JPH01165567A - ベンゼンスルホネート誘導体の製造法 - Google Patents
ベンゼンスルホネート誘導体の製造法Info
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- JPH01165567A JPH01165567A JP32621887A JP32621887A JPH01165567A JP H01165567 A JPH01165567 A JP H01165567A JP 32621887 A JP32621887 A JP 32621887A JP 32621887 A JP32621887 A JP 32621887A JP H01165567 A JPH01165567 A JP H01165567A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、特開昭58−135850号に開示された抗
脂血症作用を有する一般式 (式中、R1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。R
2は水素原子又はアルキル基を示す。ρは0〜3の整数
を示す。但し、R2がアルキル基である場合、シクロヘ
キサン環上の2つの置換基は、互いにトランスである。
脂血症作用を有する一般式 (式中、R1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。R
2は水素原子又はアルキル基を示す。ρは0〜3の整数
を示す。但し、R2がアルキル基である場合、シクロヘ
キサン環上の2つの置換基は、互いにトランスである。
)で表わされる2−シクロへキシル−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート誘導体の製造法に関する。
ベンゼンスルホネート誘導体の製造法に関する。
従来の技術及びその問題点
特開昭58−135850号に開示されている上記一般
式(m)で表わされる化合物は、下記A法及びB法によ
り合成されている。しかし、これらの方法では工程数が
多く、且つA法においては爆発性のあるジアゾメタンを
使用するため、実際的な工業的製法とするには問題があ
った。
式(m)で表わされる化合物は、下記A法及びB法によ
り合成されている。しかし、これらの方法では工程数が
多く、且つA法においては爆発性のあるジアゾメタンを
使用するため、実際的な工業的製法とするには問題があ
った。
問題点を解決するための手段
本発明者等は、このような状況に鑑み、一般式(m)で
表わされる化合物の優れた工業的製法を鋭意検討した結
果、目的とする化合物(II[)を化合物(I)から−
工程で収率良く、簡便にしかも安価に合成することがで
きる方法、即ち工業的製法として有用な本発明の方法を
見出した。
表わされる化合物の優れた工業的製法を鋭意検討した結
果、目的とする化合物(II[)を化合物(I)から−
工程で収率良く、簡便にしかも安価に合成することがで
きる方法、即ち工業的製法として有用な本発明の方法を
見出した。
本発明は、一般式
(式中、R2は前記に同じ。但し、R2がアルキル基の
場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基は、互いにト
ランスである。)で表わされる1−シクロへキシル−1
−エタノン誘導体に、一般式 (式中、R,及びρは前記に同じ。)で表わされるフェ
ニルハイドロキシルベンゼンスルホノキシアイオダイン
を反応させることを特徴とする一般式 (式中、R,、R2及びQは前記に同じ。但し、R2が
アルキル基の場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基
は、互いにトランスである。)で表わされる2−シクロ
へキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホネート誘導
体の製造法に係る。
場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基は、互いにト
ランスである。)で表わされる1−シクロへキシル−1
−エタノン誘導体に、一般式 (式中、R,及びρは前記に同じ。)で表わされるフェ
ニルハイドロキシルベンゼンスルホノキシアイオダイン
を反応させることを特徴とする一般式 (式中、R,、R2及びQは前記に同じ。但し、R2が
アルキル基の場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基
は、互いにトランスである。)で表わされる2−シクロ
へキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホネート誘導
体の製造法に係る。
本発明で用いる一般式(n)の化合物はジャーナル・オ
ルガニック・ケミストリー(J、Org。
ルガニック・ケミストリー(J、Org。
Chem、)、1476 (1977)に従って、1−
シクロヘキシル誘導体より製造することができる。
シクロヘキシル誘導体より製造することができる。
上記各−最大中R1、R2で表わされるアルキル基とし
ては、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分枝状アルキル基
、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、see −ブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基等を挙げることができる。R
1で表わされるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の
低級アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロピ
ルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ基等を挙
げることができる。上記R1で表わされる各置換基は、
ベンゼン環上の任意の位置に存在し得るものであり、1
個である必要はなく、2゛〜3個存在してもよい。また
R2で表わされる置換基は、シクロヘキシル基土の任意
の位置に存在し得るものであり、その立体配置は、トラ
ンス体である。
ては、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分枝状アルキル基
、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、see −ブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基等を挙げることができる。R
1で表わされるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の
低級アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロピ
ルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ基等を挙
げることができる。上記R1で表わされる各置換基は、
ベンゼン環上の任意の位置に存在し得るものであり、1
個である必要はなく、2゛〜3個存在してもよい。また
R2で表わされる置換基は、シクロヘキシル基土の任意
の位置に存在し得るものであり、その立体配置は、トラ
ンス体である。
本発明の反応は、通常溶媒中で行なわれる。溶媒として
は、本反応に関与しないものである限り、特に限定され
ないが、一般にジメチルエーテル、ジエチルエーテル、
ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル、ベンゼン
等の非プロトン性溶媒が用いられる。好ましくは、ベン
ゼン、アセトニトリルが適当である。該反応におけるフ
ェニルハイドロキシルベンゼンスルホノキシアイオダイ
ン(If)の使用二としては、化合物(■)1モルに対
して160〜2.0モル好ましくは1.2モルが適当で
ある。該反応の反応温度は特に限定されるものではない
が、室温〜100℃好ましくは50〜70℃において有
利に進行し、又反応時間も特に限定されないが、通常2
時間以内に完結する。
は、本反応に関与しないものである限り、特に限定され
ないが、一般にジメチルエーテル、ジエチルエーテル、
ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル、ベンゼン
等の非プロトン性溶媒が用いられる。好ましくは、ベン
ゼン、アセトニトリルが適当である。該反応におけるフ
ェニルハイドロキシルベンゼンスルホノキシアイオダイ
ン(If)の使用二としては、化合物(■)1モルに対
して160〜2.0モル好ましくは1.2モルが適当で
ある。該反応の反応温度は特に限定されるものではない
が、室温〜100℃好ましくは50〜70℃において有
利に進行し、又反応時間も特に限定されないが、通常2
時間以内に完結する。
上記の方法で得られる目的化合物(III)は、通常公
知の分離、精製手段、例えば、再結晶、カラムクロマト
グラフィー等により単離、精製され得る。
知の分離、精製手段、例えば、再結晶、カラムクロマト
グラフィー等により単離、精製され得る。
実施例
以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する
。
。
実施例12−トランス(4−イソブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−イソブチルシクロヘキサ
ン18. 2g (0,1モル)をベンゼン1001T
II2に溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルベン
ゼンスルホノキシアイオダイン45,3g(0,12モ
ル)を加え、70℃で2時間加熱攪拌した。反応後、ベ
ンゼン50鵬及び水50戒を加え、有機層を分取し、水
洗後溶媒を留去した。
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−イソブチルシクロヘキサ
ン18. 2g (0,1モル)をベンゼン1001T
II2に溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルベン
ゼンスルホノキシアイオダイン45,3g(0,12モ
ル)を加え、70℃で2時間加熱攪拌した。反応後、ベ
ンゼン50鵬及び水50戒を加え、有機層を分取し、水
洗後溶媒を留去した。
残渣を一20℃に冷却後、石油エーテルを加え結晶化さ
せ枦集した。得られた結晶を、エタノールで再結晶する
ことにより、2−トランス(4−イソブチルシクロヘキ
シル)−2−オキソエチルベンゼンスルホネート23.
99g (収率71%)を得た。融点50〜51℃であ
った。
せ枦集した。得られた結晶を、エタノールで再結晶する
ことにより、2−トランス(4−イソブチルシクロヘキ
シル)−2−オキソエチルベンゼンスルホネート23.
99g (収率71%)を得た。融点50〜51℃であ
った。
IH核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CDCΩ
3中) δppm; 7.42〜8. 10 (5H,m) 、4.64
(2H,s) 、 2.48 (IH,t t、 J=4゜12Hz)
、 0、 64〜2.00 (12H,m) 、0.8
4 (6H,d) 実施例22−トランス(4−t−ブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−t−ブチルシクロヘキサ
ン18. 2g (0,1モル)をアセトニトリル10
0輔に溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルベンゼ
ンスルホノキシアイオダイン45.3g (0,12モ
ル)を加え、50℃で2時間加熱攪拌した。反応後、実
施例1と同様の操作を行なうことにより、2−トランス
(4−t−ブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート21.97g (収率65%)
を得た。融点73〜74°Cであった。
3中) δppm; 7.42〜8. 10 (5H,m) 、4.64
(2H,s) 、 2.48 (IH,t t、 J=4゜12Hz)
、 0、 64〜2.00 (12H,m) 、0.8
4 (6H,d) 実施例22−トランス(4−t−ブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−t−ブチルシクロヘキサ
ン18. 2g (0,1モル)をアセトニトリル10
0輔に溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルベンゼ
ンスルホノキシアイオダイン45.3g (0,12モ
ル)を加え、50℃で2時間加熱攪拌した。反応後、実
施例1と同様の操作を行なうことにより、2−トランス
(4−t−ブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート21.97g (収率65%)
を得た。融点73〜74°Cであった。
IH核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CD C
123中) δppm; 7.50〜8.08 (5H,m)、 4.63 (2H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.60〜2.04 (9H,m)、 0.84 (9H,s) 実施例32−トランス(4−5−ブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル p− トルエンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−s−ブチルシクロヘキサ
ン18.2g (0,1モル)をベンゼン100mQに
溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルトシルオキシ
アイオダイン47.0g(0,12モル)を加え、50
’Cで1.5時間加熱攪拌した。反応後、実施例1と同
様の操作を行なうことにより、2−トランス(4−8−
ブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル p−)ル
エンスルホネート23.23g (収率66%)を得た
。融点42〜43℃であった。
123中) δppm; 7.50〜8.08 (5H,m)、 4.63 (2H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.60〜2.04 (9H,m)、 0.84 (9H,s) 実施例32−トランス(4−5−ブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル p− トルエンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−s−ブチルシクロヘキサ
ン18.2g (0,1モル)をベンゼン100mQに
溶解した溶液に、フェニルハイドロキシルトシルオキシ
アイオダイン47.0g(0,12モル)を加え、50
’Cで1.5時間加熱攪拌した。反応後、実施例1と同
様の操作を行なうことにより、2−トランス(4−8−
ブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル p−)ル
エンスルホネート23.23g (収率66%)を得た
。融点42〜43℃であった。
IH核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CDCΩ
3中) δppm; 7.85 (2H,d)、 7.38 (2H,d)、 4.60 (2H,s)、 2、47 (3H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.78〜2.08 (18H,m) 実施例4〜8 下記第1表に示す化合物(11111)を、実施例1と
同様の条件で反応させて第1表の通りの結果を得た。
3中) δppm; 7.85 (2H,d)、 7.38 (2H,d)、 4.60 (2H,s)、 2、47 (3H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.78〜2.08 (18H,m) 実施例4〜8 下記第1表に示す化合物(11111)を、実施例1と
同様の条件で反応させて第1表の通りの結果を得た。
第 1 表
(以 上)
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_2は水素原子又はアルキル基を示す。但し
、R_2がアルキル基である場合、シクロヘキサン環上
の2つの置換基は、互いにトランスである。)で表わさ
れる1−シクロヘキシル−1−エタノン誘導体に、一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。 lは0〜3の整数を示す。)で表わされるフェニルハイ
ドロキシルベンゼンスルホノキシアイオダインを反応さ
せることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2及びlは前記に同じ。但し、R
_2がアルキル基である場合、シクロヘキサン環上の2
つの置換基は、互いにトランスである。)で表わされる
2−シクロヘキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホ
ネート誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32621887A JPH01165567A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32621887A JPH01165567A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165567A true JPH01165567A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18185309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32621887A Pending JPH01165567A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01165567A (ja) |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP32621887A patent/JPH01165567A/ja active Pending
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