JP2984675B1 - 半導体検査装置 - Google Patents

半導体検査装置

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JP2984675B1 JP29758098A JP29758098A JP2984675B1 JP 2984675 B1 JP2984675 B1 JP 2984675B1 JP 29758098 A JP29758098 A JP 29758098A JP 29758098 A JP29758098 A JP 29758098A JP 2984675 B1 JP2984675 B1 JP 2984675B1
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Abstract

【要約】 【課題】 本発明は、半導体ウェハの電気特性を測定す
るための検査針を備えた半導体検査装置において、検査
針に損傷を与えることなくその清掃を行うことにある。 【解決手段】 半導体ウェハが吸着されて3次元的に移
動させられるステージ1と、このステージの上昇に伴っ
て、その上方の半導体ウェハに接触させられる検査針5
とを備え、前記ステージの面方向に沿った一つの移動方
向の側部に、前記検査針の先端が接触させられる洗浄手
段Wと、前記検査針の先端を乾燥させる乾燥手段4が設
けられていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体検査装置に
係わり、特に、半導体ウェハの電気特性を測定するよう
にしたプロービング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体検査装置として、半導体ウ
ェハの電気特性を測定するようにしたプロービング装置
が知られており、このプロービング装置の一例が、たと
えば、特開平3−105940号公報において提案され
ている。
【0003】この技術は、図3および図4に示すよう
に、半導体ウェハが吸着されるZステージ11は、中央
上部に針先研磨用セラミック12を有し、更にそのXも
しくはY方向端にブラッシング用刷毛13を有してい
る。そして、Zステージ11上に吸着されている半導体
ウェハを、Zステージ11によって上昇させて図示しな
い検査針に接触させることにより、半導体ウェハの電気
特性を測定するようにしたものであるが、測定の継続に
よって検査針の先端が汚れてしまい、これによって、検
査精度の低下が見られるため、必要に応じて検査針の清
掃を行う必要があった。このために、この技術において
は、所定の測定を完了した後に、Zステージ11をθ方
向に動作させ、プローブカードの針を針先研磨用セラミ
ック12にて研磨し、更にZステージ1を下降させ、X
方向もしくはY方向に移動後再び上昇させ、ブラッシン
グ用刷毛13にてプローブカードの針をブラッシング
し、付着したアルミニウムの除去や酸化した針先の研磨
動作を行うようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、この
ような従来技術には以下に掲げる問題点があった。すな
わち、検査針を、針先研磨用セラミック12にて研磨を
行っているために、プローブカードの検査針を傷めてし
まい、この検査針の寿命が短くなるといった問題点であ
る。
【0005】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、半導体ウェハの電
気特性を測定するための検査針を備えた半導体検査装置
において、検査針に損傷を与えることなくその清掃を行
うことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体検査装置は、前述した目的を達成するために、
半導体ウェハの電気特性を測定するための半導体検査装
置であって、半導体ウェハが吸着されて3次元的に移動
させられるステージと、このステージの上昇に伴って、
その上方の半導体ウェハに接触させられる検査針とを備
え、前記ステージの面方向に沿った一つの移動方向の側
部に、前記検査針の先端が接触させられる洗浄手段と、
前記検査針の先端を乾燥させる乾燥手段が設けられてい
ることを特徴とするものである。本発明の請求項2に記
載の半導体検査装置は、請求項1に記載の前記洗浄手段
が、前記ステージに取り付けられた容器に、洗浄液を貯
留してなることを特徴とするものである。本発明の請求
項3に記載の半導体検査装置は、請求項1に記載の前記
洗浄手段が、前記ステージに取り付けられた容器に柔軟
性を有する多孔質体を挿入し、この多孔質体に洗浄液を
含浸させてなることを特徴とするものである。本発明の
請求項4に記載の半導体検査装置は、請求項2または請
求項3に記載の前記洗浄液が揮発性を有する洗浄液であ
ることを特徴とするものである。また、本発明の請求項
5に記載の半導体検査装置は、請求項1ないし請求項4
の何れかに記載の前記乾燥手段が送風機であることを特
徴とするものである。さらに、本発明の請求項6に記載
の半導体検査装置は、請求項5に記載の前記送風機が温
風を送風するようになされていることを特徴とするもの
である。
【0007】請求項1ないし請求項6に記載の発明によ
れば、検査針を洗浄手段によって洗浄することにより、
機械的な除去処理を伴うことなく検査針に付着した汚れ
等を除去することができる。これによって、検査針の損
傷を極力少なくしてその寿命を延ばすことができる。ま
た、洗浄後に乾燥手段により検査針を乾燥させることに
より、検査再開時において検査針を半導体ウェハへ接触
させた場合でも、半導体ウェハへの影響を防止すること
ができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図1および図2を参照して説明する。本実施形態に
係わる半導体検査装置は、半導体ウェハの電気特性を測
定するための半導体検査装置であって、半導体ウェハが
吸着されて3次元的に移動させられるZステージ1と、
このZステージ1の上昇に伴って、その上方の半導体ウ
ェハに接触させられる検査針5とを備え、前記Zステー
ジ1の面方向に沿った一つの移動方向の側部に、前記検
査針5の先端が接触させられる洗浄手段Wと、前記検査
針5の先端を乾燥させる乾燥手段4が設けられた基本構
成となっている。
【0009】さらに詳述すれば、前記洗浄手段Wと乾燥
手段4は、Zステージ1の面方向に沿った一つの移動方
向に、直列状に設けられており、洗浄手段Wは、Zステ
ージ1の側部に取り付けられた容器(清掃用カップ)3
と、その内部に装着されて洗浄液が含浸させられた柔軟
性を有する多孔質体(緩衝材)2とによって構成されて
いる。そして、前記洗浄液としては、揮発性に優れたア
ルコールが好適に用いられる。
【0010】前記乾燥手段4は、本実施形態においては
送風機(乾燥用ファン)が用いられており、必要に応じ
てヒータが取り付けられて、温風を送風するようになっ
ている。
【0011】ついで、このように構成された本実施形態
の作用について説明する。通常ウェハ測定中において、
任意に設定されたペレット数を測定した後、Zステージ
1を下降させた状態で所定方向に移動させることによ
り、清掃用カップ3を検査針5の下方に対向させた後再
び上昇させ、これによって、検査針5を緩衝材2中に突
き刺すとともに洗浄液中に浸してこの検査針5針を清掃
する。この処理により、検査針5に付着したアルミニウ
ムの除去を行い、この後にZステージ1を再び下降させ
るとともに、所定方向へさらに移動させて検査針5を乾
燥用ファン4に対向位置させる。そして、乾燥用のファ
ン4にて、針に付着した清掃用のアルコールを乾燥さ
せ、これらの一連の動作終了後、再び通常測定に戻る。
【0012】したがって本実施形態においては、清掃用
の液体を用いているため、検査針5を洗浄手段Wによっ
て洗浄することにより、機械的な除去処理を伴うことな
く検査針5に付着した汚れ等を除去することができ、検
査針5の損傷を極力少なくしてその寿命を延ばすことが
できる。また、洗浄後に乾燥手段により検査針5を乾燥
させることにより、検査再開時において検査針5を半導
体ウェハへ接触させた場合でも、半導体ウェハへの影響
を防止することができる。
【0013】なお、前記実施形態において示した各構成
部材の諸形状や寸法等は一例であって、設計要求等に基
づき種々変更可能である。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項6に記載の発明によれば、清掃用の液体を用いてい
るため、機械的な除去処理を伴うことなく検査針に付着
した汚れ等を除去することができ、これによって検査針
の損傷を極力少なくしてその寿命を延ばすことができ
る。また、洗浄後に乾燥手段により検査針を乾燥させる
ことにより、検査再開時において検査針を半導体ウェハ
へ接触させた場合でも、半導体ウェハへの影響を防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す要部の側面図であ
る。
【図2】本発明の一実施形態を示す要部の平面図であ
る。
【図3】一従来例を示す要部の側面図である。
【図4】一従来例を示す要部の平面図である。
【符号の説明】
1 Zステージ 2 緩衝材(洗浄手段) 3 清掃用カップ(洗浄手段) 4 乾燥用ファン(乾燥手段) 5 検査針 W 洗浄手段 11 Zステージ 12 針先研磨用セラミック 13 ブラッシング用刷毛
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/26 G01R 1/06 G01R 31/28 H01L 21/66

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハの電気特性を測定するため
    の半導体検査装置であって、半導体ウェハが吸着されて
    3次元的に移動させられるステージと、このステージの
    上昇に伴って、その上方の半導体ウェハに接触させられ
    る検査針とを備え、前記ステージの面方向に沿った一つ
    の移動方向の側部に、前記検査針の先端が接触させられ
    る洗浄手段と、前記検査針の先端を乾燥させる乾燥手段
    が設けられていることを特徴とする半導体検査装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄手段が、前記ステージに取り付
    けられた容器に、洗浄液を貯留してなることを特徴とす
    る請求項1に記載の半導体検査装置。
  3. 【請求項3】 前記洗浄手段が、前記ステージに取り付
    けられた容器に柔軟性を有する多孔質体を挿入し、この
    多孔質体に洗浄液を含浸させてなることを特徴とする請
    求項1に記載の半導体検査装置。
  4. 【請求項4】 前記洗浄液が揮発性を有する洗浄液であ
    ることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半
    導体検査装置。
  5. 【請求項5】 前記乾燥手段が送風機であることを特徴
    とする請求項1ないし請求項4の何れかに記載の半導体
    検査装置。
  6. 【請求項6】 前記送風機が温風を送風するようになさ
    れていることを特徴とする請求項5に記載の半導体検査
    装置。
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