JPS60152459A - スルホニウム化合物 - Google Patents
スルホニウム化合物Info
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- JPS60152459A JPS60152459A JP773184A JP773184A JPS60152459A JP S60152459 A JPS60152459 A JP S60152459A JP 773184 A JP773184 A JP 773184A JP 773184 A JP773184 A JP 773184A JP S60152459 A JPS60152459 A JP S60152459A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規なスルホニウム化合物に関する。
発明の目的及び構成
本発明のスルホニウム化合物は、下記一般式（Ｉ）で表
わされる。
わされる。
〔式中Ｒ□及びＲ２は同−又は相異なって低級アル十ル
基を示す。Ｒ３は低級アシルアセチル基、低級アルコ＋
ジアセチル基、フェノ士ジアセチル基、低級アシルアミ
ノアセチル基、アラル＋ルオ牛ジカルボニル基、低級ア
ルコ＋ジカルボニル基、ラクトイル基、アラル＋ル基又
はアラル＋ルオ牛ジメチル基を示す。Ｒ４は低級アル＋
ル基、フェニル基、イソづト士ジカルボニル基、アラル
＋ルオ十ジカルボニル基、低級アル＋ルカルバｔイル基
又はフェニルカルバ七イル基を示す。ｎは１〜３の整数
を示す。またＹは酸残基を示す。〕上記一般式（Ｄ中、
Ｒ□及びＲ２で表わされる低級アル＋ル基としては炭素
数＋−ｊのアル＋ル基、例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソづロピル、づチル、イソづチル、ｔ−づチル、
ペクチル、へ牛シル基等を例示できる。
基を示す。Ｒ３は低級アシルアセチル基、低級アルコ＋
ジアセチル基、フェノ士ジアセチル基、低級アシルアミ
ノアセチル基、アラル＋ルオ牛ジカルボニル基、低級ア
ルコ＋ジカルボニル基、ラクトイル基、アラル＋ル基又
はアラル＋ルオ牛ジメチル基を示す。Ｒ４は低級アル＋
ル基、フェニル基、イソづト士ジカルボニル基、アラル
＋ルオ十ジカルボニル基、低級アル＋ルカルバｔイル基
又はフェニルカルバ七イル基を示す。ｎは１〜３の整数
を示す。またＹは酸残基を示す。〕上記一般式（Ｄ中、
Ｒ□及びＲ２で表わされる低級アル＋ル基としては炭素
数＋−ｊのアル＋ル基、例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソづロピル、づチル、イソづチル、ｔ−づチル、
ペクチル、へ牛シル基等を例示できる。
一般式（Ｉ）中Ｒ３で表わされる低級アシルアセチル基
としては炭素数４〜６のチリルアセチル基、例えばアセ
チルアセチル、づロヒ才二ルアセチル、づチリルアセチ
ル基等の低級アル＋ルカルボニルアｔチル基を、低級ア
ルコ弔ジアセチル基としては炭素数３〜６のアルコ＋ジ
アセチル基、例えばメト中ジアセチル、エト＋ジアセチ
ル、づロポ＋ジアセチル、ブト＋ジアセチル基等を、低
級アシルアミノアセチル基としては炭素数４〜６のアシ
ルアミノアセチル基、例えばアセチルアミノアセチル、
づロヒオニルアミノアセチル、づチリルアミノアセチル
基等の低級アル＋ルカル系ニルアミノアセチル基を、ア
ラル十ル基としては炭素数７〜１０のアラル＋ル基、例
えばべ′Ｊジル、フェネチル、フェニルＪｊｏピル基等
のフェニル低級アルキル基を、アラル＋ルオ＋ジメチル
基としては炭素数８〜１１のアラル＋ルオ＋ジメチル基
、例えばベシジルオ士ジメチル、フエネチルオ十ジメチ
ル、フェニルづ口ごルオ＋ジメチル基等のフェニル低級
アルキルオ十ジメチル基を、低級アルコ牛ジカルボニル
基としては炭素数２〜５のアルコ牛シｆ３ルポニル基、
例えばメト中ジカルボニル、エト十ジカルボニル、づロ
ピルオ十ジカルボニル、ブト＋ジカルボニル基等を、ま
たアラル＋ルオ十ジカルボニル基としては炭素数８〜１
ｏのアラル十ルオ十ジカルボニル基、例えばベシジルオ
＋ジカルボニル、フエネチルオ＋ジカルボニル、フェニ
ル−ｂｏ＋＝ルオ士ジカルボニル基等のフェニル低級ア
ルキルオ十ジカルボニル基を夫々例示できる。
としては炭素数４〜６のチリルアセチル基、例えばアセ
チルアセチル、づロヒ才二ルアセチル、づチリルアセチ
ル基等の低級アル＋ルカルボニルアｔチル基を、低級ア
ルコ弔ジアセチル基としては炭素数３〜６のアルコ＋ジ
アセチル基、例えばメト中ジアセチル、エト＋ジアセチ
ル、づロポ＋ジアセチル、ブト＋ジアセチル基等を、低
級アシルアミノアセチル基としては炭素数４〜６のアシ
ルアミノアセチル基、例えばアセチルアミノアセチル、
づロヒオニルアミノアセチル、づチリルアミノアセチル
基等の低級アル＋ルカル系ニルアミノアセチル基を、ア
ラル十ル基としては炭素数７〜１０のアラル＋ル基、例
えばべ′Ｊジル、フェネチル、フェニルＪｊｏピル基等
のフェニル低級アルキル基を、アラル＋ルオ＋ジメチル
基としては炭素数８〜１１のアラル＋ルオ＋ジメチル基
、例えばベシジルオ士ジメチル、フエネチルオ十ジメチ
ル、フェニルづ口ごルオ＋ジメチル基等のフェニル低級
アルキルオ十ジメチル基を、低級アルコ牛ジカルボニル
基としては炭素数２〜５のアルコ牛シｆ３ルポニル基、
例えばメト中ジカルボニル、エト十ジカルボニル、づロ
ピルオ十ジカルボニル、ブト＋ジカルボニル基等を、ま
たアラル＋ルオ十ジカルボニル基としては炭素数８〜１
ｏのアラル十ルオ十ジカルボニル基、例えばベシジルオ
＋ジカルボニル、フエネチルオ＋ジカルボニル、フェニ
ル−ｂｏ＋＝ルオ士ジカルボニル基等のフェニル低級ア
ルキルオ十ジカルボニル基を夫々例示できる。
一般式（Ｉ）中、Ｒ４で表わされる低級アル＋ル基及び
アラル士ルオ＋ジカルボニル基は夫々前記と同様であり
、また低級アル＋ルカルバｔイル基としては炭素数２〜
５のアルキルカルバ七イル基、例えばメチルカルバ七イ
ル、エチルカルバ上イル、づ０ヒルカルバ七イル、づチ
ルカルバ上イル基等を例示することができる。
アラル士ルオ＋ジカルボニル基は夫々前記と同様であり
、また低級アル＋ルカルバｔイル基としては炭素数２〜
５のアルキルカルバ七イル基、例えばメチルカルバ七イ
ル、エチルカルバ上イル、づ０ヒルカルバ七イル、づチ
ルカルバ上イル基等を例示することができる。
一般式（■）中、Ｙで表わされる酸残基としては、医薬
品として使用できるものであれば良く、具体的には次の
無機酸残基及び有機酸残基を例示できる。
品として使用できるものであれば良く、具体的には次の
無機酸残基及び有機酸残基を例示できる。
無機酸残基・・・・・塩化水素、沃化水素、臭化水素、
四弗化硼素酸、過塩素酸、リシ酸 等の酸残基 有機酸残基・・・・・メタシスルホシ酸、トルエシスル
ホシ酸、カシファースルホジ酸、 １．５−ナフタレシジスルホシ酸等 の有機スルホシ酸残基及び乳酸、 マレイン酸、マ０シ酸等のカルボ ジ酸残基 本発明の上記一般式（Ｉ）で表わされるスルホニウム化
合物は抗アレル千−作用等を有し、抗アレル千−剤を始
めとする医薬品として有用である。
四弗化硼素酸、過塩素酸、リシ酸 等の酸残基 有機酸残基・・・・・メタシスルホシ酸、トルエシスル
ホシ酸、カシファースルホジ酸、 １．５−ナフタレシジスルホシ酸等 の有機スルホシ酸残基及び乳酸、 マレイン酸、マ０シ酸等のカルボ ジ酸残基 本発明の上記一般式（Ｉ）で表わされるスルホニウム化
合物は抗アレル千−作用等を有し、抗アレル千−剤を始
めとする医薬品として有用である。
以下、上記一般式（Ｉ）で表わされる本発明スルホニウ
ム化合物の製造方法につき説明する。本発明化合物は、
例えば下記に示す各種の方法により製造される。
ム化合物の製造方法につき説明する。本発明化合物は、
例えば下記に示す各種の方法により製造される。
一般式
％式％（）
〔式中Ｒ２及びＹは前記に同じ。〕
で表わされる化合物とを反応させる。
本反応は溶媒中或いは無溶媒で、−３０〜＋５０℃、好
ましくは０〜１００℃以下、反応時間約０．５〜７２時
間で行なわれる。化合物（ｍ）はスルファイド化合物（
ＩＩ）に対し大過剰量使用しても良いが、好ましくは理
論量の約１〜４倍モル量使用するのが良い。溶媒として
はメタノール、エタノール、づロバノール等のアルコー
ル類、アセトニトリル、ニトロメタン、ジメチル小ルム
ア三ド、ジメチルスルホ＋サイド等の極性溶媒、メチレ
シクＯライト、クロロホルム等のへロゲシ化炭化水素類
、ベシゼシ、トルニジ、＋シレシ等の芳香族炭化水素類
、エチルエーテル、づ０じルエーテル等のエーテル類、
その他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水、及び
これら溶媒の混合溶媒を使用できる。反応は必要に応じ
て密閉容器中で行なうことができる。
ましくは０〜１００℃以下、反応時間約０．５〜７２時
間で行なわれる。化合物（ｍ）はスルファイド化合物（
ＩＩ）に対し大過剰量使用しても良いが、好ましくは理
論量の約１〜４倍モル量使用するのが良い。溶媒として
はメタノール、エタノール、づロバノール等のアルコー
ル類、アセトニトリル、ニトロメタン、ジメチル小ルム
ア三ド、ジメチルスルホ＋サイド等の極性溶媒、メチレ
シクＯライト、クロロホルム等のへロゲシ化炭化水素類
、ベシゼシ、トルニジ、＋シレシ等の芳香族炭化水素類
、エチルエーテル、づ０じルエーテル等のエーテル類、
その他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水、及び
これら溶媒の混合溶媒を使用できる。反応は必要に応じ
て密閉容器中で行なうことができる。
上記反応において、原料として用いられるスルファイド
化合物（ｎ）は、例えば一般式〔式中Ｒ□、Ｒ４及びｎ
は前記に同じ。〕で表わされる化合物と、一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ３は前記に同じ。ＨａＬはへロケシ原子を示す
。〕 で表わされる化合物とを、無溶媒又は適邑な溶媒中、０
〜１００℃程度の温度条件下に反応させることによシ合
成される。該合成反応は、好ましくは塩基性化合物、例
えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの
水素化物、これらの水酸化物又はヒリジシ、ｔルホリシ
、ピペリ：ｌ；シ、ごペラジシ、トリエチルアミυ等の
存在下に実施される。上記スルファイド化合物（ｎ）の
合成の詳細は、後記参考例において記述する。
化合物（ｎ）は、例えば一般式〔式中Ｒ□、Ｒ４及びｎ
は前記に同じ。〕で表わされる化合物と、一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ３は前記に同じ。ＨａＬはへロケシ原子を示す
。〕 で表わされる化合物とを、無溶媒又は適邑な溶媒中、０
〜１００℃程度の温度条件下に反応させることによシ合
成される。該合成反応は、好ましくは塩基性化合物、例
えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの
水素化物、これらの水酸化物又はヒリジシ、ｔルホリシ
、ピペリ：ｌ；シ、ごペラジシ、トリエチルアミυ等の
存在下に実施される。上記スルファイド化合物（ｎ）の
合成の詳細は、後記参考例において記述する。
一般式
〔式中Ｒ□、Ｒ２、Ｒ３、ＲｌＬ及びｎは前記に同じ。
Ｘはへロケシ原子を示す。〕
で表わされるスルホニウムハライドと、一般式２式％（
） 〔式中Ｚは＠原子又はアルカリ金属原子を示す。
） 〔式中Ｚは＠原子又はアルカリ金属原子を示す。
Ｙ工は上記Ｘで示されるハ０ゲシ原子以外の酸残基を示
す。〕 で表わでれる化合物とを反応させる。
す。〕 で表わでれる化合物とを反応させる。
本方法は、スルホニウムハライド（■）（本発明の一般
式（Ｉ）で表わされる化合物中、Ｙがハロゲシ化水素酸
残基を示すもの）の塩交換反応を利用するものであり、
該原料化合物（ＶＩ）は上記製造法Ａに従い製造される
。該スルホニウムハライド（Ｖｌ）は、製造法Ａに示し
た反応系よシ単離することなく、反応混合物の形態でも
本反応に使用できる。勿論反応系よシ単離精製して用い
ることもできる。上記スルホニウムハライド（Ｖｌ）と
反応させるべき化合物（■）としては、本発明の一般式
（Ｉ）中Ｙに対応する酸残基を提供し得る各酸の銀塩又
はアルカリ金属塩を使用できる。上記酸としては例えば
塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、過塩素酸、四弗化硼
素酸“等の無機酸及びマレイン酸、マロシ酸、乳酸、カ
シファースルホシ酸、メタシスルホシ酸、トシル酸、ピ
クリルスルホシ酸、１，５−ナツタしシジスルホシ酸等
の有機酸を例示できる。またアルカリ金属としては例え
ばす１〜リウム、ガリウム、リチウム等を例示できる。
式（Ｉ）で表わされる化合物中、Ｙがハロゲシ化水素酸
残基を示すもの）の塩交換反応を利用するものであり、
該原料化合物（ＶＩ）は上記製造法Ａに従い製造される
。該スルホニウムハライド（Ｖｌ）は、製造法Ａに示し
た反応系よシ単離することなく、反応混合物の形態でも
本反応に使用できる。勿論反応系よシ単離精製して用い
ることもできる。上記スルホニウムハライド（Ｖｌ）と
反応させるべき化合物（■）としては、本発明の一般式
（Ｉ）中Ｙに対応する酸残基を提供し得る各酸の銀塩又
はアルカリ金属塩を使用できる。上記酸としては例えば
塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、過塩素酸、四弗化硼
素酸“等の無機酸及びマレイン酸、マロシ酸、乳酸、カ
シファースルホシ酸、メタシスルホシ酸、トシル酸、ピ
クリルスルホシ酸、１，５−ナツタしシジスルホシ酸等
の有機酸を例示できる。またアルカリ金属としては例え
ばす１〜リウム、ガリウム、リチウム等を例示できる。
本塩交換反応は溶媒中、約−３０〜１５０℃、好ましく
は約０〜１００℃で行なわれる。化合物（■）はスルホ
ニウムハライド（Ｖ［）に対して、好ましくは理論量の
約１〜４倍量で使用はれる。溶媒としては前記製造法Ａ
の反応に使用されると同一の各種の溶媒をいずれも使用
できる。
は約０〜１００℃で行なわれる。化合物（■）はスルホ
ニウムハライド（Ｖ［）に対して、好ましくは理論量の
約１〜４倍量で使用はれる。溶媒としては前記製造法Ａ
の反応に使用されると同一の各種の溶媒をいずれも使用
できる。
で表わされる化合物（酸）とを反応略せる。
本方法もスルホニウムハライド（Ｖｌ）の塩交換反応を
利用するものであり、化合物（■）としては、本発明の
一般式（Ｉ）で表わされる化合物中Ｙで示される酸残基
を提供し得る遊離形態の有機酸もしくは無機酸を利用す
る。之等酸の具体例は上記製造法Ｂに示す通りである。
利用するものであり、化合物（■）としては、本発明の
一般式（Ｉ）で表わされる化合物中Ｙで示される酸残基
を提供し得る遊離形態の有機酸もしくは無機酸を利用す
る。之等酸の具体例は上記製造法Ｂに示す通りである。
本反応において酸化銀は、原料とするスルホニウムハラ
イド（Ｖｌ）に対して通常等モル以上、好ましくは約１
〜４倍モルの割合で用い得る。また化合物（■）の使用
割合は、スルホニウムハライド（■）に対して等ｔル以
上、好ましくは約１〜４倍モル比とするのがよい。本反
応は、通常溶媒中、約−３０〜１５０℃、好ましくは約
Ｏ〜１００℃で行なわれる。溶媒としては前記製造線Ａ
のそれと同一でよい。
イド（Ｖｌ）に対して通常等モル以上、好ましくは約１
〜４倍モルの割合で用い得る。また化合物（■）の使用
割合は、スルホニウムハライド（■）に対して等ｔル以
上、好ましくは約１〜４倍モル比とするのがよい。本反
応は、通常溶媒中、約−３０〜１５０℃、好ましくは約
Ｏ〜１００℃で行なわれる。溶媒としては前記製造線Ａ
のそれと同一でよい。
上記製造法Ａ−Ｃに従い得られる本発明のスルホニウム
化合物（■）は、反応終了後、通常の分離方法に従って
単離できる。該分離方法としては、例えば再結晶法、抽
出法、濃縮法、カラムクロマトクラフィー等を採用でき
る。
化合物（■）は、反応終了後、通常の分離方法に従って
単離できる。該分離方法としては、例えば再結晶法、抽
出法、濃縮法、カラムクロマトクラフィー等を採用でき
る。
本発明化合物は、抗アレル千−作用を有するほかにも生
体の免疫能を元通する作用；制癌作用；免疫調節作用；
消炎鎮痛作用；肝機能改善作用；抗自己免疫作用；感染
防御作用；副作用として免疫抑制作用を有する例えばス
テロイド剤、制癌剤等の有効成分化合物のこれら副作用
防止作用；免疫療法の補助作用；血小板凝集阻止作用；
生物成長調節作用等を有し、医薬品、農薬として有用で
ある。
体の免疫能を元通する作用；制癌作用；免疫調節作用；
消炎鎮痛作用；肝機能改善作用；抗自己免疫作用；感染
防御作用；副作用として免疫抑制作用を有する例えばス
テロイド剤、制癌剤等の有効成分化合物のこれら副作用
防止作用；免疫療法の補助作用；血小板凝集阻止作用；
生物成長調節作用等を有し、医薬品、農薬として有用で
ある。
実 施 例
次に本発明を更に説明するため、原料とするスルファイ
ト化合物（ＩＩ）の製造例を参考例として挙げ、次いで
本発明化合物の製造例を実施例として挙げる。
ト化合物（ＩＩ）の製造例を参考例として挙げ、次いで
本発明化合物の製造例を実施例として挙げる。
参考例 １
２−（４−（３−エト＋シー２−メト牛ジアセト十シづ
Ｄポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルフ
ァイドの合成 ベシゼシ６０ｄに、２−（４−（３−エト牛シー２−ハ
イドロ＋シづロボ牛シ）カルバモイル）エチルメチルス
ルファイド３．１３ｙ及びヒリジシ０．８７ｙを溶解す
る。これに水冷下、メト＋ジアセチルクロライド１．Ｑ
９Ｆを滴下する。室温で３時間攪拌後、反応液を水洗し
、濃縮する。残渣をカラムクＤ７１−クラフィー（シリ
カゲル、アセト、−Ｉ：ベシゼシ−２：５）にて精製し
て、２−（４−（３ニエト＋シー２−メト＋ジアセト牛
シラロボ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルス
ルファイド３．５ｏｙ（収率９０．９係）を得る。
Ｄポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルフ
ァイドの合成 ベシゼシ６０ｄに、２−（４−（３−エト牛シー２−ハ
イドロ＋シづロボ牛シ）カルバモイル）エチルメチルス
ルファイド３．１３ｙ及びヒリジシ０．８７ｙを溶解す
る。これに水冷下、メト＋ジアセチルクロライド１．Ｑ
９Ｆを滴下する。室温で３時間攪拌後、反応液を水洗し
、濃縮する。残渣をカラムクＤ７１−クラフィー（シリ
カゲル、アセト、−Ｉ：ベシゼシ−２：５）にて精製し
て、２−（４−（３ニエト＋シー２−メト＋ジアセト牛
シラロボ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルス
ルファイド３．５ｏｙ（収率９０．９係）を得る。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、δ値、ｐｐｍ ）１．１０（
３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２０−）、２．０９ （３Ｈ、ＣＨ３
５−）、２．４−２．９（４Ｈ，ＣＨ３ＳＣＨ３ＳＣｌ
ｌ２ＣＨ２ｃＯ，９，８５（ＩＨ，Ｃ０ＮＨ’） 参考例 ２ ２−（２−（３−づト牛シー２−フェノ牛ジアセト牛シ
づロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづＯピルス
ルファイドの合成 り口０ホルム１００ｒｒｔｌＫ、２−（２−（３−づト
十シー２−ハイドロ牛シづロポ牛シ）フェニルカルバモ
イル）エチルづ０ピルスルファイド３．７０ｙ及びヒリ
ジ、、Ｉ０．８７ｙを溶解する。これに水冷下、フェノ
中ジアセチルクロライド１．７１２を滴下する。室温で
２時間攪拌後、反応液を水洗し、濃縮する。残渣をカラ
ム（シリカゲル、エーテル：石油エーテル＝５：３）に
て精製して、２−［２−（３−づト十シー２−フェノ＋
ジアセト士シづロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチ
ルづＯヒルスルファイド４．８０ ？ （収率９５．２
％）を得る。
３Ｈ，ＣＨ３ＣＨ２０−）、２．０９ （３Ｈ、ＣＨ３
５−）、２．４−２．９（４Ｈ，ＣＨ３ＳＣＨ３ＳＣｌ
ｌ２ＣＨ２ｃＯ，９，８５（ＩＨ，Ｃ０ＮＨ’） 参考例 ２ ２−（２−（３−づト牛シー２−フェノ牛ジアセト牛シ
づロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづＯピルス
ルファイドの合成 り口０ホルム１００ｒｒｔｌＫ、２−（２−（３−づト
十シー２−ハイドロ牛シづロポ牛シ）フェニルカルバモ
イル）エチルづ０ピルスルファイド３．７０ｙ及びヒリ
ジ、、Ｉ０．８７ｙを溶解する。これに水冷下、フェノ
中ジアセチルクロライド１．７１２を滴下する。室温で
２時間攪拌後、反応液を水洗し、濃縮する。残渣をカラ
ム（シリカゲル、エーテル：石油エーテル＝５：３）に
て精製して、２−［２−（３−づト十シー２−フェノ＋
ジアセト士シづロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチ
ルづＯヒルスルファイド４．８０ ？ （収率９５．２
％）を得る。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、δ値、ｐｐｍ）０．８７ （
３Ｈ、ＣＨ３ＣＨ２ｃＩＩ２ＣＨ２０−）、０．９１
（３Ｈ。
３Ｈ、ＣＨ３ＣＨ２ｃＩＩ２ＣＨ２０−）、０．９１
（３Ｈ。
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２５−）、Ｉ 、Ｏ−１−７（６Ｈ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２５−及びＣＨｙＣＨ２ＣＩＩａＣＨ
２０）、２．３−２．６（２Ｈ。
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２５−及びＣＨｙＣＨ２ＣＩＩａＣＨ
２０）、２．３−２．６（２Ｈ。
Ｃｌｌ３ＣＨ２ＣＩＩ２ｓ −）、２−５−２．８ （
４Ｈ，’５ＣＨ２ＣＨ２ｃＯＮＨ）、３−２−３−６
（２Ｈ、ＣＩ−ｂＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０−）、３．６８
（２ＪＩ。
４Ｈ，’５ＣＨ２ＣＨ２ｃＯＮＨ）、３−２−３−６
（２Ｈ、ＣＩ−ｂＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０−）、３．６８
（２ＪＩ。
４．８１ （２Ｈ、ａＯＣＨａＣＯ−）、５．３−５．
６（、ＩＨ。
６（、ＩＨ。
実施例 １
２−（４−（３−エト牛シー２−メト牛ジアセト十シづ
ロボ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルジメチルスル
ホニウム ｐ−ｔ−ルエシスルホネート（化合物１）の
合成 ２−（＋−（３−エト＋シー２−メト牛ジアセト士シプ
ロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルフ
ァイド３．８５ｙをメチレンクロライド３０ｄに溶解後
、これにｐ−トルニジスルホン酸メチル５．５″８ｙを
加えて、室温で４８時間攪拌する。反応液にイソづ口じ
ルエーテルを加え、不溶部を分取し、アセトニトリル−
エーテルより精製して２−（４−（３−エト＋シー２−
メト＋ジアセト士シプロポ＋シ）フェニルカルバモイル
）エチルジメチルスルホニウム ｐ−トルニジスルホネ
ート（化合物１）５．３０Ｆ（収率９２．７％）を得る
。
ロボ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルジメチルスル
ホニウム ｐ−ｔ−ルエシスルホネート（化合物１）の
合成 ２−（＋−（３−エト＋シー２−メト牛ジアセト士シプ
ロポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルフ
ァイド３．８５ｙをメチレンクロライド３０ｄに溶解後
、これにｐ−トルニジスルホン酸メチル５．５″８ｙを
加えて、室温で４８時間攪拌する。反応液にイソづ口じ
ルエーテルを加え、不溶部を分取し、アセトニトリル−
エーテルより精製して２−（４−（３−エト＋シー２−
メト＋ジアセト士シプロポ＋シ）フェニルカルバモイル
）エチルジメチルスルホニウム ｐ−トルニジスルホネ
ート（化合物１）５．３０Ｆ（収率９２．７％）を得る
。
実施例 ２
２−［３−（２−アセチルアセチ０＋シー３−づロビル
カルバ七イルオ＋シづ０ボ牛シ）フェニルカルバモイル
）エチルジメチルスルホニウムｐ−１〜ルエシスルホネ
ート（化合物１１）の合成２−（３−（２−アセチルア
セチＯ＋シー３−づロビルカルバｔイルオ牛シづロポ＋
シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルファイド
４．５４ｙにｐ−トルエシスルホシ酸メチル５．５ｙを
加え室温で２４時間攪拌する。反応液にエーテルを加え
、不溶部を戸数し、アセトニトリル−エーテルよシ再結
晶して、２−（３−（２−アセチルアセチロ＋シー３−
づＯピルカルバモイルオ士シづロボ＋シ）フェニルカル
バモイル）エチルジメチルスルホニウム ｐ−トルニジ
スルホネート（化合物１１）６．１０Ｆ（収率９５．２
係）を得る。
カルバ七イルオ＋シづ０ボ牛シ）フェニルカルバモイル
）エチルジメチルスルホニウムｐ−１〜ルエシスルホネ
ート（化合物１１）の合成２−（３−（２−アセチルア
セチＯ＋シー３−づロビルカルバｔイルオ牛シづロポ＋
シ）フェニルカルバモイル）エチルメチルスルファイド
４．５４ｙにｐ−トルエシスルホシ酸メチル５．５ｙを
加え室温で２４時間攪拌する。反応液にエーテルを加え
、不溶部を戸数し、アセトニトリル−エーテルよシ再結
晶して、２−（３−（２−アセチルアセチロ＋シー３−
づＯピルカルバモイルオ士シづロボ＋シ）フェニルカル
バモイル）エチルジメチルスルホニウム ｐ−トルニジ
スルホネート（化合物１１）６．１０Ｆ（収率９５．２
係）を得る。
ｍｐ７４−７６℃
実施例 ３
２−（３−（２−アセチルアミノアセト士シー３−メト
牛シづＯポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづチル
メチルスルホニウム アイオダイド（化合物２）の合成 ２−（３−（２−アセチルアミノアセト士シー３−メト
＋シづＤポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづチル
スルファイド４．＋１ｙをジメチルホルムアミド４ｒＬ
ｌに溶解する。これにメチルアイオタイド５．００ｙを
加え室温で２４時間攪拌する。
牛シづＯポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづチル
メチルスルホニウム アイオダイド（化合物２）の合成 ２−（３−（２−アセチルアミノアセト士シー３−メト
＋シづＤポ＋シ）フェニルカルバモイル）エチルづチル
スルファイド４．＋１ｙをジメチルホルムアミド４ｒＬ
ｌに溶解する。これにメチルアイオタイド５．００ｙを
加え室温で２４時間攪拌する。
反応液にエーテルを加え、不溶部を分取し、エタノール
−エーテルよシ精製して、２−（３−Ｃ２−アセチルア
ミノアセト牛シー３−メト十シ′：５０ポ＋シ）フェニ
ルカルバモイル）エチルづチルメチルスルホニウム ア
イオダイド（化合物２）５．２ｏｙ（収率８９．３％）
を得る。
−エーテルよシ精製して、２−（３−Ｃ２−アセチルア
ミノアセト牛シー３−メト十シ′：５０ポ＋シ）フェニ
ルカルバモイル）エチルづチルメチルスルホニウム ア
イオダイド（化合物２）５．２ｏｙ（収率８９．３％）
を得る。
実施例 ４
実施例３と同様の操作により後記第１表に示す化合物４
および１０を合成した。
および１０を合成した。
実施例 ５
２−（２−（３−づト十シー２−フェノ＋ジアセト＋シ
づロポ牛シ）フェニルカ１１ツバｔイル）エチル、；づ
ロビルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート（化合
物５）の合成 ２−（２−（３−づト十シー２−フェノ＋ジアセト＋シ
づロポ＋シ）フェニルカルバ七イル）エチルプロごルス
ルファイド５．０４ｙ及びアセトニトリル２０７ｄにづ
ロヒルアイオタイド５１０２を加え、次いでｐ−トルエ
ンスルホン酸＠２．７９ｙを加えて、室温で１２時間攪
拌する。反多液を濾過し、Ｐ液に硫化水素と活性炭とを
加えて濾過する。ろ液を濃縮し、残渣をアセトニトリル
−イソ″５Ｄヒルエーテルよυ精製して、２−（２−（
３−ブト牛シー２−フェノ＋ジアセト牛シづロポ＋シ）
フェニルカルバ七イル）エチルジづロヒルスルホニウム
ｐ−トルニジスルホネート（化合物５）６．８０ｐ（
収率９４．７ｏり）を得る。
づロポ牛シ）フェニルカ１１ツバｔイル）エチル、；づ
ロビルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート（化合
物５）の合成 ２−（２−（３−づト十シー２−フェノ＋ジアセト＋シ
づロポ＋シ）フェニルカルバ七イル）エチルプロごルス
ルファイド５．０４ｙ及びアセトニトリル２０７ｄにづ
ロヒルアイオタイド５１０２を加え、次いでｐ−トルエ
ンスルホン酸＠２．７９ｙを加えて、室温で１２時間攪
拌する。反多液を濾過し、Ｐ液に硫化水素と活性炭とを
加えて濾過する。ろ液を濃縮し、残渣をアセトニトリル
−イソ″５Ｄヒルエーテルよυ精製して、２−（２−（
３−ブト牛シー２−フェノ＋ジアセト牛シづロポ＋シ）
フェニルカルバ七イル）エチルジづロヒルスルホニウム
ｐ−トルニジスルホネート（化合物５）６．８０ｐ（
収率９４．７ｏり）を得る。
実施例 ６
実施例５と同様に操作して、後記第１表に示す化合物６
．７．８および９を合成した。
．７．８および９を合成した。
実施例 ７
２−（３−（２−アセチルアミノアセト士シー３−メト
＋シづロポ＋シ）フエニ１しハルバ七イル）エチルづチ
ルメチルスルホニウム ｐ−トルニジスルホネート（化
合物３）の合成 実施例３で合成した２−（３−（２−アセチルア三ノア
セト牛シー３−メト＋シづＤボ牛シ）フェニルカルバ七
イル）エチルづチルメチルスルホニウム アイオダイド
５．．８２ｙをアセトニトリル５０１ｒＬｌに溶解し、
これに酸化銀２．３１ｙを加えて、室温で３０分攪拌後
濾過する。泥液に、アセトニド！、Ｊ ル２０ ｄにｐ
−トルエンスルホン酸銀３．４４ｙを溶解した液を加え
た後、濃縮する□。残渣をアセトニトリル−イソづ０ヒ
ルエーテルより精製して、２−（３−（２−アｔチルア
ミノアｔト士シー３−メト＋シづロポ＋シ）フェニルカ
ルバ七イル）エチルづチルメチルスルホニウム ｐ−ト
ルニジスルホネート（化合物３）５．８０Ｆ（収率９２
．５係）を得る。
＋シづロポ＋シ）フエニ１しハルバ七イル）エチルづチ
ルメチルスルホニウム ｐ−トルニジスルホネート（化
合物３）の合成 実施例３で合成した２−（３−（２−アセチルア三ノア
セト牛シー３−メト＋シづＤボ牛シ）フェニルカルバ七
イル）エチルづチルメチルスルホニウム アイオダイド
５．．８２ｙをアセトニトリル５０１ｒＬｌに溶解し、
これに酸化銀２．３１ｙを加えて、室温で３０分攪拌後
濾過する。泥液に、アセトニド！、Ｊ ル２０ ｄにｐ
−トルエンスルホン酸銀３．４４ｙを溶解した液を加え
た後、濃縮する□。残渣をアセトニトリル−イソづ０ヒ
ルエーテルより精製して、２−（３−（２−アｔチルア
ミノアｔト士シー３−メト＋シづロポ＋シ）フェニルカ
ルバ七イル）エチルづチルメチルスルホニウム ｐ−ト
ルニジスルホネート（化合物３）５．８０Ｆ（収率９２
．５係）を得る。
上記各実施例で得られた化合物（化合物１〜１１）の構
造を第１表に示し、また各側における収率（係）及び核
磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）分析結果（δ値、ｐｐｍ
）を第２表に示す。尚ＮＭＲはＤＭＳＯ−ｄ６中、Ｔ
ＭＳを内部標準物質として測定した値である。
造を第１表に示し、また各側における収率（係）及び核
磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）分析結果（δ値、ｐｐｍ
）を第２表に示す。尚ＮＭＲはＤＭＳＯ−ｄ６中、Ｔ
ＭＳを内部標準物質として測定した値である。
（以 上）
手続補正書く０順
昭和５９年１２月１１日
１ 事件の表示
昭和５９年特許願第７７３１号
２ 発明の名称
スルホニウム化合物
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
大鵬薬品工業株式会社
４ 代 理 人
大阪市東区平野町２の１０ 沢の鶴ビル（６５２１＞
弁理士 三 枝 英 二５ 補正命令の日付 自 発 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の項 ７ 補正の内容 別紙添付の通り −一一 補 正 の 内 容 １） 明細書第１３頁第９行に「プロポキシ）カルバモ
イル」とあるを［プロポキシ）フェニルカルバモイル」
と訂正する。
弁理士 三 枝 英 二５ 補正命令の日付 自 発 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の項 ７ 補正の内容 別紙添付の通り −一一 補 正 の 内 容 １） 明細書第１３頁第９行に「プロポキシ）カルバモ
イル」とあるを［プロポキシ）フェニルカルバモイル」
と訂正する。
２） 明細書第１４頁第４行に
ｒ３．３７ （３Ｈ，Ｊあるをｒ３．３１ （３Ｈ。
」と訂正する。
３） 明細書第２１頁第１行に「スルホン酸銀」とある
を「スルホン酸」と訂正する。
を「スルホン酸」と訂正する。
４） 明細書第２８頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄
の第９行目にｒ５．０−５．３ （１Ｈ。
の第９行目にｒ５．０−５．３ （１Ｈ。
ａｏ ＣＨ２ＣＨ２ＣＨど）」とあるを次一
の通り訂正する。
ｒ５．Ｏ−５，３（１Ｈ。
ＱＯＣＨ２ＣＨＣＨ２−） Ｊ
傷
５） 明細書第３１頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄
の第２行目にｒ２．２０ （３Ｈ。
の第２行目にｒ２．２０ （３Ｈ。
ｒ２．２０ （３Ｈ，ＣＨａ ＋５Ｏ３） Ｊ６） 明
細書第３２頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の第１行
目にｒｏ、８８ （１２Ｈ。
細書第３２頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の第１行
目にｒｏ、８８ （１２Ｈ。
２（（ＣＨ３）２ ＣＨ））Ｊとあるを次の通り訂正す
る。
る。
［０，８８（１２Ｈ，２（（ＣＨ３）２ ＣＨ））Ｊ７
） 明細書第３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の
第３行目にｒ２．２８ （３Ｈ。
） 明細書第３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の
第３行目にｒ２．２８ （３Ｈ。
ＣＨ３＋Ｓ Ｏ３） Ｊとあるを次の通り訂正する。
ｒ２．２８ （３Ｈ，皿べき８０３）Ｊ８） 明細書第
３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の下から第２行
目にｒ９．６８ （１Ｈ。
３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の下から第２行
目にｒ９．６８ （１Ｈ。
−０ＣＯＮＨ←Ｏ）Ｊとあるを次の通り訂正する。
ｒ９．６８ （１Ｈ，−０ＣＯ肚肩◎）」９） 明細書
第３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の下から第１
行目に「９．９２ （１Ｈ。
第３３頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄の下から第１
行目に「９．９２ （１Ｈ。
訂正する。
ｒ９．９２ （Ｉ Ｈ，−ＣＯＮＨ−ｆ５０−＞ Ｊｌ
ｏ） 明細書第３４頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄
の第２行目に ｒｃＨ３ＣＨ２０）Ｊとあるを次の通り訂正する。
ｏ） 明細書第３４頁に記載の第２表中ｒＮＭＲＪの欄
の第２行目に ｒｃＨ３ＣＨ２０）Ｊとあるを次の通り訂正する。
ｒＣＨ３ＣＨ２０）Ｊ
（以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Ｒ□及びＲ２は同−又は相異なって低級アルキル
基を示す。Ｒ３は低級アシルアセチル基、低級アルコ＋
ジアセチル基、フェノ士ジアセチル基、低級アシルアミ
ノアセチル基、アラル＋ルオ十ジカルボニル基、低級ア
ルコ＋ジカルボニル基、ラクトイル基、アラル＋ル基又
はアラル＋ルオ十ジメチル基を示す。Ｒ４は低級アル＋
ル基、フェニル基、イソづト士ジカルボニル基、アラル
＋ルオ＋ジカルボニル基、低級アル士ルカルバ七イル基
又はフェニルカルバ七イル基を示す。ｎは１〜３の整数
を示す。またＹは酸残基を示す。〕 で表わされるスルホニウム化合物。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP773184A JPS60152459A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | スルホニウム化合物 |
| US06/583,674 US4556737A (en) | 1983-03-11 | 1984-02-27 | Sulfonium compounds, processes for preparing the compounds and pharmacological composiitons containing the same |
| GB08405168A GB2137986B (en) | 1983-03-11 | 1984-02-28 | Sulfonium compounds, processes for preparing the compounds and pharmacological compositions containing the same |
| AU25164/84A AU548706B2 (en) | 1983-03-11 | 1984-02-29 | Sulphonium compounds |
| FR8403523A FR2542312B1 (fr) | 1983-03-11 | 1984-03-07 | Composes de sulfonium, leur preparation et compositions pharmaceutiques contenant ces composes |
| ES530752A ES8600737A1 (es) | 1983-03-11 | 1984-03-08 | Procedimiento de preparar compuestos de sulfonio |
| CH1194/84A CH659066A5 (de) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | Sulfoniumverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese enthaltende pharmazeutische zubereitungen. |
| CA000449311A CA1307278C (en) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | Sulfonium compounds, processes for preparing the compounds and pharmacological compositions containing the same |
| DE3408708A DE3408708C2 (de) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | Sulfoniumverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und diese enthaltende pharmazeutische Zusammensetzung |
| IT67225/84A IT1178872B (it) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | Composti di solfonio procedimento di preparazione di detti composti e composizioni farmacologiche contenenti i composti stessi |
| KR1019840001211A KR910002892B1 (ko) | 1983-03-11 | 1984-03-10 | 술포늄 화합물의 제조방법 |
| NL8400785A NL190844C (nl) | 1983-03-11 | 1984-03-12 | Sulfoniumverbindingen, werkwijzen voor de bereiding van deze verbindingen en farmaceutische preparaten, die deze verbindingen bevatten. |
| HU95P/P00718P HU00718A9 (en) | 1983-03-11 | 1995-06-30 | Sulfonium compounds, processes for preparing the compounds and pharmacological compositions containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP773184A JPS60152459A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | スルホニウム化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152459A true JPS60152459A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0374213B2 JPH0374213B2 (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=11673850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP773184A Granted JPS60152459A (ja) | 1983-03-11 | 1984-01-18 | スルホニウム化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152459A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725758A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-01-27 | Taiho Yakuhin Kogyo Kk | 眼局所抗アレルギー剤 |
| JPWO2006006616A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2008-04-24 | 大鵬薬品工業株式会社 | トシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに均一な結晶及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP773184A patent/JPS60152459A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725758A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-01-27 | Taiho Yakuhin Kogyo Kk | 眼局所抗アレルギー剤 |
| JPWO2006006616A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2008-04-24 | 大鵬薬品工業株式会社 | トシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに均一な結晶及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374213B2 (ja) | 1991-11-26 |
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