   テープ（１５）の該チップ（１４）周辺部分を支持する
   工程と、 該テープ支持手段（１６）により該粘着テープ（１５）
   を支持した状態で、該突上げ手段（１２，１３）をさら
   に突上げて該粘着テープ（１５）より該チップ（１４）
   を分離する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。