JP2976058B2 - オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 - Google Patents
オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体Info
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Description
シフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金
属錯体に関する。
格化合物として種々利用されている。この種の化合物お
よびこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有し
ているため、光導電性を有し、有機光電材料として種々
の用途への利用の可能性がある。
はいかなる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して
有機光電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッ
タリング等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可
能であった。
タロシアニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体を合成
し、構造や物性を検討したところ、フタロシアニン誘導
体およびそれらの遷移金属錯体において炭素数4〜36の
直鎖状または分岐を有するアルコキシ基を有する場合に
おいて、それらが液晶相を示すことを見いだし本発明に
到達した。
機溶媒にも難溶であるが、長鎖アルコキシル基を付与す
ることにより、クロロホルム、ジクロロメタン、ベンゼ
ン、酢酸エチルなどの有機溶媒に溶けるようになる。す
なわち有機溶媒に可溶なフタロシアニン誘導体及び有機
遷移金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目
的である。
性に欠け、実用上の観点からは、如何にして熱安定性を
向上させるかが重要な課題であったが、本課題に関して
発明者らは鋭意検討したところ、本発明に係わる化合物
は極めて熱安定性に優れていることも見い出した。
オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系
化合物を提供することにある。
はH2または周期律表第I B属、III B〜VII B族および第V
III族金属から選ばれた遷移金属を示す。) 以下、本発明について詳細に説明する。
シアニン系化合物は、上記一般式からも判るように、フ
タロシアニンの2,3,9,10,16,17,23および24の位置に、
3−位および4−位にアルコキシ基を有するフェニル基
が置換されたものである。
分岐を有するアルキル基であり、特に炭素数10〜22の直
鎖状アルキル基が好ましく、具体例としてはノニル、デ
シル、ドデシル、ペンタデシル、オクタデシル基等が挙
げられる。
を有している。
原子の代わりに遷移金属が配位したものである。
VII B族および第VIII族金属から選ばれた遷移金属であ
り、例えば、Fe、Co、Ni、V、Y、Mn、Cr、Ti、Ru、R
h、Pd、Cu、Ag、Au、La、Ce、Nd、Pr等の遷移金属が挙
げられる。
法を採用することができる。例えば下記の合成ルートで
製造することができる。
る。
ズアルデヒド(1)から3,4−ビス(3,4−アルコキシフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−
オン(6)への合成は、マクロモレキュラー・ケミスト
リー、ラピッド・コミュニケーション(Makromol.Che
m.,Rapid Commun.)第6巻577頁(1985年)に記載され
ているウェンツ(G.Wenz)の方法を利用することができ
る。
コキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテ
ン−1−オン(6)とジシアノアセチレンを用いてケミ
ストリー・レターズ(Chem.Lett.)1980年1277頁および
ケミストリー・レターズ1983年313頁に記載されている
方法を用いて目的とするオクタキス(ジアルコキシフェ
ニル)フタロシアニン系化合物およびその金属錯体を得
ることができる。
発明はこれらに限定されるものではない。
キシフェニル)−29H,31H−フタロシアニンの合成] (A:3,4−ビス(3,4−ジドデシロキシフェニル)−4−
ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オンの合成) 3,3′,4,4′−テトラドデシロキシベンジル0.95g(1.
04mmol)とカリウムtert−ブチラート0.06g(0.52mmo
l)およびアセトン1.21g(21mmol)の混合物を、乾燥エ
タノール40mlと乾燥テトラヒドロフラン10mlの混合物中
で、窒素雰囲気下で12時間加熱還流を行った。室温まで
冷却した後、反応生成物をの2%酢酸水溶液中に入れ、
クロロホルムを用いて抽出した。次いで抽出物を水を用
いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶
媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(クロロホルム:酢酸エチル=5:1、Rf=0.5
6)、続けて再結晶(エタノール)により精製して0.70g
の白色粉末の3,4−ビス(3,4−ジドデシロキシフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オン
を得た。収率は68%であった。
定結果を示す。
相を示す液晶性化合物であった。
酸ジメチルを2時間かけて滴下した後、−5℃で30分間
撹拌した。反応液からろ過により沈澱を回収した後、そ
の沈澱を水、続いてエタノールで洗浄し、乾燥し、目的
とする淡黄褐色の結晶としてアセチレンジアミドを得
た。
温度は約200℃であった。また、質量分析によりMS(m/
e)は112(M+)であった。
の混合物と五酸化二リン50gを300mlのフラスコに入れ、
均一に混合するようにフラスコを充分に振った。次いで
その混合物を、長さ10cm、直径5cmの6本の試験管に分
割し、少量のガラスウールを試験管の上端につめた後、
この試験管をガラス側管を有する特別に設計されたフラ
スコに連結した。上記した試験管を連結した系を一度減
圧にし、次いで乾燥した窒素で充填した後、再度減圧に
した。この操作を数回繰り返した後、系を1mmHgまで減
圧にした。この特殊なフラスコをドライアイス/アセト
ン浴に漬けることにより−78℃まで冷却した後、試験管
を215℃に設定したシリコンオイル浴中に置いたとこ
ろ、ジシアノアセチレンの蒸発が起こり、針状の結晶が
フラスコ内に成長した。この状態を約30分間維持した
後、オイルバスを除去し、この系を乾燥した窒素ガスで
充填した。ジシアノアセチレンの収量は1.1gで、収率は
20%であった。
ニル−4′−5′−ジカルボニトリルの合成) 窒素雰囲気下、特別製のフラスコ(アナレン・ヒミー
(Ann.Chim.)1920年,14巻,5の図−1に記載)で、過剰
量のジシアノアセチレンと3,4−ビス(3,4−ジドデシロ
キシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン
−1−オン0.65g(0.66mmol)およびクロロベンゼン20m
lを40℃の温度に維持しつつ撹拌した。次いで0.1mlのジ
オキサンに溶解したp−トルエンスルホン酸1.3mgを上
記のフラスコ中にこの温度を維持しつつ、滴下した。滴
下終了後、この温度に維持し、1時間撹拌した後、20分
間加熱還流を行い、反応を完結した。ついで溶媒を蒸発
させ、得られた残査を減圧乾燥した後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィ(クロロホルム、Rf=0.74)で精製
し、目的とする淡黄色板状の結晶として3,4,3′,4′−
テトラドデシロキシ−o−ターフェニル−4′,5′−ジ
カルボニトリル0.63gを得た。収率は94%であった。ま
たこのものの融点は40℃であった。
定結果を示す。
シロキシフェニル)−29H,31H−フタロシアニンの合
成) 3,4,3′,4′−テトラドデシロキシ−o−ターフェニ
ル−4′,5′−ジカルボニトリル0.60g(0.59mmol)と
1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン0.13
g(0.88mmol)の混合物を7時間加熱還流した。室温ま
で冷却後、エタノールを加えて沈澱させ、次いで生成し
た沈澱物をろ過により回収した。このものをエタノール
で洗浄した後、乾燥した。この粗生成物を、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー(ベンゼン、Rf=0.98)で精
製した後、酢酸エチルから再結晶することにより最終目
的物である2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス(3,4−
ジドデシロキシフェニル)−29H,31H−フタロシアニン
0.19gを得た。収率は31%であった。
0.91(t,24H,CH3),0.84(t,24H,CH3) −1.26(bs,1H,NH),−1.34(bs,1H,NH) [構造および液晶性の確認] この最終生成物は、パーキンエルマー社製元素分析計
240B、ブルッカー社製1−NMRAC−250、日立製作所製紫
外可視スペクトロメーターを用いて構造を確認した。
ー社製FP80および82を装備した偏光顕微鏡および理学社
製示差走査熱量計サーモフレックスRTG−DSCを用いて測
定した。さらに液晶相の同定を確実にするために温度制
御装置を装備した理学社製の装置を用いてX線回折パタ
ーン(粉末法)を検討した。本化合物の温度による相の
変化を表−1に、格子定数、面間隔およびミラー指数等
のX線回折の結果を表−2に記載した。
ードカラムナー1相(Drd1相)及びもう一つの液晶相
(Dx)を示す新規なディスコチック液晶性化合物である
ことが確認できた。
ロキシフェニル]−29H,31H−フタロシアニン銅(II)
錯体の合成) n−ペンタノール10mlに実施例1のDで得た3,4,3′,
4′−テトラドデシロキシ−o−ターフェニル−4′
5′−ジカルボニトリル0.58g(0.57mmol)と1,8−ジア
ザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン0.13g(0.86mm
ol)および塩化銅(II)22mg(0.16mmol)を溶解し、18
時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応液を室温
まで冷却し、エタノールを加えて沈澱させ、次いで沈澱
生成物をろ過により回収した。回収物をエタノールおよ
び酢酸エチルで洗浄し、乾燥した。この粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ベンゼン、Rf=1.
0)で精製し、次いで酢酸エチルより再結晶し、目的と
する2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス(3,4−ジドデ
シロキシフェニル)−29H,31H−フタロシアニン銅(I
I)錯体0.39gを得た。収率は66%であった。
および液晶性の確認を行った。本化合物の温度による相
の変化を表−1、およびX線回折の結果を表−3に示
す。
ードカラムナー相1及びレクタンギュラーディスオーダ
ードカラムナー相2を示す新規なディスコチック液晶性
化合物であることが確認できた。
シアニン系化合物およびそれらの遷移金属錯体は温度に
よりヘキサゴナルディスオーダードカラムナー1相(Dr
d1相)やレクタンギュラーディスオーダードカラムナー
2相(Drd2相)等の液晶性を有し、また分子内に多くの
共役構造を有するので有機光電材料、例えば表示材料、
光導電性材料、非線形光学材料として有用である。
有機溶媒にも難溶であるが、本化合物はジクロロメタン
やクロロオルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気
化学的キャラクタリゼーションが容易になる。
上極めて優れた性質を有している。
Claims (1)
- 【請求項1】下記の一般式〔I〕で表されるオクタキス
(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物また
はその遷移金属錯体。 (式中、Rは4〜36の直鎖状または分岐状アルキル、M
はH2または周期律表第I B属、III B〜VII B族および第V
III族金属から選ばれた遷移金属を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2311797A JP2976058B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2311797A JP2976058B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04182486A JPH04182486A (ja) | 1992-06-30 |
JP2976058B2 true JP2976058B2 (ja) | 1999-11-10 |
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ID=18021562
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2311797A Expired - Lifetime JP2976058B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | オクタキス(ジアルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
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JP (1) | JP2976058B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2958454B2 (ja) * | 1998-03-12 | 1999-10-06 | 工業技術院長 | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
JP5850422B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-02-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子材料組成物 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2311797A patent/JP2976058B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH04182486A (ja) | 1992-06-30 |
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