JP3012082B2 - 気密端子 - Google Patents
気密端子Info
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- JP3012082B2 JP3012082B2 JP4100864A JP10086492A JP3012082B2 JP 3012082 B2 JP3012082 B2 JP 3012082B2 JP 4100864 A JP4100864 A JP 4100864A JP 10086492 A JP10086492 A JP 10086492A JP 3012082 B2 JP3012082 B2 JP 3012082B2
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- Japan
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- sleeve
- lead pin
- layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気密端子、特に真空チャ
ンバ内の装置と真空チャンバ外の装置との間で電気信号
の伝達を行うのに使用される気密端子に関するものであ
る。
ンバ内の装置と真空チャンバ外の装置との間で電気信号
の伝達を行うのに使用される気密端子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子顕微鏡のような真空チャンバ
を備えた理化学機器では、真空チャンバ内の装置と真空
チャンバ外の装置との間で電気信号を伝達するのに気密
端子が用いられている。
を備えた理化学機器では、真空チャンバ内の装置と真空
チャンバ外の装置との間で電気信号を伝達するのに気密
端子が用いられている。
【０００３】かかる気密端子は通常、酸化アルミニウム
質焼結体から成り、外周部に鍔部を、中心部に貫通孔を
有する絶縁基体と、前記絶縁基体の鍔部にロウ材を介し
ロウ付けされた筒状のアルミニウム製スリーブと、前記
絶縁基体の貫通孔内に両端を突出するようにして挿通固
定されたコバール金属（鉄−ニッケル−コバルト合金）
から成るリードピンとから構成されており、真空チャン
バにスリーブを取着し、真空チャンバ内の装置と真空チ
ャンバ外の装置とをリードピンの両端に各々、電気的に
接続することによって両装置間の電気信号の伝達が可能
となっている。
質焼結体から成り、外周部に鍔部を、中心部に貫通孔を
有する絶縁基体と、前記絶縁基体の鍔部にロウ材を介し
ロウ付けされた筒状のアルミニウム製スリーブと、前記
絶縁基体の貫通孔内に両端を突出するようにして挿通固
定されたコバール金属（鉄−ニッケル−コバルト合金）
から成るリードピンとから構成されており、真空チャン
バにスリーブを取着し、真空チャンバ内の装置と真空チ
ャンバ外の装置とをリードピンの両端に各々、電気的に
接続することによって両装置間の電気信号の伝達が可能
となっている。
【０００４】尚、前記スリーブの絶縁基体へのロウ付け
は絶縁基体の鍔部表面に予めモリブデン−マンガン層と
ニッケルメッキ層の２層構造を有する金属層を被着形成
しておき、該金属層とスリーブとをロウ材を介し接合さ
せることによって行われ、また前記リードピンの絶縁基
体へのロウ付けは前記スリーブと同様、絶縁基体の貫通
孔周辺に予めモリブデン−マンガン層とニッケルメッキ
層の２層構造を有する金属層を被着形成しておき、該金
属層にリードピンをロウ材を介し接合させることによっ
て行われる。
は絶縁基体の鍔部表面に予めモリブデン−マンガン層と
ニッケルメッキ層の２層構造を有する金属層を被着形成
しておき、該金属層とスリーブとをロウ材を介し接合さ
せることによって行われ、また前記リードピンの絶縁基
体へのロウ付けは前記スリーブと同様、絶縁基体の貫通
孔周辺に予めモリブデン−マンガン層とニッケルメッキ
層の２層構造を有する金属層を被着形成しておき、該金
属層にリードピンをロウ材を介し接合させることによっ
て行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の気密端子においてはリードピンがコバール金属で形
成されており、該コバール金属は強磁性であること、ス
リーブ及びリードピンを絶縁基体にロウ付けするために
絶縁基体の鍔部表面及び貫通孔周辺にニッケルメッキ層
を有する金属層が被着されており、該ニッケルは強磁性
であること等からリードピンを介して真空チャンバ内の
装置と真空チャンバ外の装置との間に電気信号の伝達を
行った場合、リードピン及び金属層に磁場が残留し、こ
の残留した磁場が次に伝達される電気信号にノイズとな
って入り込み、Ｓ／Ｎ比（入力／雑音の比）を大きく低
下させてしまうという欠点を有していた。
来の気密端子においてはリードピンがコバール金属で形
成されており、該コバール金属は強磁性であること、ス
リーブ及びリードピンを絶縁基体にロウ付けするために
絶縁基体の鍔部表面及び貫通孔周辺にニッケルメッキ層
を有する金属層が被着されており、該ニッケルは強磁性
であること等からリードピンを介して真空チャンバ内の
装置と真空チャンバ外の装置との間に電気信号の伝達を
行った場合、リードピン及び金属層に磁場が残留し、こ
の残留した磁場が次に伝達される電気信号にノイズとな
って入り込み、Ｓ／Ｎ比（入力／雑音の比）を大きく低
下させてしまうという欠点を有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的はリードピンに電気信号を伝達してもその
電気信号にノイズが入り込むのを極小とし、Ｓ／Ｎ比が
高い真空端子を提供することにある。
で、その目的はリードピンに電気信号を伝達してもその
電気信号にノイズが入り込むのを極小とし、Ｓ／Ｎ比が
高い真空端子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の気密端子は外周
部に鍔部を、中心部に貫通孔を有する絶縁基体と、前記
鍔部に取着される筒状の非磁性金属から成るスリーブ
と、前記貫通孔内に両端を突出させた状態で挿入固定さ
れるチタン製リードピンとから成り、前記スリーブ及び
リードピンは絶縁基体の表面に被着されたモリブデンー
マンガン層と非磁性金属から成るメッキ層の少なくとも
２層構造を有する金属層にロウ材を介し取着されている
ことを特徴とするものである。
部に鍔部を、中心部に貫通孔を有する絶縁基体と、前記
鍔部に取着される筒状の非磁性金属から成るスリーブ
と、前記貫通孔内に両端を突出させた状態で挿入固定さ
れるチタン製リードピンとから成り、前記スリーブ及び
リードピンは絶縁基体の表面に被着されたモリブデンー
マンガン層と非磁性金属から成るメッキ層の少なくとも
２層構造を有する金属層にロウ材を介し取着されている
ことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明の気密端子によればリードピンが非磁性
のチタンで形成されていることからリードピンに磁場が
残留することはなく、残留磁場によってリードピンを伝
達する電気信号にノイズが入り込むことはない。
のチタンで形成されていることからリードピンに磁場が
残留することはなく、残留磁場によってリードピンを伝
達する電気信号にノイズが入り込むことはない。
【０００９】またリードピン及びスリーブがロウ付けさ
れる絶縁基体の表面の金属層は非磁性金属で形成されて
いごとから該金属層に磁場が残留し、該残留磁場によっ
てリードピンを伝達する電気信号にノイズが入り込むこ
ともない。
れる絶縁基体の表面の金属層は非磁性金属で形成されて
いごとから該金属層に磁場が残留し、該残留磁場によっ
てリードピンを伝達する電気信号にノイズが入り込むこ
ともない。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の気密端子の一実施例を示す断面図で
あり、図中、1 は絶縁基体、2 はスリーブ、3 はリード
ピンである。
る。図１は本発明の気密端子の一実施例を示す断面図で
あり、図中、1 は絶縁基体、2 はスリーブ、3 はリード
ピンである。
【００１１】前記絶縁基体1 は外周部に鍔部1aを、中心
部に貫通孔1bを有しており、鍔部1aには筒状のスリーブ
2 がロウ材4 を介してロウ付けされ、また貫通孔1bには
リードピン3 がその両端を突出させた状態で挿通固定さ
れる。
部に貫通孔1bを有しており、鍔部1aには筒状のスリーブ
2 がロウ材4 を介してロウ付けされ、また貫通孔1bには
リードピン3 がその両端を突出させた状態で挿通固定さ
れる。
【００１２】前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結
体等の電気絶縁材料から成り、リードピン3 を電気的絶
縁をもって保持する作用を為す。
体等の電気絶縁材料から成り、リードピン3 を電気的絶
縁をもって保持する作用を為す。
【００１３】尚、前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合、例えばアルミナ(Al 2 O 3 ) 、シ
リカ(SiO2 ) 、マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して成る原料粉末を準
備し、次に前記原料粉末を所定形状のプレス型内に充填
するとともにこれを所定圧力で押圧して成形し、最後に
前記成形品を約1600℃の温度で焼成することによって製
作される。
焼結体から成る場合、例えばアルミナ(Al 2 O 3 ) 、シ
リカ(SiO2 ) 、マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して成る原料粉末を準
備し、次に前記原料粉末を所定形状のプレス型内に充填
するとともにこれを所定圧力で押圧して成形し、最後に
前記成形品を約1600℃の温度で焼成することによって製
作される。
【００１４】また前記絶縁基体1 はその外周部の鍔部1a
に金属層5 が被着されており、該金属層5 にはスリーブ
2 がロウ材4 を介してロウ付けされ、これによってスリ
ーブ2 が絶縁基体1 の鍔部1aに取着される。
に金属層5 が被着されており、該金属層5 にはスリーブ
2 がロウ材4 を介してロウ付けされ、これによってスリ
ーブ2 が絶縁基体1 の鍔部1aに取着される。
【００１５】前記絶縁基体1 の鍔部1aに被着させた金属
層5 は絶縁基体1 にスリーブ2 をロウ付け取着する際の
下地金属層として作用し、モリブデンーマンガンから成
る第1 の金属層6 と金メッキ層もしくは銅メッキ層から
成る第2 の金属層7 とより構成されている。
層5 は絶縁基体1 にスリーブ2 をロウ付け取着する際の
下地金属層として作用し、モリブデンーマンガンから成
る第1 の金属層6 と金メッキ層もしくは銅メッキ層から
成る第2 の金属層7 とより構成されている。
【００１６】前記金属層5 を構成する第1 の金属層6 は
モリブデン粉末とマンガン粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 の鍔部1a
表面に従来周知の厚膜形成技術により所定厚み( 10.0〜
100.0 μm)に塗布するとともにこれを約1500℃の温度で
焼き付けることによって絶縁基体1 の鍔部1a表面に被着
される。
モリブデン粉末とマンガン粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 の鍔部1a
表面に従来周知の厚膜形成技術により所定厚み( 10.0〜
100.0 μm)に塗布するとともにこれを約1500℃の温度で
焼き付けることによって絶縁基体1 の鍔部1a表面に被着
される。
【００１７】また前記金属層5 を構成する金メッキ層も
しくは銅メッキ層から成る第2 の金属層7 は絶縁基体1
の鍔部1a表面に被着させた第1 の金属層6 表面に従来周
知の金メッキ液、或いは銅メッキ液を使用し、1.0 〜1
0.0μm の厚みに層着させることによって第1 の金属層6
表面に被着される。
しくは銅メッキ層から成る第2 の金属層7 は絶縁基体1
の鍔部1a表面に被着させた第1 の金属層6 表面に従来周
知の金メッキ液、或いは銅メッキ液を使用し、1.0 〜1
0.0μm の厚みに層着させることによって第1 の金属層6
表面に被着される。
【００１８】尚、前記金属層5 はそれを構成するモリブ
デンーマンガン及び金もしくは銅のいずれもが非磁性で
あるため後述するリードピン3 に電気信号を伝達させた
際、金属層5 に前記電気信号の伝達に伴う磁場が残留す
ることは一切なく、該残留磁場で電気信号にノイズを入
り込ませることは皆無となる。
デンーマンガン及び金もしくは銅のいずれもが非磁性で
あるため後述するリードピン3 に電気信号を伝達させた
際、金属層5 に前記電気信号の伝達に伴う磁場が残留す
ることは一切なく、該残留磁場で電気信号にノイズを入
り込ませることは皆無となる。
【００１９】また前記金属層5 にロウ付け取着されるス
リーブ2 は気密端子を理化学機器の真空チャンバ（不図
示）に取着する作用を為し、チタンもしくはアルミニウ
ムで形成されている。
リーブ2 は気密端子を理化学機器の真空チャンバ（不図
示）に取着する作用を為し、チタンもしくはアルミニウ
ムで形成されている。
【００２０】前記スリーブ2 はチタンやアルミニウムを
筒状に加工したものが使用され、その内周の一部を絶縁
基体1 の鍔部1aにロウ付けすることによって絶縁基体1
に取着される。
筒状に加工したものが使用され、その内周の一部を絶縁
基体1 の鍔部1aにロウ付けすることによって絶縁基体1
に取着される。
【００２１】また前記スリーブ2 を絶縁基体1 の鍔部1a
に取着するロウ材4 は、例えばアルミニウムーシリコン
ーマグネシウムから成り、該アルミニウムーシリコンー
マグネシウムから成るロウ材4 は絶縁基体1 の鍔部1aに
被着させた金属層5 とスリーブ2 の両方に濡れ性が良い
ことから、かかるアルミニウムーシリコンーマグネシウ
ムから成るロウ材4 を用いればスリーブ2 を絶縁基体1
の鍔部1aに極めて強固にロウ付け取着することができ
る。
に取着するロウ材4 は、例えばアルミニウムーシリコン
ーマグネシウムから成り、該アルミニウムーシリコンー
マグネシウムから成るロウ材4 は絶縁基体1 の鍔部1aに
被着させた金属層5 とスリーブ2 の両方に濡れ性が良い
ことから、かかるアルミニウムーシリコンーマグネシウ
ムから成るロウ材4 を用いればスリーブ2 を絶縁基体1
の鍔部1aに極めて強固にロウ付け取着することができ
る。
【００２２】尚、前記スリーブ2 はそれを構成するチタ
ンもしくはアルミニウムが非磁性であるため後述するリ
ードピン3 に電気信号を伝達させた際、スリーブ2 に前
記電気信号の伝達に伴う磁場が残留することは一切な
く、該残留磁場で電気信号にノイズを入り込ませること
は皆無となる。
ンもしくはアルミニウムが非磁性であるため後述するリ
ードピン3 に電気信号を伝達させた際、スリーブ2 に前
記電気信号の伝達に伴う磁場が残留することは一切な
く、該残留磁場で電気信号にノイズを入り込ませること
は皆無となる。
【００２３】また前記絶縁基体1 はその中央部の貫通孔
1bにリードピン3 が両端を突出させた状態で挿通固定さ
れている。
1bにリードピン3 が両端を突出させた状態で挿通固定さ
れている。
【００２４】前記絶縁基体1 の貫通孔1b内に挿通される
リードピン3 は真空チャンバ内の装置と真空チャンバ外
の装置を電気的に接続させる作用を為し、チタンで形成
されている。
リードピン3 は真空チャンバ内の装置と真空チャンバ外
の装置を電気的に接続させる作用を為し、チタンで形成
されている。
【００２５】前記リードピン3 を形成するチタンは非磁
性であり、そのためリードピン3 に電気信号を伝達させ
た際、リードピン3 内には前記電気信号の伝達に伴う磁
場が残留することは一切なく、該残留磁場で次の電気信
号にノイズを入り込ませることもない。
性であり、そのためリードピン3 に電気信号を伝達させ
た際、リードピン3 内には前記電気信号の伝達に伴う磁
場が残留することは一切なく、該残留磁場で次の電気信
号にノイズを入り込ませることもない。
【００２６】尚、前記リードピン3 はチタンを従来周知
の金属加工法を採用することによって所定の棒状に形成
される。
の金属加工法を採用することによって所定の棒状に形成
される。
【００２７】また前記リードピン3 は絶縁基体1 の貫通
孔1b内に挿通させるとともに絶縁基体1 の貫通孔1b周辺
に被着させた金属層8 に、例えばロウ材11を介しロウ付
けすることによって絶縁基体1 に固定される。
孔1b内に挿通させるとともに絶縁基体1 の貫通孔1b周辺
に被着させた金属層8 に、例えばロウ材11を介しロウ付
けすることによって絶縁基体1 に固定される。
【００２８】前記絶縁基体1 の貫通孔1b周辺に被着され
る金属層8 は絶縁基体1 の外周鍔部1aに被着させた金属
層5 と同様、モリブデンーマンガンから成る第1 の金属
層9と金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る第2 の金
属層10とから構成されており、該金属層8 は絶縁基体1
にリードピン3 をロウ付け取着する際の下地金属層とし
て作用する。
る金属層8 は絶縁基体1 の外周鍔部1aに被着させた金属
層5 と同様、モリブデンーマンガンから成る第1 の金属
層9と金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る第2 の金
属層10とから構成されており、該金属層8 は絶縁基体1
にリードピン3 をロウ付け取着する際の下地金属層とし
て作用する。
【００２９】前記金属層8 は絶縁基体1 の外周鍔部1aに
被着させた金属層5 と同様の方法によって絶縁基体1 の
貫通孔1b周辺に所定厚みに被着され、該金属層8 を構成
するモリブデンーマンガンから成る第1 の金属層9 及び
金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る第2 の金属層10
はいずれも非磁性であるためリードピン3 に電気信号を
伝達させた際、金属層8 に前記電気信号の伝達に伴う磁
場が残留することは一切なく、該残留磁場で電気信号に
ノイズを入り込ませることもない。
被着させた金属層5 と同様の方法によって絶縁基体1 の
貫通孔1b周辺に所定厚みに被着され、該金属層8 を構成
するモリブデンーマンガンから成る第1 の金属層9 及び
金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る第2 の金属層10
はいずれも非磁性であるためリードピン3 に電気信号を
伝達させた際、金属層8 に前記電気信号の伝達に伴う磁
場が残留することは一切なく、該残留磁場で電気信号に
ノイズを入り込ませることもない。
【００３０】更に前記金属層8 にリードピン3 をロウ付
け固定するロウ材11は、例えば銀ー銅から成り、該銀ー
銅から成るロウ材11は絶縁基体1 の貫通孔1b周辺に被着
させた金属層8 とチタン製リードピン3 の両方に濡れ性
が良いことから、かかる銀ー銅から成るロウ材11を用い
ればリードピン3 を絶縁基体1 の貫通孔1b内に極めて強
固に固定することができる。
け固定するロウ材11は、例えば銀ー銅から成り、該銀ー
銅から成るロウ材11は絶縁基体1 の貫通孔1b周辺に被着
させた金属層8 とチタン製リードピン3 の両方に濡れ性
が良いことから、かかる銀ー銅から成るロウ材11を用い
ればリードピン3 を絶縁基体1 の貫通孔1b内に極めて強
固に固定することができる。
【００３１】かくして本発明の気密端子によればスリー
ブ2 を理化学機器の真空チャンバに取着し、真空チャン
バ内の装置と真空チャンバ外の装置とをリードピン3 の
突出した両端にそれぞれ電気的に接続させることによっ
て真空チャンバ内外の装置間に電気信号を伝達させる端
子として機能する。
ブ2 を理化学機器の真空チャンバに取着し、真空チャン
バ内の装置と真空チャンバ外の装置とをリードピン3 の
突出した両端にそれぞれ電気的に接続させることによっ
て真空チャンバ内外の装置間に電気信号を伝達させる端
子として機能する。
【００３２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の気密端子によれば絶縁基体にモ
リブデンーマンガン層と金メッキ層もしくは銅メッキ層
から成る非磁性の金属層を被着し、これに非磁性のチタ
ンもしくはアルミニウムから成るスリーブと非磁性のチ
タンからなるリードピンとをロウ付けしたことからリー
ドピンに電気信号を伝達させたとしても該電気信号の伝
達に伴う磁場が残留することは一切なく、その結果、リ
ードピンを伝達する電気信号には残留磁場によるノイズ
の入り込みがなく、Ｓ／Ｎ比を高いものとなすことがで
きる。
リブデンーマンガン層と金メッキ層もしくは銅メッキ層
から成る非磁性の金属層を被着し、これに非磁性のチタ
ンもしくはアルミニウムから成るスリーブと非磁性のチ
タンからなるリードピンとをロウ付けしたことからリー
ドピンに電気信号を伝達させたとしても該電気信号の伝
達に伴う磁場が残留することは一切なく、その結果、リ
ードピンを伝達する電気信号には残留磁場によるノイズ
の入り込みがなく、Ｓ／Ｎ比を高いものとなすことがで
きる。
【図１】本発明の気密端子の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・鍔部 １ｂ・・・・・貫通孔 ２・・・・・・スリーブ ３・・・・・・リードピン ４、１１・・・ロウ材 ５、８・・・・金属層 ６、９・・・・モリブデンーマンガンから成る第１の金
属層 ７、１０・・・金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る
第２の金属層
属層 ７、１０・・・金メッキ層もしくは銅メッキ層から成る
第２の金属層
Claims (1)
- 【請求項１】外周部に鍔部を、中心部に貫通孔を有する
絶縁基体と、前記鍔部に取着される筒状の非磁性金属か
ら成るスリーブと、前記貫通孔内に両端を突出させた状
態で挿入固定されるチタン製リードピンとから成り、前
記スリーブ及びリードピンは絶縁基体の表面に被着され
たモリブデンーマンガン層と非磁性金属から成るメッキ
層の少なくとも２層構造を有する金属層にロウ材を介し
取着されていることを特徴とする気密端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100864A JP3012082B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100864A JP3012082B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 気密端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299132A JPH05299132A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3012082B2 true JP3012082B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=14285183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4100864A Expired - Lifetime JP3012082B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 気密端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012082B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115771A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nec System Technologies Ltd | Ｌｓｉピン |
| JPWO2023276862A1 (ja) * | 2021-06-28 | 2023-01-05 |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP4100864A patent/JP3012082B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299132A (ja) | 1993-11-12 |
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