JP2998835B2 - 含フッ素ポリイミド光学材料 - Google Patents
含フッ素ポリイミド光学材料Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品や光部品の
ための、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に関する。
ための、低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドは種々の有機ポリマーの中で
耐熱性に優れているため、宇宙、航空分野から電子通信
分野まで幅広く使われ始めている。特に最近では、単に
耐熱性に優れているだけでなく、用途に応じて種々の性
能を合せ持つことが期待されている。例えばプリント板
や、ＬＳＩ用の層間絶縁膜用材料には、低熱膨張係数、
低誘電率であることが期待されている。また、光通信関
係特に光導波路のクラッド材には屈折率が小さいことが
期待され、特にシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作
製する光部品等では低屈折率、低熱膨張率であることが
期待されている。更に、安定な物性値を保つには、吸水
率の小さなことが必要である。しかしながら、これらの
性能に充分満足のいくポリイミドは得られていない。こ
れらのポリイミドを得るためには、ポリイミドの主鎖を
できる限り剛直構造にして低熱膨張性を発現させ、更に
モノマーであるテトラカルボン酸二無水物又はジアミン
に低誘電率性、低屈折率性を発現する置換基を導入する
方法が考えられる。例えばエポキシ樹脂においては、ジ
ャーナル オブ ポリマー サイエンス（Journal ofPo
lymer Science) のパート(Part)Ｃ、ポリマー レター
ズ (Polymer Letters) 、第２４巻、第２４９頁（１９
８６）に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フッ素置換基を導入することにより、これまでのエポキ
シ樹脂の中で最も低い誘電率を達成している。また特開
昭６１−４４９６９号公報で示されているように、屈折
率においても多フッ素置換基を導入することにより、こ
れまでのエポキシ樹脂の中で最も低い屈折率を達成して
いる。このようにポリイミド骨格にフッ素置換基を導入
することにより、誘電率、屈折率の低減が期待できる。
本発明の低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドの製造方法
は、特公平２−１４３６５号（特開昭５９−１８９１２
２号）公報において低吸湿かつ耐熱性を有する含フッ素
ポリイミドの製造方法として概括的に記載されている
が、本発明に用いる含フッ素ポリイミド、及びその誘電
率、及び屈折率については全く触れられていない。ま
た、特開昭６０−２２１４２７号、同６１−６０７２５
号、同６１−１７６１９６号、同６２−１２７８２７
号、及び同６２−２８０２５７号各公報には、含フッ素
ポリイミドが低熱膨張率であるために、低熱膨張樹脂材
料、金属との複合体、モジュール用配線基板、液晶配向
膜用組成物、及び低粘度ワニスとして適していることが
記載されているが、電子部品用絶縁材料として重要な誘
電率、及び光部品用材料として重要な屈折率については
全く触れられていない。
耐熱性に優れているため、宇宙、航空分野から電子通信
分野まで幅広く使われ始めている。特に最近では、単に
耐熱性に優れているだけでなく、用途に応じて種々の性
能を合せ持つことが期待されている。例えばプリント板
や、ＬＳＩ用の層間絶縁膜用材料には、低熱膨張係数、
低誘電率であることが期待されている。また、光通信関
係特に光導波路のクラッド材には屈折率が小さいことが
期待され、特にシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作
製する光部品等では低屈折率、低熱膨張率であることが
期待されている。更に、安定な物性値を保つには、吸水
率の小さなことが必要である。しかしながら、これらの
性能に充分満足のいくポリイミドは得られていない。こ
れらのポリイミドを得るためには、ポリイミドの主鎖を
できる限り剛直構造にして低熱膨張性を発現させ、更に
モノマーであるテトラカルボン酸二無水物又はジアミン
に低誘電率性、低屈折率性を発現する置換基を導入する
方法が考えられる。例えばエポキシ樹脂においては、ジ
ャーナル オブ ポリマー サイエンス（Journal ofPo
lymer Science) のパート(Part)Ｃ、ポリマー レター
ズ (Polymer Letters) 、第２４巻、第２４９頁（１９
８６）に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フッ素置換基を導入することにより、これまでのエポキ
シ樹脂の中で最も低い誘電率を達成している。また特開
昭６１−４４９６９号公報で示されているように、屈折
率においても多フッ素置換基を導入することにより、こ
れまでのエポキシ樹脂の中で最も低い屈折率を達成して
いる。このようにポリイミド骨格にフッ素置換基を導入
することにより、誘電率、屈折率の低減が期待できる。
本発明の低誘電率及び低屈折率を有する含フッ素ポリイ
ミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドの製造方法
は、特公平２−１４３６５号（特開昭５９−１８９１２
２号）公報において低吸湿かつ耐熱性を有する含フッ素
ポリイミドの製造方法として概括的に記載されている
が、本発明に用いる含フッ素ポリイミド、及びその誘電
率、及び屈折率については全く触れられていない。ま
た、特開昭６０−２２１４２７号、同６１−６０７２５
号、同６１−１７６１９６号、同６２−１２７８２７
号、及び同６２−２８０２５７号各公報には、含フッ素
ポリイミドが低熱膨張率であるために、低熱膨張樹脂材
料、金属との複合体、モジュール用配線基板、液晶配向
膜用組成物、及び低粘度ワニスとして適していることが
記載されているが、電子部品用絶縁材料として重要な誘
電率、及び光部品用材料として重要な屈折率については
全く触れられていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、含フ
ッ素ポリイミドを電子部品や光部品のための低誘電率及
び低屈折率を有する光学材料として提供することにあ
る。
ッ素ポリイミドを電子部品や光部品のための低誘電率及
び低屈折率を有する光学材料として提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は含フッ素ポリイミド光学材料に関する発明であっ
て、下記一般式（化１）：
発明は含フッ素ポリイミド光学材料に関する発明であっ
て、下記一般式（化１）：
【０００５】
【化１】
【０００６】（式中Ｘは水素又はトリフルオロメチル基
を示し、Ｒ1 は下記の構造式（化２）〜（化４）：
を示し、Ｒ1 は下記の構造式（化２）〜（化４）：
【０００７】
【化２】
【０００８】
【化３】
【０００９】
【化４】
【００１０】で表される基よりなる群から選択した２価
の有機基を示す〕で表される繰り返し単位からなること
を特徴とする。
の有機基を示す〕で表される繰り返し単位からなること
を特徴とする。
【００１１】本発明者らは、含フッ素化ポリイミドの分
子構造について種々検討し、下記に示す特定のジアミン
と特定の酸二無水物を用いたポリイミドが低誘電率及び
低屈折率を有していることを明らかにした。
子構造について種々検討し、下記に示す特定のジアミン
と特定の酸二無水物を用いたポリイミドが低誘電率及び
低屈折率を有していることを明らかにした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。本発明において低誘電率及び低屈折率を有する含フ
ッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドは
ジアミンとして下記構造式（化５）〜（化７）：
る。本発明において低誘電率及び低屈折率を有する含フ
ッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポリイミドは
ジアミンとして下記構造式（化５）〜（化７）：
【００１３】
【化５】
【００１４】
【化６】
【００１５】
【化７】
【００１６】で表される３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノビフェニル、４，４′′−ジアミノ−ｐ−テ
ルフェニル、又は２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを用い、またテト
ラカルボン酸二無水物としては下記構造式（化８）又は
（化９）：
−ジアミノビフェニル、４，４′′−ジアミノ−ｐ−テ
ルフェニル、又は２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを用い、またテト
ラカルボン酸二無水物としては下記構造式（化８）又は
（化９）：
【００１７】
【化８】
【００１８】
【化９】
【００１９】で表されるトリフルオロメチルピロメリッ
ト酸二無水物、又は１，４−ジ（トリフルオロメチル）
ピロメリット酸二無水物を用いて製造できる。
ト酸二無水物、又は１，４−ジ（トリフルオロメチル）
ピロメリット酸二無水物を用いて製造できる。
【００２０】ここで２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルの製造方法は、例
えば日本化学会誌、第３号、第６７５〜６７６頁（１９
７２）に記載されている。また、ピロメリット酸のベン
ゼン環にフルオロアルキル基を導入した含フッ素酸二無
水物であるトリフルオロメチルピロメリット酸二無水
物、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸
二無水物の製造方法は特願昭６３−１６５０５６号明細
書に記載されている。これらのジアミンとテトラカルボ
ン酸二無水物を反応させることによりポリアミック酸を
製造する。反応条件は通常のポリアミック酸の重合条件
と同じでよく、一般的にはＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。次に
得られたポリアミック酸のイミド化によるポリイミドの
合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使用
できる。これらのジアミンとテトラカルボン酸二無水物
を反応させて得られる含フッ素ポリイミドは低熱膨張性
を示すためにプリント板やＬＳＩの層間絶縁膜等の電子
部品用材料やシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作製
される光部品用材料として非常に優れている。また、こ
れらの含フッ素ポリイミドはフッ素を含むために低誘電
率を示すことからも、電子部品用絶縁材料として好適で
ある。
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルの製造方法は、例
えば日本化学会誌、第３号、第６７５〜６７６頁（１９
７２）に記載されている。また、ピロメリット酸のベン
ゼン環にフルオロアルキル基を導入した含フッ素酸二無
水物であるトリフルオロメチルピロメリット酸二無水
物、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸
二無水物の製造方法は特願昭６３−１６５０５６号明細
書に記載されている。これらのジアミンとテトラカルボ
ン酸二無水物を反応させることによりポリアミック酸を
製造する。反応条件は通常のポリアミック酸の重合条件
と同じでよく、一般的にはＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。次に
得られたポリアミック酸のイミド化によるポリイミドの
合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使用
できる。これらのジアミンとテトラカルボン酸二無水物
を反応させて得られる含フッ素ポリイミドは低熱膨張性
を示すためにプリント板やＬＳＩの層間絶縁膜等の電子
部品用材料やシリコン基板等の低熱膨張率基板上に作製
される光部品用材料として非常に優れている。また、こ
れらの含フッ素ポリイミドはフッ素を含むために低誘電
率を示すことからも、電子部品用絶縁材料として好適で
ある。
【００２１】更に本発明の含フッ素ポリイミド光学材料
に用いる含フッ素ポリイミドは、特公平２−１４３６５
号公報の含フッ素ポリイミドの製造方法により製造した
ポリイミドの特性として記載されている優れた耐湿性と
耐熱性を有していることに加えて、電子部品用材料やシ
リコン基板等の低熱膨張率基板上に作製される光部品用
材料として要求される低熱膨張性、低誘電性、及び低屈
折率性を有し、また特開昭６０−２２１４２７号公報の
複合体、特開昭６１−６０７２５号公報の低熱膨張樹脂
材料、特開昭６１−１７６１９６号公報のモジュール用
配線基板、及び特開昭６２−２８０２５７号公報の低粘
度ワニスに用いられるポリイミドとして記載されている
低熱膨張性に加えて、低誘電性、及び低屈折率性を有し
ている。
に用いる含フッ素ポリイミドは、特公平２−１４３６５
号公報の含フッ素ポリイミドの製造方法により製造した
ポリイミドの特性として記載されている優れた耐湿性と
耐熱性を有していることに加えて、電子部品用材料やシ
リコン基板等の低熱膨張率基板上に作製される光部品用
材料として要求される低熱膨張性、低誘電性、及び低屈
折率性を有し、また特開昭６０−２２１４２７号公報の
複合体、特開昭６１−６０７２５号公報の低熱膨張樹脂
材料、特開昭６１−１７６１９６号公報のモジュール用
配線基板、及び特開昭６２−２８０２５７号公報の低粘
度ワニスに用いられるポリイミドとして記載されている
低熱膨張性に加えて、低誘電性、及び低屈折率性を有し
ている。
【００２２】また、本発明の低誘電率及び低屈折率を有
する含フッ素ポリイミド光学材料である含フッ素ポリイ
ミドは、特公平２−１４３６５号公報に記載の含フッ素
ポリイミドの製造方法により製造できる一連の含フッ素
ポリイミドや特開昭６１−１７６１９６号公報、及び特
開昭６２−２８０２５７号公報記載のモジュール用配線
基板、及び低粘度ワニスに用いられる具体的に記載され
たポリイミドとは異なり、特にフィルム成形性に優れ、
機械的強度が大きいために実用的な光学材料としても優
れている。例えば特公平２−１４３６５号公報には、下
記の分子構造式（化１０）：
する含フッ素ポリイミド光学材料である含フッ素ポリイ
ミドは、特公平２−１４３６５号公報に記載の含フッ素
ポリイミドの製造方法により製造できる一連の含フッ素
ポリイミドや特開昭６１−１７６１９６号公報、及び特
開昭６２−２８０２５７号公報記載のモジュール用配線
基板、及び低粘度ワニスに用いられる具体的に記載され
たポリイミドとは異なり、特にフィルム成形性に優れ、
機械的強度が大きいために実用的な光学材料としても優
れている。例えば特公平２−１４３６５号公報には、下
記の分子構造式（化１０）：
【００２３】
【化１０】
【００２４】を有する３，３′−ビス（トリフルオロメ
チル）−４，４′−ジアミノビフェニルから製造される
含フッ素ポリイミドが本発明の低誘電率及び低屈折率を
有する含フッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポ
リイミドと同様に耐湿性、耐熱
チル）−４，４′−ジアミノビフェニルから製造される
含フッ素ポリイミドが本発明の低誘電率及び低屈折率を
有する含フッ素ポリイミド光学材料に用いる含フッ素ポ
リイミドと同様に耐湿性、耐熱
【００２５】
【実施例】以下、実施例により本発明の含フッ素ポリイ
ミド低熱膨張材料について更に具体的に説明する。イミ
ド化の確認は赤外吸収スペクトルにおけるカルボニル基
の対称及び非対称伸縮振動による特性吸収から行った。
また、下記各例中、熱膨張率は下記の条件で熱処理した
フィルムを熱機械試験機に取付けて５℃／分の昇温速度
で求めた。誘電率は１ｋＨｚでの値であり、屈折率はナ
トリウムＤ線の波長（５８９．３ｎｍ）での値（２０
℃）である。熱分解温度、ガラス転移温度は窒素気流下
１０℃／分の昇温速度で測定した。
ミド低熱膨張材料について更に具体的に説明する。イミ
ド化の確認は赤外吸収スペクトルにおけるカルボニル基
の対称及び非対称伸縮振動による特性吸収から行った。
また、下記各例中、熱膨張率は下記の条件で熱処理した
フィルムを熱機械試験機に取付けて５℃／分の昇温速度
で求めた。誘電率は１ｋＨｚでの値であり、屈折率はナ
トリウムＤ線の波長（５８９．３ｎｍ）での値（２０
℃）である。熱分解温度、ガラス転移温度は窒素気流下
１０℃／分の昇温速度で測定した。
【００２６】実施例１ 三角フラスコに既述の構造式（化８）を持つトリフルオ
ロメチルピロメリット酸二無水物５．７２ｇ（２０．０
ｍｍｏｌ）と、既述の構造式（化７）で示される２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル６．４０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）１００ｇを加
えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくは
んし、ポリアミック酸のＤＭＡ溶液を得た。この溶液の
粘度は約８０ポアズであった。このものをアルミ板上に
スピンコーティングし、窒素雰囲気下で７０℃で２時
間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分、更に３５０
℃で１時間で加熱キュアした。このアルミ板を１０％Ｈ
Ｃｌ水溶液に浸し、アルミ板を溶解してポリイミドフィ
ルムが得られた。この赤外吸収スペクトルを測定すると
イミド基に特有の吸収が１７４０及び１７９０ｃｍ-1に
現れ、イミド化が完全に進行したことが確認できた。こ
のものの熱分解温度は５８４℃、熱膨張係数は２．７×
１０-5（℃-1) 、誘電率は２．８、屈折率は１．４９で
あった。
ロメチルピロメリット酸二無水物５．７２ｇ（２０．０
ｍｍｏｌ）と、既述の構造式（化７）で示される２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル６．４０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）１００ｇを加
えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくは
んし、ポリアミック酸のＤＭＡ溶液を得た。この溶液の
粘度は約８０ポアズであった。このものをアルミ板上に
スピンコーティングし、窒素雰囲気下で７０℃で２時
間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分、更に３５０
℃で１時間で加熱キュアした。このアルミ板を１０％Ｈ
Ｃｌ水溶液に浸し、アルミ板を溶解してポリイミドフィ
ルムが得られた。この赤外吸収スペクトルを測定すると
イミド基に特有の吸収が１７４０及び１７９０ｃｍ-1に
現れ、イミド化が完全に進行したことが確認できた。こ
のものの熱分解温度は５８４℃、熱膨張係数は２．７×
１０-5（℃-1) 、誘電率は２．８、屈折率は１．４９で
あった。
【００２７】実施例２ 実施例１における２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
（化５）で示される３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノビフェニル４．２５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置
き換えて、実施例１と同様に行った。合成したポリイミ
ドの特性を後記表１に他の例と共に示す。
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
（化５）で示される３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノビフェニル４．２５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置
き換えて、実施例１と同様に行った。合成したポリイミ
ドの特性を後記表１に他の例と共に示す。
【００２８】実施例３ 実施例１における２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
（化６）で示される４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェ
ニル５．２１ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実
施例１と同様に行った。合成したポリイミドの特性を表
１に示す。
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルを既述の構造式
（化６）で示される４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェ
ニル５．２１ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実
施例１と同様に行った。合成したポリイミドの特性を表
１に示す。
【００２９】実施例４ 実施例１におけるピロメリット酸二無水物を既述の構造
式（化９）で示される１，４−ジ（トリフルオロメチ
ル）ピロメリット酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍ
ｏｌ）に置き換えて、実施例１と同様に行った。合成し
たポリイミドの特性を表１に示す。
式（化９）で示される１，４−ジ（トリフルオロメチ
ル）ピロメリット酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍ
ｏｌ）に置き換えて、実施例１と同様に行った。合成し
たポリイミドの特性を表１に示す。
【００３０】実施例５ 実施例１におけるトリフルオロメチルピロメリット酸二
無水物を１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換
えて、また実施例１における２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルを３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル４．２
５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実施例１と同
様に行った。合成したポリイミドの特性を表１に示す。
無水物を１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換
えて、また実施例１における２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルを３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル４．２
５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実施例１と同
様に行った。合成したポリイミドの特性を表１に示す。
【００３１】実施例６ 実施例１におけるトリフルオロメチルピロメリット酸二
無水物を、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリ
ット酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き
換え、また実施例１における２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルを４，
４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル５．２１ｇ（２０．
０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実施例１と同様に行った。
合成したポリイミドの特性を表１に示す。
無水物を、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリ
ット酸二無水物７．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に置き
換え、また実施例１における２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルを４，
４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル５．２１ｇ（２０．
０ｍｍｏｌ）に置き換えて、実施例１と同様に行った。
合成したポリイミドの特性を表１に示す。
【００３２】比較例１ 実施例１と同様の方法を用いて３，３′，４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物と以下の構造式（化
１１）で示される４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル：
フェニルテトラカルボン酸二無水物と以下の構造式（化
１１）で示される４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル：
【００３３】
【化１１】 を等モルずつ用いて市販ポリイミド（商品名 ユービレ
ックス）と同等のポリイミドフィルムを得た。このもの
の特性を表１に示す。
ックス）と同等のポリイミドフィルムを得た。このもの
の特性を表１に示す。
【００３４】比較例２ 実施例１と同様の方法を用いて３，３′，４，４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテルを等モルずつ用いてポリイミ
ドフィルムを得た。このものの特性を表１に示す。
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテルを等モルずつ用いてポリイミ
ドフィルムを得た。このものの特性を表１に示す。
【００３５】比較例３ 実施例１と同様の方法によりピロメリット酸二無水物
４．３６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ) と既述の構造式（化１
０）で示される３，３′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２０．０
ｍｍｏｌ）を用いてポリアミック酸のＤＭＡ溶液を得
た。このものの粘度は低く、また加熱キュア後のポリイ
ミドは機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラ
ス転移温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であ
った。
４．３６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ) と既述の構造式（化１
０）で示される３，３′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２０．０
ｍｍｏｌ）を用いてポリアミック酸のＤＭＡ溶液を得
た。このものの粘度は低く、また加熱キュア後のポリイ
ミドは機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラ
ス転移温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であ
った。
【００３６】比較例４ 比較例３におけるピロメリット酸二無水物を以下の構造
式（化１２）で示される２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水物：
式（化１２）で示される２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水物：
【００３７】
【化１２】
【００３８】８．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ) に置き換
えて、比較例３と同様に行った。ポリアミック酸のＤＭ
Ａ溶液の粘度は低く、また加熱キュア後のポリイミドは
機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラス転移
温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であった。
えて、比較例３と同様に行った。ポリアミック酸のＤＭ
Ａ溶液の粘度は低く、また加熱キュア後のポリイミドは
機械的強度が著しく小さかった。そのため、ガラス転移
温度、熱膨張率、及び誘電率の測定は不可能であった。
【００３９】
【表１】
【００４０】これらの結果から、本発明の含フッ素ポリ
イミド光学材料は従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐
湿性、及び耐熱性に優れた含フッ素ポリイミドを用いた
材料と比較して、更に低誘電率、低屈折率という特性を
合せ持つことが明らかとなった。
イミド光学材料は従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐
湿性、及び耐熱性に優れた含フッ素ポリイミドを用いた
材料と比較して、更に低誘電率、低屈折率という特性を
合せ持つことが明らかとなった。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の低誘電率
及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド光学材料は、
従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐湿性、及び耐熱性
に優れた含フッ素ポリイミドを用いた材料と比較して、
更に低誘電率、低屈折率を合せ持つという利点があるた
め、プリント板やＬＳＩの層間絶縁膜や低熱膨張率基板
上の光部品等への適用が可能である。
及び低屈折率を有する含フッ素ポリイミド光学材料は、
従来の耐熱性に優れたポリイミドや耐湿性、及び耐熱性
に優れた含フッ素ポリイミドを用いた材料と比較して、
更に低誘電率、低屈折率を合せ持つという利点があるた
め、プリント板やＬＳＩの層間絶縁膜や低熱膨張率基板
上の光部品等への適用が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1−116085 (32)優先日 平成１年５月11日(1989．5．11) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 西 史郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（化１）： 【化１】 ［式中Ｘは水素又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ1
は下記の構造式（化２）〜（化４）： 【化２】 【化３】 【化４】 で表される基よりなる群から選択した２価の有機基を示
す］で表される繰り返し単位からなることを特徴とする
含フッ素ポリイミド光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6390697A JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19602288 | 1988-08-08 | ||
| JP7049589 | 1989-03-24 | ||
| JP8160489 | 1989-04-03 | ||
| JP1-70495 | 1989-05-11 | ||
| JP1-81604 | 1989-05-11 | ||
| JP11608589 | 1989-05-11 | ||
| JP1-116085 | 1989-05-11 | ||
| JP63-196022 | 1989-05-11 | ||
| JP6390697A JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201170A Division JP2657700B2 (ja) | 1988-08-08 | 1989-08-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227679A JPH09227679A (ja) | 1997-09-02 |
| JP2998835B2 true JP2998835B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=27523814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6390697A Expired - Lifetime JP2998835B2 (ja) | 1988-08-08 | 1997-03-04 | 含フッ素ポリイミド光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998835B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6601403B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-11-06 | 日産化学株式会社 | 液晶配向処理剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP6390697A patent/JP2998835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09227679A (ja) | 1997-09-02 |
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