JP2976057B2 - オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 - Google Patents
オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体Info
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- JP2976057B2 JP2976057B2 JP2310423A JP31042390A JP2976057B2 JP 2976057 B2 JP2976057 B2 JP 2976057B2 JP 2310423 A JP2310423 A JP 2310423A JP 31042390 A JP31042390 A JP 31042390A JP 2976057 B2 JP2976057 B2 JP 2976057B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶性を示す新規なオクタキス（アルコキシ
フェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属
錯体に関する。
フェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属
錯体に関する。
フタロシアニン系化合物は非常に安定な青色顔料の骨
格化合物として種々利用されている。この種の化合物お
よびこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有し
ているため、光導電性を有し、例えば電子写真用の媒体
等の有機光電材料としての用途への利用が提案されてい
る。
格化合物として種々利用されている。この種の化合物お
よびこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有し
ているため、光導電性を有し、例えば電子写真用の媒体
等の有機光電材料としての用途への利用が提案されてい
る。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、フタロシアニン系化合物およびその錯体はい
かなる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して有機
光電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッタリ
ング等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可能で
あった。
かなる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して有機
光電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッタリ
ング等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可能で
あった。
本発明者らは、上記の実情に鑑み、オクタキス（アル
コキシフェニル）フタロシアニン誘導体およびそれらの
遷移金属錯体を合成し、構造や物性を検討したところ、
フタロシアニン誘導体においては炭素数９〜36の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
また遷移金属錯体においては炭素数11〜36の直鎖状また
は分岐を有するアルキル基を有する場合において、それ
らが液晶相を示すことを見い出し本発明に到達した。
コキシフェニル）フタロシアニン誘導体およびそれらの
遷移金属錯体を合成し、構造や物性を検討したところ、
フタロシアニン誘導体においては炭素数９〜36の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
また遷移金属錯体においては炭素数11〜36の直鎖状また
は分岐を有するアルキル基を有する場合において、それ
らが液晶相を示すことを見い出し本発明に到達した。
また、フタロシアニン金属錯体などの錯体はいかなる
有機溶媒にも難溶であるが、長鎖アルキル基を付与する
ことにより、クロロホルム、ジクロロメタンなどに溶け
るようになる。すなわち有機溶媒に可溶な新規の有機遷
移金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目的
である。
有機溶媒にも難溶であるが、長鎖アルキル基を付与する
ことにより、クロロホルム、ジクロロメタンなどに溶け
るようになる。すなわち有機溶媒に可溶な新規の有機遷
移金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目的
である。
すなわち、本発明は、下記の一般式〔Ｉ〕で表される
オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化
合物、 （式中、R1は炭素数９〜36のアルキル基を示す。） および下記の一般式〔II〕で表されるオクタキス（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体を提供することにある。
オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化
合物、 （式中、R1は炭素数９〜36のアルキル基を示す。） および下記の一般式〔II〕で表されるオクタキス（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体を提供することにある。
（Ｍは周期律表第I B族、III B〜VII B族および第VIII
族金属から選ばれた遷移金属を示し、R2は炭素数11〜36
のアルキル基を示す。） 以下、本発明について詳細に説明する。
族金属から選ばれた遷移金属を示し、R2は炭素数11〜36
のアルキル基を示す。） 以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の一般式〔Ｉ〕で表されるオクタキス（アルコ
キシフェニル）フタロシアニン系化合物は各フェニル基
の４−位にアルコキシ基OR（以下R1とR2を総称してＲで
表すことがある。）を有している。
キシフェニル）フタロシアニン系化合物は各フェニル基
の４−位にアルコキシ基OR（以下R1とR2を総称してＲで
表すことがある。）を有している。
Ｒはアルキル基でR1は炭素数が９〜36、好ましくは10
〜22の直鎖状または分岐状を有するものであり、例えば
ノニル、デシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、エイコシル基などが挙げられる。R2
は炭素数が11〜36、好ましくは12〜22の直鎖状または分
岐状を有するものであり、例えばドデシル、ペンタデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル基などが
挙げられる。炭素数が下限より少ないと液晶性を示さ
ず、一方、上限より多いと液晶性発現が困難となるので
好ましくない。
〜22の直鎖状または分岐状を有するものであり、例えば
ノニル、デシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、エイコシル基などが挙げられる。R2
は炭素数が11〜36、好ましくは12〜22の直鎖状または分
岐状を有するものであり、例えばドデシル、ペンタデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル基などが
挙げられる。炭素数が下限より少ないと液晶性を示さ
ず、一方、上限より多いと液晶性発現が困難となるので
好ましくない。
また、一般式〔II〕で表される上記のオクタキス（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体のＭとしてはFe、Co、Ni、Ｖ、Ｙ、Mn、Cr、Ti、R
u、Rh、Pd、Cu、Ag、Au、La、Ce、Nd、Pr等の遷移金属
が例示される。
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体のＭとしてはFe、Co、Ni、Ｖ、Ｙ、Mn、Cr、Ti、R
u、Rh、Pd、Cu、Ag、Au、La、Ce、Nd、Pr等の遷移金属
が例示される。
上記化合物の合成法としては、各ステップは公知の方
法を採用することができる。
法を採用することができる。
合成ルートを例示すれば、下式の通りである。
より詳細に述べれば、先ず、出発物質であるｐ−メト
キシベンズアルデヒド（１）から3,4−ビス（４−アル
コキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オン（６）への合成はマクロモレキュラー・ケ
ミストリー、ラピッド・コミュニケーション（Makromo
l.Chem.,Rapid Commun.）第６巻、577頁（1985年）に記
載されているウェンツ（G.Wenz）の方法を用いることが
できる。
キシベンズアルデヒド（１）から3,4−ビス（４−アル
コキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オン（６）への合成はマクロモレキュラー・ケ
ミストリー、ラピッド・コミュニケーション（Makromo
l.Chem.,Rapid Commun.）第６巻、577頁（1985年）に記
載されているウェンツ（G.Wenz）の方法を用いることが
できる。
次いで、上記方法で得られた3,4−ビス（４−アルコ
キシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン
−１−オン（６）とジシアノアセチレンを用いてケミス
トリー・レターズ（Chem.Lett.）1980年1277頁およびケ
ミストリー・レターズ（Chem.Lett.）1983年313頁に記
載されている方法を用いて目的とするオクタキス（アル
コキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその金
属錯体を得ることができる。
キシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン
−１−オン（６）とジシアノアセチレンを用いてケミス
トリー・レターズ（Chem.Lett.）1980年1277頁およびケ
ミストリー・レターズ（Chem.Lett.）1983年313頁に記
載されている方法を用いて目的とするオクタキス（アル
コキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその金
属錯体を得ることができる。
＜実施例＞ 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１ ［2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 4,4−ジオクタデシロキシベンジル8.0g（11ミリモ
ル）とカリウムtert−ブチラート0.60g（5.4ミリモル）
およびアセトン12.4g（0.21モル）の混合物を、乾燥エ
タノール150mlと乾燥テトラヒドロフラン30mlの混合物
中で、窒素雰囲気下で18時間加熱還流を行った。室温ま
で冷却した後、反応生成物を400mlの２％酢酸水溶液中
に入れ、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで抽出
物を水を用いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾
燥した。溶媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝5:
1、Rf＝0.50）、続けて再結晶（エタノール）により精
製して、白色粉末の3,4−ビス（４−オクタデシロキシ
フェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１
−オンを得た。収量は5.8gで、収率は67％であった。ま
た融点は84−85℃であった。
ロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 4,4−ジオクタデシロキシベンジル8.0g（11ミリモ
ル）とカリウムtert−ブチラート0.60g（5.4ミリモル）
およびアセトン12.4g（0.21モル）の混合物を、乾燥エ
タノール150mlと乾燥テトラヒドロフラン30mlの混合物
中で、窒素雰囲気下で18時間加熱還流を行った。室温ま
で冷却した後、反応生成物を400mlの２％酢酸水溶液中
に入れ、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで抽出
物を水を用いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾
燥した。溶媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝5:
1、Rf＝0.50）、続けて再結晶（エタノール）により精
製して、白色粉末の3,4−ビス（４−オクタデシロキシ
フェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１
−オンを得た。収量は5.8gで、収率は67％であった。ま
た融点は84−85℃であった。
以下に1H−NMRおよび赤外吸収スペクトル（IR）の測
定結果を示す。
定結果を示す。
・1H−NMR（CDCl3、TMS、δ（ppm）） 7.50−6.33（m,8H,pH）、6.50（s,1H,olefin） 3.90（t,4H,O−CH2）、2.88（s,2H,CH2CO）、 2.57（s,1H,OH）、1.33（m,64H,CH2） 0.72（t,6H,CH3） ・IR（KBr、ν（cm-1） 3250（OH）、2900,2850（CH2）、1660（CO） 1590,1500（pH）、1240（−Oph） （B:アセチレンジアミドの合成） 撹拌下130mlのアンモニア水にアセチレンジカルボン
酸ジメチル28g（0.20モル）を２時間かけて滴下した
後、−５℃で30分間撹拌した。反応液からろ過により沈
澱を回収した後、その沈澱を水、続いてエタノールで洗
浄し、乾燥し、目的とする淡黄褐色の結晶としてアセチ
レンジアミドを得た。
酸ジメチル28g（0.20モル）を２時間かけて滴下した
後、−５℃で30分間撹拌した。反応液からろ過により沈
澱を回収した後、その沈澱を水、続いてエタノールで洗
浄し、乾燥し、目的とする淡黄褐色の結晶としてアセチ
レンジアミドを得た。
収量は19gで、収率は68％であった。このものの分解
温度は、約200℃であった。なお、質量分析によるMS（m
/e）は112（Ｍ＋）であった。
温度は、約200℃であった。なお、質量分析によるMS（m
/e）は112（Ｍ＋）であった。
（C:ジシアノアセチレンの合成） アセチレンジアミド6.0gと海砂100gを混合した後、こ
の混合物と五酸化二リン50gを300mlのフラスコに入れ、
均一に混合するようにフラスコを充分に振った。次いで
その混合物を、長さ10cm、直径5cmの６本の試験管に分
割し、少量のガラスウールを試験管の上端につめた後、
この試験管をガラス側管を有する特別に設計されたフラ
スコに連結した。上記した試験管を連結した系を一度減
圧にし、次いで乾燥した窒素で充填した後、再度減圧に
した。この操作を数回繰り返した後、系を1mmHgまで減
圧にした。この特殊なフラスコをドライアイス／アセト
ン浴に漬けることにより−78℃まで冷却した後、試験管
を215℃に設定したシリコンオイル浴中に置いたとこ
ろ、ジシアノアセチレンの蒸発が起こり、針状の結晶が
フラスコ内に成長した。この状態を約30分間維持した
後、オイルバスを除去し、この系を乾燥した窒素ガスで
充填した。ジシアノアセチレンの収量は1.1gで、収率は
20％であった。
の混合物と五酸化二リン50gを300mlのフラスコに入れ、
均一に混合するようにフラスコを充分に振った。次いで
その混合物を、長さ10cm、直径5cmの６本の試験管に分
割し、少量のガラスウールを試験管の上端につめた後、
この試験管をガラス側管を有する特別に設計されたフラ
スコに連結した。上記した試験管を連結した系を一度減
圧にし、次いで乾燥した窒素で充填した後、再度減圧に
した。この操作を数回繰り返した後、系を1mmHgまで減
圧にした。この特殊なフラスコをドライアイス／アセト
ン浴に漬けることにより−78℃まで冷却した後、試験管
を215℃に設定したシリコンオイル浴中に置いたとこ
ろ、ジシアノアセチレンの蒸発が起こり、針状の結晶が
フラスコ内に成長した。この状態を約30分間維持した
後、オイルバスを除去し、この系を乾燥した窒素ガスで
充填した。ジシアノアセチレンの収量は1.1gで、収率は
20％であった。
（D:4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−
４′,5′−ジカルボニトリルの合成） 窒素雰囲気下、特別製のフラスコ（アナレン・ヒミー
（Ann.Chim.）、1920年、vol.14、５頁の図−１に記載
されている）で、過剰量のジシアノアセチレンと3,4−
ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテン−１−オン4.0g（5.1ミリモ
ル）および40mlのクロロベンゼンを、60〜70℃の温度に
維持しつつ撹拌した。次いでｐ−トルエンスルホン酸9.
7mg（0.051ミリモル）を溶解した0.4mlの1,4−ジオキサ
ンを、上記したフラスコ中に、この温度を維持しつつ滴
下した。滴下終了後、この温度に維持しつつ、20分間撹
拌した後、10分間加熱還流を行い反応を完結した。つい
で溶媒を蒸発し、得られた残渣を減圧乾燥した後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィ（クロロホルム、Rf＝0.
72）で精製し、目的とする白色粉末状の結晶として4,
4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,
5′−ジカルボニトニルを得た。収量は3.4gで、収率は8
0％であった。またこのものの融点は98℃であった。
４′,5′−ジカルボニトリルの合成） 窒素雰囲気下、特別製のフラスコ（アナレン・ヒミー
（Ann.Chim.）、1920年、vol.14、５頁の図−１に記載
されている）で、過剰量のジシアノアセチレンと3,4−
ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテン−１−オン4.0g（5.1ミリモ
ル）および40mlのクロロベンゼンを、60〜70℃の温度に
維持しつつ撹拌した。次いでｐ−トルエンスルホン酸9.
7mg（0.051ミリモル）を溶解した0.4mlの1,4−ジオキサ
ンを、上記したフラスコ中に、この温度を維持しつつ滴
下した。滴下終了後、この温度に維持しつつ、20分間撹
拌した後、10分間加熱還流を行い反応を完結した。つい
で溶媒を蒸発し、得られた残渣を減圧乾燥した後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィ（クロロホルム、Rf＝0.
72）で精製し、目的とする白色粉末状の結晶として4,
4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,
5′−ジカルボニトニルを得た。収量は3.4gで、収率は8
0％であった。またこのものの融点は98℃であった。
以下に1H−NMRおよび赤外吸収スペクトル（IR）の測
定結果を示す。
定結果を示す。
・1H−NMR（CDCl3、TMS、δ（ppm）） 7.70（s,2H,ph）、6.98（d,4H,ph） 6.70（d,4H,ph）、3.90（t,4H,OCH2） 1.22（m,64H,CH2）、0.87（t,6H,CH3） ・IR（KBr、ν（cm−１）） 2900,2860（CH2）、2210（CN） 1590,1500（ph）、1240（−Oph） （E:2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデ
シロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合
成） 4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−
４′,5′−ジカルボニトリル1.05g（1.8ミリモル）と1,
8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデカ−７−エン0.42g
（2.7ミリモル）の混合物を18時間加熱還流した後、室
温まで冷却し、次いで生成した沈澱物をろ過により回収
した。このものをエタノールと酢酸エチルで洗浄した
後、乾燥した。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ベンゼン、Rf＝1.0）で精製した後、ジ
クロロメタンと少量の酢酸エチルとの混合物から再結晶
することにより、緑色結晶として最終目的物である2,3,
9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシロキシ
フェニル）−29H,31H−フタロシアニン（以下C18OphPcH
2と略称する。）を得た。収率は42％であった。
シロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合
成） 4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−
４′,5′−ジカルボニトリル1.05g（1.8ミリモル）と1,
8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデカ−７−エン0.42g
（2.7ミリモル）の混合物を18時間加熱還流した後、室
温まで冷却し、次いで生成した沈澱物をろ過により回収
した。このものをエタノールと酢酸エチルで洗浄した
後、乾燥した。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ベンゼン、Rf＝1.0）で精製した後、ジ
クロロメタンと少量の酢酸エチルとの混合物から再結晶
することにより、緑色結晶として最終目的物である2,3,
9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシロキシ
フェニル）−29H,31H−フタロシアニン（以下C18OphPcH
2と略称する。）を得た。収率は42％であった。
この最終生成物は、パーキンエルマー社製元素分析計
240B、ブルッカー社製1H−NMR:AC−250及び日立製作所
製330型紫外可視スペクトロメーターを用いて構造を確
認した。結果をそれぞれ表−１、表−２及び表−３に示
す。
240B、ブルッカー社製1H−NMR:AC−250及び日立製作所
製330型紫外可視スペクトロメーターを用いて構造を確
認した。結果をそれぞれ表−１、表−２及び表−３に示
す。
この化合物の相転移挙動は、温度制御装置としてメト
ラー社製FP80および82を装備した偏光顕微鏡および理学
社製示差走査熱量計サーモフレックスRTG−DSCを用いて
測定した。さらに液晶相の同定を確実にするために温度
制御装置を装備した理学社製の装置を用いてＸ線回折パ
ターンを検討した。結果を相転移温度と転移エンタルピ
ーを表−４に、格子定数、面間隔およびミラー指数等の
Ｘ線回折の結果を表−５に記載した。
ラー社製FP80および82を装備した偏光顕微鏡および理学
社製示差走査熱量計サーモフレックスRTG−DSCを用いて
測定した。さらに液晶相の同定を確実にするために温度
制御装置を装備した理学社製の装置を用いてＸ線回折パ
ターンを検討した。結果を相転移温度と転移エンタルピ
ーを表−４に、格子定数、面間隔およびミラー指数等の
Ｘ線回折の結果を表−５に記載した。
以上の測定から、本化合物は、78℃以上でヘキサゴナ
ルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）を示す新規
なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
ルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）を示す新規
なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
実施例２ ［2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−29H,31−フタロシアニン銅（II）錯
体の合成］ ｎ−ペンタノール30mlに実施例１のＤで得た4,4′−
ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジ
カルボニトリル1.50g（1.8ミリモル）と1,8−ジアザビ
シクロ［5,4,0］ウンデカ−７−エン0.42g（2.7ミリモ
ル）および塩化銅（II）0.072g（0.51ミリモル）を溶解
し、18時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応液
を室温まで冷却し、沈澱生成物をろ過により回収した。
回収物をエタノールおよび酢酸エチルで洗浄し、乾燥し
た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（ベンゼン、Rf＝1.0）で精製し、次いでジクロロメ
タンと酢酸エチルとの混合溶媒より再結晶し、目的とす
る2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）
錯体（以下C18OphPcCuと略称する。）を得た。収量は1.
12gで、収率は73％であった。
ロキシフェニル）−29H,31−フタロシアニン銅（II）錯
体の合成］ ｎ−ペンタノール30mlに実施例１のＤで得た4,4′−
ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジ
カルボニトリル1.50g（1.8ミリモル）と1,8−ジアザビ
シクロ［5,4,0］ウンデカ−７−エン0.42g（2.7ミリモ
ル）および塩化銅（II）0.072g（0.51ミリモル）を溶解
し、18時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応液
を室温まで冷却し、沈澱生成物をろ過により回収した。
回収物をエタノールおよび酢酸エチルで洗浄し、乾燥し
た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（ベンゼン、Rf＝1.0）で精製し、次いでジクロロメ
タンと酢酸エチルとの混合溶媒より再結晶し、目的とす
る2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）
錯体（以下C18OphPcCuと略称する。）を得た。収量は1.
12gで、収率は73％であった。
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造
および液晶性等の確認を行った。表−１〜５に結果を示
す。
および液晶性等の確認を行った。表−１〜５に結果を示
す。
すなわち本化合物は、82℃以上の温度でレクタンギュ
ラーディスオーダードカラムナー相（Drd（C2/m）相）
を示す新規なディスコチック液晶性化合物であることが
確認できた。
ラーディスオーダードカラムナー相（Drd（C2/m）相）
を示す新規なディスコチック液晶性化合物であることが
確認できた。
実施例３ ［2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−ドデシロキ
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−ドデシロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4−ジオクタデシロキシベンジルに換え
て4,4′−ジドデシロキシベンジルを用いることと、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラフェニルフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマト
グラフィーのRf値が0.54であること以外、実施例１のＡ
と同様の方法で合成した。得られた3,4−ビス（４−ド
デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペ
ンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は61％であっ
た。このものの融点は65−68℃であった。
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−ドデシロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4−ジオクタデシロキシベンジルに換え
て4,4′−ジドデシロキシベンジルを用いることと、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラフェニルフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマト
グラフィーのRf値が0.54であること以外、実施例１のＡ
と同様の方法で合成した。得られた3,4−ビス（４−ド
デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペ
ンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は61％であっ
た。このものの融点は65−68℃であった。
（B:アセチレンジアミドの合成） 実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（C:ジシアノアセチレンの合成） 実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（D:4,4′−ジドデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−ドデシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにクロロフォルムに換えてベンゼン：
四塩化炭素＝2:1（Rf＝0.42）の混合物を用いること以
外、実施例１のＤと同様の方法で合成した。得られた4,
4′−ジドデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−
ジカルボニトリルは白色の板状結晶で、収率は69％であ
った。このものの融点は88℃であった。
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−ドデシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにクロロフォルムに換えてベンゼン：
四塩化炭素＝2:1（Rf＝0.42）の混合物を用いること以
外、実施例１のＤと同様の方法で合成した。得られた4,
4′−ジドデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−
ジカルボニトリルは白色の板状結晶で、収率は69％であ
った。このものの融点は88℃であった。
（E:2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−ドデシロ
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジドデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカル
ボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えて
ジクロロメタン（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例
１のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,10,16,
17,23,24−オクタキス（４−ドデシロキシフェニル）−
29H,31H−フタロシアニン（以下C12OphPch2と略称す
る。）の収率は16％であった。
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジドデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカル
ボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えて
ジクロロメタン（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例
１のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,10,16,
17,23,24−オクタキス（４−ドデシロキシフェニル）−
29H,31H−フタロシアニン（以下C12OphPch2と略称す
る。）の収率は16％であった。
実施令に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、192℃以上の温度でヘキサゴナ
ルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）を示す新規
なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
ルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）を示す新規
なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
実施例４ ［2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−ドデシロキ
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）錯体
の合成］ 原料として実施例３のＤで得た4,4′−ジオクタデシ
ロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリ
ルに換えて実施例３のＤで得た4,4′−ジドデシロキシ
−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリルを用
いることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロホルム
（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例２と同様の方法
で合成した。得られた2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキ
ス（４−ドデシロキシフェニル）−29H,31H−フタロシ
アニン銅（II）錯体（以下C12OphPcCuと略称する。）の
収率は76％であった。
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）錯体
の合成］ 原料として実施例３のＤで得た4,4′−ジオクタデシ
ロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリ
ルに換えて実施例３のＤで得た4,4′−ジドデシロキシ
−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリルを用
いることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロホルム
（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例２と同様の方法
で合成した。得られた2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキ
ス（４−ドデシロキシフェニル）−29H,31H−フタロシ
アニン銅（II）錯体（以下C12OphPcCuと略称する。）の
収率は76％であった。
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造
および液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３およ
び表−４〜５に結果を示す。
および液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３およ
び表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、12℃以上の温度でレクタンギュ
ラーディスオーダードカラムナー相（Drd（C2/m）相）
を示す新規なディスコチック液晶性化合物であることが
確認できた。
ラーディスオーダードカラムナー相（Drd（C2/m）相）
を示す新規なディスコチック液晶性化合物であることが
確認できた。
実施例５ ［2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−デシロキシ
フェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて4,4′−ジデシロキシベンジルを用いることと、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタノ
ールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いるこ
とと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマトグ
ラフィーのRf値が0.60であること以外、実施例１のＡと
同様の方法で合成した。得られた3,4−ビス（４−デシ
ロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は58％であった。
このものの融点は54−57℃であった。
フェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成］ （A:3,4−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて4,4′−ジデシロキシベンジルを用いることと、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタノ
ールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いるこ
とと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマトグ
ラフィーのRf値が0.60であること以外、実施例１のＡと
同様の方法で合成した。得られた3,4−ビス（４−デシ
ロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は58％であった。
このものの融点は54−57℃であった。
（B:アセチレンジアミドの合成） 実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（C:ジシアノアセチレンの合成） 実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（D:4,4′−ジデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−
ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いるこ
とと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにクロロホルムに換えてベンゼン（Rf＝0.
58）を用いること以外、実施例１のＤと同様の方法で合
成した。得られた4,4′−ジデシロキシ−ｏ−ターフェ
ニル−４′,5′−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶
で、収率は74％であった。このものの融点は88℃であっ
た。
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−
ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いるこ
とと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにクロロホルムに換えてベンゼン（Rf＝0.
58）を用いること以外、実施例１のＤと同様の方法で合
成した。得られた4,4′−ジデシロキシ−ｏ−ターフェ
ニル−４′,5′−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶
で、収率は74％であった。このものの融点は88℃であっ
た。
（E:2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−デシロキ
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボ
ニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてジ
クロロメタン（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例１
のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,10,16,1
7,23,24−オクタキス（４−デシロキシフェニル）−29
H,31H−フタロシアニン（以下C10OpcPhH2と略称す
る。）の収率は21％であった。
シフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジデシロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボ
ニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてジ
クロロメタン（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例１
のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,10,16,1
7,23,24−オクタキス（４−デシロキシフェニル）−29
H,31H−フタロシアニン（以下C10OpcPhH2と略称す
る。）の収率は21％であった。
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造
および液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３およ
び表−４〜５に結果を示す。
および液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３およ
び表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、229℃以上の温度で液晶相（ヘ
キサゴナルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）と
思われる）を示す新規なディスコチック液晶性化合物で
あることが確認できた。
キサゴナルディスオーダードカラムナー相（Dhd相）と
思われる）を示す新規なディスコチック液晶性化合物で
あることが確認できた。
比較例１ （2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−デシロキシ
フェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）錯体の
合成） 原料として実施例１のＤで得た4,4′−ジオクタデシ
ロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリ
ルに換えて実施例５のＤで得た4,4′−ジデシロキシ−
ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリルを用い
ることと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロフォルム
（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例２と同様の方法
で合成した。得られた2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキ
ス（４−デシロキシフェニル）−29H,31H−フタロシア
ニン銅（II）錯体（以下C10OpcPhCuと略称する。）の収
率は70％であった。
フェニル）−29H,31H−フタロシアニン銅（II）錯体の
合成） 原料として実施例１のＤで得た4,4′−ジオクタデシ
ロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリ
ルに換えて実施例５のＤで得た4,4′−ジデシロキシ−
ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカルボニトリルを用い
ることと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロフォルム
（Rf＝1.0）を用いること以外、実施例２と同様の方法
で合成した。得られた2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキ
ス（４−デシロキシフェニル）−29H,31H−フタロシア
ニン銅（II）錯体（以下C10OpcPhCuと略称する。）の収
率は70％であった。
実施例に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、222℃以上の温度で分解が始ま
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
比較例２ （2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクタチロ
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） （A:3,4−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて4,4′−ジオクチロキシベンジルを用いること、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタノ
ールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いるこ
とおよび粗生成物の精製に際してシリカゲルクロマトグ
ラフィーにクロロホルム：酢酸エチル＝4:1（Rf＝0.5
1）を用いること以外、実施例１のＡと同様の方法で合
成した。得られた3,4−ビス（４−オクチロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
は淡黄色の結晶で収率は60％であった。このものの融点
は約48℃であった。
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） （A:3,4−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて4,4′−ジオクチロキシベンジルを用いること、加
熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタノ
ールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いるこ
とおよび粗生成物の精製に際してシリカゲルクロマトグ
ラフィーにクロロホルム：酢酸エチル＝4:1（Rf＝0.5
1）を用いること以外、実施例１のＡと同様の方法で合
成した。得られた3,4−ビス（４−オクチロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
は淡黄色の結晶で収率は60％であった。このものの融点
は約48℃であった。
（B:アセチレンジアミドの合成） 実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（C:ジシアノアセチレンの合成） 実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（D:4,4′−ジオクチロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いる
ことと、フラスコにアナレン・ヒミー（Ann.Chim.）,19
20年,14,5の図−１に記載されている特別製のフラスコ
を用いなかったこと、粗生成物の精製に際してシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにクロロホルムに換えてジ
クロロメタン（Rf＝0.74）を用いること以外は実施例１
のＤと同様の方法で合成した。得られた4,4′−ジオク
チロキシ−ｏ−ターフェニル−4,5′−ジカルボニトリ
ルは、白色の板状結晶で、収率は17％であった。このも
のの融点は85−87℃であった。
5′−ジカルボニトリルの合成） 原料として3,4−ビス（４−オクタデシロキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン
に換えて3,4−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンを用いる
ことと、フラスコにアナレン・ヒミー（Ann.Chim.）,19
20年,14,5の図−１に記載されている特別製のフラスコ
を用いなかったこと、粗生成物の精製に際してシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにクロロホルムに換えてジ
クロロメタン（Rf＝0.74）を用いること以外は実施例１
のＤと同様の方法で合成した。得られた4,4′−ジオク
チロキシ−ｏ−ターフェニル−4,5′−ジカルボニトリ
ルは、白色の板状結晶で、収率は17％であった。このも
のの融点は85−87℃であった。
（E:2,3,9,10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクチロ
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジオクチロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカル
ボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えて
四塩化炭素：ベンゼン＝1:1（Rf＝0.80）を用いるこ
と、再結晶の溶媒にジクロロメタンと少量の酢酸エチル
の混合物に換えて1,4−ジオキサンを用いること以外は
実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,
10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクチロキシフェニ
ル）−29H,31H−フタロシアニン（以下C8OpcPhH2と略称
する。）の収率は20％であった。
キシフェニル）−29H,31H−フタロシアニンの合成） 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−ｏ−ターフ
ェニル−４′,5′−ジカルボニトリルに換えて4,4′−
ジオクチロキシ−ｏ−ターフェニル−４′,5′−ジカル
ボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際してシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えて
四塩化炭素：ベンゼン＝1:1（Rf＝0.80）を用いるこ
と、再結晶の溶媒にジクロロメタンと少量の酢酸エチル
の混合物に換えて1,4−ジオキサンを用いること以外は
実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた2,3,9,
10,16,17,23,24−オクタキス（４−オクチロキシフェニ
ル）−29H,31H−フタロシアニン（以下C8OpcPhH2と略称
する。）の収率は20％であった。
実施例に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、285℃以上の温度で分解が始ま
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
〔発明の効果〕 本発明のオクタキス（アルコキシフェニル）フタロシ
アニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体は、温度によ
りヘキサゴナルディスオーダードカラムナー相（Dhd
相）やレクタンギュラーディスオーダードカラムナー相
（Drd（C2/m）相）等の液晶性を有し、また分子内に多
くの共役構造を有するので有機光電材料、例えば表示材
料、光導電性材料、非線形光学材料として有用である。
アニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体は、温度によ
りヘキサゴナルディスオーダードカラムナー相（Dhd
相）やレクタンギュラーディスオーダードカラムナー相
（Drd（C2/m）相）等の液晶性を有し、また分子内に多
くの共役構造を有するので有機光電材料、例えば表示材
料、光導電性材料、非線形光学材料として有用である。
またフタロシアニン金属錯体などの錯体は、いかなる
有機溶媒にも難溶であるが本化合物は、ジクロロメタン
やクロロホルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気
化学的キャラクタリゼーションが容易になる。
有機溶媒にも難溶であるが本化合物は、ジクロロメタン
やクロロホルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気
化学的キャラクタリゼーションが容易になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07D 487/22 C07K 19/34,19/40 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式〔Ｉ〕で表されるオクタキス
（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物。 （式中、R1は炭素数９〜36のアルキル基を示す。） - 【請求項２】下記一般式〔II〕で表されるオクタキス
（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移
金属錯体。 （Ｍは周期律表第I B族、III B〜VII B族および第VIII
族金属から選ばれた遷移金属を示し、R2は炭素数11〜36
のアルキル基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182485A JPH04182485A (ja) | 1992-06-30 |
| JP2976057B2 true JP2976057B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18005081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310423A Expired - Lifetime JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976057B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9425956D0 (en) * | 1994-12-22 | 1995-02-22 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
| JP2958454B2 (ja) * | 1998-03-12 | 1999-10-06 | 工業技術院長 | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
| JP5850422B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-02-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子材料組成物 |
-
1990
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