JPH04182485A - オクタキス(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 - Google Patents
オクタキス(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯
体に関する。
化合物として種々利用されている。この種の化合物およ
びこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有して
いるため、光導電性を有し、例えば電子写真用の媒体等
の有機光電材料としての用途への利用が提案されている
。
なる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して有機光
電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッタリン
グ等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可能であ
った。
キシフェニル)フタロシアニン誘導体オよびそれらの遷
移金属錯体を合成し、構造や物性を検討したところ、フ
タロシアニン誘導体においては炭素数9〜36の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
また遷移金属錯体においては炭素数11〜36の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
それらか液晶相を示すことを見い出し本発明に到達した
。
機溶媒にも難溶であるか、長鎖アルキル基を付与するこ
とにより、クロロホルム、ジクロロメタンなどに溶ける
ようになる。すなわち有機溶媒に可溶な新規の有機遷移
金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目的で
ある。
クタキズ(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合
物、 (式中、R,は炭素数9〜36のアルキル基を示す。) および下記の一般式〔II〕で表されるオクタキズ(ア
ルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物(Mは周期
律表第1B族、I[[B〜■B族および第■族金属から
選ばれた遷移金属を示し、R2は炭素数11〜36のア
ルキル基を示す。)以下、本発明について詳細に説明す
る。
シフェニル)フタロシアニン系化合物は各フェニル基の
4−位にアルコキシ基OR(以下R4とR2を総称して
Rで表すことかある。)を有している。
lO〜22の直鎖状または分岐状を有するものであり、
例えばノニル、デシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキ
サデシル、オクタデシル、エイコシル基などが挙げられ
る。R2は炭素数が11〜36、好ましくは12〜22
の直鎖状または分岐状を有するものであり、例えばドデ
シル、ペンタデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エ
イコシル基などが挙げられる。炭素数が下限より少ない
と液晶性を示さず、一方、上限より多いと液晶性発現が
困難となるので好ましくない。
ルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体のMとしてはFe、Co、Ni、V、Y、Mn、、
Cr、Ti、Ru、Rh、Pd、Cu、Ag、Au、L
a、Ce、Nd、Pr等の遷移金属が例示される。
法を採用することかできる。
ンデカ−7−エンを示す。
シベンズアルデヒド(1)から3,4−ビス(4−アル
コキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテ
ン−1−オン(6)への合成はマクロモレキュラー・ケ
ミストリー、ラビット・コミュニケーション(Makr
omol、 Chem、、 RapidCommun、
)第6巻、577頁(1985年)に記載されている
ウェンツ(G、Wenz)の方法を用いることができる
。
キシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン
−1−オン(6)とジシアノアセチレンを用いてケミス
トリー・レターズ(Chem、 Lett。
(Chem、Lett、) 1983年313頁に記載
されている方法を用いて目的とするオクタキズ(アルコ
キシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその金属
錯体を得ることができる。
明はこれらに限定されるものではない。
キズ(4−オクタデシロキシフェニル) −29H,3
1H−フタロシアニンの合成1 (A:3.4−ビス(4−オクタデシロキシフェニル)
−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オンの合
成) 4.4−ジオクタデシロキシベンジル8.0g (11
ミリモル)とカリウムtert−ブチラード0.60g
(5,4ミリモル)およびアセトン12.4g(0,2
1モル)の混合物を、乾燥エタノール150rnlと乾
燥テトラヒドロフラン30m1の混合物中で、窒素雰囲
気下で18時間加熱還流を行った。室温まで冷却した後
、反応生成物を400+nlの2%酢酸水溶液中に入れ
、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで抽出物を水
を用いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した
。溶媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(クロロホルム:酢酸エチル=5=1、
Rf=0.50) 、続けて再結晶(エタノール)によ
り精製して、白色粉末の3,4−ビス(4−オクタデシ
ロキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテ
ン−1−オンを得た。収量は5.8gで、収率は67%
であった。また融点は84−85℃であった。
の測定結果を示す。
7、50−6.33(m、 8H,ph)、6.50(
s、 LH,olefin)3.90(t、 4H,0
−CH2)、2.88(s、 2H,CH2C0)、2
、57(s、 IH,OH)、1.33(m、 64H
,CH2)0、72(t、 6H,CH3) ・I R(KBr、 L/ (am−’)3250(
0旧、2900.2850(CH2)、1660(CO
)1590、1500(ph)、1240(−0ph)
(B:アセチレンジアミドの合成) 撹拌下130m1のアンモニア水にアセチレンジカルボ
ン酸ジメチル28 g (0,20モル)を2時間かけ
て滴下した後、−5℃で30分間撹拌した。反応液から
ろ過により沈澱を回収した後、その沈澱を水、続いてエ
タノールで洗浄し、乾燥し、目的とする淡黄褐色の結晶
としてアセチレンジアミドを得た。
解温度は、約200°Cであった。なお、質量分析によ
るMS (m 7’ e )は112(M+)であった
。
後、この混合物と五酸化ニリン50gを300m lの
フラスコに入れ、均一に混合するようにフラスコを充分
に振った。次いでその混合物を、長さ10cm、直径5
cmの6本の試験管に分割し、少量のカラスウールを試
験管の上端につめた後、この試験管をガラス側管を有す
る特別に設計されたフラスコに連結した。上記した試験
管を連結した系を一度減圧にし、次いで乾燥した窒素で
充填した後、再度減圧にした。この操作を数回繰り返し
た後、系をlmmHgまで減圧にした。この特殊なフラ
スコをドライアイス/アセトン浴に漬けることにより一
78℃まで冷却した後、試験管を215℃に設定したシ
リコンオイル浴中に置いたところ、ジシアノアセチレン
の蒸発が起こり、針状の結晶がフラスコ内に成長した。
、この系を乾燥した窒素カスで充填した。ジシアノアセ
チレンの収量は1.1gで、収率は20%であった。
ルー4’ 、 5’−ジカルボニトリルの合成)窒素雰
囲気下、特別製のフラスコ(アナレン・ヒミー(Ann
、 Chim、)、1920年、vol、14.5頁の
図−1に記載されている)で、過剰量のジシアノアセチ
レンと3,4−ビス(4−オクタデシロキシフェニル)
−4−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オン4.
0g(5,1ミリモル)および40m1のクロロベンゼ
ンを、60〜70℃の温度に維持しつつ撹拌した。次い
でp−トルエンスルホン酸9.7mg(0,051ミリ
モル)を溶解した0、4mlの1,4−ジオキサンを、
上記したフラスコ中に、この温度を維持しつつ滴下した
。滴下終了後、この温度に維持しつつ、20分間撹拌し
た後、10分間加熱還流を行い反応を完結した。ついで
溶媒を蒸発し、得られた残金を減圧乾燥した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ(クロロホルム、Rf=0
.72) テ精製し、目的とする白色粉末状の結晶とし
て4,4°−ジオクタデシロキシー0−ターフェニル−
4′、5゜−ジカルボニトリルを得た。収量は3.4g
で、収率は80%であった。またこのものの融点は98
℃であった。
の測定結果を示す。
7、70(s、 2H,ph)、6.98(d、 4H
,ph)6、70(d、 4H,ph)、3.90(t
、4H,0CH2)1、22(m、 64H,CH2)
、0.87(t、 6H,CH3)・I R(KBr、
v (cm−1))2900、2860(CH2)、
2210(CN)1590、1500(ph)、124
0(−0ph)(E : 2.3.9.10.16.1
?、 23.24−オクタキズ(4−オクタデシロキシ
フェニル)−29H,31H−フタロシアニンの合成) 4.4゛−ジオクタデシロキシ−。−ターフェニル−4
’、 5“−ジカルボニトリル1.05 g(1,8ミ
リモル)と1,8−ジアザビジクロロ5,4.Olウン
デカ−7−ニン0.42g(2,7ミリモル)の混合物
を18時間加熱還流した後、室温まで冷却し、次いで生
成した沈澱物をろ過により回収した。このものをエタノ
ールと酢酸エチルで洗浄した後、乾燥した。
ベンゼン、Rf=1.0)で精製した後、ジクロロメタ
ンと少量の酢酸エチルとの混合物から再結晶することに
より、緑色結晶として最終目的物である2、 3.9.
10.16.17.23.24−オクタキズ(4−オク
タデシロキシフェニル)−29H,3LH−フタロシア
ニン(以下Cz+0phPcH2と略称する。)を得た
。
40B、プルツカ−社製’H−NMR: AC−250
及び日立製作所製330型紫外可視スペクトロメーター
を用いて構造を確認した。結果をそれぞれ表−1、表−
2及び表−3に示す。
ー社製FP80および82を装備した偏光顕微鏡および
理学社製示差走査熱量計サーモフレックスRTG−DS
Cを用いて測定した。さらに液晶相の同定を確実にする
ために温度制御装置を装備した理学社製の装置を用いて
X線回折パターンを検討した。結果を相転移温度と転移
エンタルピーを表−4に、格子定数、面間隔およびミラ
ー指数等のX線回折の結果を表−5に記載した。
ナルディスオーダードカラムナー相(Dhd相)を示す
新規なディスコチック液晶性化合物であることが確認で
きた。
キズ(4−オクタデシロキシフェニル)−298,31
H−フタロシアニン銅(I[)錯体の合成] n−ペンタノール30m1に実施例1のDて得た4゜4
°−ジオクタデシロキシ−〇−ターフェニルー4゛。
と1゜8−シアサビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7
−ニン0.42 g (2,7ミリモル)および塩化銅
(If )0.072g (0,51ミリモル)を溶解
し、18時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応
液を室温まで冷却し、沈澱生成物をろ過により回収した
。回収物をエタノールおよび酢酸エチルで洗浄し、乾燥
した。
ベンセン、Rf=1.0)で精製し、次いでジクロロメ
タンと酢酸エチルとの混合溶媒より再結晶し、目的とす
る2、 3.9.10.16.17.23.24−オク
タキズ(4−オクタデシロキシフェニル)−29H。
phPcCuと略称する。)を得た。収量は1.12g
で、収率は73%であった。
よび液晶性等の確認を行った。表−1〜5に結果を示す
。
ュラーディスオーダードヵラムナー相(Drd(C2/
m)相)を示す新規なディスコチック液晶性化合物であ
ることか確認できた。
キズ(4−ドブシロキシフェニル)−29H,31H−
フタロシアニンの合成] (A:3.4−ビス(4−ドブシロキシフェニル)−4
−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オンの合成) 原料として4,4−ジオクタデシロキシベンジルに換え
て4,4゛−シトデシロキシヘンジルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラフェニルフランと乾燥メ
タノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用い
ることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマ
トグラフィーのRf値が0.54であること以外、実施
例1のAと同様の方法で合成した。得られた3、4−ビ
ス(4−ドブシロキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2
−シクロペンテン−1−オンは、淡黄色の結晶で収率は
61%であった。このものの融点は65−68℃であっ
た。
4’、5°−ジカルボニトリルの合成)原料として3,
4−ビス(4−オクタデシロキシフェニル)−4−ヒド
ロキシ−2−シクロペンテン−1−オンに換えて3,4
−ビス(4−ドブシロキンフェニル)−4−ヒドロキシ
−2−シクロペンテン−1−オンを用いることと、粗生
成物の精製にさいしてシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにクロロフォルムに換えてベンセン:四塩化炭素=
2・1 (Rf=0.42)の混合物を用いること以
外、実施例1のDと同様の方法で合成した。
−4°、5°−ジカルボニトリルは白色の板状結晶で、
収率は69%であった。このものの融点は88°Cであ
った。
〜オクタキズ(4−ドブシロキシフェニル)−29H、
31H−フタロシアニンの合成) 原料として4,4゛−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー4°、5°−ジカルボニトリルに換えて4,4
゛−シトデシロキシ−〇−ターフェニルー4°、5°−
ジカルホニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際
してシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに
換えてジクロロメタン(Rf=1.0)を用いること以
外、実施例1のEと同様の方法で合成した。得られた2
、 3.9.10.16.17.23゜24−オクタキ
ズ(4−ドブシロキシフェニル)=298.31H−フ
タロシアニン(以下C1□ophp CH2と略称する
。)の収率は16%であった。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−1〜3および表
−4〜5に結果を示す。
ルディスオーダートカラムナー相(Dhd相)を示す新
規なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
キズ(4−ドブシロキシフェニル) −29H,31H
−フタロシアニン銅(If)錯体の合成1 原料として実施例3のDで得た4、4°−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー4“、5°−ジカルボニト
リルに換えて実施例3のDで得た4、4°−シトデシロ
キシ−〇−ターフェニルー4゛、5°−ジカルボニトリ
ルを用いることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにベンセンに換えてクロロ
ホルム(Rf=1.O)を用いること以外、実施例2と
同様の方法で合成した。
−オクタキズ(4−ドブシロキシフェニル) −29H
,31H−フタロシアニン銅(n)錯体(以下C1□0
phPcCuと略称する。)の収率は76%であった。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−1〜3および
表−4〜5に結果を示す。
ラーディスオーダートカラムナー相(Drd(C2/m
)相)を示す新規なディスコチック液晶性化合物である
ことが確認できた。
キズ(4−デシロキシフェニル) −29H,31H−
フタロシアニンの合成1 (A・3,4−ビス(4−デシロキシフェニル)〜4−
ヒドロキシー2−シクロペンテン−1−オンの合成) 原料として4,4°−ジオクタデシロキシペンシルに換
えて4,4°−ジブシロキシペンシルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマト
グラフィーのRf値か0.60であること以外、実施例
1のAと同様の方法で合成した。得られた3、4−ヒス
(4−デシロキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シ
クロペンテン−1−オンは、淡黄色の結晶で収率は58
%であった。このものの融点は54−57°Cであった
。
’、 5’−ジカルボニトリルの合成)原料として3,
4−ビス(4−オクタデシロキシフェニル)−4−ヒド
ロキシ−2−シクロペンテン−1−オンに換えて3,4
−ビス(4−デシロキシフェニル)−4−ヒドロキシ−
2−シクロペンテン−1−オンを用いることと、粗生成
物の精製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にクロロホルムに換えてベンゼン(Rf=0.58)を
用いること以外、実施例1のDと同様の方法で合成した
。得られた4、4“−ジブシロキシ−0−ターフェニル
−4′、5°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は74%であった。このものの融点は88°Cで
あった。
−オクタキズ(4−デシロキシフェニル) −29H,
31H−フタロシアニンの合成) 原料として4,4′−シオクタデンロキシー〇−ターフ
ェニル−4’、5’−ジカルボニトリルに換えて4,4
゛−ジブシロキシ−0−ターフェニル−4“、5°−ジ
カルボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際し
てシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに換
えてジクロロメタン(Rf−1,O)を用いること以外
、実施例1のEと同様の方法で合成した。得られた2、
3.9.10.16.17.23.24−オクタキズ
(4−デシロキシフェニル)−29H,31H−フタロ
シアニン(以下C、oOpcPhH2と略称する。)の
収率は21%であった。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−1〜3および
表−4〜5に結果を示す。
キサコナルディスオーダードカラムナー相(Dhd相)
と思われる)を示す新規なディスコチック液晶性化合物
であることが確認できた。
キズ(4−デシロキシフェニル) −29H,31H−
フタロシアニン銅(n)錯体の合成) 原料として実施例1のDで得た4、4゛−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー4’、5’−ジカルボニト
リルに換えて実施例5のDで得た4、4゜−ジデシロキ
シー〇−ターフェニル−4°、5°−ジカルボニトリル
を用いることと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロフォ
ルム(Rf= 1.0)t−用いること以外、実施例2
と同様の方法で合成した。得られた2、 3.9.10
.16.17.23.24−オクタキズ(4−デシロキ
シフェニル) −29H,31H−フタロシアニン銅(
II)錯体(以下C1゜0pcPhCuと略称する。)
の収率は70%であった。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−1〜3および表
−4〜5に結果を示す。
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
キズ(4−オクチロキシフェニル) −29H,31H
−フタロシアニンの合成) (A:3.4−ビス(4−オクチロキシフェニル)−4
−ヒドロキシ−2−シクロペンテン−1−オンの合成) 原料として4,4°−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて4,4′−ジオクチロキジベンジルを用いること、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことおよび粗生成物の精製に際してシリカゲルクロマト
グラフィーにクロロホルム・酢酸エチル−4: 1
(Rf=0.51)を用いること以外、実施例1のAと
同様の方法で合成した。得られた3、4−ビス(4−オ
クチロキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−シクロペ
ンテン−1−オンは淡黄色の結晶で収率は60%であっ
た。
4’、 5’−ジカルボニトリルの合成)原料として3
,4−ビス(4−オクタデシロキシフェニル)−4−ヒ
ドロキシ−2−シクロペンテン−1−オンに換えて3.
4−ビス(4−オクチロキシフェニル)−4−ヒドロキ
シ−2−シクロペンテン−1−オンを用いることと、フ
ラスコにアナレン・ヒミー(Ann、 Chim、 )
、 1920年、 14.5の図−1に記載されている
特別製のフラスコを用いなかったこと、粗生成物の精製
に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにクロロ
ホルムに換えでジクロロメタン(Rf= 0.74)を
用いること以外は実施例1のDと同様の方法で合成した
。得られた4、4゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニ
ル−4゜5°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は17%であった。このものの融点は85−87
°Cてあった。
−オクタキズ(4−オクチロキシフェニル) −29H
,31H−フタロンアニンの合成) 原料として4,4′−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー4’、5’−ジカルホニトリルに換えて4.4
゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニル−4°。
製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにベン
ゼンに換えて四塩化炭素、ベンセン=1 : 1 (R
f=0.80)を用いること、再結晶の溶媒にジクロロ
メタンと少量の酢酸エチルの混合物に換えて1,4−ジ
オキサンを用いること以外は実施例1のEと同様の方法
で合成した。得られた2゜3、9.10.16.17.
23.24−オクタキズ(4−オクチロキシフェニル)
−298,31H−フタロンアニン(以下CgOpcP
hH2と略称する。)の収率は20%であった。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−1〜3および表
−4〜5に結果を示す。
まり、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は
認められなかった。
ニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体は、温度により
ヘキサゴナルディスオーダードカラムナー相(Dhd相
)やレクタンキュラーディスオーダードカラムナー相(
D r d (C2/m)相)等の液晶性を有し、また
分子内に多くの共役構造を有するので有機光電材料、例
えば表示材料、光導電性材料、非線形光学材料として有
用である。
機溶媒にも難溶であるが本化合物は、ジクロロメタンや
クロロホルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気化
学的キャラクタリゼーションが容易になる。
Claims (2)
- (1)下記一般式〔 I 〕で表されるオクタキズ(アル
コキシフェニル)フタロシアニン系化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中、R_1は炭素数9〜36のアルキル基を示す。 ) - (2)下記一般式〔II〕で表されるオクタキズ(アルコ
キシフェニル)フタロシアニン系化合物の遷移金属錯体
。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (Mは周期律表第 I B族、IIIB〜VIIB族および第VI
II族金属から選ばれた遷移金属を示し、R_2は炭素数
11〜36のアルキル基を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04182485A true JPH04182485A (ja) | 1992-06-30 |
JP2976057B2 JP2976057B2 (ja) | 1999-11-10 |
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JP2310423A Expired - Lifetime JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス(アルコキシフェニル)フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
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---|---|
JP (1) | JP2976057B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996019480A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-27 | The Secretary Of State For Defence | Substituted phthalocyanines |
JPH11256058A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
JP2013043987A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電子材料組成物 |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2310423A patent/JP2976057B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1996019480A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-27 | The Secretary Of State For Defence | Substituted phthalocyanines |
GB2312675A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-05 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
GB2312675B (en) * | 1994-12-22 | 1999-05-05 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
US5942612A (en) * | 1994-12-22 | 1999-08-24 | Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The U.K. Of Gt. Britain And N. Ireland Defence Evaluation & Research Agency | Substituted phthalocyanine liquid crystal compounds |
JPH11256058A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
JP2013043987A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電子材料組成物 |
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