JP2978796B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JP2978796B2
JP2978796B2 JP8308488A JP30848896A JP2978796B2 JP 2978796 B2 JP2978796 B2 JP 2978796B2 JP 8308488 A JP8308488 A JP 8308488A JP 30848896 A JP30848896 A JP 30848896A JP 2978796 B2 JP2978796 B2 JP 2978796B2
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宗一郎 吉田
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に関し、特に組み立て時のボンディングの際、複数の機
能の中から1つの機能を選択可能とするボンディングオ
プション機能を備えた半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、かかる半導体集積回路装置、例え
ば半導体メモリなどにおいては、製品開発の効率化と市
場要求に対応するために、1チップに複数の機能を備え
るとともに、それらを選択するための切り換え手段を設
けている。
【0003】図2はかかる従来の一例を示す半導体集積
回路装置の構成図である。図2に示すように、この半導
体集積回路装置は、ボンディングオプション方式の半導
体装置の例であり、1チップ上の半導体基板1aに複数
の機能回路からなる機能回路群2を搭載し、この機能回
路群2に対応したボンディング用パッド3を設けてい
る。これら機能回路群2およびボンディング用パッド3
は配線6により接続され、しかもボンディング用パッド
3は基板外部に配置される電源用リードフレーム4Aあ
るいはGND用リードフレーム4Bとの間に、ボンディ
ングワイヤ5aあるいは5bを介して選択的に接続され
る。なお、7はリードの切断位置を表わしている。
【0004】この基板1aの外部に配置される電源用リ
ードフレーム4AおよびGND用リードフレーム4Bは
隣接しており、ボンディングワイヤ(点線)5aあるい
は(実線)5bのいずれか一方によりパッド3に接続さ
れる。特に、半導体基板1aにおけるパッド3は、両方
のリードフレーム4A,4Bとの間にボンディングが可
能になるような場所に配置され、そのボンディングを切
り換えることにより、機能回路群2の機能を選択してい
る。
【0005】このようなボンディングオプション方式の
半導体装置の場合には、電源およびGNDの双方からボ
ンディングが可能な位置にパッドを配置しなければなら
ないという制約がある。そのために、かかる制約を逃げ
るために、従来は、以下のようなマスタースライス方式
の半導体装置が用いられている。
【0006】図3は従来の他の例を示す半導体集積回路
装置の構成図である。図3に示すように、この半導体集
積回路装置は、マスタースライス方式の半導体装置の例
であり、前述した図2と同様に1チップ上の半導体基板
1aに複数の機能回路からなる機能回路群2を搭載する
他、この機能回路群2に対応するとともに、選択機能を
持ったマスタースライス部8を設けている。これら機能
回路群2およびボンディング用パッド3は配線6により
接続され、しかもマスタースライス部8は基板内部に配
置される電源配線9AあるいはGND配線9Bとの間
に、選択的に接続される。
【0007】すなわち、このマスタースライス方式の半
導体装置は、機能回路群2と、機能を選択するマスター
スライス部8と、電源配線9A,GND配線9Bとから
構成されており、一般的にアルミ工程のマスク図面を変
えることにより、マスタースライス部8の接続を切り換
え、機能回路群2の機能を選択している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路装置、前者(図2)のボンディングオプション
方式の半導体装置は、電源用リードとGND用リードと
がフレーム上で隣接しており、しかも両方のリードから
ボンディング可能な位置にパッドを配置しなければなら
ないという制約がある。
【0009】また、後者(図3)のマスタースライス方
式の半導体装置は、複数のマスク図面を必要としてお
り、拡散注入時に機能が決まってしまい且つ拡散が終了
する期間(例えば、約2ケ月)後の顧客要求や市場動向
に柔軟に対応出来ないという問題がある。
【0010】本発明の目的は、かかる拡散後の工程でも
回路機能群の機能を選択できるようにするとともに、リ
ードフレーム上のピン構成にも影響を受けないでパッド
を配置することのできる生産性の高い半導体集積回路装
置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、所定のボンディングパッドを介して、複数種類
の電位の内いずれかの電位を供給することにより、機能
回路群の中の任意の機能回路を選択するボンディングオ
プション方式を備えた半導体集積回路装置において、前
記機能回路群の中の前記機能回路に並列接続される複数
のパッドと、異なった電位を供給される複数のリードと
を設け、前記複数のパッドおよび前記複数のリード間を
ボンディングワイヤにより選択的に接続するように構成
される。
【0012】また、本発明の半導体集積回路装置におけ
る機能回路群は、複数組の機能回路群で形成され、複数
のパッドを任意の機能回路群に選択的に並列接続するよ
うに形成される。
【0013】また、本発明の半導体集積回路装置におけ
る複数のパッドは、そのいずれかを各々異なる電位を供
給される複数のリードのいずれかに接続するように形成
される。
【0014】さらに、本発明の半導体集積回路装置にお
ける複数のパッドは、複数のリードの近傍に各々配置し
て形成される。
【0015】要するに、本発明はボンディングオプショ
ン方式の半導体集積回路装置において、複数の機能を備
えた機能回路群の動作を選択するために必要な信号用の
パッドを複数個用意し且つ相互を接続することにより、
選択機能に応じてボンディングするパッドを選択し、ボ
ンディングしない方のパッドがボンディングした方のパ
ッドに供給される電位にバイアスされ、フローティング
状態にならないように構成したものである。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0017】図1は本発明の一実施の形態を示す半導体
集積回路装置の構成図である。図1に示すように、本実
施の形態の半導体集積回路装置は、ボンディングオプシ
ョン方式の半導体装置の例であり、半導体基板1上に、
複数の機能を備えた機能回路群2と、複数のパッド3
A,3Bと、この機能回路群2に対し複数のパッド3
A,3Bを並列に接続する配線6とを形成する一方、半
導体基板1の外部に複数のリードを形成するためのリー
ドフレーム、すなわち電源用リード4A,GND用リー
ドおよびその他用途のためのリードを形成するためのリ
ードフレームを配置している。また、リードフレームは
パッド3Aまたは3Bのいずれかとボンディングワイヤ
5により接続される。なお、このリードフレームは、モ
ールド後に切断位置7で各リードに切断される。
【0018】このボンディングオプション方式の半導体
装置は、任意の電源用リード4Aからボンディング可能
な場所、すなわちリード4Aの近傍にパッド3Aを配置
し、任意のGND用リード4Bからボンディング可能な
場所、すなわちリード4Bの近傍にパッド3Bを配置す
るとともに、機能回路群1に対してこれらのパッド3
A,3Bを配線6により並列接続したものである。ま
た、パッド3A,3Bとリード4A,4Bの接続関係で
言えば、電源用リード4Aとパッド3Aをボンディング
ワイヤ(実線)5により接続し、機能回路群1の機能を
選択したときは、GND用リード4Bとパッド3Bは接
続されず、そのためにパッド3Bは電源電圧にバイアス
される。すなわち、パッド3Bはフローティング状態と
はならない。通常、半導体基板1の外部に接続されない
非ボンディングパッドは、回路設計上の問題として、フ
ローティング状態を避けるために、何らかの電位を与え
なければならないが、本実施の形態によれば、自動的に
非ボンディングパッドは他方のパッドの電位に固定さ
れ、フローティング状態を考慮する必要がなくなる。
【0019】また、GND用リード4Bとパッド3Bを
ボンディングワイヤ(点線)5により接続し、機能回路
群1の機能を選択したときも同様に、電源用リード4A
とパッド3Aは接続されず、このときのパッド3AはG
ND電位に固定される。
【0020】上述した本実施の形態においては、機能回
路群1を拡張し、複数組の機能回路群で形成するととも
に、複数のパッドを任意の機能回路群に選択的に並列接
続してもよい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路装置は、機能回路群に対し配線により並列接続す
る複数のパッドを設けることにより、組み立て工程で機
能選択可能なボンディングオプション方式を採用するこ
とができ、しかも任意の電源用リードとGND用リード
の近傍にパッドを配置することによりレイアウトを容易
にし生産性を向上させることができるという効果があ
る。
【0022】すなわち、従来は、隣接する電源リードと
GNDリードを有し且つ双方からボンディング可能な場
所にパッドを配置しなければならないという制約がある
場合は、マスタスライス方式を採用せざるを得なかった
が、本発明はこのようなマスタスライス方式を採用する
必要がなく、拡散後の工程でも回路機能群の機能を選択
でき、リードフレーム上のピン構成にも影響を受けずに
パッドを配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示す半導体集積回路装
置の構成図である。
【図2】従来の一例を示す半導体集積回路装置の構成図
である。
【図3】従来の他の例を示す半導体集積回路装置の構成
図である。
【符号の説明】
1 半導体基板 2 機能回路群 3A,3B パッド 4A,4B リード(フレーム) 5 ボンディングワイヤ 6 配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/82 H01L 27/118

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のボンディングパッドを介して、複
    数種類の電位の内いずれかの電位を供給することによ
    り、機能回路群の中の任意の機能回路を選択するボンデ
    ィングオプション方式を備えた半導体集積回路装置にお
    いて、前記機能回路群の中の前記機能回路に並列接続さ
    れる複数のパッドと、異なった電位を供給される複数の
    リードとを設け、前記複数のパッドおよび前記複数のリ
    ード間をボンディングワイヤにより選択的に接続するこ
    とを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記機能回路群は、複数組の機能回路群
    で形成され、前記複数のパッドを任意の機能回路群に選
    択的に並列接続する請求項1記載の半導体集積回路装
    置。
  3. 【請求項3】 前記複数のパッドは、そのいずれかを各
    々異なる電位を供給される前記複数のリードのいずれか
    に接続する請求項1記載の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 前記複数のパッドは、前記複数のリード
    の近傍に各々配置した請求項1記載の半導体集積回路装
    置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58207654A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 機能モジユ−ルの接続方法およびその接続指定信号生成回路

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KR100282994B1 (ko) 2001-04-02

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