JP2999007B2 - 赤外線吸収フィルタ− - Google Patents
赤外線吸収フィルタ−Info
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- JP2999007B2 JP2999007B2 JP3086738A JP8673891A JP2999007B2 JP 2999007 B2 JP2999007 B2 JP 2999007B2 JP 3086738 A JP3086738 A JP 3086738A JP 8673891 A JP8673891 A JP 8673891A JP 2999007 B2 JP2999007 B2 JP 2999007B2
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- Japan
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- carbon atoms
- less carbon
- infrared absorption
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線の透過量を調節
するための赤外線吸収フィルターに関する。
するための赤外線吸収フィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業、建築、農業等の各種の
産業分野において、フィルタ−による赤外領域の透過光
調節がさかんに行われており、中でも光学読み取り装置
においてその重要性が増加しつつある。
産業分野において、フィルタ−による赤外領域の透過光
調節がさかんに行われており、中でも光学読み取り装置
においてその重要性が増加しつつある。
【０００３】このような赤外線吸収フィルターとして
は、例えば、特開昭６１−１３４７０２号公報に開示さ
れているように、赤外線吸収体として、特定のナフタレ
ン誘導体が使用されている。
は、例えば、特開昭６１−１３４７０２号公報に開示さ
れているように、赤外線吸収体として、特定のナフタレ
ン誘導体が使用されている。
【０００４】しかしながら、上記赤外線吸収フィルタ−
においては、赤外線吸収体が低分子化合物であるため化
合物の分散性が悪く、従って、その化合物の分散状態に
よってフィルターの赤外線吸収特性が変わる恐れがあ
り、安定した赤外線吸収特性を有するフィルターが得ら
れないという欠点があり、しかもフィルターを作製した
後では、その赤外線吸収強度を変えることが出来ないの
で、例えば、用途や目的に応じて赤外線吸収強度の異な
る種々のフィルターを得たい場合には、フィルターの構
成や膜厚を変えて対応する必要があった。
においては、赤外線吸収体が低分子化合物であるため化
合物の分散性が悪く、従って、その化合物の分散状態に
よってフィルターの赤外線吸収特性が変わる恐れがあ
り、安定した赤外線吸収特性を有するフィルターが得ら
れないという欠点があり、しかもフィルターを作製した
後では、その赤外線吸収強度を変えることが出来ないの
で、例えば、用途や目的に応じて赤外線吸収強度の異な
る種々のフィルターを得たい場合には、フィルターの構
成や膜厚を変えて対応する必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線吸収特
性が均一で、しかも、吸収強度を後処理によって容易に
変化させることの出来る赤外線吸収フィルターを提供す
るところにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線吸収特
性が均一で、しかも、吸収強度を後処理によって容易に
変化させることの出来る赤外線吸収フィルターを提供す
るところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線吸収フィ
ルターは、少なくとも一層以上の有機層で構成されてい
る。
ルターは、少なくとも一層以上の有機層で構成されてい
る。
【０００７】上記有機層は、化学的あるいは電気化学的
にド−ピングされたアセチレン系高分子を主体としてお
り、該アセチレン系高分子は、下記一般式(I) で表され
る構成単位を繰り返し単位とするアセチレン系高分子と
なされている。
にド−ピングされたアセチレン系高分子を主体としてお
り、該アセチレン系高分子は、下記一般式(I) で表され
る構成単位を繰り返し単位とするアセチレン系高分子と
なされている。
【０００８】
【化３】
【０００９】式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素、炭素数１
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロア
ルキル基、炭素数６以下のアルキルアミノ基および下記
一般式(II)で表される置換シリル基であり、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 のうち少なくとも１つは一般式(II)で表され
る置換シリル基である。
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロア
ルキル基、炭素数６以下のアルキルアミノ基および下記
一般式(II)で表される置換シリル基であり、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 のうち少なくとも１つは一般式(II)で表され
る置換シリル基である。
【００１０】
【化４】
【００１１】式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は水素、炭素数１
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロア
ルキル基、炭素数６以下のアルキルアミノ基、アリ−ル
基、アリ−ルオキシ基、ベンジル基および置換ベンジル
基であり、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 のうち少なくとも１つはア
リ−ル基、アリ−ルオキシ基、ベンジル基および置換ベ
ンジル基よりなる群より選ばれる有機基である。
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロア
ルキル基、炭素数６以下のアルキルアミノ基、アリ−ル
基、アリ−ルオキシ基、ベンジル基および置換ベンジル
基であり、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 のうち少なくとも１つはア
リ−ル基、アリ−ルオキシ基、ベンジル基および置換ベ
ンジル基よりなる群より選ばれる有機基である。
【００１２】上記アセチレン系高分子としては、例え
ば、ポリ〔ｏ−（ジメチルフェニルシリル）フェニルア
セチレン〕、ポリ〔ｐ−（ジメチルフェニルシリル）フ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（ジフェニルメチルシ
リル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−（ジフェニル
メチルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（ト
リフェニルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−
（トリフェニルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ
〔ｏ−（トリルジメチルシリル）フェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｐ−（トリルジメチルシリル）フェニルア
セチレン〕、ポリ〔ｏ−（ベンジルジメチルシリル）フ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−（ベンジルジメチルシ
リル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（フェネチル
ジメチルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−
（フェネチルジメチルシリル）フェニルアセチレン〕等
があげられる。
ば、ポリ〔ｏ−（ジメチルフェニルシリル）フェニルア
セチレン〕、ポリ〔ｐ−（ジメチルフェニルシリル）フ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（ジフェニルメチルシ
リル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−（ジフェニル
メチルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（ト
リフェニルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−
（トリフェニルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ
〔ｏ−（トリルジメチルシリル）フェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｐ−（トリルジメチルシリル）フェニルア
セチレン〕、ポリ〔ｏ−（ベンジルジメチルシリル）フ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−（ベンジルジメチルシ
リル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−（フェネチル
ジメチルシリル）フェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−
（フェネチルジメチルシリル）フェニルアセチレン〕等
があげられる。
【００１３】上記アセチレン系高分子の製造方法は任意
の方法が採用されてよく、例えば、特開昭６３−９２６
１９に記載されている方法があげられる。上記アセチレ
ン系高分子は、後処理として、化学的方法あるいは電気
化学的方法でド−プ（酸化）することにより、赤外領域
に強い吸収をもつ材料となる。
の方法が採用されてよく、例えば、特開昭６３−９２６
１９に記載されている方法があげられる。上記アセチレ
ン系高分子は、後処理として、化学的方法あるいは電気
化学的方法でド−プ（酸化）することにより、赤外領域
に強い吸収をもつ材料となる。
【００１４】上記ド−プ方法としては、従来公知の方法
が使用でき、化学的方法としては、例えば、塩素や沃
素、硝酸、塩化第２鉄など種々の酸化剤を気相もしくは
液相で直接接触させる方法があり、電気化学的方法とし
ては、例えば、過塩素酸リチウムなどをアセトニトリル
等の溶媒に溶解した電解液中で電極酸化させる方法があ
る。なお、ドープ量の調節は酸化剤の濃度、接触時間、
電解時間などを制御することにより可能である。
が使用でき、化学的方法としては、例えば、塩素や沃
素、硝酸、塩化第２鉄など種々の酸化剤を気相もしくは
液相で直接接触させる方法があり、電気化学的方法とし
ては、例えば、過塩素酸リチウムなどをアセトニトリル
等の溶媒に溶解した電解液中で電極酸化させる方法があ
る。なお、ドープ量の調節は酸化剤の濃度、接触時間、
電解時間などを制御することにより可能である。
【００１５】本発明の赤外線吸収フィルターは、上記ド
ーピングされたアセチレン系高分子からなる有機層を少
なくとも一層有しておればよく、複数層積層されていて
もよい。また、そのフィルターの形態は目的に応じて種
々変更することができ、例えば、基材に有機層が積層さ
れていてもよいし、基材間に有機層が挟み込まれていて
もよいが、基材に有機層が積層された形態が好ましい。
ーピングされたアセチレン系高分子からなる有機層を少
なくとも一層有しておればよく、複数層積層されていて
もよい。また、そのフィルターの形態は目的に応じて種
々変更することができ、例えば、基材に有機層が積層さ
れていてもよいし、基材間に有機層が挟み込まれていて
もよいが、基材に有機層が積層された形態が好ましい。
【００１６】上記基材としては、目的とする赤外領域に
吸収を持たない透明性の材料が好ましく、このような材
料としては、例えば、ガラスや、アクリル系、ビニル
系、ビニル系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポ
リアミド系、ポリカーボネ−ト系等のホモポリマー、コ
ポリマー、ポリマーブレンド物などがあげられ、これら
の中から適宜選択して使用すればよい。
吸収を持たない透明性の材料が好ましく、このような材
料としては、例えば、ガラスや、アクリル系、ビニル
系、ビニル系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポ
リアミド系、ポリカーボネ−ト系等のホモポリマー、コ
ポリマー、ポリマーブレンド物などがあげられ、これら
の中から適宜選択して使用すればよい。
【００１７】上記基材に有機層を積層する方法としては
特に限定されるものではないが、前記アセチレン系高分
子をトルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の溶媒に溶
解し、得られた溶液を基材に塗布して乾燥する方法が好
ましいまた、上記有機層の膜厚は目的に応じて適宜設定
すればよく、通常、５００〜８０００Åが好ましく、よ
り好ましくは１０００〜６０００Åである。
特に限定されるものではないが、前記アセチレン系高分
子をトルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の溶媒に溶
解し、得られた溶液を基材に塗布して乾燥する方法が好
ましいまた、上記有機層の膜厚は目的に応じて適宜設定
すればよく、通常、５００〜８０００Åが好ましく、よ
り好ましくは１０００〜６０００Åである。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１９】（実施例１）ポリ〔ｏ−（ジメチルフェニ
ルシリル）フェニルアセチレン〕１ｇをトルエン１０ｍ
ｌに溶解した溶液を、ガラス基材上にスピンコ−ト（８
００ｒｐｍ）し、乾燥して未ド−プ状態のフィルタ−を
得た（膜厚：１６００Å）。得られた未ド−プ状態のフ
ィルタ−の光透過特性を図１に示した。
ルシリル）フェニルアセチレン〕１ｇをトルエン１０ｍ
ｌに溶解した溶液を、ガラス基材上にスピンコ−ト（８
００ｒｐｍ）し、乾燥して未ド−プ状態のフィルタ−を
得た（膜厚：１６００Å）。得られた未ド−プ状態のフ
ィルタ−の光透過特性を図１に示した。
【００２０】上記未ド−プ状態のフィルタ−を濃硝酸の
飽和蒸気中に２５℃で１分間放置してポリ〔ｏ−（ジメ
チルフェニルシリル）フェニルアセチレン〕をド−プ
（酸化）し、赤外線吸収フィルタ−を得た。得られた赤
外線吸収フィルタ−の光透過特性を図２に示した。
飽和蒸気中に２５℃で１分間放置してポリ〔ｏ−（ジメ
チルフェニルシリル）フェニルアセチレン〕をド−プ
（酸化）し、赤外線吸収フィルタ−を得た。得られた赤
外線吸収フィルタ−の光透過特性を図２に示した。
【００２１】図１と図２の比較により、ド−プ前後にお
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から１８％以下に変化することを確認した。
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から１８％以下に変化することを確認した。
【００２２】（実施例２）実施例１において、ド−プ方
法として、６０％硝酸中に２０℃で３秒間浸漬する方法
を用いた以外は、実施例１と同様にして赤外線吸収フィ
ルタ−を得た。得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過
特性を図３に示した。
法として、６０％硝酸中に２０℃で３秒間浸漬する方法
を用いた以外は、実施例１と同様にして赤外線吸収フィ
ルタ−を得た。得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過
特性を図３に示した。
【００２３】図１と図３の比較により、ド−プ前後にお
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から３０％以下に変化することを確認した。
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から３０％以下に変化することを確認した。
【００２４】（実施例３）実施例１において、ド−プ方
法として、２５％硝酸中に２０℃で１分間浸漬する方法
を用いた以外は、実施例１と同様にして赤外線吸収フィ
ルタ−を得た。得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過
特性を図４に示した。
法として、２５％硝酸中に２０℃で１分間浸漬する方法
を用いた以外は、実施例１と同様にして赤外線吸収フィ
ルタ−を得た。得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過
特性を図４に示した。
【００２５】図１と図４の比較により、ド−プ前後にお
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から５０％以下に変化することを確認した。
いて、波長１１００〜１６００nmの透過率が６０％以上
から５０％以下に変化することを確認した。
【００２６】
【発明の効果】本発明の赤外線吸収フイルターは、上述
した通り、特定のアセチレン系高分子からなる有機層を
使用しているから、均一な組成の膜が作製可能であり、
しかもドーピングにより均一な赤外線吸収強度を有する
フィルターを容易に得ることができる。
した通り、特定のアセチレン系高分子からなる有機層を
使用しているから、均一な組成の膜が作製可能であり、
しかもドーピングにより均一な赤外線吸収強度を有する
フィルターを容易に得ることができる。
【００２７】また、有機層の構成そのものを変えずに酸
化ドープ量を変化させることにより、赤外線吸収強度を
調節することができるし、同じフィルターにおいてその
一部の吸収強度を変化させることも可能である。
化ドープ量を変化させることにより、赤外線吸収強度を
調節することができるし、同じフィルターにおいてその
一部の吸収強度を変化させることも可能である。
【図１】実施例１における未ド−プ状態のフィルタ−の
光透過特性を示す図。
光透過特性を示す図。
【図２】実施例１における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
【図３】実施例２における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
【図４】実施例３における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】化学的あるいは電気化学的にド−ピングさ
れたアセチレン系高分子を主体とする少なくとも一層以
上の有機層からなる赤外線吸収フィルタ−において、上
記アセチレン系高分子が、下記一般式(I) で表される構
成単位を繰り返し単位とするアセチレン系高分子である
ことを特徴とする赤外線吸収フィルタ−。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素、炭素数１０以下のア
ルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、
炭素数６以下のアルキルアミノ基および下記一般式(II)
で表される置換シリル基を示し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 のう
ち少なくとも１つは一般式(II)で表される置換シリル
基） 【化２】 （式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は水素、炭素数１０以下のア
ルキル基、炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、
炭素数６以下のアルキルアミノ基、アリ−ル基、アリ−
ルオキシ基、ベンジル基および置換ベンジル基を示し、
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 のうち少なくとも１つはアリ−ル基、
アリ−ルオキシ基、ベンジル基および置換ベンジル基よ
りなる群より選ばれる有機基）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3086738A JP2999007B2 (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3086738A JP2999007B2 (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318801A JPH04318801A (ja) | 1992-11-10 |
| JP2999007B2 true JP2999007B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=13895157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3086738A Expired - Fee Related JP2999007B2 (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999007B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4936445B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-05-23 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | アセチレン系ポリマー |
| EP1964861B1 (en) | 2005-11-25 | 2012-10-17 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Acetylene-based polymer |
| JP5019284B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-09-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 共役系透明高分子材料組成物 |
| JP5019509B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-09-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 共役系透明高分子材料組成物 |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP3086738A patent/JP2999007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04318801A (ja) | 1992-11-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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