JP3013483B2 - チップマウント方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に形成した
アイランド部上における所定のマウント位置を検出して
その位置に半導体等のチップをマウントする方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】高周波用半導体チップは外部からの妨害
の防止を図って、図３に示すように、セラミック等の絶
縁基板（１）上にマウントする。上記絶縁基板（１）は
例えば八角形のセラミック基板であり、その略中央部に
アイランド部（２）を金メッキにて形成すると共に、そ
の周囲に同じく金メッキの電極部（３）を配する。次
に、八角形のコーナ部よりリード（４）…を導出して他
の基板のリード（４）…とタイバ（図示せず）にて連結
し、リードフレームを形成する。そして、図４に示すよ
うに、共晶接合用金（５）を介して半導体チップ（６）
をアイランド部（２）上にマウントし、その後、電極部
（３）とワイヤボンディングする。

【０００３】上記半導体チップ（６）のマウントに際し
ては、従来、予めチップ裏面に金を蒸着等にて貼り付け
ておき、且つ、アイランド部（２）から食み出さないよ
うにその上の所定のマウント位置（アイランド部の中
心）をテレビカメラ等にて認識した後、その位置に半導
体チップ（６）を供給して熱圧着してマウントしてい
た。ところが、この場合、蒸着技術や金の厚みが安定し
ない等によりウェーハ加工上に難点がある。

【０００４】そこで、従来、図３に示すように、マウン
ト作業ポジションにおいてアイランド部（２）上の所定
のマウント位置をテレビカメラ等にて認識しておき、そ
の位置に金テープ（７）を供給する。そして、その上の
マウント位置に半導体チップ（６）を供給した後、その
まま絶縁基板（１）を加熱して金テープ（７）を溶融さ
せ、半導体チップ（６）を熱圧着してマウントする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、同じマウント作業ポジションにおいてマウント位置
の認識、金テープ（７）及び半導体チップ（６）の供
給、そして金テープ（７）の加熱溶融とマウントを一連
に行なっているため、インデックスが低下する点であ
る。この場合、マウント作業を分けてその直前ポジショ
ンにおいて予めマウント位置を認識して金テープ（７）
を供給しておき、次のマウント作業ポジションで金テー
プ（７）を加熱・溶融しつつその上に半導体チップ
（６）を供給してマウントを行なえばよい。ところが、
金テープ（７）が加熱・溶融すると、その表面が乱反射
してその上におけるマウント位置の認識が不可能にな
る。しかも、アイランド部（２）の位置は各基板毎にバ
ラついているため、認識出来なければ、半導体チップ
（６）のマウント位置がずれて来る。そこで、半導体チ
ップ（６）がアイランド部（２）から外れたり、その後
のワイヤボンディングにおいて複数のワイヤの各々が不
等長になって素子の特性が不均一になり、且つ、作業性
も低下するという課題が生じてくる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
形成され、且つ、周囲に複数の電極部を配したアイラン
ド部上の所定のマウント位置に部品としてのチップをマ
ウントするにあたり、マウント作業直前ポジションにお
いて所定の基準位置と上記マウント位置と両者の変位量
とを予め検出すると共に、変位量をデータとして保持し
た後、接合用金属をアイランド部に供給する工程と、上
記マウント作業ポジションにおいて接合用金属を加熱・
溶融しつつ上記基準位置を検出すると共に、上記変位量
データとで溶融金属上におけるマウント位置を算出し、
その位置に半導体チップを供給してマウントする工程と
を含むことを特徴とし、又、

【０００７】共晶接合用金テープを接合用金属としてア
イランド部上に供給して溶融させ、半導体チップをアイ
ランド部にマウントする。

【０００８】

【作用】上記技術的手段によれば、マウント作業直前ポ
ジションにおいて所定の基準位置と上記マウント位置と
の変位量を予め検出すると共に、変位量をデータとして
保持しておき、次のマウント作業ポジションにおいて上
記基準位置を検出して変位量データとで接合用溶融金属
上におけるマウント位置を算出し、その位置に半導体チ
ップを供給してマウントする。

【０００９】

【実施例】本発明の実施例を図１及び図２を参照して以
下に説明する。図３に示す部分と同一部分には同一参照
符号を付してその説明を省略する。本発明に係るチップ
マウント方法は、まず図１示すように、マウント作業直
前ポジションにおいて所定の基準位置、例えば一対の電
極部（３）（３）の重心を結ぶ線の中心の基準位置（Ｐ
ａ）と、マウント位置、即ちアイランド部（２）の中心
のマウント位置（Ｐｂ）とをテレビカメラにより認識し
て検出すると共に、両者の変位量（Ｐｏ）を予め検出す
る。同時に電極部（３）（３）の重心を結ぶ線とアイラ
ンド部（２）の一辺との間の角度（θ）を検出してお
く。そして、その変位量と角度データを各アイランド部
（２）毎に保持した後、接合用金属として金テープ
（７）をアイランド部（２）に供給する。次に、図２に
示すように、マウント作業ポジションに絶縁基板（１）
を送り、そこで金テープ（７）を加熱・溶融しつつ基準
位置（Ｐａ）をテレビカメラにより認識して検出すると
共に、予めデータとして保持している変位量（Ｐｏ）と
で溶融に係る金テープ（７）上におけるマウント位置
（Ｐｂ）を算出し、更に、角度（θ）も算出する。そし
て、その値に基づき半導体チップの位置と姿勢を規制し
てアイランド部（２）上に供給し、熱圧着してマウント
する。上記マウント位置（Ｐｂ）の算出は各アイランド
部（２）毎に行なうものとする。

【００１０】尚、上記実施例では電極部（３）を基準位
置として用いたが、他の特殊な位置や或いは基準位置を
特に形成してもよい。又、半導体チップは高周波素子以
外でも良く、接合用金属としても金テープの他、半田等
であってテレビカメラによりその表面の認識が出来ない
場合は同様に適用できる。

【００１１】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁基板上に形成した
アイランド部上に予め接合用金属を供給した後、半導体
チップをその上に供給してマウントするにあたり、接合
用金属供給ポジションとマウントポジションとに２分し
て作業するようにしたから、インデックスが短縮されて
生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るマウント方法の実施例を示すマウ
ント作業ポジション直前における絶縁基板の平面図であ
る。

【図２】本発明に係るマウント方法の実施例を示すマウ
ント作業ポジションにおける絶縁基板の平面図である。

【図３】従来のマウント方法の実施例を示すマウント作
業ポジションにおける絶縁基板の平面図である。

【図４】アイランド部上にマウントされた半導体チップ
の要部側面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ アイランド部 ３ 電極部 ７ 金テープ（接合用金属） Ｐａ 基準位置 Ｐｂ マウント位置 Ｐｏ 変位量

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に形成され、周囲に複数の電極
   部を配したアイランド部の所定のマウント位置に半導体
   チップをマウントする方法において、 上記電極部の各重心を結ぶ線上に定められる基準位置と
   上記マウント位置との変位量を予め検出し、上記変位量
   をデ−タ保持する工程と、 接合用金属をアイランド部に供給する工程と、上記 接合用金属を加熱しつつ上記基準位置を検出する工
   程と、検出した上記基準位置とデ−タ保持した 上記変位量によ
   って、加熱された接合用金属上における所定のマウント
   位置を算出し、ここに半導体チップを供給してマウント
   する工程とを含むチップマウント方法。