JPH09167811A - 表面実装型電子部品 - Google Patents
表面実装型電子部品Info
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- JPH09167811A JPH09167811A JP32712195A JP32712195A JPH09167811A JP H09167811 A JPH09167811 A JP H09167811A JP 32712195 A JP32712195 A JP 32712195A JP 32712195 A JP32712195 A JP 32712195A JP H09167811 A JPH09167811 A JP H09167811A
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱溶融時にはんだ量の不足による未はんだや
強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留まりを
向上させることのできる表面実装型電子部品を提供する
こと。 【解決手段】ベース基板１１と、ベース基板１１の一方
の面上に形成されＩＣチップ１３を収容する収容部１２
と、ベース基板１１の他方の面に設けられるとともにＩ
Ｃチップ１３に接続された複数のはんだバンプ１４を有
するＢＧＡ型電子部品３０において、ベース基板１１の
収容部１２側にベース基板１１の反り変形を防止する金
属部材４０を備えている。
強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留まりを
向上させることのできる表面実装型電子部品を提供する
こと。 【解決手段】ベース基板１１と、ベース基板１１の一方
の面上に形成されＩＣチップ１３を収容する収容部１２
と、ベース基板１１の他方の面に設けられるとともにＩ
Ｃチップ１３に接続された複数のはんだバンプ１４を有
するＢＧＡ型電子部品３０において、ベース基板１１の
収容部１２側にベース基板１１の反り変形を防止する金
属部材４０を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の形態の
一つであるボールグリッドアレイ型電子部品（以下、
「ＢＧＡ型電子部品」と称する。）等の表面実装型電子
部品に係り、特にはんだ付け不良を防止できるものに関
する。
一つであるボールグリッドアレイ型電子部品（以下、
「ＢＧＡ型電子部品」と称する。）等の表面実装型電子
部品に係り、特にはんだ付け不良を防止できるものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装型電子部品の一つであるＢＧＡ
型電子部品１０は、通常図９の（ａ），（ｂ）に示すよ
うに構成されている。すなわち、平板状のベース基板１
１と、このベース基板１１の一方の面上に形成されモー
ルドからなる収容部１２と、この収容部１２内に配置さ
れた半導体素子であるＩＣチップ１３と、ベース基板１
１の他方の面に設けられＩＣチップ１３の各端子にワイ
ヤ（不図示）等で接続された半径ｒのはんだボール１４
を備えている。
型電子部品１０は、通常図９の（ａ），（ｂ）に示すよ
うに構成されている。すなわち、平板状のベース基板１
１と、このベース基板１１の一方の面上に形成されモー
ルドからなる収容部１２と、この収容部１２内に配置さ
れた半導体素子であるＩＣチップ１３と、ベース基板１
１の他方の面に設けられＩＣチップ１３の各端子にワイ
ヤ（不図示）等で接続された半径ｒのはんだボール１４
を備えている。
【０００３】このようなＢＧＡ型電子部品１０の実装基
板２０へのはんだ付けは、以下のように行われる。すな
わち、図９の（ａ）に示すようにはんだ付けされる実装
基板２０の電極２１にソルダペースト（不図示）を塗布
し、その上にＢＧＡ型電子部品１０を載置する。その
後、リフロー炉（不図示）に通して加熱し、ソルダーペ
ースト及びはんだボール１４を溶融して、ＢＧＡ型電子
部品１０と実装基板２０とをはんだ付けするようにして
いた。
板２０へのはんだ付けは、以下のように行われる。すな
わち、図９の（ａ）に示すようにはんだ付けされる実装
基板２０の電極２１にソルダペースト（不図示）を塗布
し、その上にＢＧＡ型電子部品１０を載置する。その
後、リフロー炉（不図示）に通して加熱し、ソルダーペ
ースト及びはんだボール１４を溶融して、ＢＧＡ型電子
部品１０と実装基板２０とをはんだ付けするようにして
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＢ
ＧＡ型電子部品１０を実装基板２０にはんだ付けする場
合にあっては次のような問題があった。すなわち、リフ
ロー炉によって、ソルダーペースト及びはんだボール１
４を溶融するために加熱すると、ＢＧＡ型電子部品１０
のベース基板１１と収容部１２との熱膨張係数の違いに
より図９の（ｂ）に示すようにベース基板１１が反るこ
とがあった。このため、ベース基板１１の中央部付近が
両端部に比べて実装基板２０からの距離が大きくなり、
必要なはんだの量が増える。なお、図中Ｓは溶融したは
んだを示している。したがって、ベース基板１１の中央
部でははんだの量が不足して未はんだとなったり、強度
不足になったりする等の製造上の不具合が発生するとい
う問題があった。
ＧＡ型電子部品１０を実装基板２０にはんだ付けする場
合にあっては次のような問題があった。すなわち、リフ
ロー炉によって、ソルダーペースト及びはんだボール１
４を溶融するために加熱すると、ＢＧＡ型電子部品１０
のベース基板１１と収容部１２との熱膨張係数の違いに
より図９の（ｂ）に示すようにベース基板１１が反るこ
とがあった。このため、ベース基板１１の中央部付近が
両端部に比べて実装基板２０からの距離が大きくなり、
必要なはんだの量が増える。なお、図中Ｓは溶融したは
んだを示している。したがって、ベース基板１１の中央
部でははんだの量が不足して未はんだとなったり、強度
不足になったりする等の製造上の不具合が発生するとい
う問題があった。
【０００５】一方、このようなはんだ不足による未はん
だを防止するために、はんだボール１４の直径を大きく
する方法も考えられる。しかしながら、はんだボール１
４の直径を大きくすると、はんだボール１４同士の距離
が近くなり、加熱溶融時にはんだボール同士１４が接触
し、はんだブリッジが形成される虞がある。
だを防止するために、はんだボール１４の直径を大きく
する方法も考えられる。しかしながら、はんだボール１
４の直径を大きくすると、はんだボール１４同士の距離
が近くなり、加熱溶融時にはんだボール同士１４が接触
し、はんだブリッジが形成される虞がある。
【０００６】さらに、ベース基板１１の反り変形により
ＩＣチップ１３が壊れたり、ＩＣチップ１３とはんだボ
ール１４とを接続するワイヤが断線する虞があった。そ
こで本発明は、加熱溶融時にはんだ量の不足による未は
んだや強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留
まりを向上させることのできる表面実装型電子部品を提
供することを目的としている。
ＩＣチップ１３が壊れたり、ＩＣチップ１３とはんだボ
ール１４とを接続するワイヤが断線する虞があった。そ
こで本発明は、加熱溶融時にはんだ量の不足による未は
んだや強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留
まりを向上させることのできる表面実装型電子部品を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載された発明は、ベース
基板と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体
素子を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に
設けられるとともに上記半導体素子に接続された複数の
はんだバンプを有する表面実装型電子部品において、上
記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変
形を防止する金属部材を備えるようにした。
達成するために、請求項１に記載された発明は、ベース
基板と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体
素子を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に
設けられるとともに上記半導体素子に接続された複数の
はんだバンプを有する表面実装型電子部品において、上
記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変
形を防止する金属部材を備えるようにした。
【０００８】請求項２に記載された発明は、ベース基板
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記は
んだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記他方の
面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されている
ようにした。
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記は
んだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記他方の
面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されている
ようにした。
【０００９】請求項３に記載された発明は、ベース基板
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記ベ
ース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変形を
防止する金属部材を備え、上記はんだバンプはその軸心
線が上記ベース基板の他方の面に対して垂直方向に配置
された柱状に形成されているようにした。
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記ベ
ース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変形を
防止する金属部材を備え、上記はんだバンプはその軸心
線が上記ベース基板の他方の面に対して垂直方向に配置
された柱状に形成されているようにした。
【００１０】請求項４に記載された発明によれば、請求
項１または２に記載の発明において、上記金属部材は、
上記ベース板に取り付けられていることが好ましい。請
求項５に記載された発明によれば、請求項１または２に
記載の発明において、上記金属部材は、上記収容部の上
記ベース基板と反対側に取り付けられていることが好ま
しい。
項１または２に記載の発明において、上記金属部材は、
上記ベース板に取り付けられていることが好ましい。請
求項５に記載された発明によれば、請求項１または２に
記載の発明において、上記金属部材は、上記収容部の上
記ベース基板と反対側に取り付けられていることが好ま
しい。
【００１１】請求項６に記載された発明によれば、請求
項１，３，４または５に記載の発明において、上記金属
部材は上記半導体素子と対向する部分において、厚く形
成されていることが好ましい。
項１，３，４または５に記載の発明において、上記金属
部材は上記半導体素子と対向する部分において、厚く形
成されていることが好ましい。
【００１２】請求項７に記載された発明によれば、請求
項２または３に記載の発明において、上記はんだバンプ
のうち上記ベース基板の中央部に位置するはんだバンプ
が他のはんだバンプより高く形成されていることが好ま
しい。
項２または３に記載の発明において、上記はんだバンプ
のうち上記ベース基板の中央部に位置するはんだバンプ
が他のはんだバンプより高く形成されていることが好ま
しい。
【００１３】請求項８に記載された発明によれば、請求
項２，３または７に記載の発明において、上記はんだバ
ンプの高さは上記ベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されていることが好ましい。
項２，３または７に記載の発明において、上記はんだバ
ンプの高さは上記ベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されていることが好ましい。
【００１４】請求項９に記載された発明によれば、請求
項２または３に記載の発明において、上記柱状のはんだ
バンプは円柱状に形成されていることが好ましい。上記
手段を講じた結果、次のような作用が生じる。すなわ
ち、請求項１に記載された発明によれば、ベース基板の
一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部と、
ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、ベース基板の収容部側にベース基板の
反り変形を防止する金属部材を備えている。このとき、
収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱膨張
率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材は異
なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金属部
材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分に
大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣って
伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。し
たがって、はんだ付け不良を確実に防止することができ
る。
項２または３に記載の発明において、上記柱状のはんだ
バンプは円柱状に形成されていることが好ましい。上記
手段を講じた結果、次のような作用が生じる。すなわ
ち、請求項１に記載された発明によれば、ベース基板の
一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部と、
ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、ベース基板の収容部側にベース基板の
反り変形を防止する金属部材を備えている。このとき、
収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱膨張
率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材は異
なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金属部
材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分に
大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣って
伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。し
たがって、はんだ付け不良を確実に防止することができ
る。
【００１５】請求項２に記載された発明は、ベース基板
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、はんだバンプはその軸心線がベー
ス基板の他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に
形成されているようにした。このため、はんだバンプ同
士の距離を近付けることなく、はんだバンプに十分な量
のはんだを供給することができる。したがって、はんだ
付け不良を確実に防止することができる。
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、はんだバンプはその軸心線がベー
ス基板の他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に
形成されているようにした。このため、はんだバンプ同
士の距離を近付けることなく、はんだバンプに十分な量
のはんだを供給することができる。したがって、はんだ
付け不良を確実に防止することができる。
【００１６】請求項３に記載された発明は、ベース基板
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、ベース基板の収容部側にベース基
板の反り変形を防止する金属部材を備えている。このと
き、収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱
膨張率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材
は異なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。一方、はんだバンプはその軸心線がベース基板の他
方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されて
いるようにした。このため、はんだバンプ同士の距離を
近付けることなく、はんだバンプに十分な量のはんだを
供給することができる。したがって、両方の作用により
はんだ付け不良を確実に防止することができる。
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、ベース基板の収容部側にベース基
板の反り変形を防止する金属部材を備えている。このと
き、収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱
膨張率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材
は異なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。一方、はんだバンプはその軸心線がベース基板の他
方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されて
いるようにした。このため、はんだバンプ同士の距離を
近付けることなく、はんだバンプに十分な量のはんだを
供給することができる。したがって、両方の作用により
はんだ付け不良を確実に防止することができる。
【００１７】請求項４に記載された発明によれば、金属
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項５に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項５に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
【００１８】請求項６に記載された発明によれば、金属
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
【００１９】請求項７に記載された発明によれば、はん
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
【００２０】請求項８に記載された発明によれば、はん
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
【００２１】請求項９に記載された発明によれば、柱状
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１の（ａ），（ｂ）は本発明の
第１の実施の形態に係るＢＧＡ型電子部品３０を示す図
である。この図において、図９と同一機能部分には同一
符号が付されている。
第１の実施の形態に係るＢＧＡ型電子部品３０を示す図
である。この図において、図９と同一機能部分には同一
符号が付されている。
【００２３】ＢＧＡ型電子部品３０は、ガラスエポキシ
製のベース基板１１と、このベース基板１１の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部１２と、この収容
部１２内に配置された半導体素子としてのＩＣチップ１
３と、ベース基板１１の他方の面に設けられＩＣチップ
１３の各端子に接続されたはんだバンプとしてのはんだ
ボール１４と、収容部１２の図１中上部に配置された金
属部材としての金属板４０を備えている。
製のベース基板１１と、このベース基板１１の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部１２と、この収容
部１２内に配置された半導体素子としてのＩＣチップ１
３と、ベース基板１１の他方の面に設けられＩＣチップ
１３の各端子に接続されたはんだバンプとしてのはんだ
ボール１４と、収容部１２の図１中上部に配置された金
属部材としての金属板４０を備えている。
【００２４】このように構成されたＢＧＡ型電子部品３
０を実装基板２０にはんだ付けする場合には、図２に示
すように実装基板２０の電極２１にソルダペースト（不
図示）を塗布し、その上にＢＧＡ型電子部品３０を装着
する。その後、リフロー炉（不図示）に通して加熱す
る。このとき、ベース基板１１、収容部１２及び金属板
４０はそれぞれ異なる熱膨張率を有しているが、加熱す
ると剛性の大きい金属板４０にベース基板１１及び収容
部１２が倣って伸び、ベース基板１１は反り変形を起こ
さない。この状態でソルダーペースト及びはんだボール
１４を溶融して、ＢＧＡ型電子部品１０と実装基板２０
とをはんだ付けする。
０を実装基板２０にはんだ付けする場合には、図２に示
すように実装基板２０の電極２１にソルダペースト（不
図示）を塗布し、その上にＢＧＡ型電子部品３０を装着
する。その後、リフロー炉（不図示）に通して加熱す
る。このとき、ベース基板１１、収容部１２及び金属板
４０はそれぞれ異なる熱膨張率を有しているが、加熱す
ると剛性の大きい金属板４０にベース基板１１及び収容
部１２が倣って伸び、ベース基板１１は反り変形を起こ
さない。この状態でソルダーペースト及びはんだボール
１４を溶融して、ＢＧＡ型電子部品１０と実装基板２０
とをはんだ付けする。
【００２５】上述したように本第１の実施の形態では、
リフロー炉においてＢＧＡ型電子部品３０を加熱して
も、ベース基板１１が反り変形を起こさないので、ベー
ス基板１１の中央部においてはんだ不足が生じない。こ
のため、全ての電極２１において確実にはんだ付けを行
うことができるとともに、ＩＣチップ１３の破壊を防止
でき、製品歩留まりを向上させることができる。
リフロー炉においてＢＧＡ型電子部品３０を加熱して
も、ベース基板１１が反り変形を起こさないので、ベー
ス基板１１の中央部においてはんだ不足が生じない。こ
のため、全ての電極２１において確実にはんだ付けを行
うことができるとともに、ＩＣチップ１３の破壊を防止
でき、製品歩留まりを向上させることができる。
【００２６】図３の（ａ），（ｂ）は本第１の実施の形
態の第１変形例に係るＢＧＡ型電子部品３１を示す図で
ある。本第１変形例が上述した第１の実施の形態と異な
る点は、金属板４１のＩＣチップ１３と対向する部分４
１ａが厚く形成されている点である。このように構成さ
れていると、第１の実施の形態と同様の効果が得られる
とともに、ベース基板１１のうちＩＣチップ１３が設け
られた部分の反り変形を効果的に抑えることができる。
態の第１変形例に係るＢＧＡ型電子部品３１を示す図で
ある。本第１変形例が上述した第１の実施の形態と異な
る点は、金属板４１のＩＣチップ１３と対向する部分４
１ａが厚く形成されている点である。このように構成さ
れていると、第１の実施の形態と同様の効果が得られる
とともに、ベース基板１１のうちＩＣチップ１３が設け
られた部分の反り変形を効果的に抑えることができる。
【００２７】図４の（ａ），（ｂ）は本第１の実施の形
態の第２変形例に係るＢＧＡ型電子部品３２を示す図で
ある。本第２変形例が上述した第１の実施の形態と異な
る点は、ロの字状の金属板４２がベース基板１１上に直
接設けられている点である。このように構成されている
と、第１の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、金属板４２の効果を十分にベース基板１１に及ぼす
ことができる。
態の第２変形例に係るＢＧＡ型電子部品３２を示す図で
ある。本第２変形例が上述した第１の実施の形態と異な
る点は、ロの字状の金属板４２がベース基板１１上に直
接設けられている点である。このように構成されている
と、第１の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、金属板４２の効果を十分にベース基板１１に及ぼす
ことができる。
【００２８】図５は本第１の実施の形態の第３変形例に
係るＢＧＡ型電子部品３３を示す図である。本第３変形
例が上述した第１の実施の形態と異なる点は、金属板４
３が収容部１２の側面及び上面に設けられている点であ
る。このように構成されていると、第１の実施の形態と
同様の効果が得られるとともに、金属板４３の効果を十
分にベース基板１１及び収容部１２に及ぼすことができ
る。
係るＢＧＡ型電子部品３３を示す図である。本第３変形
例が上述した第１の実施の形態と異なる点は、金属板４
３が収容部１２の側面及び上面に設けられている点であ
る。このように構成されていると、第１の実施の形態と
同様の効果が得られるとともに、金属板４３の効果を十
分にベース基板１１及び収容部１２に及ぼすことができ
る。
【００２９】図６の（ａ）は本発明の第２の実施の形態
に係るＢＧＡ型電子部品５０を示す断面図である。この
図において、図９と同一機能部分には同一符号が付され
ている。
に係るＢＧＡ型電子部品５０を示す断面図である。この
図において、図９と同一機能部分には同一符号が付され
ている。
【００３０】ＢＧＡ型電子部品５０は、ガラスエポキシ
製のベース基板１１と、このベース基板１１の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部１２と、この収容
部１２内に配置された半導体素子としてのＩＣチップ１
３と、ベース基板１１の他方の面に設けられＩＣチップ
１３の各端子に接続されたはんだバンプ６０を備えてい
る。
製のベース基板１１と、このベース基板１１の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部１２と、この収容
部１２内に配置された半導体素子としてのＩＣチップ１
３と、ベース基板１１の他方の面に設けられＩＣチップ
１３の各端子に接続されたはんだバンプ６０を備えてい
る。
【００３１】はんだバンプ６０は円柱状に形成されてお
り、その底面の半径ｒは従来のはんだボール１４の半径
ｒと等しく形成されている。なお、このはんだバンプ６
０の体積Ｖａは、高さｈを従来のはんだボール１４の直
径２ｒと同一とすると、Ｖａ＝２πｒ3 となる。一方、
はんだボール１４の体積Ｖｂ＝（４／３）πｒ3 とな
る。したがって、はんだバンプ６０は同じ高さ、直径を
有する場合にははんだボール１４の１．５倍の体積を有
している。
り、その底面の半径ｒは従来のはんだボール１４の半径
ｒと等しく形成されている。なお、このはんだバンプ６
０の体積Ｖａは、高さｈを従来のはんだボール１４の直
径２ｒと同一とすると、Ｖａ＝２πｒ3 となる。一方、
はんだボール１４の体積Ｖｂ＝（４／３）πｒ3 とな
る。したがって、はんだバンプ６０は同じ高さ、直径を
有する場合にははんだボール１４の１．５倍の体積を有
している。
【００３２】このように構成されたＢＧＡ型電子部品５
０を実装基板２０にはんだ付けする場合には、実装基板
２０の電極２１にソルダペーストを塗布し、その上にＢ
ＧＡ型電子部品５０を装着する。その後、リフロー炉
（不図示）に通して加熱する。このとき、ベース基板１
１、収容部１２はそれぞれ異なる熱膨張率を有している
ため、図６の（ｂ）に示すようにベース基板１１が図６
の（ｂ）中凸状に反り変形を起こす。したがって、ベー
ス基板１１の中央部と実装基板２０とが離れる。しかし
ながら、はんだバンプ６０は上述したように大きい体積
を有しているため、十分な量のはんだを供給でき良好に
接続される。
０を実装基板２０にはんだ付けする場合には、実装基板
２０の電極２１にソルダペーストを塗布し、その上にＢ
ＧＡ型電子部品５０を装着する。その後、リフロー炉
（不図示）に通して加熱する。このとき、ベース基板１
１、収容部１２はそれぞれ異なる熱膨張率を有している
ため、図６の（ｂ）に示すようにベース基板１１が図６
の（ｂ）中凸状に反り変形を起こす。したがって、ベー
ス基板１１の中央部と実装基板２０とが離れる。しかし
ながら、はんだバンプ６０は上述したように大きい体積
を有しているため、十分な量のはんだを供給でき良好に
接続される。
【００３３】上述したように本第２の実施の形態ではリ
フロー炉においてＢＧＡ型電子部品５０を加熱して、ベ
ース基板１１が反り変形を起こしても、ベース基板１１
の中央部においてはんだ不足が生じない。このため、全
ての電極２１において確実にはんだ付けを行うことがで
き、製品歩留まりを向上させることができる。
フロー炉においてＢＧＡ型電子部品５０を加熱して、ベ
ース基板１１が反り変形を起こしても、ベース基板１１
の中央部においてはんだ不足が生じない。このため、全
ての電極２１において確実にはんだ付けを行うことがで
き、製品歩留まりを向上させることができる。
【００３４】図７の（ａ）は本第２の実施の形態の第１
変形例に係るＢＧＡ型電子部品５１を示す図である。本
第１変形例が上述した第２の実施の形態と異なる点は、
ベース板１１の中央部に位置するはんだバンプ６１ｂが
他のはんだバンプ６１ａよりも長く形成されている点に
ある。このように構成されていると、第２の実施の形態
と同様の効果が得られるとともに、さらに多くの量のは
んだを中央部の電極に供給することができる。
変形例に係るＢＧＡ型電子部品５１を示す図である。本
第１変形例が上述した第２の実施の形態と異なる点は、
ベース板１１の中央部に位置するはんだバンプ６１ｂが
他のはんだバンプ６１ａよりも長く形成されている点に
ある。このように構成されていると、第２の実施の形態
と同様の効果が得られるとともに、さらに多くの量のは
んだを中央部の電極に供給することができる。
【００３５】図７の（ｂ）は本第２の実施の形態の第２
変形例に係るＢＧＡ型電子部品５２を示す図である。本
第２変形例が上述した第２の実施の形態と異なる点は、
はんだバンプ６２ａ〜６２ｃが中央部に近付くにつれて
長く形成されている点にある。このように構成されてい
ると、第２の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、ベース基板１１の反り変形に応じて適当な量のはん
だを各電極に供給することができるので、はんだの過不
足が生じることがない。したがって、未はんだを防止で
きるとともに、はんだブリッジ等のはんだ付け不良を防
止でき、製品歩留まりをさらに向上させることができ
る。
変形例に係るＢＧＡ型電子部品５２を示す図である。本
第２変形例が上述した第２の実施の形態と異なる点は、
はんだバンプ６２ａ〜６２ｃが中央部に近付くにつれて
長く形成されている点にある。このように構成されてい
ると、第２の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、ベース基板１１の反り変形に応じて適当な量のはん
だを各電極に供給することができるので、はんだの過不
足が生じることがない。したがって、未はんだを防止で
きるとともに、はんだブリッジ等のはんだ付け不良を防
止でき、製品歩留まりをさらに向上させることができ
る。
【００３６】図８は本発明の第３の実施の形態に係るＢ
ＧＡ型電子部品７０を示す図である。この図において、
図１及び図６と同一機能部分には同一符号が付されてい
る。したがって、重複する部分の詳しい説明は省略す
る。
ＧＡ型電子部品７０を示す図である。この図において、
図１及び図６と同一機能部分には同一符号が付されてい
る。したがって、重複する部分の詳しい説明は省略す
る。
【００３７】本第３の実施の形態に係るＢＧＡ型電子部
品７０は、ガラスエポキシ製のベース基板１１と、この
ベース基板１１の一方の面上に形成されモールドからな
る収容部１２と、この収容部１２内に配置された半導体
素子としてのＩＣチップ１３と、ベース基板１１の他方
の面に設けられＩＣチップ１３の各端子に接続されたは
んだバンプ６０と、収容部１２の図８中上部に配置され
た金属部材としての金属板４０を備えている。
品７０は、ガラスエポキシ製のベース基板１１と、この
ベース基板１１の一方の面上に形成されモールドからな
る収容部１２と、この収容部１２内に配置された半導体
素子としてのＩＣチップ１３と、ベース基板１１の他方
の面に設けられＩＣチップ１３の各端子に接続されたは
んだバンプ６０と、収容部１２の図８中上部に配置され
た金属部材としての金属板４０を備えている。
【００３８】このように構成されていると、第１の実施
の形態及び第２の実施の形態と同様の効果が得られ、さ
らに確実なはんだ付けを行うことができ、製品歩留まり
を向上させることができる。なお、本第３の実施の形態
においても第１の実施の形態の各変形例及び第２の実施
の形態の各変形例を適用することができる。なお、本発
明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
の形態及び第２の実施の形態と同様の効果が得られ、さ
らに確実なはんだ付けを行うことができ、製品歩留まり
を向上させることができる。なお、本第３の実施の形態
においても第１の実施の形態の各変形例及び第２の実施
の形態の各変形例を適用することができる。なお、本発
明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
【００３９】
【発明の効果】請求項１に記載された発明によれば、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。したがって、はんだ付け不良を確実に防止すること
ができる。
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。したがって、はんだ付け不良を確実に防止すること
ができる。
【００４０】請求項２に記載された発明によれば、はん
だバンプ同士の距離を近付けることなく、はんだバンプ
に十分な量のはんだを供給することができる。したがっ
て、はんだ付け不良を確実に防止することができる。
だバンプ同士の距離を近付けることなく、はんだバンプ
に十分な量のはんだを供給することができる。したがっ
て、はんだ付け不良を確実に防止することができる。
【００４１】請求項３に記載された発明によれば、金属
部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分
に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣っ
て伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。
一方、はんだバンプ同士の距離を近付けることなく、は
んだバンプに十分な量のはんだを供給することができ
る。したがって、両方の作用によりはんだ付け不良を確
実に防止することができる。
部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分
に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣っ
て伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。
一方、はんだバンプ同士の距離を近付けることなく、は
んだバンプに十分な量のはんだを供給することができ
る。したがって、両方の作用によりはんだ付け不良を確
実に防止することができる。
【００４２】請求項４に記載された発明によれば、金属
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項５に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項５に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
【００４３】請求項６に記載された発明によれば、金属
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
【００４４】請求項７に記載された発明によれば、はん
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
【００４５】請求項８に記載された発明によれば、はん
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
【００４６】請求項９に記載された発明によれば、柱状
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＢＧＡ型電子
部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視
図。
部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視
図。
【図２】同部品を加熱中の状態を示す断面図。
【図３】同第１の実施の形態の第１変形例に係るＢＧＡ
型電子部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）
は斜視図。
型電子部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）
は斜視図。
【図４】同第１の実施の形態の第２変形例に係るＢＧＡ
型電子部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）
は斜視図。
型電子部品を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）
は斜視図。
【図５】同第１の実施の形態の第３変形例に係るＢＧＡ
型電子部品を示す断面図。
型電子部品を示す断面図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ型電子
部品を示す断面図であって、（ａ）は加熱前の状態、
（ｂ）は加熱中の状態。
部品を示す断面図であって、（ａ）は加熱前の状態、
（ｂ）は加熱中の状態。
【図７】同第２の実施の形態の変形例を示す断面図であ
って、（ａ）は第１変形例、（ｂ）は第２変形例。
って、（ａ）は第１変形例、（ｂ）は第２変形例。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るＢＧＡ型電子
部品を示す断面図。
部品を示す断面図。
【図９】従来のＢＧＡ型電子部品を示す図であって、
（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図。
（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図。
【図１０】同部品を示す図であって、（ａ）は実装基板
上に載置した状態を示す断面図、（ｂ）は加熱した状態
を示す断面図。
上に載置した状態を示す断面図、（ｂ）は加熱した状態
を示す断面図。
１１…ベース基板 １２…収容部 １３…ＩＣチップ １４…はんだボール ３０，３１，３２，３３，５０，５１，５２，７０…Ｂ
ＧＡ型電子部品 ４０，４１，４２，４３…金属板 ６０，６１，６２ａ〜６２ｃ…はんだバンプ
ＧＡ型電子部品 ４０，４１，４２，４３…金属板 ６０，６１，６２ａ〜６２ｃ…はんだバンプ
Claims (9)
- 【請求項１】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り
変形を防止する金属部材を備えていることを特徴とする
表面実装型電子部品。 - 【請求項２】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記はんだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記
他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成され
ていることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項３】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り
変形を防止する金属部材を備え、 上記はんだバンプはその軸心線が上記ベース基板の他方
の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されてい
ることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項４】上記金属部材は、上記ベース板に取り付け
られていることを特徴とする請求項１または３に記載の
表面実装型電子部品。 - 【請求項５】上記金属部材は、上記収容部の上記ベース
基板と反対側に取り付けられていることを特徴とする請
求項１または３に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項６】上記金属部材は上記半導体素子と対向する
部分において、厚く形成されていることを特徴とする請
求項１，３，４または５に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項７】上記はんだバンプのうち上記ベース基板の
中央部に位置するはんだバンプが他のはんだバンプより
高く形成されていることを特徴とする請求項２または３
に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項８】上記はんだバンプの高さは上記ベース板の
周辺部から中央部に向けて変化するように形成されてい
ることを特徴とする請求項２，３または７に記載の表面
実装型電子部品。 - 【請求項９】上記柱状のはんだバンプは円柱状に形成さ
れていることを特徴とする請求項２または３に記載の表
面実装型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32712195A JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32712195A JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167811A true JPH09167811A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18195547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32712195A Pending JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167811A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6308938B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
| WO2007058134A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
| JP2013526769A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-24 | アルカテル−ルーセント | 梁を備えたｉｃパッケージ補強材 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP32712195A patent/JPH09167811A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6308938B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
| KR100328370B1 (ko) * | 1997-09-26 | 2002-04-17 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체집적회로장치 |
| WO2007058134A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
| US7847389B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-12-07 | Nec Corporation | Semiconductor package, electronic part and electronic device |
| JP2013526769A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-24 | アルカテル−ルーセント | 梁を備えたｉｃパッケージ補強材 |
| KR101481877B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2015-01-12 | 알까뗄 루슨트 | 보를 갖는 ｉｃ 패키지 보강재 |
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