JPH09167811A - 表面実装型電子部品 - Google Patents
表面実装型電子部品Info
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- JPH09167811A JPH09167811A JP32712195A JP32712195A JPH09167811A JP H09167811 A JPH09167811 A JP H09167811A JP 32712195 A JP32712195 A JP 32712195A JP 32712195 A JP32712195 A JP 32712195A JP H09167811 A JPH09167811 A JP H09167811A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱溶融時にはんだ量の不足による未はんだや
強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留まりを
向上させることのできる表面実装型電子部品を提供する
こと。 【解決手段】ベース基板11と、ベース基板11の一方
の面上に形成されICチップ13を収容する収容部12
と、ベース基板11の他方の面に設けられるとともにI
Cチップ13に接続された複数のはんだバンプ14を有
するBGA型電子部品30において、ベース基板11の
収容部12側にベース基板11の反り変形を防止する金
属部材40を備えている。
強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留まりを
向上させることのできる表面実装型電子部品を提供する
こと。 【解決手段】ベース基板11と、ベース基板11の一方
の面上に形成されICチップ13を収容する収容部12
と、ベース基板11の他方の面に設けられるとともにI
Cチップ13に接続された複数のはんだバンプ14を有
するBGA型電子部品30において、ベース基板11の
収容部12側にベース基板11の反り変形を防止する金
属部材40を備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の形態の
一つであるボールグリッドアレイ型電子部品(以下、
「BGA型電子部品」と称する。)等の表面実装型電子
部品に係り、特にはんだ付け不良を防止できるものに関
する。
一つであるボールグリッドアレイ型電子部品(以下、
「BGA型電子部品」と称する。)等の表面実装型電子
部品に係り、特にはんだ付け不良を防止できるものに関
する。
【0002】
【従来の技術】表面実装型電子部品の一つであるBGA
型電子部品10は、通常図9の(a),(b)に示すよ
うに構成されている。すなわち、平板状のベース基板1
1と、このベース基板11の一方の面上に形成されモー
ルドからなる収容部12と、この収容部12内に配置さ
れた半導体素子であるICチップ13と、ベース基板1
1の他方の面に設けられICチップ13の各端子にワイ
ヤ(不図示)等で接続された半径rのはんだボール14
を備えている。
型電子部品10は、通常図9の(a),(b)に示すよ
うに構成されている。すなわち、平板状のベース基板1
1と、このベース基板11の一方の面上に形成されモー
ルドからなる収容部12と、この収容部12内に配置さ
れた半導体素子であるICチップ13と、ベース基板1
1の他方の面に設けられICチップ13の各端子にワイ
ヤ(不図示)等で接続された半径rのはんだボール14
を備えている。
【0003】このようなBGA型電子部品10の実装基
板20へのはんだ付けは、以下のように行われる。すな
わち、図9の(a)に示すようにはんだ付けされる実装
基板20の電極21にソルダペースト(不図示)を塗布
し、その上にBGA型電子部品10を載置する。その
後、リフロー炉(不図示)に通して加熱し、ソルダーペ
ースト及びはんだボール14を溶融して、BGA型電子
部品10と実装基板20とをはんだ付けするようにして
いた。
板20へのはんだ付けは、以下のように行われる。すな
わち、図9の(a)に示すようにはんだ付けされる実装
基板20の電極21にソルダペースト(不図示)を塗布
し、その上にBGA型電子部品10を載置する。その
後、リフロー炉(不図示)に通して加熱し、ソルダーペ
ースト及びはんだボール14を溶融して、BGA型電子
部品10と実装基板20とをはんだ付けするようにして
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のB
GA型電子部品10を実装基板20にはんだ付けする場
合にあっては次のような問題があった。すなわち、リフ
ロー炉によって、ソルダーペースト及びはんだボール1
4を溶融するために加熱すると、BGA型電子部品10
のベース基板11と収容部12との熱膨張係数の違いに
より図9の(b)に示すようにベース基板11が反るこ
とがあった。このため、ベース基板11の中央部付近が
両端部に比べて実装基板20からの距離が大きくなり、
必要なはんだの量が増える。なお、図中Sは溶融したは
んだを示している。したがって、ベース基板11の中央
部でははんだの量が不足して未はんだとなったり、強度
不足になったりする等の製造上の不具合が発生するとい
う問題があった。
GA型電子部品10を実装基板20にはんだ付けする場
合にあっては次のような問題があった。すなわち、リフ
ロー炉によって、ソルダーペースト及びはんだボール1
4を溶融するために加熱すると、BGA型電子部品10
のベース基板11と収容部12との熱膨張係数の違いに
より図9の(b)に示すようにベース基板11が反るこ
とがあった。このため、ベース基板11の中央部付近が
両端部に比べて実装基板20からの距離が大きくなり、
必要なはんだの量が増える。なお、図中Sは溶融したは
んだを示している。したがって、ベース基板11の中央
部でははんだの量が不足して未はんだとなったり、強度
不足になったりする等の製造上の不具合が発生するとい
う問題があった。
【0005】一方、このようなはんだ不足による未はん
だを防止するために、はんだボール14の直径を大きく
する方法も考えられる。しかしながら、はんだボール1
4の直径を大きくすると、はんだボール14同士の距離
が近くなり、加熱溶融時にはんだボール同士14が接触
し、はんだブリッジが形成される虞がある。
だを防止するために、はんだボール14の直径を大きく
する方法も考えられる。しかしながら、はんだボール1
4の直径を大きくすると、はんだボール14同士の距離
が近くなり、加熱溶融時にはんだボール同士14が接触
し、はんだブリッジが形成される虞がある。
【0006】さらに、ベース基板11の反り変形により
ICチップ13が壊れたり、ICチップ13とはんだボ
ール14とを接続するワイヤが断線する虞があった。そ
こで本発明は、加熱溶融時にはんだ量の不足による未は
んだや強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留
まりを向上させることのできる表面実装型電子部品を提
供することを目的としている。
ICチップ13が壊れたり、ICチップ13とはんだボ
ール14とを接続するワイヤが断線する虞があった。そ
こで本発明は、加熱溶融時にはんだ量の不足による未は
んだや強度不足等の製造上の不具合を解消し、製造歩留
まりを向上させることのできる表面実装型電子部品を提
供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1に記載された発明は、ベース
基板と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体
素子を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に
設けられるとともに上記半導体素子に接続された複数の
はんだバンプを有する表面実装型電子部品において、上
記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変
形を防止する金属部材を備えるようにした。
達成するために、請求項1に記載された発明は、ベース
基板と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体
素子を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に
設けられるとともに上記半導体素子に接続された複数の
はんだバンプを有する表面実装型電子部品において、上
記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変
形を防止する金属部材を備えるようにした。
【0008】請求項2に記載された発明は、ベース基板
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記は
んだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記他方の
面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されている
ようにした。
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記は
んだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記他方の
面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されている
ようにした。
【0009】請求項3に記載された発明は、ベース基板
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記ベ
ース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変形を
防止する金属部材を備え、上記はんだバンプはその軸心
線が上記ベース基板の他方の面に対して垂直方向に配置
された柱状に形成されているようにした。
と、このベース基板の一方の面上に形成され半導体素子
を収容する収容部と、上記ベース基板の他方の面に設け
られるとともに上記半導体素子に接続された複数のはん
だバンプを有する表面実装型電子部品において、上記ベ
ース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り変形を
防止する金属部材を備え、上記はんだバンプはその軸心
線が上記ベース基板の他方の面に対して垂直方向に配置
された柱状に形成されているようにした。
【0010】請求項4に記載された発明によれば、請求
項1または2に記載の発明において、上記金属部材は、
上記ベース板に取り付けられていることが好ましい。請
求項5に記載された発明によれば、請求項1または2に
記載の発明において、上記金属部材は、上記収容部の上
記ベース基板と反対側に取り付けられていることが好ま
しい。
項1または2に記載の発明において、上記金属部材は、
上記ベース板に取り付けられていることが好ましい。請
求項5に記載された発明によれば、請求項1または2に
記載の発明において、上記金属部材は、上記収容部の上
記ベース基板と反対側に取り付けられていることが好ま
しい。
【0011】請求項6に記載された発明によれば、請求
項1,3,4または5に記載の発明において、上記金属
部材は上記半導体素子と対向する部分において、厚く形
成されていることが好ましい。
項1,3,4または5に記載の発明において、上記金属
部材は上記半導体素子と対向する部分において、厚く形
成されていることが好ましい。
【0012】請求項7に記載された発明によれば、請求
項2または3に記載の発明において、上記はんだバンプ
のうち上記ベース基板の中央部に位置するはんだバンプ
が他のはんだバンプより高く形成されていることが好ま
しい。
項2または3に記載の発明において、上記はんだバンプ
のうち上記ベース基板の中央部に位置するはんだバンプ
が他のはんだバンプより高く形成されていることが好ま
しい。
【0013】請求項8に記載された発明によれば、請求
項2,3または7に記載の発明において、上記はんだバ
ンプの高さは上記ベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されていることが好ましい。
項2,3または7に記載の発明において、上記はんだバ
ンプの高さは上記ベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されていることが好ましい。
【0014】請求項9に記載された発明によれば、請求
項2または3に記載の発明において、上記柱状のはんだ
バンプは円柱状に形成されていることが好ましい。上記
手段を講じた結果、次のような作用が生じる。すなわ
ち、請求項1に記載された発明によれば、ベース基板の
一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部と、
ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、ベース基板の収容部側にベース基板の
反り変形を防止する金属部材を備えている。このとき、
収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱膨張
率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材は異
なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金属部
材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分に
大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣って
伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。し
たがって、はんだ付け不良を確実に防止することができ
る。
項2または3に記載の発明において、上記柱状のはんだ
バンプは円柱状に形成されていることが好ましい。上記
手段を講じた結果、次のような作用が生じる。すなわ
ち、請求項1に記載された発明によれば、ベース基板の
一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部と、
ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、ベース基板の収容部側にベース基板の
反り変形を防止する金属部材を備えている。このとき、
収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱膨張
率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材は異
なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金属部
材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分に
大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣って
伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。し
たがって、はんだ付け不良を確実に防止することができ
る。
【0015】請求項2に記載された発明は、ベース基板
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、はんだバンプはその軸心線がベー
ス基板の他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に
形成されているようにした。このため、はんだバンプ同
士の距離を近付けることなく、はんだバンプに十分な量
のはんだを供給することができる。したがって、はんだ
付け不良を確実に防止することができる。
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、はんだバンプはその軸心線がベー
ス基板の他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に
形成されているようにした。このため、はんだバンプ同
士の距離を近付けることなく、はんだバンプに十分な量
のはんだを供給することができる。したがって、はんだ
付け不良を確実に防止することができる。
【0016】請求項3に記載された発明は、ベース基板
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、ベース基板の収容部側にベース基
板の反り変形を防止する金属部材を備えている。このと
き、収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱
膨張率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材
は異なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。一方、はんだバンプはその軸心線がベース基板の他
方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されて
いるようにした。このため、はんだバンプ同士の距離を
近付けることなく、はんだバンプに十分な量のはんだを
供給することができる。したがって、両方の作用により
はんだ付け不良を確実に防止することができる。
の一方の面上に形成され半導体素子を収容する収容部
と、ベース基板の他方の面に設けられるとともに半導体
素子に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装
型電子部品において、ベース基板の収容部側にベース基
板の反り変形を防止する金属部材を備えている。このと
き、収容部とベース基板と金属部材はそれぞれ異なる熱
膨張率を有しているため、加熱すると、それぞれの部材
は異なる熱膨脹率で伸びようとする。しかしながら、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。一方、はんだバンプはその軸心線がベース基板の他
方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されて
いるようにした。このため、はんだバンプ同士の距離を
近付けることなく、はんだバンプに十分な量のはんだを
供給することができる。したがって、両方の作用により
はんだ付け不良を確実に防止することができる。
【0017】請求項4に記載された発明によれば、金属
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項5に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項5に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
【0018】請求項6に記載された発明によれば、金属
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
【0019】請求項7に記載された発明によれば、はん
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
【0020】請求項8に記載された発明によれば、はん
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
【0021】請求項9に記載された発明によれば、柱状
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
【0022】
【発明の実施の形態】図1の(a),(b)は本発明の
第1の実施の形態に係るBGA型電子部品30を示す図
である。この図において、図9と同一機能部分には同一
符号が付されている。
第1の実施の形態に係るBGA型電子部品30を示す図
である。この図において、図9と同一機能部分には同一
符号が付されている。
【0023】BGA型電子部品30は、ガラスエポキシ
製のベース基板11と、このベース基板11の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部12と、この収容
部12内に配置された半導体素子としてのICチップ1
3と、ベース基板11の他方の面に設けられICチップ
13の各端子に接続されたはんだバンプとしてのはんだ
ボール14と、収容部12の図1中上部に配置された金
属部材としての金属板40を備えている。
製のベース基板11と、このベース基板11の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部12と、この収容
部12内に配置された半導体素子としてのICチップ1
3と、ベース基板11の他方の面に設けられICチップ
13の各端子に接続されたはんだバンプとしてのはんだ
ボール14と、収容部12の図1中上部に配置された金
属部材としての金属板40を備えている。
【0024】このように構成されたBGA型電子部品3
0を実装基板20にはんだ付けする場合には、図2に示
すように実装基板20の電極21にソルダペースト(不
図示)を塗布し、その上にBGA型電子部品30を装着
する。その後、リフロー炉(不図示)に通して加熱す
る。このとき、ベース基板11、収容部12及び金属板
40はそれぞれ異なる熱膨張率を有しているが、加熱す
ると剛性の大きい金属板40にベース基板11及び収容
部12が倣って伸び、ベース基板11は反り変形を起こ
さない。この状態でソルダーペースト及びはんだボール
14を溶融して、BGA型電子部品10と実装基板20
とをはんだ付けする。
0を実装基板20にはんだ付けする場合には、図2に示
すように実装基板20の電極21にソルダペースト(不
図示)を塗布し、その上にBGA型電子部品30を装着
する。その後、リフロー炉(不図示)に通して加熱す
る。このとき、ベース基板11、収容部12及び金属板
40はそれぞれ異なる熱膨張率を有しているが、加熱す
ると剛性の大きい金属板40にベース基板11及び収容
部12が倣って伸び、ベース基板11は反り変形を起こ
さない。この状態でソルダーペースト及びはんだボール
14を溶融して、BGA型電子部品10と実装基板20
とをはんだ付けする。
【0025】上述したように本第1の実施の形態では、
リフロー炉においてBGA型電子部品30を加熱して
も、ベース基板11が反り変形を起こさないので、ベー
ス基板11の中央部においてはんだ不足が生じない。こ
のため、全ての電極21において確実にはんだ付けを行
うことができるとともに、ICチップ13の破壊を防止
でき、製品歩留まりを向上させることができる。
リフロー炉においてBGA型電子部品30を加熱して
も、ベース基板11が反り変形を起こさないので、ベー
ス基板11の中央部においてはんだ不足が生じない。こ
のため、全ての電極21において確実にはんだ付けを行
うことができるとともに、ICチップ13の破壊を防止
でき、製品歩留まりを向上させることができる。
【0026】図3の(a),(b)は本第1の実施の形
態の第1変形例に係るBGA型電子部品31を示す図で
ある。本第1変形例が上述した第1の実施の形態と異な
る点は、金属板41のICチップ13と対向する部分4
1aが厚く形成されている点である。このように構成さ
れていると、第1の実施の形態と同様の効果が得られる
とともに、ベース基板11のうちICチップ13が設け
られた部分の反り変形を効果的に抑えることができる。
態の第1変形例に係るBGA型電子部品31を示す図で
ある。本第1変形例が上述した第1の実施の形態と異な
る点は、金属板41のICチップ13と対向する部分4
1aが厚く形成されている点である。このように構成さ
れていると、第1の実施の形態と同様の効果が得られる
とともに、ベース基板11のうちICチップ13が設け
られた部分の反り変形を効果的に抑えることができる。
【0027】図4の(a),(b)は本第1の実施の形
態の第2変形例に係るBGA型電子部品32を示す図で
ある。本第2変形例が上述した第1の実施の形態と異な
る点は、ロの字状の金属板42がベース基板11上に直
接設けられている点である。このように構成されている
と、第1の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、金属板42の効果を十分にベース基板11に及ぼす
ことができる。
態の第2変形例に係るBGA型電子部品32を示す図で
ある。本第2変形例が上述した第1の実施の形態と異な
る点は、ロの字状の金属板42がベース基板11上に直
接設けられている点である。このように構成されている
と、第1の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、金属板42の効果を十分にベース基板11に及ぼす
ことができる。
【0028】図5は本第1の実施の形態の第3変形例に
係るBGA型電子部品33を示す図である。本第3変形
例が上述した第1の実施の形態と異なる点は、金属板4
3が収容部12の側面及び上面に設けられている点であ
る。このように構成されていると、第1の実施の形態と
同様の効果が得られるとともに、金属板43の効果を十
分にベース基板11及び収容部12に及ぼすことができ
る。
係るBGA型電子部品33を示す図である。本第3変形
例が上述した第1の実施の形態と異なる点は、金属板4
3が収容部12の側面及び上面に設けられている点であ
る。このように構成されていると、第1の実施の形態と
同様の効果が得られるとともに、金属板43の効果を十
分にベース基板11及び収容部12に及ぼすことができ
る。
【0029】図6の(a)は本発明の第2の実施の形態
に係るBGA型電子部品50を示す断面図である。この
図において、図9と同一機能部分には同一符号が付され
ている。
に係るBGA型電子部品50を示す断面図である。この
図において、図9と同一機能部分には同一符号が付され
ている。
【0030】BGA型電子部品50は、ガラスエポキシ
製のベース基板11と、このベース基板11の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部12と、この収容
部12内に配置された半導体素子としてのICチップ1
3と、ベース基板11の他方の面に設けられICチップ
13の各端子に接続されたはんだバンプ60を備えてい
る。
製のベース基板11と、このベース基板11の一方の面
上に形成されモールドからなる収容部12と、この収容
部12内に配置された半導体素子としてのICチップ1
3と、ベース基板11の他方の面に設けられICチップ
13の各端子に接続されたはんだバンプ60を備えてい
る。
【0031】はんだバンプ60は円柱状に形成されてお
り、その底面の半径rは従来のはんだボール14の半径
rと等しく形成されている。なお、このはんだバンプ6
0の体積Vaは、高さhを従来のはんだボール14の直
径2rと同一とすると、Va=2πr3 となる。一方、
はんだボール14の体積Vb=(4/3)πr3 とな
る。したがって、はんだバンプ60は同じ高さ、直径を
有する場合にははんだボール14の1.5倍の体積を有
している。
り、その底面の半径rは従来のはんだボール14の半径
rと等しく形成されている。なお、このはんだバンプ6
0の体積Vaは、高さhを従来のはんだボール14の直
径2rと同一とすると、Va=2πr3 となる。一方、
はんだボール14の体積Vb=(4/3)πr3 とな
る。したがって、はんだバンプ60は同じ高さ、直径を
有する場合にははんだボール14の1.5倍の体積を有
している。
【0032】このように構成されたBGA型電子部品5
0を実装基板20にはんだ付けする場合には、実装基板
20の電極21にソルダペーストを塗布し、その上にB
GA型電子部品50を装着する。その後、リフロー炉
(不図示)に通して加熱する。このとき、ベース基板1
1、収容部12はそれぞれ異なる熱膨張率を有している
ため、図6の(b)に示すようにベース基板11が図6
の(b)中凸状に反り変形を起こす。したがって、ベー
ス基板11の中央部と実装基板20とが離れる。しかし
ながら、はんだバンプ60は上述したように大きい体積
を有しているため、十分な量のはんだを供給でき良好に
接続される。
0を実装基板20にはんだ付けする場合には、実装基板
20の電極21にソルダペーストを塗布し、その上にB
GA型電子部品50を装着する。その後、リフロー炉
(不図示)に通して加熱する。このとき、ベース基板1
1、収容部12はそれぞれ異なる熱膨張率を有している
ため、図6の(b)に示すようにベース基板11が図6
の(b)中凸状に反り変形を起こす。したがって、ベー
ス基板11の中央部と実装基板20とが離れる。しかし
ながら、はんだバンプ60は上述したように大きい体積
を有しているため、十分な量のはんだを供給でき良好に
接続される。
【0033】上述したように本第2の実施の形態ではリ
フロー炉においてBGA型電子部品50を加熱して、ベ
ース基板11が反り変形を起こしても、ベース基板11
の中央部においてはんだ不足が生じない。このため、全
ての電極21において確実にはんだ付けを行うことがで
き、製品歩留まりを向上させることができる。
フロー炉においてBGA型電子部品50を加熱して、ベ
ース基板11が反り変形を起こしても、ベース基板11
の中央部においてはんだ不足が生じない。このため、全
ての電極21において確実にはんだ付けを行うことがで
き、製品歩留まりを向上させることができる。
【0034】図7の(a)は本第2の実施の形態の第1
変形例に係るBGA型電子部品51を示す図である。本
第1変形例が上述した第2の実施の形態と異なる点は、
ベース板11の中央部に位置するはんだバンプ61bが
他のはんだバンプ61aよりも長く形成されている点に
ある。このように構成されていると、第2の実施の形態
と同様の効果が得られるとともに、さらに多くの量のは
んだを中央部の電極に供給することができる。
変形例に係るBGA型電子部品51を示す図である。本
第1変形例が上述した第2の実施の形態と異なる点は、
ベース板11の中央部に位置するはんだバンプ61bが
他のはんだバンプ61aよりも長く形成されている点に
ある。このように構成されていると、第2の実施の形態
と同様の効果が得られるとともに、さらに多くの量のは
んだを中央部の電極に供給することができる。
【0035】図7の(b)は本第2の実施の形態の第2
変形例に係るBGA型電子部品52を示す図である。本
第2変形例が上述した第2の実施の形態と異なる点は、
はんだバンプ62a〜62cが中央部に近付くにつれて
長く形成されている点にある。このように構成されてい
ると、第2の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、ベース基板11の反り変形に応じて適当な量のはん
だを各電極に供給することができるので、はんだの過不
足が生じることがない。したがって、未はんだを防止で
きるとともに、はんだブリッジ等のはんだ付け不良を防
止でき、製品歩留まりをさらに向上させることができ
る。
変形例に係るBGA型電子部品52を示す図である。本
第2変形例が上述した第2の実施の形態と異なる点は、
はんだバンプ62a〜62cが中央部に近付くにつれて
長く形成されている点にある。このように構成されてい
ると、第2の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、ベース基板11の反り変形に応じて適当な量のはん
だを各電極に供給することができるので、はんだの過不
足が生じることがない。したがって、未はんだを防止で
きるとともに、はんだブリッジ等のはんだ付け不良を防
止でき、製品歩留まりをさらに向上させることができ
る。
【0036】図8は本発明の第3の実施の形態に係るB
GA型電子部品70を示す図である。この図において、
図1及び図6と同一機能部分には同一符号が付されてい
る。したがって、重複する部分の詳しい説明は省略す
る。
GA型電子部品70を示す図である。この図において、
図1及び図6と同一機能部分には同一符号が付されてい
る。したがって、重複する部分の詳しい説明は省略す
る。
【0037】本第3の実施の形態に係るBGA型電子部
品70は、ガラスエポキシ製のベース基板11と、この
ベース基板11の一方の面上に形成されモールドからな
る収容部12と、この収容部12内に配置された半導体
素子としてのICチップ13と、ベース基板11の他方
の面に設けられICチップ13の各端子に接続されたは
んだバンプ60と、収容部12の図8中上部に配置され
た金属部材としての金属板40を備えている。
品70は、ガラスエポキシ製のベース基板11と、この
ベース基板11の一方の面上に形成されモールドからな
る収容部12と、この収容部12内に配置された半導体
素子としてのICチップ13と、ベース基板11の他方
の面に設けられICチップ13の各端子に接続されたは
んだバンプ60と、収容部12の図8中上部に配置され
た金属部材としての金属板40を備えている。
【0038】このように構成されていると、第1の実施
の形態及び第2の実施の形態と同様の効果が得られ、さ
らに確実なはんだ付けを行うことができ、製品歩留まり
を向上させることができる。なお、本第3の実施の形態
においても第1の実施の形態の各変形例及び第2の実施
の形態の各変形例を適用することができる。なお、本発
明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
の形態及び第2の実施の形態と同様の効果が得られ、さ
らに確実なはんだ付けを行うことができ、製品歩留まり
を向上させることができる。なお、本第3の実施の形態
においても第1の実施の形態の各変形例及び第2の実施
の形態の各変形例を適用することができる。なお、本発
明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるの
は勿論である。
【0039】
【発明の効果】請求項1に記載された発明によれば、金
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。したがって、はんだ付け不良を確実に防止すること
ができる。
属部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十
分に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣
って伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさな
い。したがって、はんだ付け不良を確実に防止すること
ができる。
【0040】請求項2に記載された発明によれば、はん
だバンプ同士の距離を近付けることなく、はんだバンプ
に十分な量のはんだを供給することができる。したがっ
て、はんだ付け不良を確実に防止することができる。
だバンプ同士の距離を近付けることなく、はんだバンプ
に十分な量のはんだを供給することができる。したがっ
て、はんだ付け不良を確実に防止することができる。
【0041】請求項3に記載された発明によれば、金属
部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分
に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣っ
て伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。
一方、はんだバンプ同士の距離を近付けることなく、は
んだバンプに十分な量のはんだを供給することができ
る。したがって、両方の作用によりはんだ付け不良を確
実に防止することができる。
部材の剛性は収容部及びベース基板の剛性に比べて十分
に大きいため、収容部及びベース基板は金属部材に倣っ
て伸び、最終的にベース基板は反り変形を起こさない。
一方、はんだバンプ同士の距離を近付けることなく、は
んだバンプに十分な量のはんだを供給することができ
る。したがって、両方の作用によりはんだ付け不良を確
実に防止することができる。
【0042】請求項4に記載された発明によれば、金属
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項5に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
部材はベース板に取り付けられているので、金属部材の
剛性が十分にベース板に影響する。請求項5に記載され
た発明によれば、金属部材は収容部のベース基板と反対
側に取り付けられているので、金属部材の剛性が十分に
収容部に影響する。
【0043】請求項6に記載された発明によれば、金属
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
部材は半導体素子と対向する部分において、厚く形成さ
れているので、金属部材の剛性が十分に半導体素子と対
向する部分に影響する。
【0044】請求項7に記載された発明によれば、はん
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
だバンプのうちベース基板の中央部に位置するはんだバ
ンプが他のはんだバンプより高く形成されているので、
中央部により多くはんだを供給することができる。
【0045】請求項8に記載された発明によれば、はん
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
だバンプの高さはベース板の周辺部から中央部に向けて
変化するように形成されているので、ベース基板の反り
変形の度合いに応じてはんだを供給することができ、は
んだの余りによるはんだブリッジ等の発生を防止でき
る。
【0046】請求項9に記載された発明によれば、柱状
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
のはんだバンプは円柱状に形成されているので、はんだ
バンプ同士の距離を最小限にすることができ、はんだブ
リッジ等の発生を防止できる。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るBGA型電子
部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)は斜視
図。
部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)は斜視
図。
【図2】同部品を加熱中の状態を示す断面図。
【図3】同第1の実施の形態の第1変形例に係るBGA
型電子部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)
は斜視図。
型電子部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)
は斜視図。
【図4】同第1の実施の形態の第2変形例に係るBGA
型電子部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)
は斜視図。
型電子部品を示す図であって、(a)は断面図、(b)
は斜視図。
【図5】同第1の実施の形態の第3変形例に係るBGA
型電子部品を示す断面図。
型電子部品を示す断面図。
【図6】本発明の第2の実施の形態に係るBGA型電子
部品を示す断面図であって、(a)は加熱前の状態、
(b)は加熱中の状態。
部品を示す断面図であって、(a)は加熱前の状態、
(b)は加熱中の状態。
【図7】同第2の実施の形態の変形例を示す断面図であ
って、(a)は第1変形例、(b)は第2変形例。
って、(a)は第1変形例、(b)は第2変形例。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係るBGA型電子
部品を示す断面図。
部品を示す断面図。
【図9】従来のBGA型電子部品を示す図であって、
(a)は断面図、(b)は斜視図。
(a)は断面図、(b)は斜視図。
【図10】同部品を示す図であって、(a)は実装基板
上に載置した状態を示す断面図、(b)は加熱した状態
を示す断面図。
上に載置した状態を示す断面図、(b)は加熱した状態
を示す断面図。
11…ベース基板 12…収容部 13…ICチップ 14…はんだボール 30,31,32,33,50,51,52,70…B
GA型電子部品 40,41,42,43…金属板 60,61,62a〜62c…はんだバンプ
GA型電子部品 40,41,42,43…金属板 60,61,62a〜62c…はんだバンプ
Claims (9)
- 【請求項1】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り
変形を防止する金属部材を備えていることを特徴とする
表面実装型電子部品。 - 【請求項2】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記はんだバンプはその軸心線が上記ベース基板の上記
他方の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成され
ていることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項3】ベース基板と、このベース基板の一方の面
上に形成され半導体素子を収容する収容部と、上記ベー
ス基板の他方の面に設けられるとともに上記半導体素子
に接続された複数のはんだバンプを有する表面実装型電
子部品において、 上記ベース基板の上記収容部側に上記ベース基板の反り
変形を防止する金属部材を備え、 上記はんだバンプはその軸心線が上記ベース基板の他方
の面に対して垂直方向に配置された柱状に形成されてい
ることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項4】上記金属部材は、上記ベース板に取り付け
られていることを特徴とする請求項1または3に記載の
表面実装型電子部品。 - 【請求項5】上記金属部材は、上記収容部の上記ベース
基板と反対側に取り付けられていることを特徴とする請
求項1または3に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項6】上記金属部材は上記半導体素子と対向する
部分において、厚く形成されていることを特徴とする請
求項1,3,4または5に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項7】上記はんだバンプのうち上記ベース基板の
中央部に位置するはんだバンプが他のはんだバンプより
高く形成されていることを特徴とする請求項2または3
に記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項8】上記はんだバンプの高さは上記ベース板の
周辺部から中央部に向けて変化するように形成されてい
ることを特徴とする請求項2,3または7に記載の表面
実装型電子部品。 - 【請求項9】上記柱状のはんだバンプは円柱状に形成さ
れていることを特徴とする請求項2または3に記載の表
面実装型電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32712195A JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32712195A JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09167811A true JPH09167811A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18195547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32712195A Pending JPH09167811A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 表面実装型電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09167811A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6308938B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
WO2007058134A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
JP2013526769A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-24 | アルカテル−ルーセント | 梁を備えたicパッケージ補強材 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP32712195A patent/JPH09167811A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6308938B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
KR100328370B1 (ko) * | 1997-09-26 | 2002-04-17 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체집적회로장치 |
WO2007058134A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
US7847389B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-12-07 | Nec Corporation | Semiconductor package, electronic part and electronic device |
JP2013526769A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-24 | アルカテル−ルーセント | 梁を備えたicパッケージ補強材 |
KR101481877B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2015-01-12 | 알까뗄 루슨트 | 보를 갖는 ic 패키지 보강재 |
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