JPWO2006006616A1 - トシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに均一な結晶及びその製造方法 - Google Patents

トシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに均一な結晶及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

トシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに光学純度が均一で安定な結晶及びその製法の提供。トシル酸スプラタスト結晶の均一性を評価する方法において、（ａ）トシル酸スプラタスト結晶に溶媒を加えてその３％以下の量を溶解し、得られる懸濁上清の一部を取り光学純度を測定する工程、（ｂ）次に、残りの懸濁液に溶媒を加えて全量を溶解し、その溶液の一部を取り光学純度を測定する工程からなり、前記工程（ａ）と工程（ｂ）の光学純度を対比することを特徴とするトシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法、並びに均一性及び熱安定性に優れるトシル酸スプラタスト結晶及びその製法。

Description

本発明は、抗アレルギー剤として有用なトシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法並びに均一な結晶及びその製造方法に関する。
トシル酸スプラタスト〔（±）−〔２−〔４−（３−エトキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニルカルバモイル〕エチル〕ジメチルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート〕は、優れたＩｇＥ抗体産生抑制作用を有し、種々のアレルギー性疾患の治療剤として有用である（特許文献１）。当該トシル酸スプラタストの結晶としては、特許文献１記載の方法で得られる結晶（以下、第一結晶ともいう）、特許文献２記載の結晶（以下、第二結晶ともいう）及び特許文献３記載の結晶（以下、第三結晶ともいう）以外に４種類の結晶多形及び２種類の溶媒和物が存在することが知られている（非特許文献１）。
また、結晶の均一性や安定性の評価に関する方法については、同一の結晶形で安定性が異なるものとして無水物結晶と水和物結晶が存在する事が知られており、示差走査熱量測定や粉末Ｘ線回折測定を行うことによりそれぞれの存在比を見積ったり、水分を測定することにより安定性の良否を判別することができる。非晶質が混在するような均一性の悪い結晶の場合、混在比率によって安定性が異なることが知られているが、この場合は結晶化度を測定することにより判別することができるとされている。しかし、トシル酸スプラタスト第一結晶のように非晶質や他の結晶の混在、水分の存在等を示唆するようなデータが得られず、粉末Ｘ線回折パターンが同一であるにもかかわらず、安定性が異なる結晶が存在するという報告例はなく、判別方法も当然のことながら知られていない。
特公平３−７０６９８号公報 特開平７−２５２２１３号公報 国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号パンフレット 日本薬学会第１２２年会要旨集3、p7,26〔P〕II-193,194,195 J. Am. Chem. Soc.,124,13139-13153(2002) Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 35,2372-2374(1996)
本発明者らはトシル酸スプラタスト結晶多形について種々研究を行ってきた過程で、トシル酸スプラタスト第一結晶以外の結晶は全て第一結晶に転移するため、第一結晶が安定結晶であると考えてきた。ところが、第一結晶は、準安定結晶であるはずの第二結晶や第三結晶に比較して６０℃における安定性が悪いことについて疑問を持ち、その理由について鋭意研究を重ねた（表１参照）。トシル酸スプラタスト第一結晶は特異な光学分割現象（優先富化現象）を伴い生成する結晶であるため、本来、光学対掌体比はずれる（非特許文献２又は３）。ところが実際には、生成した結晶全体の光学対掌体比は０．９８〜１．０２であり測定誤差の範囲と見なされる程度の差しかないことから、二種類の結晶の混合物で、混在している少量の結晶の熱安定性が悪いのではないかと推測した。
Figure 2006006616
そこで、通常、結晶の評価手段として使われている粉末Ｘ線回折、示差走査熱量分析及び赤外吸収スペクトルを用いてトシル酸スプラタスト第一結晶について測定したが、これらの測定結果からは他の結晶の混在を示す何の情報も得られなかった。このため、混在している結晶を評価できる方法の開発が必要となった。評価方法が確立できれば、少量混在する結晶の混入を防止し、安定性の高い結晶の製造方法の開発も可能となる。
トシル酸スプラタストは、再結晶したとき、第一結晶の生成に伴い母液の光学対掌体比がずれてくるという非常に特異な光学分割現象を有する薬物である。本発明者等はこの特異な光学分割現象のメカニズムについて研究を積み重ね、類似化合物であるアンモニウムスルホネート化合物の光学分割現象についてはほぼ解明した。トシル酸スプラタストについてはまだ明らかではないが、ほぼ同様で、最終的に転移する結晶が異なるだけではないかと考えられる。
即ち、トシル酸スプラタスト第一結晶は生成のメカニズムとして、まず過飽和溶液中でＲ−対掌体はＲ−対掌体どうしで、Ｓ−対掌体はＳ−対掌体どうしで形成されるホモキラルな会合が起こって結晶核が発生し、この結晶核が転移を起こしてヘテロキラルな僅かに光学純度のずれた結晶（以下、結晶Ａとする）が生成するか、又はホモキラルな会合体から結晶核が発生する際に組み替えを起こしてヘテロキラルな僅かに光学純度のずれた結晶Ａの結晶核が生成すると考えられる。結晶Ａが生成する際には過剰となっているホモキラルな会合体部分は結晶になることなく離脱して再溶解する。その後、僅かに光学対掌体比のずれた結晶Ａが成長することにより、母液の光学純度が徐々に高くなっていくと考えられる（非特許文献２）。
この場合、生成する結晶Ａの光学純度は概ね１０％ee以下とはいえ対掌体比がずれているため、結晶析出に伴い、徐々に過飽和溶液の光学純度が高くなっていけばもはや結晶Ａは生成することができなくなる光学純度の領域に達する。実験的には過飽和溶液の初期光学純度が３０％eeを越えたあたりから結晶Ａは生成しにくくなり、初期光学純度が概ね５０％ee以上になると結晶Ａはほとんど生成しなくなり、初期光学純度が概ね７０％ee以上になると完全に生成しなくなる。結晶Ａが生成しなくなった時に、まだ、溶液が過飽和状態であれば溶液中の会合体から更に結晶が生成することになる。この際、溶液中には結晶Ａ中に過剰となっている対掌体とは反対の対掌体が大過剰となっているため、生成する結晶は全く別の結晶（以下、結晶Ｂとする）ということになる。結晶Ｂがどの様なものであるかは確認できていないが光学純度の大きくずれた結晶と考えることができる。従って、安定性が劣るトシル酸スプラタスト第一結晶は結晶Ａと結晶Ｂの混合物であると予想され、当該結晶の均一性を評価するには製造時に混在してくる結晶Ｂの混在を確認できれば良いということになる。
そこで、まず、結晶の評価方法として通常使用されている赤外吸収スペクトル測定、示差走査熱量測定及び粉末Ｘ線回折測定を実施し、第一結晶のロット間比較をしたが、いずれの方法に於いても差は認められなかった。また、第一結晶に特徴的な性質として結晶生成に伴い結晶及び母液共に光学対掌体比がずれるという性質が知られているため（非特許文献２又は３）、従来公知の第一結晶のロット間の光学純度についても測定したが、いずれの結晶も光学純度は２％ee未満（測定法によるバラツキの範囲内）であり、差は認められなかった。
これらの結果から、トシル酸スプラタスト結晶中に混在している結晶Ｂの量は少量で、なおかつ結晶性が悪い為にいずれの測定手段に於いても検出限界以下となっていると推定した。結晶Ａの光学純度のずれは概ね１０％ee以内である事が知られている（非特許文献２又は３）ため、全体として光学純度が０％eeであるなら、混在する結晶Ｂの光学純度は混在量が少なくなれば少なくなる程高いということになる。そうすると、結晶Ｂは非常に光学純度が高く結晶性の悪い別の結晶若しくは非晶質であると予想される。
以上より、本発明者らは、トシル酸スプラタスト結晶に混在している光学対掌体比が大きくずれた結晶が優先的に溶解するような方法の検討を行い、安定性の異なる両結晶の混在を見分ける新しい方法を確立した。これは即ち、トシル酸スプラタスト結晶の均一性を評価する方法でもある。更には、トシル酸スプラタスト第三結晶に混入してくる光学対掌体比が大きくずれた結晶を評価する方法でもある。
次いで、上述の光学対掌体比が大きくずれた結晶が混在しないよう更に製造方法について種々検討を行った。本発明者等は、この様にトシル酸スプラタスト結晶に２種類の結晶が混在する原因がトシル酸スプラタスト結晶生成のメカニズムに起因していることに鑑み、規則性の高い均一な結晶を得るべく鋭意検討を行った結果、トシル酸スプラタスト第一結晶に特徴的な粉末Ｘ線回折パターンを有するが、結晶のどこをとっても光学純度がほぼ０％eeという光学純度の均一性が高い、高温の安定性に優れたトシル酸スプラタスト結晶（以下、第四結晶ともいう）の製造方法を見いだし、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、トシル酸スプラタスト結晶の均一性を評価する方法において、（ａ）トシル酸スプラタスト結晶に溶媒を加えてその３％以下の量を溶解し、得られる懸濁上清の一部を取り光学純度を測定する工程、（ｂ）次に、残りの懸濁液に溶媒を加えて全量を溶解し、その溶液の一部を取り光学純度を測定する工程からなり、前記工程（ａ）と工程（ｂ）の光学純度を対比することを特徴とするトシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法を提供するものである。更には、トシル酸スプラタスト第三結晶に混入してくる光学対掌体比が大きくずれた結晶を評価する方法を提供するものである。
また、本発明は、トシル酸スプラタスト結晶を溶媒中で攪拌して転移させることによる、粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークを認めるトシル酸スプラタスト結晶の製造方法であって、前記の評価方法により光学純度を測定するとき、前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）の光学純度がいずれも２％ee未満の値を示す結晶を採取することを特徴とする、光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶の製造方法を提供するものである。当該製造方法により、トシル酸スプラタスト第一結晶に特徴的な粉末Ｘ線回折パターンを示すが、結晶のどこをとっても光学純度がほぼ０％eeという光学純度の均一性が高いトシル酸スプラタスト結晶を効率よく、かつ安定に製造することができる。また、本発明は、当該製造方法により得られる光学純度が均一で且つ熱安定性の高いトシル酸スプラタスト結晶を提供するものである。さらに、本発明は粉末Ｘ線回折による回折角(2θ±0.1゜)として、６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近に特徴的なピークが認められ、示差走査熱量分析による融点が約８９℃であり融解熱が約４０ＫＪ／ｍｏｌである光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶（第四結晶）を提供するものである。
本発明の評価方法を用いれば、トシル酸スプラタスト結晶の均一性（光学対掌体比が大きくずれた結晶が混在しているかどうか）が簡便に評価でき、安定性の高い結晶のみを使用した医薬品を市場に提供することが可能となる。また、本発明の製造方法によれば、光学純度が均一で、高温安定性が良好なトシル酸スプラタスト結晶が効率良く、かつ安定して得られる。
トシル酸スプラタスト第一結晶（実施例１）の粉末Ｘ線回折図である。なお、縦軸はＸ線の強度を示し、横軸は回折角（２θ）を示す。 トシル酸スプラタスト第二結晶の粉末Ｘ線回折図である。なお、縦軸はＸ線の強度を示し、横軸は回折角（２θ）を示す。 トシル酸スプラタスト第三結晶の粉末Ｘ線回折図である。なお、縦軸はＸ線の強度を示し、横軸は回折角（２θ）を示す。 本発明結晶に混在するトシル酸スプラタスト第一結晶の検出状況を示す。 トシル酸スプラタスト第三結晶に混在するトシル酸スプラタスト第一結晶の検出状況を示す。 トシル酸スプラタスト第一結晶の近赤外吸収スペクトルを示す。 トシル酸スプラタスト第三結晶の近赤外吸収スペクトルを示す。 本発明結晶（トシル酸スプラタスト第四結晶）の近赤外吸収スペクトルを示す。
本発明評価方法の工程（ａ）は、トシル酸スプラタストの結晶に溶媒を加えてその３％（w/v）以下の量を溶解し、得られる懸濁上清の一部を取り光学純度を測定する工程である。当該工程に用いられる溶媒としては、トシル酸スプラタストの結晶を溶解できる溶媒であれば特に制限されない。溶解性の低い溶媒であれば多量用いればよく、溶解性の高い溶媒であれば少量用いるか又は不溶性の溶媒を加えればよい。
当該工程に用いる好適な溶媒としては、１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチルプロパノール、２−ブタノール、アセトン、酢酸エチル、ジオキサン、ジエチルエーテル、アセトニトリル又はテトラヒドロフラン等のトシル酸スプラタスト結晶に対して余り溶解性の高くない溶媒が挙げられる。これら溶媒は、単独で又は混合して使用できる。当該工程で用いる溶媒の量は、溶媒の種類により異なるが、結晶の３％（w/v）以下の量を溶解できる量である。このように結晶の３％以下を溶解できる溶媒の量をコントロールするには、溶解性の低い溶媒を用いるのが好ましい。但し、極めてわずかしか溶けないようなヘキサン、ベンゼン等の溶媒では、結晶の光学純度が小さい場合、例えばキラルカラムを使用して光学純度を測定する際のピーク面積が小さく、誤差を生じやすくなるため適切ではない。
溶媒を加えた後は、必要に応じ振り混ぜる。また振り混ぜた場合には、静置して懸濁上清が生じるのを待つのが好ましい。
次に、得られた懸濁上清の光学純度を測定する。光学純度を測定するには、キラルカラム、例えばセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を充填したカラムを使用することができる。溶離溶液には、例えばｎ−ヘキサン・エタノール・トリフルオロ酢酸・ジエチルアミン混液を使用することができる。この際、エタノールの濃度は通常２０−２５％(w/v)、トリフルオロ酢酸は０．５％(w/v)、ジエチルアミンは０．１％(w/v)であるが、ＲとＳ対掌体が分離され光学純度２％eeを測定することが可能な方法であれば光学純度の測定方法に特に制限はない。
本発明評価方法の工程（ｂ）は、残りの懸濁液に溶媒を加えて全量を溶解し、その溶液の一部を取り光学純度を測定する工程である。ここで用いる溶媒は、トシル酸スプラタスト結晶に対する溶解性が高い溶媒が好ましい。このような溶媒としては、水、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトニトリル等が好ましい。これら溶媒は、単独で又は混合して使用できる。用いる溶媒の量は、残りの結晶を全量溶解できる量であればよい。また、得られた溶液の光学純度の測定法は、前記と同様である。
次に、上記工程（ａ）にて得られた懸濁上清の光学純度と工程（ｂ）にて得られた溶液の光学純度とを対比する。得られた光学純度の差がなければ、試験に用いたトシル酸スプラタスト結晶が均一であると判定できる。一方、得られた光学純度に差があれば、評価試験に用いたトシル酸スプラタスト結晶が均一でないと判定できる。より具体的には、工程（ａ）と工程（ｂ）における光学純度がいずれも２％ee未満の場合に、均一な結晶であると判定する。少なくともいずれか一方の光学純度が２％ee以上、特に工程（ａ）での光学純度が２％ee以上である場合は、均一でない結晶と判定する。このような結晶は、不均一な結晶が混在している状態、すなわち、溶解性の高い別の結晶又は非晶質が混在した熱安定性に劣る光学対掌体比が大きくずれた結晶（例えば、光学対掌体比が大きくずれた第一結晶）であると判定できる。
以上のように、本発明評価方法は、上記工程（ａ）で使用される溶媒と工程（ｂ）で使用される溶媒におけるトシル酸スプラタスト結晶に対する溶解性の差をうまく利用することにより、当該結晶の均一性を評価する方法である。即ち、工程（ａ）で使用される溶媒のトシル酸スプラタスト結晶に対する溶解性よりも工程（ｂ）で使用される溶媒の溶解性が相対的に高い方が好ましい。
但し、１−プロパノール、１−ブタノール、２−メチルプロパノール、アセトニトリルの様なトシル酸スプラタスト結晶に対して適度な溶解性を有する溶媒の場合には、上記工程（ａ）での試料調製及び工程（ｂ）での試料調製に同一の溶媒を使用し、溶媒量のみを調整すること、即ち工程（ａ）では少量用い、工程（ｂ）では多量用いることで判定することも可能である。
本発明評価方法において、工程（ａ）で用いる溶媒が１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチルプロパノール、２−ブタノール、アセトン、酢酸エチル、ジオキサン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、テトラヒドロフランから選ばれる単独又は混合した溶媒であり、工程（ｂ）で用いる溶媒が水、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、クロロホルム又はアセトニトリルから選ばれる単独又は混合した溶媒であることが好ましい。また、工程（ａ）で用いる溶媒が２−プロパノール、アセトン、テトラヒドロフラン、酢酸エチルから選ばれる単独又は混合した溶媒であり、工程（ｂ）で用いる溶媒が水、メタノール、エタノールから選ばれる単独又は混合した溶媒であることが特に好ましい。
本発明評価方法により、抗アレルギー剤として広く使用されているトシル酸スプラタスト結晶の均一性を容易に評価することができ、均一性に優れた結晶のみを市場に供給することにより、医薬品としての品質を長期間保証することができる。また、本発明のように光学純度を測定することにより結晶の均一性を評価する方法は、新しい概念による評価方法を提供するもので、ラセミ体結晶の均一性、特に優先富化現象を示すラセミ体結晶の均一性評価に広く適用することが可能である。
次に本発明の光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶を製造する方法について説明する。本発明では、トシル酸スプラタスト結晶を溶媒中で攪拌して転移させることにより光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶を製造する。より好ましくは、溶媒中、懸濁状態で攪拌することにより結晶を転移させる。すなわち、本発明方法は、再結晶法の様な高過飽和度の溶液から晶析するのではなく、過飽和度の低い状態下でトシル酸スプラタスト結晶多形を転移させることにより結晶を得る方法であるため、規則性の高い安定な結晶を得ることができる。しかも過飽和度の低い状態下で転移させることにより結晶を得る方法であるため別の結晶が混入するということもない。
結晶を転移させるために使用する溶媒としては、Ｃ1−Ｃ4脂肪族アルコールの単独溶媒、又はこれと貧溶媒もしくは水との混合溶媒；アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタンの単独溶媒、又はこれと貧溶媒との混合溶媒；テトラヒドロフラン−水混合溶媒；アセトン−水混合溶媒等が挙げられる。貧溶媒としてはヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、酢酸メチル、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−プロパノール、２−ブタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。ここで、溶媒中で結晶を転移させて得る場合の実用的な溶媒系としては、操作性、人に対する安全性を考慮すると、１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチルプロパノール、テトラヒドロフラン、アセトン又はアセトニトリル等の単一溶媒系；２−プロパノール、２−ブタノール、２−メチルプロパノール、テトラヒドロフラン又はアセトンと、水、メタノール又はエタノールとの混合溶媒系；あるいはメタノール又はエタノールと、酢酸メチル、酢酸エチル、メチルエチルケトン又はメチルイソブチルケトンとの混合溶媒系が好ましい。
本発明製造法における溶媒の使用量は、一定温度下で目的の結晶が得られる範囲内であれば特に制限はない。好ましい溶媒量としては、通常、トシル酸スプラタスト結晶が１〜３０％(w/v)溶解する量、好ましくは３〜２０％(w/v)溶解する量、より好ましくは３〜１０％(w/v)溶解する量である。
トシル酸スプラタスト結晶を溶媒中で転移させる際の温度は適宜選択できるが、通常０〜６０℃、より好ましくは５〜４０℃である。一定温度下で転移させる際に、転移を促進するため適当量のトシル酸スプラタスト第四結晶を加える方が好ましいが、この際の添加量としては、通常１０重量％以下、好ましくは５重量％以下である。また、一定温度下で保存する際に、転移時間の短縮のために攪拌しながら放置してもよい。
本発明製造方法に用いる「トシル酸スプラタスト結晶」としては、従来公知の第一結晶（前記の評価方法により、上記工程（ａ）及び工程（ｂ）における少なくともいずれか一方の光学純度が２％ee以上の光学純度が不均一な第一結晶）、第二結晶及び第三結晶のいずれでもよく、またこれらの混合物であってもよい。但し、溶媒和物を用いる場合は、多量の溶媒を含有するため、転移させる際に障害になることがあるので、乾燥後使用することが望ましい。
なお、トシル酸スプラタスト第一結晶は、従来公知の方法、例えば特公平３−７０６９８号記載の方法、第二結晶は特開平７−２５２２１３号記載の方法、第三結晶は国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号記載の方法により製造することができる。
上記公知の方法により得られるトシル酸スプラタスト第一結晶の粉末Ｘ線回折パターンは図１に示すごとくであり、回折角（２θ±０．１゜）として６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜にピークが認められる。トシル酸スプラタスト第二結晶の粉末Ｘ線回折パターンは図２に示すごとくであり、回折角（２θ±０．１゜）として、５．７゜、１２．０゜、１７．４゜、１９．８゜、２１．７゜、２２．９゜及び２４．０゜にピークが認められる。トシル酸スプラタスト第三結晶の粉末Ｘ線回折パターンは図３に示すごとくであり、回折角（２θ±０．１゜）として、５．６゜、９．０゜、１１．０゜、１５．３゜、１６．５゜、１７．２゜、１７．９゜、１９．２゜、１９．９゜及び２１．５゜にピークが認められる。
なお、粉末Ｘ線回折データはフィリップス社製のＸ線回折装置ＰＷ３０５０によりＣｕＫα線（１．５４１Å）を照射し、垂直型ゴニオメーターを用いて検出した。
本発明方法により得られる結晶が光学純度の均一なものか否かは、前記の評価方法により工程（ａ）及び工程（ｂ）における光学純度がいずれも２％ee未満であるか否かで判定できる。
本発明方法により得られる結晶は、安定性及び均一性に優れるトシル酸スプラタスト結晶である。従って、前記工程（ａ）で少量の溶媒に溶解させて測定すれば、結晶性の悪い光学対掌体比が大きくずれた結晶が優先的に溶解することになり、結晶の一部が溶解した液は光学純度が０％eeからずれることになる。測定結果は表２に示したように、従来公知の第一結晶を懸濁溶解した液の光学純度が大きくずれているのに対し、本発明方法により得られる結晶は光学純度が２％ee未満（測定法によるバラツキの範囲内）となっている。
Figure 2006006616
さらに、本発明により得られる結晶は表１に示したように従来公知の第一結晶に比べて６０℃における安定性が高い。また、後記表６に記載の如く、示差走査熱量分析による融点が約８９℃であり、融解熱が約４０KJ／molであることから熱安定性が高く、かつ光学純度が均一な結晶である。従って、医薬品原料としての保存安定性が非常に高く、品質管理上も有利である。
本発明により得られるトシル酸スプラタスト結晶は、粉砕するかまたは粉砕することなく、錠剤、カプセル剤、顆粒剤、細粒剤、散剤等の経口剤、坐剤、吸入剤、点鼻剤、軟膏剤、硬膏剤、エアゾール剤等の外用剤、注射剤に加工することができる。これらの医薬組成物は、薬学的に許容される担体を用いて当業者の公知慣用の製剤方法により製造できる。経口用固型製剤を調製する場合は、有効成分に賦形剤、必要に応じて結合剤、崩壊剤、滑沢剤、着色剤、矯味剤、矯臭剤等を加えた後、常法により錠剤、被覆錠剤、顆粒剤、散剤、ドライシロップ剤、カプセル剤等を製造することができる。注射剤を調製する場合には、有効成分にpH調整剤、緩衝剤、安定化剤、等張化剤、局所麻酔剤等を添加し、常法により、皮下、筋肉内、静脈内用注射剤を製造することができる。坐剤を調製する場合には、有効成分に賦形剤、さらに必要に応じて界面活性剤等を加えた後、常法により坐剤を製造することができる。軟膏剤、例えばペースト、クリーム及びゲルの形態に調製する際には、通常使用される基剤、安定剤、湿潤剤、保存剤等が必要に応じて配合され、常法により混合、製剤化される。基剤として例えば白色ワセリン、パラフィン、グリセリン、セルロース誘導体、ポリエチレングリコール、シリコン、ベントナイト等を使用できる。保存剤としては、パラオキシ安息香酸メチル、パラオキシ安息香酸エチル、パラオキシ安息香酸プロピル等が使用できる。貼付剤を製造する場合には、通常の支持体に上記軟膏、クリーム、ゲル、ペースト等を常法により塗布すればよい。支持体としては、綿、スフ、化学繊維からなる織布、不織布や軟質塩化ビニル、ポリエチレン、ポリウレタン等のフィルムあるいは発泡体シートが適当である。
これらの医薬組成物は、ヒトを含む哺乳類における気管支喘息、アトピー性皮膚炎、アレルギー性鼻炎等のアレルギー性疾患の治療薬、排尿障害治療薬、腎透析に伴う掻痒の治療薬又は後腹膜線維症治療剤として有用である（特公平3−70698号、国際公開WO00／27383号、特開平11−315019号、特開2005-97220号）。
上記の医薬組成物中に配合されるべきトシル酸スプラタスト結晶の量はこれを適用すべき患者の症状により或いはその剤型等により一定でないが、一般に投与単位形態当り経口剤では約5〜1000mg、注射剤では約0．1〜500mg、坐剤又は外用剤では約5〜1000mgとするのが望ましい。又、上記医薬組成物におけるトシル酸スプラタスト結晶の1日当りの投与量も症状等に応じ一概に決定できないが、通常約0．1〜5000mgとするのが好ましい。
以下、実施例を挙げ、本発明の内容をさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
［参考例１］
特公平３−７０６９８号記載の方法に準じてトシル酸スプラタスト第一結晶を得た。得られたトシル酸スプラタスト第一結晶は、図１に示す様に粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜に特徴的なピークを認めた。
［実施例１］
参考例１で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶５．５ｇにアセトン２０mL及び水０．０５mLを加えて４０℃で２４時間攪拌後、更に室温下で１時間攪拌して生成した結晶をろ取した。この結晶の粉末Ｘ線回折パターンは、図１と同様に、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜にピークが認められた。この結晶を実施例５により測定した結果、懸濁上清の光学純度は０．４％ee（Ｒ体過剰）、溶液の光学純度は０．１％ee（Ｒ体過剰）であり、両者の光学純度は測定誤差の範囲内で、大きな差は認められず均一なトシル酸スプラタスト結晶（第四結晶）であった（表２）。
［実施例２］
特開平７−２５２２１３号記載の方法で得られた、図２に示した様に粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、５．７゜、１２．０゜、１７．４゜、１９．８゜、２１．７゜、２２．９゜及び２４．０゜に特徴的なピークを認めるトシル酸スプラタスト第二結晶２．０ｇにアセトン８mL及び水０．０２mLを加え、更に種晶として実施例１で得られたトシル酸スプラタスト第四結晶０．２ｇを入れて４０℃で２４時間攪拌後、更に室温下で１時間攪拌して生成した結晶をろ取した。この結晶の粉末Ｘ線回折パターンは、図１と同様に、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜にピークが認められた。この結晶を実施例５により測定した結果、懸濁上清の光学純度は１．３％ee（Ｒ体過剰）、溶液の光学純度は０．０％eeであり、両者の光学純度は測定誤差の範囲内で、大きな差は認められず均一な結晶（第四結晶）であった（表２）。
［実施例３］
国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号記載の方法で得られた、図３に示した様に粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、５．６゜、９．０゜、１１．０゜、１５．３゜、１６．５゜、１７．２゜、１７．９゜、１９．２゜、１９．９゜及び２１．５゜に特徴的なピークを認めるトシル酸スプラタスト第三結晶１０．０ｇにアセトン４０mL及び水０．１mLを加え、更に種晶として実施例１で得られたトシル酸スプラタスト第四結晶１．０ｇを入れて４０℃で２４時間攪拌後、室温下で約１時間攪拌して生成した結晶をろ取した。この結晶の粉末Ｘ線回折パターンは、図１と同様に、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークが認められた。この結晶を実施例５により測定した結果、懸濁上清の光学純度は０．８％ee（Ｒ体過剰）、溶液の光学純度は０．１％ee（Ｓ体過剰）であり、両者の光学純度は測定誤差の範囲内で、大きな差は認められず均一な結晶（第四結晶）であった（表２、ロットＡ）。
［実施例４］
国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号記載の方法で得られた、図３に示した様に粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、５．６゜、９．０゜、１１．０゜、１５．３゜、１６．５゜、１７．２゜、１７．９゜、１９．２゜、１９．９゜及び２１．５゜に特徴的なピークを認めるトシル酸スプラタスト第三結晶１０．０ｇにアセトン４０mL及び水０．１mLを加え、更に種晶として実施例１で得られたトシル酸スプラタスト第四結晶１．０ｇを入れて４５℃で５時間攪拌後、室温下で約１時間攪拌して生成した結晶をろ取した。この結晶の粉末Ｘ線回折パターンは、図１と同様に、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークが認められた。この結晶を実施例５により測定した結果、懸濁上清の光学純度は０．０％ee、溶液の光学純度は０．１％ee（Ｓ体過剰）であり、両者の光学純度は測定誤差の範囲内で、大きな差は認められず均一な結晶（第四結晶）であった（表２、ロットＢ）。
［実施例５］
実施例１〜４で得られたトシル酸スプラタスト第四結晶０．２５ｇに２−プロパノール０．５mLを加えて振り混ぜ、１時間静置後、懸濁上清１μＬを取り、セルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を充填したキラル固定相カラム（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＤ−Ｈ、４．６mm×２５cm、ダイセル化学）に注入し、ｎ−ヘキサン・エタノール・トリフルオロ酢酸・ジエチルアミン（７５０：２５０：５：１）を移動相として光学純度を測定した。次に、残りの懸濁液にメタノール２mLを加えて結晶を完全に溶かし、この液を１０倍希釈した後、溶液０．５μＬを取り、同一の条件で光学純度を測定した。その結果を表２に示した。
また、参考までに、特公平３−７０６９８号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶（ロットＣ、Ｄ及びＥ）について、同様の操作を行い、光学純度を測定した結果も表２に示した。
結果、当該光学純度の評価方法により、得られたトシル酸スプラタスト結晶が全体的に均一かどうかを簡便に判別することが可能となった。
［実施例６］
特公平３−７０６９８号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶（ロットＣ）０．２５ｇに表３に記載した各種溶媒適量を加えて振り混ぜ、１時間静置後、懸濁上清１μＬ（１−プロパノールは０．５μＬ）を取り、セルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を充填したキラル固定相カラム（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＤ−Ｈ、４．６mm×２５cm、ダイセル化学）に注入し、ｎ−ヘキサン・エタノール・トリフルオロ酢酸・ジエチルアミン（７５０：２５０：５：１）を移動相として光学純度を測定した。次に、残りの懸濁液に各種溶媒適量を加えて結晶を完全に溶かし、溶液０．２μＬを取り、同一の条件で光学純度を測定した。その結果を表３に示した。
結果、従来公知の製法により得られたトシル酸スプラタスト第一結晶は、結晶全体としては光学純度がほぼ０％eeであるが、トシル酸スプラタスト結晶の溶解性が低い各種溶媒にて少量溶かした懸濁上清の光学純度が大きくずれていることより、光学純度が均一でない結晶であることが判明した。
Figure 2006006616
［試験例１］安定性試験
実施例３及び４で得た本発明結晶（ロットＡ及びＢ）及び特公平３−７０６９８号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶（ロットＣ、Ｄ及びＥ）各１．０ｇを６０℃で３ヶ月間保存し、安定性を測定した。また、参考までに、特開平７−２５２２１３号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第二結晶（ロットＦ）、国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号記載の方法で得られた第三結晶（ロットＧ）について、同様の操作により安定性を測定した。
その結果、表１に示すように従来公知の製法により得られた第一結晶にはいずれも分解が認められたが、本発明の方法により得られた結晶には分解がほとんど認められず、安定であった。
［実施例７］
実施例３と同様の方法で得られた、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークが認められる本発明製造法による結晶と特公平３−７０６９８号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶を表４に示した割合でサンプル瓶に入れ、蓋をして混合し、２-プロパノール０．５ｍＬを正確に加えて３０秒間振り混ぜた後、静置した。３０分後、遠心分離し、懸濁上清１μＬを取り、セルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を充填したキラル固定相カラム（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＤ−Ｈ、４．６ｍｍ×２５ｃｍ、ダイセル化学）に注入し、ｎ−ヘキサン・エタノール・トリフルオロ酢酸・ジエチルアミン（７５０：２５０：５：１）を移動相として光学純度を測定した。次に、残りの懸濁液にメタノール２ｍＬを加えて結晶を完全に溶かし、この液を１０倍希釈した後、溶液０．５μＬを取り、同一の条件で光学純度を測定した。その結果を表４及び図４に示した。懸濁上清の対掌体過剰率と第一結晶の含有量間には良好な直線性（Ｙ＝０．６７４９ｘ−０．６５７：Ｒ２＝０．９９３４）が認められた。一方、溶液の対掌体過剰率は測定誤差の範囲内であり、本発明結晶に混在してくる第一結晶の量を本発明評価法で検出可能（検出限界は測定誤差を２％とした場合、２．４％となる）であることが判明した。
Figure 2006006616
［実施例８］
国際公開ＷＯ０２／０８３６３３号記載の方法で得られた、図３に示した様に粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、５．６゜、９．０゜、１１．０゜、１５．３゜、１６．５゜、１７．２゜、１７．９゜、１９．２゜、１９．９゜及び２１．５゜に特徴的なピークを認めるトシル酸スプラタスト第三結晶と特公平３−７０６９８号記載の方法で得られたトシル酸スプラタスト第一結晶を表５に示した割合でサンプル瓶に入れ、蓋をして混合し、２-プロパノール０．５ｍＬを正確に加えて３０秒間振り混ぜた後、静置した。３０分後、遠心分離し、懸濁上清１μＬを取り、セルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を充填したキラル固定相カラム（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＤ−Ｈ、４．６ｍｍ×２５ｃｍ、ダイセル化学）に注入し、ｎ−ヘキサン・エタノール・トリフルオロ酢酸・ジエチルアミン（７５０：２５０：５：１）を移動相として光学純度を測定した。次に、残りの懸濁液にメタノール２ｍＬを加えて結晶を完全に溶かし、この液を１０倍希釈した後、溶液０．５μＬを取り、同一の条件で光学純度を測定した。その結果を表５及び図５に示した。懸濁上清の対掌体過剰率と第一結晶の含有量間には良好な直線性（Ｙ＝０．６７４９ｘ−０．６５７：Ｒ２＝０．９９３４）が認められた。一方、溶液の対掌体過剰率は測定誤差の範囲内であり、第三結晶に混在する第一結晶の量を本発明評価方法で検出可能（検出限界は測定誤差を２％とした場合、３．９％となる）であることが判明した。
Figure 2006006616
［実施例９］
実施例３と同様の方法で得られた、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークが認められる本発明結晶、トシル酸スプラタスト第一結晶及び第三結晶の示差走査熱量測定による融点及び融解熱を表６に、近赤外吸収スペクトルを図６〜８に示した。本発明結晶はトシル酸スプラタスト第一結晶に比べて５〜６℃高融点を示し、融解熱も約８ＫＪ／ｍｏｌ大きく、熱的に安定な結晶であった。また、近赤外吸収スペクトルにおいて波数５０００〜５３００ｃｍ−１の領域で両者に差が認められた。
Figure 2006006616
［製剤例１］ 錠剤
本発明結晶（実施例１） 50mg
トウモロコシデンプン 50mg
微結晶セルロース 50mg
ハイドロキシプロピルセルロース 15mg
乳糖 47mg
タルク 2mg
ステアリン酸マグネシウム 2mg
エチルセルロース 30mg
不飽和グリセリド 2mg
二酸化チタン 2mg
上記配合割合で、常法に従い、1錠当たり250mgの錠剤を調整した。
［製剤例２］ 顆粒剤
本発明結晶（実施例１） 200mg
乳糖 440mg
トウモロコシデンプン 100mg
ハイドロキシプロピルセルロース 50mg
タルク 10mg
上記配合割合で、常法に従い、1包当たり800mgの顆粒剤を調整した。
［製剤例３］ カプセル剤
本発明結晶（実施例１） 100mg
乳糖 37mg
トウモロコシデンプン 50mg
微結晶セルロース 10mg
ステアリン酸マグネシウム 3mg
上記配合割合で、常法に従い、1カプセル当たり200mgのカプセル剤を調製した。
［製剤例４］ ドライシロップ剤
本発明結晶（実施例１） 50mg
乳糖白糖 949mg
香料 適量
上記配合割合で、常法に従い、1包当たり1000mgのドライシロップ剤を調製した。
［製剤例５］ 坐剤
本発明結晶（実施例１） 300mg
ウイテップゾールW−35 1400mg
（登録商標、ラウリン酸からステアリン酸までの飽和脂肪酸のモノー、ジー及びトリーグリセライド混合物、ダイナマイトノーベル社製）
上記配合割合で、常法に従い、坐剤を調製した。

Claims (9)

  1. トシル酸スプラタスト結晶の均一性を評価する方法において、（ａ）トシル酸スプラタスト結晶に溶媒を加えてその３％以下の量を溶解し、得られる懸濁上清の一部を取り光学純度を測定する工程、（ｂ）次に、残りの懸濁液に溶媒を加えて全量を溶解し、その溶液の一部を取り光学純度を測定する工程からなり、前記工程（ａ）と工程（ｂ）の光学純度を対比することを特徴とするトシル酸スプラタスト結晶の均一性の評価方法。
  2. 前記工程（ａ）と工程（ｂ）における光学純度がいずれも２％ee未満であるとき、トシル酸スプラタスト結晶の光学純度が均一であると判定することを特徴とする請求項１記載の評価方法。
  3. 前記工程（ａ）における光学純度が２％ee以上で、工程（ｂ）における光学純度が２％ee未満であるとき、均一なトシル酸スプラタスト結晶に不均一な結晶が混在していると判定することを特徴とする請求項１記載の評価方法。
  4. 前記工程（ａ）で用いる溶媒が１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチルプロパノール、２−ブタノール、アセトン、酢酸エチル、ジオキサン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、テトラヒドロフランから選ばれる単独又は混合した溶媒であり、工程（ｂ）で用いる溶媒が水、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトニトリルから選ばれる単独又は混合した溶媒であることを特徴とする請求項２又は３記載の評価方法。
  5. トシル酸スプラタスト結晶を溶媒中で攪拌して転移させることによる、粉末Ｘ線回折による回折角（２θ±０．１゜）として、回折角６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近にピークを認めるトシル酸スプラタスト結晶の製造方法であって、請求項１記載の方法により光学純度を測定するとき、前記懸濁上清及び前記溶液の光学純度がいずれも２％ee未満の値を示す結晶を採取することを特徴とする、光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶の製造方法。
  6. 粉末Ｘ線回折による回折角(2θ±0.1゜)として、６．７゜、１３．３゜、１９．０゜、２０．０゜、２１．７゜及び２２．６゜付近に特徴的なピークが認められ、示差走査熱量分析による融点が約８９℃であり融解熱が約４０ＫＪ／ｍｏｌである光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶。
  7. トシル酸スプラタスト結晶を溶媒中で攪拌して転移させることにより得られる、請求項６記載の光学純度の均一なトシル酸スプラタスト結晶。
  8. 請求項６又は７記載のトシル酸スプラタスト結晶を含有する医薬組成物。
  9. 請求項６又は７記載のトシル酸スプラタスト結晶の医薬組成物製造のための使用。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8218526B2 (en) 2007-04-30 2012-07-10 Texas Instruments Incorporated Uplink synchronization maintenance principles in wireless networks
CN110487788B (zh) * 2019-07-12 2021-08-20 中国科学院金属研究所 一种单晶高温合金小角度晶界形成倾向性的评定方法
CN110824088B (zh) * 2019-11-26 2022-04-12 重庆柳江医药科技有限公司 利用hplc-ms测定甲磺司特在血浆中含量的方法
CN114609272B (zh) * 2022-02-22 2023-08-11 植恩生物技术股份有限公司 甲磺司特杂质jh-zzd的检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167564A (ja) * 1983-03-11 1984-09-21 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPS59170062A (ja) * 1983-03-16 1984-09-26 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム誘導体
JPS60152459A (ja) * 1984-01-18 1985-08-10 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPH07252213A (ja) * 1994-01-27 1995-10-03 Taiho Yakuhin Kogyo Kk 吸収性良好なトシル酸スプラタストおよびその製造方法
WO2002083633A1 (fr) * 2001-04-16 2002-10-24 Taiho Pharmaceutical Co., Ltd Cristaux de tosilate de suplatast

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556737A (en) * 1983-03-11 1985-12-03 Taiho Pharmaceutical Company Limited Sulfonium compounds, processes for preparing the compounds and pharmacological composiitons containing the same
JP2959598B2 (ja) * 1990-10-12 1999-10-06 吉富製薬株式会社 光学活性なチエノトリアゾロジアゼピン化合物
WO2000012487A1 (fr) 1998-08-27 2000-03-09 Sumitomo Pharmaceuticals Co., Ltd. Derives de pyrimidine

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167564A (ja) * 1983-03-11 1984-09-21 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPS59170062A (ja) * 1983-03-16 1984-09-26 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム誘導体
JPS60152459A (ja) * 1984-01-18 1985-08-10 Taiho Yakuhin Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPH07252213A (ja) * 1994-01-27 1995-10-03 Taiho Yakuhin Kogyo Kk 吸収性良好なトシル酸スプラタストおよびその製造方法
WO2002083633A1 (fr) * 2001-04-16 2002-10-24 Taiho Pharmaceutical Co., Ltd Cristaux de tosilate de suplatast

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