JP2004259609A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】同軸コネクタと同軸アダプタの外周導体間に電位差が発生し、信号入出力時に反射損失が大きくなり、光半導体素子の作動性が損なわれる。
【解決手段】コネクタ外周導体3a、中心軸に設置されたコネクタ中心導体3c、間に介在させたコネクタ絶縁体3bから成るとともに、貫通孔2aに嵌着されてコネクタ中心導体3aが回路基板9を介して半導体素子7に電気的に接続される同軸コネクタ3と、この同軸コネクタ3に取着され、筒状のアダプタ外周導体14a、中心軸に設置されたアダプタ中心導体14c、間に介在させたアダプタ絶縁体14bから成り、アダプタ中心導体14cの端部にコネクタ中心導体3cの端部を挿入し、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接させて、それぞれ電気的に接続される同軸アダプタ14とを具備する半導体素子収納用パッケージ。
【選択図】 図4
【解決手段】コネクタ外周導体3a、中心軸に設置されたコネクタ中心導体3c、間に介在させたコネクタ絶縁体3bから成るとともに、貫通孔2aに嵌着されてコネクタ中心導体3aが回路基板9を介して半導体素子7に電気的に接続される同軸コネクタ3と、この同軸コネクタ3に取着され、筒状のアダプタ外周導体14a、中心軸に設置されたアダプタ中心導体14c、間に介在させたアダプタ絶縁体14bから成り、アダプタ中心導体14cの端部にコネクタ中心導体3cの端部を挿入し、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接させて、それぞれ電気的に接続される同軸アダプタ14とを具備する半導体素子収納用パッケージ。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等で使用される高い周波数で作動する各種半導体素子に高周波信号を伝送する同軸コネクタおよび同軸アダプタを有する半導体素子収納用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等で使用される、高い周波数で作動する各種半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージのうち、光通信分野に用いられる光半導体素子収納用パッケージを図5に断面図で示す。
【0003】
同図に示すように、光半導体素子収納用パッケージは一般に、上面にLD(レーザダイオード)やPD(フォトダイオード)等の光半導体素子107が載置用基台108を介して載置される載置部101aを有するFe−Ni−Co合金やCu−W合金等の金属材料から成る基体101を有する。また、載置部101aを取囲むように基体101の上面に銀ろう等のろう材を介して接合され、一側部に光半導体素子107と外部電気回路(図示せず)とを電気的に接続する同軸コネクタ103を装着するための貫通孔102aが形成され、対向する側部に光半導体素子107と光結合するための光伝送路である貫通孔102bが形成された、Fe−Ni−Co合金等の金属材料から成る枠体102を有する。
【0004】
さらに、この枠体102外周面の貫通孔102bの開口周辺部には、筒状の固定部材104が銀ろう等のろう材で接合される。固定部材104は、枠体102と同じ熱膨張係数を有する、あるいは枠体102の熱膨張係数に近似するFe−Ni−Co合金、Fe−Ni合金等の金属から成り、外側端面に戻り光防止用の光アイソレータ111および光ファイバ113が樹脂接着剤で接着された金属ホルダ112が設けられ、また内部には非晶質ガラス等から成り、集光レンズとして機能するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ透光性部材105が固定される。
【0005】
なお、この固定部材104と金属ホルダ112とは、各々の端面同士がYAGレーザ溶接等により固定され、他方、固定部材104と透光性部材105とは、固定部材104内周面に形成されためっき層と透光性部材105外周面に形成されためっき層とを、Au−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けすることにより固定される。
【0006】
また、同軸コネクタ103は図6に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、貫通孔102aの枠体102外周面側に形成された大径部102cにAu−Sn合金半田等の低融点ろう材によりろう付けされる筒状のコネクタ外周導体103aと、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体103aの中心軸に設置されたコネクタ中心導体103cと、コネクタ外周導体103aおよびコネクタ中心導体103cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るコネクタ絶縁体103bとで構成されている。
【0007】
なお、同軸コネクタ103は、外部電気回路と光半導体素子107とを電気的に接続する機能を有するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ機能を有する。このような同軸コネクタ103は、高周波信号が伝送されるコネクタ中心導体103cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るコネクタ外周導体103aおよび貫通孔102aの内周面部が、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0008】
さらに、同軸コネクタ103の外側端部には、コネクタ中心導体103cが通常オス(凸)端子構造であるのでそれをメス(凹)端子構造に変換するために、あるいはコネクタ中心導体103cの径と外部電気回路の導体の径とが異なる場合に両者の電気的接続を良好となすために、同軸アダプタ114が取着されている。
【0009】
このような同軸アダプタ114は、図7に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体103aに電気的に接続するアダプタ外周導体114aと、アダプタ外周導体114aの中心軸に設置され、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成るとともにコネクタ中心導体103cと電気的に接続するアダプタ中心導体114cと、アダプタ外周導体114aおよびアダプタ中心導体114cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るアダプタ絶縁体114bとで構成されている。この同軸アダプタ114は同軸コネクタ103と同様に、高周波信号が伝送されるアダプタ中心導体114cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るアダプタ外周導体114aが、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0010】
なお、同軸アダプタ114の同軸コネクタ103への取着は、同軸アダプタ114が外周面にネジ山(オス)が形成された、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成る枠体114dに収納され、この同軸アダプタ114が収納された枠体114dを、図5の光半導体素子収納用パッケージの断面図に示すように、枠体102の側面外周面に設けた、内周面にネジ山(メス)が形成された収納部にネジ止めすることにより接合される。
【0011】
また、コネクタ中心導体103cと光半導体素子107との電気的接続は、コネクタ中心導体103cの枠体102内側に突出した一端と、回路基板109上面に形成され、インピーダンスがコネクタ中心導体103cの貫通孔102a内部でのインピーダンスと同じになるように形成された、マイクロストリップ線路であるメタライズ金属層109aとを、Sn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接合するとともに、このメタライズ金属層109aと光半導体素子107とをボンディングワイヤ110で接続することによりなされる。
【0012】
このような光半導体素子収納用パッケージは、光半導体素子107や回路基板109を搭載した載置用基台108を樹脂接着剤やろう材等の接着剤を介して基体101の載置部101aに載置固定した後、コネクタ中心導体103cの一端を回路基板109上面のメタライズ金属層109aに低融点ろう材で接合するとともに、光半導体素子107とメタライズ金属層109aとをボンディングワイヤ110で電気的に接続し、その後、光アイソレータ111、光ファイバ113が固定された金属ホルダ112を固定部材104に溶接し、枠体102上面に蓋体106をシーム溶接やろう付け等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【0013】
こうして製作された光半導体装置は、外部電気信号が同軸アダプタ114および同軸コネクタ103を介して光半導体素子収納用パッケージの内部に供給される。そして外部から供給される高周波信号により光半導体素子107を光励起させ、励起したレーザ光等の光を透光性部材105を通して光ファイバ113に授受させ光ファイバ113内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能し、光通信分野等に多く用いられている。
【0014】
〔特許文献1〕
特開平9−64219号公報
〔特許文献2〕
特開平2−234501号公報
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の光半導体素子収納用パッケージは、通常、同軸コネクタ103と同軸アダプタ114の大きさが大きく異なることから、コネクタ中心導体103cとアダプタ中心導体114cとは直接接続しているものの、コネクタ外周導体103aとアダプタ外周導体114aとは、図8に同軸コネクタ103と同軸アダプタ114との接合部の要部拡大断面図に示すように、金属製の枠体102を介して電気的に接続している。このため、外周導体103a,114a間のグランドラインの距離(グランドラインを図8に矢印で示す)が長いものとなり、その距離の長さに比例してグランドのL成分(誘導成分)が大きくなるとともに高周波信号の反射損失が大きくなり、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化するという問題点を有していた。
【0016】
また、枠体102とコネクタ外周導体103aとはAu−Sn半田等の低温ろう材で接合されているため両者間に隙間が生じやすく、両者間に隙間が生じるとコネクタ外周導体103aとこれに枠体102を介して電気的に接続しているアダプタ外周導体114bとの間の電気抵抗値が増大して高周波信号の反射特性が大きくなり、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化するという問題点も有していた。
【0017】
本発明は、上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、高周波信号の入出力時における高周波信号の反射損失が小さくすることにより光半導体素子収納用パッケージへの入力信号が劣化することなく光半導体素子まで伝送され、光半導体素子が良好に動作することが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子および回路基板が載置用基台を介して載置される載置部を有する基体と、この基体の前記上面に前記載置部を囲繞するように取着されるとともに、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状のコネクタ外周導体およびその中心軸に設置されたコネクタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたコネクタ絶縁体から成るとともに、前記貫通孔に嵌着されて前記コネクタ中心導体が前記回路基板を介して前記半導体素子に電気的に接続される同軸コネクタと、この同軸コネクタに取着され、筒状のアダプタ外周導体およびその中心軸に設置されたアダプタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたアダプタ絶縁体から成り、前記アダプタ中心導体の端部に前記コネクタ中心導体の端部を挿入し、前記アダプタ外周導体の端面を前記コネクタ外周導体の端面に当接させて、それぞれ電気的に接続される同軸アダプタとを具備することを特徴とするものである。
【0019】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタのコネクタ外周導体と同軸アダプタのアダプタ外周導体とが、アダプタ外周導体の端面をコネクタ外周導体の端面に当接することによって電気的に直接接続されることから、同軸コネクタおよび同軸アダプタ間のグランドラインの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子を良好に動作することができる。
【0020】
また、コネクタ外周導体とアダプタ外周導体とを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子をより良好に動作することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の半導体素子収納用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【0022】
図1は、本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、本例では、半導体素子収納用パッケージが光通信分野に用いられる光半導体素子収納用パッケージである場合の例を示している。また、図2〜4は、それぞれ図1に示す光半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図、同軸アダプタの断面図、および同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【0023】
図1において、1は容器本体の底面を構成する基体、2は容器本体の側壁用の枠体、3は高周波信号の入出力端子である同軸コネクタ、4は透光性部材5や金属ホルダ12を設置固定するための筒状の固定部材、5は透光性部材、6は蓋体、7はLD、PD等の光半導体素子である。そして主に、基体1、枠体2、同軸コネクタ3、固定部材4、透光性部材5および蓋体6とで内部に光半導体素子7を収容するための容器が構成される。
【0024】
また、固定部材4の外部側の端面には、光アイソレータ11と光ファイバ13とが樹脂接着剤で接着された金属ホルダ12が、YAGレーザ溶接等により固定される。さらに、同軸コネクタ3には同軸アダプタ14が取着され、同軸コネクタ3と外部電気回路との電気的接続を行なう。
【0025】
基体1は、光半導体素子7を支持するための支持部材ならびに光半導体素子7から発せられる熱を放散するための放熱板としての機能を有し、その上面の略中央部に光半導体素子7が載置用基台8を介して載置される載置部1aを有している。この載置部1aに、載置用基台8がSn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接着固定されるとともに、この低融点ろう材を介して光半導体素子7が発した熱が伝えられて外部に効率良く放散され、光半導体素子7の作動性を良好なものとする。
【0026】
基体1は、Fe−Ni−Co合金やCu−W合金等の金属材料から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れかつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚みが0.5〜9μm程度のNi層と厚みが0.5〜9μm程度のAu層を順次めっき法により被着させておくと、基体1が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、基体1上面に載置用基台8を介して光半導体素子7を強固に接着固着させることができる。
【0027】
載置用基台8は、SiやCu−W合金等の熱伝導性の高い金属等の材料から成り、光半導体素子7から基体1へ熱を伝えるための媒体として機能するとともに、その高さを適切に設定することにより透光性部材5と光半導体素子7との光軸を合致させる機能を有する。また、載置用基台8の上面には、上面に伝送線路としてのメタライズ金属層9aが形成された、アルミナ(Al2O3)等のセラミックス材料から成るインピーダンス整合用の回路基板9が搭載される。
【0028】
メタライズ金属層9aは、そのインピーダンスが同軸コネクタ3のコネクタ中心導体3cのインピーダンスと整合するように形成されたマイクロストリップ等の伝送線路であり、光半導体素子7にボンディングワイヤ10を介して接続することによりコネクタ中心導体3cと光半導体素子7とを電気的に接続する機能を有する。
【0029】
このようなメタライズ金属層9aは、Mo、Mn、W等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、回路基板9となるセラミックグリーンシートにあらかじめ従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートと同時に焼成することにより回路基板9の上面に被着形成される。なお、セラミックグリーンシートは、回路基板9がアルミナ質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペーストを、従来周知のドクターブレード法を採用してシートにすることにより製作される。
【0030】
また、基体1の上面には、載置部1aを囲繞するように枠体2が銀ろう等のろう材を介して接合されている。枠体2は、その一側部に光半導体素子7と外部電気回路(図示せず)とを電気的に接続する同軸コネクタ3を装着するための貫通孔2aが形成され、対向する側部には光半導体素子7と光結合するための光伝送路である貫通孔2bが形成されている。
【0031】
枠体2は、これと基体1とで光半導体素子7を収容する容器を構成するためのものであり、基体1との接合における熱歪みを小さくし両者の接合を強固なものにするとともに、光半導体素子収納用パッケージ外部との電磁的遮蔽を行なうために、基体1の熱膨張に近似するFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料を用いて形成される。
【0032】
このような枠体2は、例えばFe−Ni−Co合金から成る場合、Fe−Ni−Co合金のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れかつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚み0.5〜9μm程度のNi層および厚み0.5〜9μm程度のAu層を順次めっき法により被着させておくと、枠体2が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、貫通孔2a、2bにそれぞれ後述する同軸コネクタ3、透光性部材5を強固に接着固着させることができる。従って、枠体2の表面に厚みが0.5〜9μm程度のNi層および厚みが0.5〜9μm程度のAu層をめっき法により被着させておくことが好ましい。なお、貫通孔2a、2bは、一般に枠体2の側部の外面側に大径部を、内面側に大径部と同軸で連なる小径部を有する構造となっている。
【0033】
そして、貫通孔2aはその大径部の内周面に、同軸コネクタ3がAu−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けされる。このような同軸コネクタ3は図2に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、貫通孔2aの枠体2の外周面側に形成された大径部2cにAu−Sn合金半田等の低融点ろう材によりろう付けされる筒状のコネクタ外周導体3aと、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体3aの中心軸に設置されたコネクタ中心導体3cと、コネクタ外周導体3aおよびコネクタ中心導体3cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料、例えば有機材料であればテフロン(R)から成るコネクタ絶縁体3bとで構成されている。
【0034】
このような同軸コネクタ3は、外部電気回路と光半導体素子107とを電気的に接続する機能を有するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ機能を有する。そして同軸コネクタ103は、高周波信号が伝送されるコネクタ中心導体103cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るコネクタ外周導体103aおよび貫通孔102aの内周面部が、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。同軸コネクタ3は、このような同軸構造であることから、伝送される高周波信号の周波数が高くなってもコネクタ中心導体3cにインピーダンスの整合が困難になる部位が出現することはない。
【0035】
なお、同軸コネクタ3と光半導体素子7との電気的接続は、コネクタ中心導体3cの枠体2の内側に突出された一端と回路基板9上面に形成され、コネクタ中心導体3cの貫通孔2a内部のインピーダンスと同じになるように形成されたマイクロストリップ線路であるメタライズ金属層9aとをSn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接合するとともに、このメタライズ金属層9aと光半導体素子7とをボンディングワイヤ10で接続することにより成される。
【0036】
さらに、同軸コネクタ3の外側端部には、コネクタ中心導体3cが通常オス(凸)端子構造であるのでそれをメス(凹)端子構造に変換するために、あるいはコネクタ中心導体3cの径と外部電気回路の導体の径とが異なる場合に両者の電気的接続を良好となすために、同軸アダプタ14が取着されている。
【0037】
このような同軸アダプタ14は、図3に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体3aに電気的に接続するアダプタ外周導体14aと、アダプタ外周導体14aの中心軸に設置され、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成るとともにコネクタ中心導体3cと電気的に接続するアダプタ中心導体14cと、アダプタ外周導体14aおよびアダプタ中心導体14cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るアダプタ絶縁体14bとで構成されている。この同軸アダプタ14は同軸コネクタ3と同様に、高周波信号が伝送されるアダプタ中心導体14cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るアダプタ外周導体14aが、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0038】
なお、同軸アダプタ14の同軸コネクタ3への取着は、同軸アダプタ14が外周面にネジ山(オス)が形成された、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成る枠体14dに収納され、この同軸アダプタ14が収納された枠体14dを、図1の光半導体素子収納用パッケージの断面図に示すように、枠体2の側面外周面に設けた、内周面にネジ山(メス)が形成された収納部にネジ止めすることにより接合される。
【0039】
そして本発明の半導体素子収納用パッケージにおいては、同軸コネクタ3と同軸アダプタ14とは、アダプタ中心導体3cの端部にコネクタ中心導体14cの端部を挿入し、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接することによって電気的に直接接続されており、このことが重要である。
【0040】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタ3のコネクタ外周導体3aと同軸アダプタ14のアダプタ外周導体14aとが、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接することによって電気的に直接接続されていることから、同軸コネクタ3および同軸アダプタ14間のグランドラインGの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性を良好し、光半導体素子を良好に動作させることができる。
【0041】
また、コネクタ外周導体3aとアダプタ外周導体14aとを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性を良好とし、光半導体素子をより良好に作動させることができる。
【0042】
なお、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接するには、コネクタ絶縁体3bがコネクタ外周導体3aよりも0から0.1mm程度引っ込んでいる必要がある。これはアダプタ中心導体14cはその構造上、非常に壊れやすい構造をしているため、コネクタ絶縁体3bとアダプタ中心導体14cが接触するのを防ぐためである。またコネクタ絶縁体3bがセラミック、ガラスなど気密性を要求される場合は、アダプタ中心導体14cと接触することにより、クラックが入り気密性を損なう可能性がある。一方、コネクタ絶縁体3bの引っ込み量が0.1mm以上の場合、特性インピーダンスの不整合部が長くなりすぎてしまい、反射損失が増大する。
【0043】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージにおいては、コネクタ外周導体3aの面積が4mm2以上かつ、コネクタ外周導体3aの直径が6mm以下が望ましい。コネクタ外周導体3aの面積が4mm2より小さい場合、その面積に比例してコネクタ外周導体3aの肉厚も薄くなり、同軸アダプタ14を同軸コネクタ3に取付ける際にかかる締め付けトルクは1.8Nm程度であるので、コネクタ外周導体3aに一般に使用される金属であるFe−Ni−Co合金の耐えうる圧力を超えて、コネクタ外周導体3aを破損させる危険性が高くなる。なお、コネクタ外周導体3aが破損し変形した場合は、その部位の特性インピーダンスと他の部位のインピーダンスとのズレが発生し、反射損失が増大する。またセラミック、ガラスといった絶縁体3bを使用している場合は気密性を損なう危険性もある。
【0044】
一方、直径が6mmを超えると、同軸アダプタ14の枠体14dのネジサイズはM6以下と規格化されているので直径が6mm以上のものは取付けることが不可能になる場合あるので6mm以下が望ましい。
【0045】
さらに、枠体2外周面の貫通孔2bの開口周辺部には、筒状の固定部材4が銀ろう等のろう材で接合される。固定部材4は、枠体2と同じ熱膨張係数を有する、あるいは枠体2の熱膨張係数に近似するFe−Ni−Co合金、Fe−Ni合金等の金属から成り、外側端面に戻り光防止用の光アイソレータ11および光ファイバ13が樹脂接着剤で接着された金属ホルダ12が設けられ、また内部には集光レンズとして機能するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ透光性部材5が固定される。
【0046】
なお、この固定部材4と金属ホルダ12とは、各々の端面同士がYAGレーザ溶接等により固定され、他方、固定部材4と透光性部材5とは、固定部材4内周面に形成されためっき層と透光性部材5外周面に形成されためっき層とを、Au−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けすることにより固定される。
【0047】
なお、透光性部材5は、熱膨張係数が4×10−6〜12×10−6/℃(室温〜400℃)のサファイア(単結晶アルミナ)や非晶質ガラス等から成り、球状,半球状,凸レンズ状,ロッドレンズ状等とされ、外部のレーザ光等の光を光ファイバ13により伝送させて光半導体素子7に入力させる、または光半導体素子7で出力したレーザ光等の光を光ファイバ13に入力させるための集光用部材である。透光性部材5が例えば結晶軸の存在しない非晶質ガラスの場合、SiO2,酸化鉛(PbO)を主成分とする鉛系、またはホウ酸やケイ砂を主成分とするホウケイ酸系のものを用いるのがよい。
【0048】
かくして本発明の半導体素子収納用パッケージは、基体1の載置部1aに光半導体素子7やインピーダンス整合用等の回路基板9を搭載した載置用基台8を樹脂接着剤、ろう材等の接着剤を介して載置固定した後、コネクタ中心導体3cの一端を回路基板9上面のメタライズ金属層9aに低融点ろう材で接合するとともに、光半導体素子7とメタライズ金属層9aとをワイヤボンディング10で電気的に接続し、その後光アイソレータ11、光ファイバ13が固定された金属ホルダ12を固定部材4に溶接し、枠体2上面に蓋体6をシーム溶接やろう付け等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【0049】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行なうことは何ら支障ない。例えば、基体1と枠体2とが一般的に形成されたメタル・インジェクション・モールド(MIM)であっても良い。
【0050】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタのコネクタ外周導体と同軸アダプタのアダプタ外周導体とが、アダプタ外周導体の端面をコネクタ外周導体の端面に当接することによって電気的に直接接続されることから、同軸コネクタおよび同軸アダプタ間のグランドラインの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が良好となり、光半導体素子を良好に動作させることができる。
【0051】
また、コネクタ外周導体とアダプタ外周導体とを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が良好となり、光半導体素子をより良好に動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図である。
【図3】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸アダプタの断面図である。
【図4】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【図5】従来の半導体素子収納用パッケージを示す断面図である。
【図6】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図である。
【図7】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸アダプタの断面図である。
【図8】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・・・・・・基体
1a・・・・・・・・・・・・載置部
2・・・・・・・・・・・・枠体
2a,2b・・・・・・・・・貫通孔
3・・・・・・・・・・・・同軸コネクタ
3a・・・・・・・・・・・・コネクタ外周導体
3b・・・・・・・・・・・・コネクタ絶縁体
3c・・・・・・・・・・・・コネクタ中心導体
6・・・・・・・・・・・・蓋体
7・・・・・・・・・・・・半導体素子(光半導体素子)
8・・・・・・・・・・・・載置用基台
9・・・・・・・・・・・・回路基板
14・・・・・・・・・・・・同軸アダプタ
14a・・・・・・・・・・・・アダプタ外周導体
14b・・・・・・・・・・・・アダプタ絶縁体
14c・・・・・・・・・・・・アダプタ中心導体
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等で使用される高い周波数で作動する各種半導体素子に高周波信号を伝送する同軸コネクタおよび同軸アダプタを有する半導体素子収納用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等で使用される、高い周波数で作動する各種半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージのうち、光通信分野に用いられる光半導体素子収納用パッケージを図5に断面図で示す。
【0003】
同図に示すように、光半導体素子収納用パッケージは一般に、上面にLD(レーザダイオード)やPD(フォトダイオード)等の光半導体素子107が載置用基台108を介して載置される載置部101aを有するFe−Ni−Co合金やCu−W合金等の金属材料から成る基体101を有する。また、載置部101aを取囲むように基体101の上面に銀ろう等のろう材を介して接合され、一側部に光半導体素子107と外部電気回路(図示せず)とを電気的に接続する同軸コネクタ103を装着するための貫通孔102aが形成され、対向する側部に光半導体素子107と光結合するための光伝送路である貫通孔102bが形成された、Fe−Ni−Co合金等の金属材料から成る枠体102を有する。
【0004】
さらに、この枠体102外周面の貫通孔102bの開口周辺部には、筒状の固定部材104が銀ろう等のろう材で接合される。固定部材104は、枠体102と同じ熱膨張係数を有する、あるいは枠体102の熱膨張係数に近似するFe−Ni−Co合金、Fe−Ni合金等の金属から成り、外側端面に戻り光防止用の光アイソレータ111および光ファイバ113が樹脂接着剤で接着された金属ホルダ112が設けられ、また内部には非晶質ガラス等から成り、集光レンズとして機能するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ透光性部材105が固定される。
【0005】
なお、この固定部材104と金属ホルダ112とは、各々の端面同士がYAGレーザ溶接等により固定され、他方、固定部材104と透光性部材105とは、固定部材104内周面に形成されためっき層と透光性部材105外周面に形成されためっき層とを、Au−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けすることにより固定される。
【0006】
また、同軸コネクタ103は図6に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、貫通孔102aの枠体102外周面側に形成された大径部102cにAu−Sn合金半田等の低融点ろう材によりろう付けされる筒状のコネクタ外周導体103aと、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体103aの中心軸に設置されたコネクタ中心導体103cと、コネクタ外周導体103aおよびコネクタ中心導体103cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るコネクタ絶縁体103bとで構成されている。
【0007】
なお、同軸コネクタ103は、外部電気回路と光半導体素子107とを電気的に接続する機能を有するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ機能を有する。このような同軸コネクタ103は、高周波信号が伝送されるコネクタ中心導体103cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るコネクタ外周導体103aおよび貫通孔102aの内周面部が、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0008】
さらに、同軸コネクタ103の外側端部には、コネクタ中心導体103cが通常オス(凸)端子構造であるのでそれをメス(凹)端子構造に変換するために、あるいはコネクタ中心導体103cの径と外部電気回路の導体の径とが異なる場合に両者の電気的接続を良好となすために、同軸アダプタ114が取着されている。
【0009】
このような同軸アダプタ114は、図7に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体103aに電気的に接続するアダプタ外周導体114aと、アダプタ外周導体114aの中心軸に設置され、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成るとともにコネクタ中心導体103cと電気的に接続するアダプタ中心導体114cと、アダプタ外周導体114aおよびアダプタ中心導体114cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るアダプタ絶縁体114bとで構成されている。この同軸アダプタ114は同軸コネクタ103と同様に、高周波信号が伝送されるアダプタ中心導体114cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るアダプタ外周導体114aが、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0010】
なお、同軸アダプタ114の同軸コネクタ103への取着は、同軸アダプタ114が外周面にネジ山(オス)が形成された、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成る枠体114dに収納され、この同軸アダプタ114が収納された枠体114dを、図5の光半導体素子収納用パッケージの断面図に示すように、枠体102の側面外周面に設けた、内周面にネジ山(メス)が形成された収納部にネジ止めすることにより接合される。
【0011】
また、コネクタ中心導体103cと光半導体素子107との電気的接続は、コネクタ中心導体103cの枠体102内側に突出した一端と、回路基板109上面に形成され、インピーダンスがコネクタ中心導体103cの貫通孔102a内部でのインピーダンスと同じになるように形成された、マイクロストリップ線路であるメタライズ金属層109aとを、Sn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接合するとともに、このメタライズ金属層109aと光半導体素子107とをボンディングワイヤ110で接続することによりなされる。
【0012】
このような光半導体素子収納用パッケージは、光半導体素子107や回路基板109を搭載した載置用基台108を樹脂接着剤やろう材等の接着剤を介して基体101の載置部101aに載置固定した後、コネクタ中心導体103cの一端を回路基板109上面のメタライズ金属層109aに低融点ろう材で接合するとともに、光半導体素子107とメタライズ金属層109aとをボンディングワイヤ110で電気的に接続し、その後、光アイソレータ111、光ファイバ113が固定された金属ホルダ112を固定部材104に溶接し、枠体102上面に蓋体106をシーム溶接やろう付け等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【0013】
こうして製作された光半導体装置は、外部電気信号が同軸アダプタ114および同軸コネクタ103を介して光半導体素子収納用パッケージの内部に供給される。そして外部から供給される高周波信号により光半導体素子107を光励起させ、励起したレーザ光等の光を透光性部材105を通して光ファイバ113に授受させ光ファイバ113内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能し、光通信分野等に多く用いられている。
【0014】
〔特許文献1〕
特開平9−64219号公報
〔特許文献2〕
特開平2−234501号公報
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の光半導体素子収納用パッケージは、通常、同軸コネクタ103と同軸アダプタ114の大きさが大きく異なることから、コネクタ中心導体103cとアダプタ中心導体114cとは直接接続しているものの、コネクタ外周導体103aとアダプタ外周導体114aとは、図8に同軸コネクタ103と同軸アダプタ114との接合部の要部拡大断面図に示すように、金属製の枠体102を介して電気的に接続している。このため、外周導体103a,114a間のグランドラインの距離(グランドラインを図8に矢印で示す)が長いものとなり、その距離の長さに比例してグランドのL成分(誘導成分)が大きくなるとともに高周波信号の反射損失が大きくなり、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化するという問題点を有していた。
【0016】
また、枠体102とコネクタ外周導体103aとはAu−Sn半田等の低温ろう材で接合されているため両者間に隙間が生じやすく、両者間に隙間が生じるとコネクタ外周導体103aとこれに枠体102を介して電気的に接続しているアダプタ外周導体114bとの間の電気抵抗値が増大して高周波信号の反射特性が大きくなり、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化するという問題点も有していた。
【0017】
本発明は、上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、高周波信号の入出力時における高周波信号の反射損失が小さくすることにより光半導体素子収納用パッケージへの入力信号が劣化することなく光半導体素子まで伝送され、光半導体素子が良好に動作することが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子および回路基板が載置用基台を介して載置される載置部を有する基体と、この基体の前記上面に前記載置部を囲繞するように取着されるとともに、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状のコネクタ外周導体およびその中心軸に設置されたコネクタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたコネクタ絶縁体から成るとともに、前記貫通孔に嵌着されて前記コネクタ中心導体が前記回路基板を介して前記半導体素子に電気的に接続される同軸コネクタと、この同軸コネクタに取着され、筒状のアダプタ外周導体およびその中心軸に設置されたアダプタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたアダプタ絶縁体から成り、前記アダプタ中心導体の端部に前記コネクタ中心導体の端部を挿入し、前記アダプタ外周導体の端面を前記コネクタ外周導体の端面に当接させて、それぞれ電気的に接続される同軸アダプタとを具備することを特徴とするものである。
【0019】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタのコネクタ外周導体と同軸アダプタのアダプタ外周導体とが、アダプタ外周導体の端面をコネクタ外周導体の端面に当接することによって電気的に直接接続されることから、同軸コネクタおよび同軸アダプタ間のグランドラインの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子を良好に動作することができる。
【0020】
また、コネクタ外周導体とアダプタ外周導体とを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子をより良好に動作することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の半導体素子収納用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【0022】
図1は、本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、本例では、半導体素子収納用パッケージが光通信分野に用いられる光半導体素子収納用パッケージである場合の例を示している。また、図2〜4は、それぞれ図1に示す光半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図、同軸アダプタの断面図、および同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【0023】
図1において、1は容器本体の底面を構成する基体、2は容器本体の側壁用の枠体、3は高周波信号の入出力端子である同軸コネクタ、4は透光性部材5や金属ホルダ12を設置固定するための筒状の固定部材、5は透光性部材、6は蓋体、7はLD、PD等の光半導体素子である。そして主に、基体1、枠体2、同軸コネクタ3、固定部材4、透光性部材5および蓋体6とで内部に光半導体素子7を収容するための容器が構成される。
【0024】
また、固定部材4の外部側の端面には、光アイソレータ11と光ファイバ13とが樹脂接着剤で接着された金属ホルダ12が、YAGレーザ溶接等により固定される。さらに、同軸コネクタ3には同軸アダプタ14が取着され、同軸コネクタ3と外部電気回路との電気的接続を行なう。
【0025】
基体1は、光半導体素子7を支持するための支持部材ならびに光半導体素子7から発せられる熱を放散するための放熱板としての機能を有し、その上面の略中央部に光半導体素子7が載置用基台8を介して載置される載置部1aを有している。この載置部1aに、載置用基台8がSn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接着固定されるとともに、この低融点ろう材を介して光半導体素子7が発した熱が伝えられて外部に効率良く放散され、光半導体素子7の作動性を良好なものとする。
【0026】
基体1は、Fe−Ni−Co合金やCu−W合金等の金属材料から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れかつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚みが0.5〜9μm程度のNi層と厚みが0.5〜9μm程度のAu層を順次めっき法により被着させておくと、基体1が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、基体1上面に載置用基台8を介して光半導体素子7を強固に接着固着させることができる。
【0027】
載置用基台8は、SiやCu−W合金等の熱伝導性の高い金属等の材料から成り、光半導体素子7から基体1へ熱を伝えるための媒体として機能するとともに、その高さを適切に設定することにより透光性部材5と光半導体素子7との光軸を合致させる機能を有する。また、載置用基台8の上面には、上面に伝送線路としてのメタライズ金属層9aが形成された、アルミナ(Al2O3)等のセラミックス材料から成るインピーダンス整合用の回路基板9が搭載される。
【0028】
メタライズ金属層9aは、そのインピーダンスが同軸コネクタ3のコネクタ中心導体3cのインピーダンスと整合するように形成されたマイクロストリップ等の伝送線路であり、光半導体素子7にボンディングワイヤ10を介して接続することによりコネクタ中心導体3cと光半導体素子7とを電気的に接続する機能を有する。
【0029】
このようなメタライズ金属層9aは、Mo、Mn、W等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、回路基板9となるセラミックグリーンシートにあらかじめ従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートと同時に焼成することにより回路基板9の上面に被着形成される。なお、セラミックグリーンシートは、回路基板9がアルミナ質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペーストを、従来周知のドクターブレード法を採用してシートにすることにより製作される。
【0030】
また、基体1の上面には、載置部1aを囲繞するように枠体2が銀ろう等のろう材を介して接合されている。枠体2は、その一側部に光半導体素子7と外部電気回路(図示せず)とを電気的に接続する同軸コネクタ3を装着するための貫通孔2aが形成され、対向する側部には光半導体素子7と光結合するための光伝送路である貫通孔2bが形成されている。
【0031】
枠体2は、これと基体1とで光半導体素子7を収容する容器を構成するためのものであり、基体1との接合における熱歪みを小さくし両者の接合を強固なものにするとともに、光半導体素子収納用パッケージ外部との電磁的遮蔽を行なうために、基体1の熱膨張に近似するFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料を用いて形成される。
【0032】
このような枠体2は、例えばFe−Ni−Co合金から成る場合、Fe−Ni−Co合金のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れかつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚み0.5〜9μm程度のNi層および厚み0.5〜9μm程度のAu層を順次めっき法により被着させておくと、枠体2が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、貫通孔2a、2bにそれぞれ後述する同軸コネクタ3、透光性部材5を強固に接着固着させることができる。従って、枠体2の表面に厚みが0.5〜9μm程度のNi層および厚みが0.5〜9μm程度のAu層をめっき法により被着させておくことが好ましい。なお、貫通孔2a、2bは、一般に枠体2の側部の外面側に大径部を、内面側に大径部と同軸で連なる小径部を有する構造となっている。
【0033】
そして、貫通孔2aはその大径部の内周面に、同軸コネクタ3がAu−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けされる。このような同軸コネクタ3は図2に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、貫通孔2aの枠体2の外周面側に形成された大径部2cにAu−Sn合金半田等の低融点ろう材によりろう付けされる筒状のコネクタ外周導体3aと、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体3aの中心軸に設置されたコネクタ中心導体3cと、コネクタ外周導体3aおよびコネクタ中心導体3cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料、例えば有機材料であればテフロン(R)から成るコネクタ絶縁体3bとで構成されている。
【0034】
このような同軸コネクタ3は、外部電気回路と光半導体素子107とを電気的に接続する機能を有するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ機能を有する。そして同軸コネクタ103は、高周波信号が伝送されるコネクタ中心導体103cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るコネクタ外周導体103aおよび貫通孔102aの内周面部が、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。同軸コネクタ3は、このような同軸構造であることから、伝送される高周波信号の周波数が高くなってもコネクタ中心導体3cにインピーダンスの整合が困難になる部位が出現することはない。
【0035】
なお、同軸コネクタ3と光半導体素子7との電気的接続は、コネクタ中心導体3cの枠体2の内側に突出された一端と回路基板9上面に形成され、コネクタ中心導体3cの貫通孔2a内部のインピーダンスと同じになるように形成されたマイクロストリップ線路であるメタライズ金属層9aとをSn−Pb半田等の低融点ろう材を介して接合するとともに、このメタライズ金属層9aと光半導体素子7とをボンディングワイヤ10で接続することにより成される。
【0036】
さらに、同軸コネクタ3の外側端部には、コネクタ中心導体3cが通常オス(凸)端子構造であるのでそれをメス(凹)端子構造に変換するために、あるいはコネクタ中心導体3cの径と外部電気回路の導体の径とが異なる場合に両者の電気的接続を良好となすために、同軸アダプタ14が取着されている。
【0037】
このような同軸アダプタ14は、図3に断面図で示すように、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成り、コネクタ外周導体3aに電気的に接続するアダプタ外周導体14aと、アダプタ外周導体14aの中心軸に設置され、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成るとともにコネクタ中心導体3cと電気的に接続するアダプタ中心導体14cと、アダプタ外周導体14aおよびアダプタ中心導体14cの間に介在させた、有機材料やセラミックス、ガラス等の絶縁物のうち誘電率および誘電損失が比較的小さい絶縁材料から成るアダプタ絶縁体14bとで構成されている。この同軸アダプタ14は同軸コネクタ3と同様に、高周波信号が伝送されるアダプタ中心導体14cと、それを取囲む部位、すなわち金属から成るアダプタ外周導体14aが、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【0038】
なお、同軸アダプタ14の同軸コネクタ3への取着は、同軸アダプタ14が外周面にネジ山(オス)が形成された、Fe−Ni−Co合金やCu−Be合金等の金属材料から成る枠体14dに収納され、この同軸アダプタ14が収納された枠体14dを、図1の光半導体素子収納用パッケージの断面図に示すように、枠体2の側面外周面に設けた、内周面にネジ山(メス)が形成された収納部にネジ止めすることにより接合される。
【0039】
そして本発明の半導体素子収納用パッケージにおいては、同軸コネクタ3と同軸アダプタ14とは、アダプタ中心導体3cの端部にコネクタ中心導体14cの端部を挿入し、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接することによって電気的に直接接続されており、このことが重要である。
【0040】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタ3のコネクタ外周導体3aと同軸アダプタ14のアダプタ外周導体14aとが、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接することによって電気的に直接接続されていることから、同軸コネクタ3および同軸アダプタ14間のグランドラインGの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性を良好し、光半導体素子を良好に動作させることができる。
【0041】
また、コネクタ外周導体3aとアダプタ外周導体14aとを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性を良好とし、光半導体素子をより良好に作動させることができる。
【0042】
なお、アダプタ外周導体14aの端面をコネクタ外周導体3aの端面に当接するには、コネクタ絶縁体3bがコネクタ外周導体3aよりも0から0.1mm程度引っ込んでいる必要がある。これはアダプタ中心導体14cはその構造上、非常に壊れやすい構造をしているため、コネクタ絶縁体3bとアダプタ中心導体14cが接触するのを防ぐためである。またコネクタ絶縁体3bがセラミック、ガラスなど気密性を要求される場合は、アダプタ中心導体14cと接触することにより、クラックが入り気密性を損なう可能性がある。一方、コネクタ絶縁体3bの引っ込み量が0.1mm以上の場合、特性インピーダンスの不整合部が長くなりすぎてしまい、反射損失が増大する。
【0043】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージにおいては、コネクタ外周導体3aの面積が4mm2以上かつ、コネクタ外周導体3aの直径が6mm以下が望ましい。コネクタ外周導体3aの面積が4mm2より小さい場合、その面積に比例してコネクタ外周導体3aの肉厚も薄くなり、同軸アダプタ14を同軸コネクタ3に取付ける際にかかる締め付けトルクは1.8Nm程度であるので、コネクタ外周導体3aに一般に使用される金属であるFe−Ni−Co合金の耐えうる圧力を超えて、コネクタ外周導体3aを破損させる危険性が高くなる。なお、コネクタ外周導体3aが破損し変形した場合は、その部位の特性インピーダンスと他の部位のインピーダンスとのズレが発生し、反射損失が増大する。またセラミック、ガラスといった絶縁体3bを使用している場合は気密性を損なう危険性もある。
【0044】
一方、直径が6mmを超えると、同軸アダプタ14の枠体14dのネジサイズはM6以下と規格化されているので直径が6mm以上のものは取付けることが不可能になる場合あるので6mm以下が望ましい。
【0045】
さらに、枠体2外周面の貫通孔2bの開口周辺部には、筒状の固定部材4が銀ろう等のろう材で接合される。固定部材4は、枠体2と同じ熱膨張係数を有する、あるいは枠体2の熱膨張係数に近似するFe−Ni−Co合金、Fe−Ni合金等の金属から成り、外側端面に戻り光防止用の光アイソレータ11および光ファイバ13が樹脂接着剤で接着された金属ホルダ12が設けられ、また内部には集光レンズとして機能するとともに光半導体素子収納用パッケージ内部を気密に塞ぐ透光性部材5が固定される。
【0046】
なお、この固定部材4と金属ホルダ12とは、各々の端面同士がYAGレーザ溶接等により固定され、他方、固定部材4と透光性部材5とは、固定部材4内周面に形成されためっき層と透光性部材5外周面に形成されためっき層とを、Au−Sn合金半田等の低融点ろう材でろう付けすることにより固定される。
【0047】
なお、透光性部材5は、熱膨張係数が4×10−6〜12×10−6/℃(室温〜400℃)のサファイア(単結晶アルミナ)や非晶質ガラス等から成り、球状,半球状,凸レンズ状,ロッドレンズ状等とされ、外部のレーザ光等の光を光ファイバ13により伝送させて光半導体素子7に入力させる、または光半導体素子7で出力したレーザ光等の光を光ファイバ13に入力させるための集光用部材である。透光性部材5が例えば結晶軸の存在しない非晶質ガラスの場合、SiO2,酸化鉛(PbO)を主成分とする鉛系、またはホウ酸やケイ砂を主成分とするホウケイ酸系のものを用いるのがよい。
【0048】
かくして本発明の半導体素子収納用パッケージは、基体1の載置部1aに光半導体素子7やインピーダンス整合用等の回路基板9を搭載した載置用基台8を樹脂接着剤、ろう材等の接着剤を介して載置固定した後、コネクタ中心導体3cの一端を回路基板9上面のメタライズ金属層9aに低融点ろう材で接合するとともに、光半導体素子7とメタライズ金属層9aとをワイヤボンディング10で電気的に接続し、その後光アイソレータ11、光ファイバ13が固定された金属ホルダ12を固定部材4に溶接し、枠体2上面に蓋体6をシーム溶接やろう付け等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【0049】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行なうことは何ら支障ない。例えば、基体1と枠体2とが一般的に形成されたメタル・インジェクション・モールド(MIM)であっても良い。
【0050】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタのコネクタ外周導体と同軸アダプタのアダプタ外周導体とが、アダプタ外周導体の端面をコネクタ外周導体の端面に当接することによって電気的に直接接続されることから、同軸コネクタおよび同軸アダプタ間のグランドラインの距離が最短となり、グランドのL成分(誘導成分)が最小となるとともに高周波信号の反射損失を低く抑えることができ、その結果、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が良好となり、光半導体素子を良好に動作させることができる。
【0051】
また、コネクタ外周導体とアダプタ外周導体とを直接接続しているので、両者間に隙間が生じて電気抵抗値が増大することなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が劣化することがなく、光半導体素子収納用パッケージの高周波特性が良好となり、光半導体素子をより良好に動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図である。
【図3】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸アダプタの断面図である。
【図4】図1に示す半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【図5】従来の半導体素子収納用パッケージを示す断面図である。
【図6】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタの断面図である。
【図7】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸アダプタの断面図である。
【図8】従来の半導体素子収納用パッケージを構成する同軸コネクタと同軸アダプタとの接合部の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・・・・・・基体
1a・・・・・・・・・・・・載置部
2・・・・・・・・・・・・枠体
2a,2b・・・・・・・・・貫通孔
3・・・・・・・・・・・・同軸コネクタ
3a・・・・・・・・・・・・コネクタ外周導体
3b・・・・・・・・・・・・コネクタ絶縁体
3c・・・・・・・・・・・・コネクタ中心導体
6・・・・・・・・・・・・蓋体
7・・・・・・・・・・・・半導体素子(光半導体素子)
8・・・・・・・・・・・・載置用基台
9・・・・・・・・・・・・回路基板
14・・・・・・・・・・・・同軸アダプタ
14a・・・・・・・・・・・・アダプタ外周導体
14b・・・・・・・・・・・・アダプタ絶縁体
14c・・・・・・・・・・・・アダプタ中心導体
Claims (1)
- 上面に半導体素子および回路基板が載置用基台を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上面に前記載置部を囲繞するように取着されるとともに、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状のコネクタ外周導体およびその中心軸に設置されたコネクタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたコネクタ絶縁体から成るとともに、前記貫通孔に嵌着されて前記コネクタ中心導体が前記回路基板を介して前記半導体素子に電気的に接続される同軸コネクタと、該同軸コネクタに取着され、筒状のアダプタ外周導体およびその中心軸に設置されたアダプタ中心導体ならびにそれらの間に介在させたアダプタ絶縁体から成り、前記アダプタ中心導体の端部に前記コネクタ中心導体の端部を挿入し、前記アダプタ外周導体の端面を前記コネクタ外周導体の端面に当接させて、それぞれ電気的に接続される同軸アダプタとを具備することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2003049426A JP2004259609A (ja) | 2003-02-26 | 2003-02-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
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Publications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004259609A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007323865A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 同軸コネクタとそれを用いた半導体素子収納用パッケージとこれらに接続される同軸アダプタ |
JP2017103271A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | フォトンリサーチ株式会社 | 半導体レーザー光源モジュール、レーザー光源装置、半導体レーザー光源モジュールの製造方法、及びレーザー光源装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-02-26 JP JP2003049426A patent/JP2004259609A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106816810A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 光研公司 | 半导体激光光源模块及其制造方法、激光光源装置及其制造方法 |
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