JP2966464B2 - 多値駆動回路 - Google Patents

多値駆動回路

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JP2966464B2 JP2076299A JP7629990A JP2966464B2 JP 2966464 B2 JP2966464 B2 JP 2966464B2 JP 2076299 A JP2076299 A JP 2076299A JP 7629990 A JP7629990 A JP 7629990A JP 2966464 B2 JP2966464 B2 JP 2966464B2
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Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は例えばIC試験装置において、被試験ICに駆
動信号を与える実波形発生器として利用することができ
多値駆動回路に関する。
「従来の技術」 IC試験装置において、被試験ICに駆動信号(テストパ
ターン信号)を与える駆動回路は被試験ICの種類の違い
に応じてH論理レベルとL論理レベルの電圧値が任意の
値に設定できるように構成されると共に、試験項目によ
ってはL論理レベルとH論理レベルの間に第3のレベル
を設定し、この第3のレベルの電圧を被試験ICに与えた
り、また第3のレベルをH論理レベルより高い電圧また
はL論理より低い電圧に設定する場合もある。
このような背景から従来より被試験ICに信号を与える
駆動回路には多値駆動回路が用いられている。
第6図に従来の多値駆動回路の構成を示す。図中1お
よび2は電流スイッチを示す。この電流スイッチ1およ
び2はそれぞれ差動接続された一対のトランジスタ1A、
1Bおよび2A,2Bによって構成され、エミッタが共通接続
されて定電流回路3および4によってオンに制御された
側のトランジスタに一定の電流I1またはI2が流れるよう
に構成される。
また、各電流スイッチ1と2を構成する一方のトラン
ジスタ1Aと2Aのコレクタは直接正極電源端子に接続さ
れ、他方のトランジスタ1Bと2Bのコレクタは共通接続さ
れ、この共通接続点を抵抗器5を通じて正極電源端子
に接続される。
抵抗器5とトランジスタ1B,2Bのコレクタと接続点か
らバッファ増幅器6を通じて出力端子7が導出される。
このような構成において、トランジスタ1Aと2Aに、こ
れらトランジスタ1Aと2Aを共にオンに制御する信号を与
えると、トランジスタ1Bと2Bが共にオフに制御される。
この場合には出力端子7には第7図に示すように電源の
電圧V0がそのまゝ出力される。
またトランジスタ1Aと2Aにこれらトランジスタ1Aをオ
フ、トランジスタ2Aをオンに制御する信号を与えると、
この場合にはトランジスタ1Bがオン、2Bがオフに制御さ
れ、抵抗器5にはトランジスタ1Bを流れる電流I1が流
れ、このときの電圧降下がRI1とすると、出力端子7に
は第7図に示す電圧V1=V0−RI1が出力される。
また、トランジスタ1Aをオンに、2Aをオフに制御する
信号を入力すると、この場合にはトランジスタ1Bがオ
フ、2Bがオンに制御され、抵抗器5に電流12が流れる。
よって、このとき出力端子7には第7図に示す電圧V2
V0−RI2が出力される。
更に、トランジスタ1Aと2Aにこれらトランジスタ1Aと
2Aをオフに制御する信号を与えると、トランジスタ1Bと
2Bは共にオンに制御される。従って、この場合には抵抗
器5には電流(I1+I2)が流れ、出力端子7には第7図
に示す電圧V3=V0−R(I1+I2)が出力される。
このようにトランジスタ1Aと2Bに与える信号の論理に
応じて第7図に示すような多値波形を出力することがで
きる。
「発明が解決しようとする課題」 第6図に示した回路構造の場合、抵抗器5に発生する
電圧降下を利用して多値電圧を発生させる構造であるた
め、消費電力が大きい欠点がある。
また抵抗器5に振幅の大きい電圧降下を発生させるた
めには、電流I1とI2の値も大きく採らなければならな
い。この結果、電流スイッチ1と2は比較的大きい電流
をオン、オフ制御しなければならないから高速動作に限
界が生じ、高速多値信号の発生が困難になる欠点があ
る。
また電圧V1とV2は電源電圧V0より高い電圧に設定する
ことができないため、多値波形の各値の電圧関係に制限
が与えられる欠点もある。
この発明の目的は、高速大振幅の多値波形を発生する
ことができる多値駆動回路を提供しようとするものであ
る。
「課題を解決するための手段」 この発明では互いに異なる電圧を出力する複数の電圧
源と、 この複数の電圧源の何れか一つの電圧を選択して取り
出すダイオードスイッチ回路である。
このダイオードスイッチ回路の各スイッチ素子をオ
ン、オフ制御する複数の電流スイッチと、によって多値
駆動回路を構成したものである。
この発明の構成によれば、多値の値を採る各電圧を電
圧源から発生させておき、この各電圧源から発生してい
る電圧をダイオードスイッチ回路によって選択して取り
出す構造としたから、大振幅の電圧発生のために大きい
電流を断続制御しなくてよい。
つまり、ダイオードスイッチ回路を構成するスイッチ
素子を比較的小さい電流で断続形成すればよいから高速
度で断続制御することができる。
また、複数の電圧源に予め必要な電圧値を発生させて
おくから振幅の大きい電圧波形を容易に得ることができ
る利点が得られる。
「実施例」 第1図にこの発明の一実施例を示す。図中10,11,12,1
3はそれぞれ電流スイッチ、14はダイオードスイッチ回
路、15,16,17は電圧源、18は電流スイッチ10〜13をオ
ン、オフ制御する制御回路を示す。
電圧源15で発生する電圧VIHと電圧源16で発生する電
圧VILはVIH>VILに選定される。また電圧源17が発生す
る電圧VTTはVTT>VIH>VILでも、またVIH>VTT>VIL
も、またVIH>VIL>VTTでも任意の関係に選定すること
ができる。
電圧源15で発生する電圧VIHを出力端子7に出力する
ためには、ダイオードスイッチ回路14のダイオードスイ
ッチ素子D15とD13をオンに制御すればよい。
このためには、電流スイッチ10と11を構成するトラン
ジスタQ2とQ4を制御回路18によってオンに制御し、ダイ
オードスイッチ素子D13とD14に電流I1(=I2)を流し、
ダイオードスイッチ素子D13とD14をオンの状態に維持す
ると共に、電流スイッチ12を構成するトランジスタQ5
オンに制御し、このトランジスタQ5を流れる電流I3をダ
イオードスイッチ素子D15を通じて電圧源15に流し込
み、ダイオードスイッチ素子D15をオンの状態に制御す
ればよい。
このようにダイオードスイッチ素子D15とD13をオンの
状態に制御することによって、出力端子7に電圧源15で
発生している電圧VIHを出力することができる。なお、
この場合、ダイオードスイッチ素子D15とD13の電圧降下
は電圧源15とバッファ増幅器6との間において逆極性で
直列接続されるため相互に相殺される。よって出力端子
7に出力される電圧は電圧源15から出力される電圧値に
一致している。
またこの場合、電流スイッチ13はトランジスタQ7をオ
フ、トランジスタQ8をオンの状態に制御しておく、この
状態に制御することにより電圧源16から出力される電圧
(電流)はトランジスタQ8に引き込まれ、ダイオードス
イッチ素子D16をオフの状態に制御することができ、電
圧源16の電圧は出力端子7に全く影響を与えない。
またこのとき、電流スイッチ10と11を構成するトラン
ジスタQ1とQ3は制御回路18によってオフの状態に制御さ
れているから、ダイオードブリッジDWには電流は全く流
れない。よってダイオードブリッジDWを構成する各ダイ
オードスイッチ素子D4〜D12はオフの状態に制御される
から電圧源17の電圧VTTも出力端子7には全く影響を与
えない。
一方、電圧源16の電圧VILを出力端子7に出力するに
はダイオードスイッチ素子D15をオフに制御すると共
に、ダイオードスイッチ素子D14と、ダイオードスイッ
チ素子D16をオンの状態に制御すればよい。
このためには、電流スイッチ10と11はそのまゝの状態
を維持させ、電流スイッチ12と13の状態を反転させれば
よい。
つまり、電源スイッチにはトランジスタQ5をオフに、
Q6をオンに制御することにより、ダイオードスイッチ素
子D15をオフにすることができる。この状態では、トラ
ンジスタQ6を流れる電流I3は電圧源15に流れ込む。
一方、電流スイッチ13ではトランジスタQ7をオンに
し、Q8を制御回路18によりオフに制御する。このように
制御することによって電圧源16から出力される電流はダ
イオードスイッチ素子D16を通じてトランジスタQ7に流
れ、ダイオードスイッチ素子D16はオンの状態に制御さ
れる。
このようにしてダイオードスイッチ素子D16とD14がオ
ンの状態に制御されることによって電圧源16の電圧VIL
が出力端子7に取り出される。この場合、ダイオードス
イッチ素子D16とD14の電圧降下は互いに逆向きに直列接
続されるから、電圧源16と出力端子との間では相殺さ
れ、出力端子7には電圧源16の電圧VILがそのまゝ出力
される。
電圧源17の電圧VTTを出力端子7に取り出すには制御
回路18により電流スイッチ10と11の状態を反転させ、ダ
イオードスイッチ素子D13とD14をオフの状態に制御し、
代わってダイオードブリッジDWに電流I1(=I2)を流せ
ばよい。
つまり、制御回路18により電流スイッチ10と11のトラ
ンジスタQ1とQ3をオンの状態に制御すればよい。なお、
この場合、ダイオードスイッチ素子D15とD16はオフの状
態に制御する。
ダイオードブリッジDWにトランジスタQ1とQ3を流れる
電流I1(=I2)が流れることによって、ダイオードブリ
ッジDWを構成するダイオードスイッチ素子D9〜D12がオ
ンとなり、電圧源17の電圧VTTがバッファ増幅器6に伝
えられる。
この場合、ダイオードD9とD11およびD10とD12の電圧
降下は電圧源17とバッファ増幅器6との間において、互
いに逆向きで直列関係にあるから相互に相殺される。よ
って電圧源17の電圧VTTがそのまゝ出力端子7に出力さ
れる。
電圧源17の電圧VTTは電圧源15と16の電圧VIHまたはV
ILが選択されて出力されている状態ではダイオードブリ
ッジDWで隔離されるため、電圧源17の電圧VTTは他の電
圧源15と16の電圧VIHとVILによって影響を受けることは
ない。
以上により、この発明の構成と概略の動作が理解され
よう。次に、この発明による多値駆動回路の高速動作に
ついて説明する。
つまり、この発明による多値駆動回路は出力の電位が
他の電位に遷移する際に、高速で遷移できる機能を具備
している。
出力の電位が遷移する際に、遅れ動作となる要素とし
ては、電流スイッチ10〜13を構成する各トランジスタQ1
〜Q8のオン、オフ動作の遅れと、バッファ増幅器6の入
力側に寄生する浮遊容量CCによる遅れが考えられる。
トランジスタQ1〜Q8のオン、オフ動作の遅れは素子が
持つ特性であり、避けられない要素であるから、ここで
は浮遊容量CCに起因する遅れを改善した点について説明
する。
例えば、電圧源15の電位VIHを出力している状態か
ら、電圧源16の出力電位VILに遷移する場合、まず電圧
源15の出力電圧VIHを出力している状態ではダイオード
スイッチ素子D15とD13,D14がオンの状態に制御されてい
る。
この状態からダイオード素子D13とD14がオンの状態の
まゝ、ダイオードスイッチ素子D15をオフにし、代わっ
てダイオードスイッチ素子D16をオンの状態に制御す
る。
このためには、制御回路18により電流スイッチ12のト
ランジスタQ5をオフに、Q6をオンに制御すると共に、電
流スイッチ13のトランジスタQ7をオン、Q8をオフに制御
する。
トランジスタQ6がオンになると流れる電流I3は直ちに
電圧源15に流れ込み、ダイオードスイッチ素子D15を流
れていた電流は0になるから、ダイオードスイッチ素子
D15は直ちにオフの状態となる。
これに対し、ダイオードスイッチ素子D16はトランジ
スタQ7がオンになった時点では直ちにオンの状態に制御
されない。
つまり、バッファ増幅器6の入力点の電位は浮遊容量
CCの存在によって電圧源15の出力電圧VIHを保ってい
る。従ってトランジスタQ7がオンになった時点ではダイ
オードスイッチ素子D16のカソード側はVIHの電位となっ
ているからである。
しかしながら、トランジスタQ7がオンになった時点で
浮遊容量CCに充電されている電位VIHはトランジスタQ7
を流れる電流I4によって急速に引き込まれる。よって、
浮遊容量CCの電位は急速に低下し、電圧源16の出力電圧
VILよりダイオードスイッチ素子D16の導通電圧約0.7Vだ
け低くなると、ダイオードスイッチ素子D16がオンにな
り、電圧源16からダイオードスイッチ素子D16を通じて
トランジスタQ7に電流I4が流れる状態に安定する。
逆に電圧源16が出力する電圧VILをバッファ増幅器6
に与えている状態から電圧源15の電圧VIHを出力する状
態に遷移する場合には、トランジスタQ5がオンに制御さ
れることによって浮遊容量CCにトランジスタQ5から電流
I3が流れ、浮遊容量CCの電圧は急速に電圧源15の電圧V
IHに近づく。
このように電圧源15から16の電圧に遷移する場合、ま
た電圧源16から15の電圧に遷移する動作はオンの状態に
制御されるトランジスタQ5またはQ7によって浮遊容量CC
を急速に充放電させるから、その遷移速度は高速化され
る。
電圧値17の電圧VTTを出力する場合にはダイオードス
イッチ素子D15とD16を共にオフの状態に制御すると共
に、電流スイッチ10と11のトランジスタQ1とQ3をオンの
状態に制御する。トランジスタQ1とQ3をオンの状態に制
御することにより、ダイオードブリッジDWがオンにな
る。
このとき、浮遊容量CCに例えばVIHが充電されている
と、この場合にはダイオードD12とトランジスタQ3を通
じて浮遊容量CCの充電電荷は急速放電され、目的の電圧
VTTに急速に遷移する。
また、浮遊容量CCにVILが充電されていた場合にはト
ランジスタQ1とダイオードD11を通じて充電電流が流れ
る。よって、この場合も目的の電圧VTTに急速に遷移す
ることができる。
第2図に制御回路18の入力端子PATとVTに与える論理
と、各トランジスタQ1〜Q8のベースに与えられる論理の
関係と、各入力状態における出力電位の状態を示す。図
中Xはドントケアを示す。
「変形実施例」 第3図はこの発明の変形実施例を示す。この実施例で
は、バッファ増幅器6の構成を具体的に示した点と、こ
のバッファ増幅器6を構成するトランジスタQ15とQ16
必要に応じてオフの状態に制御できるように構成した点
が第1図の実施例と異なる点である。
電圧源15はまたは16の何れか一方の電圧VIHまたはVIL
をバッファ増幅器6に与えるには電流スイッチ10のトラ
ンジスタQ2と電流スイッチ11のトランジスタQ4を共にオ
ンの状態に制御し、ダイオードスイッチ素子D13とD14
オンの状態に維持させる。このとき、流れる電流I1(=
I2)はトランジスタQ2−ダイオードスイッチ素子D13
バッファ増幅器6に設けたレベルシフタ6A−ダイオード
スイッチ素子D14−トランジスタQ4の経路を通って流れ
る。この状態で電流スイッチ12のトランジスタQ5とQ6
何れか一方および電流スイッチ13のトランジスタQ7とQ8
の何れか一方をオンに制御することにより出力させるこ
とができる。
つまり、トランジスタQ5とQ8をオンに制御し、トラン
ジスタQ6とQ7をオフの状態に制御することにより、ダイ
オードスイッチ素子D15がオンとなり、D16はオフの状態
に制御される。よって、この場合には電圧源15の電圧V
IHがバッファ増幅器6に与えられ出力端子7に出力され
る。
また、トランジスタQ5とQ8をオフに制御し、トランジ
スタQ6とQ7をオンに制御することにより、ダイオードス
イッチ素子D15がオフに、D16はオンに制御され、電圧源
16の電圧VILが出力端子7に出力される。
一方、トランジスタQ5,Q7をオフ、Q6,Q8をオンの状態
に制御し、ダイオードスイッチ素子D15とD16を共にオフ
の状態に制御した状態で電流スイッチ10と11のトランジ
スタQ1とQ3をオンに制御すると、ダイオードブリッジDW
を構成するダイオードD9とトランジスタQ11Q12およびト
ランジスタQ13,Q14とダイオードQ10およびダイオードD
11,D12がオンとなり、電圧源17の電圧VTTがバッファ増
幅器6に与えられ、出力端子7に出力される。
このようにして、この実施例でも電圧源15,16,17の電
圧VIH,VIL,VTTの3値を出力することができる。
一方、これら何れの電圧を出力している状態であって
も、トランジスタQ5,Q7をオフ、Q6,Q8及びQ9,Q10をオン
に制御すると、ダイオードスイッチ素子D17とD18がオン
に制御され、A点とB点はクランプ用電圧源18と19の電
位にクランプされる。
つまり、クランプ用電圧源18は正電位の電圧を出力
し、クランプ用電圧源19は負電位の電圧を出力するもの
とすると、ダイオードスイッチ素子D17とD18がオンに制
御されることにより、A点は正電位にクランプされ、B
点は負電位にクランプされる。よって、この状態ではバ
ッファ増幅器6を構成するトランジスタQ15とQ16をオフ
の状態に制御される。
バッファ増幅器6のトランジスタQ5とQ6をオフの状態
に制御することによって、出力端子7はハイ・インピー
ダンスの状態となり、この出力端子7に他の回路、例え
ば被試験ICから信号を取り込む回路が接続されている場
合、この信号取込回路が動作して被試験ICから読み出さ
れる信号を取り込む場合に、バッファ増幅器6が被試験
ICの負荷とならずに信号を有効に信号取込回路に入力さ
せることができる。
第4図に各トランジスタQ1〜Q10の各ベース端子
(A)〜(J)に与える制御信号と、出力の電位の関係
を示す。図中Hi−Zはハイ・インピーダンス状態を示
す。
第5図はこの発明の更に他の実施例を示す。この実施
例では3値以上の多値電位を出力することができる多値
駆動回路の構成を示す。
つまり、この例では電流スイッチ21と22を設け、この
電流スイッチ21と22によって電流路23と24の何れか一方
を選択し、この選択によって4個の電圧源15A,15Bおよ
び16A,16Bの中の何れか一つを選択できるように構成し
た場合を示す。
つまり、電流スイッチ21と22のトランジスタQ17とQ19
をオンに制御すると電流路23に電流が流れ、ダイオード
D23がオンに制御される。
この状態で電流スイッチ12AのトランジスタQ1をオン
に制御するとダイオードスイッチ素子D15Aがオンとな
る。ダイオードスイッチ素子D15Aがオンに制御されるこ
とによって電圧源15Aの電圧VIH1がバッファ増幅器6に
与えられ、出力端子7から出力される。
またこのとき、トランジスタQ1をオフ、Q3をオンに制
御すると、ダイオードスイッチ素子D16Aがオンとなり、
この場合には電圧源16Aの電圧VIL1がバッファ増幅器6
に与えられる。
電流スイッチ21と22の状態を切替えることにより、電
圧源15Bと16Bの電圧を取り出すことができる。
このようにして、この実施例によれば4値の電位を出
力することができる多値駆動回路を構成することができ
る。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば多値の電位を
それぞれ電位源から発生させるから、振幅が大きい多値
信号を発生させても、抵抗器における電圧降下によって
波形を発生させる場合と比較して消費電力を小さくする
ことができる。
また電圧値17はダイオードブリッジDWによって断続す
る構成としたことから、電圧源17の電圧VTTは他の電圧
源15と16の電圧VIH,VILに何等影響を与えない。よって
電圧源17の電圧VTTを任意の電圧に選定することがで
き、VTT>VIH>VILまたはVIH>VTT>VILあるいはVIH>V
IL>VTTの何れの状態にも選定することができる。
また、バッファ増幅器6の入力側に浮遊容量が形成さ
れ、電流スイッチを構成するトランジスタがオンに制御
されることにより、浮遊容量CCに対して急速充電および
急速放電させることができる。よって単位の遷移速度を
高速化することができ、大振幅で高速の多値波形を発生
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す接続図、第2図はそ
の動作を説明するための図、第3図はこの発明の変形実
施例を示す接続図、第4図はその動作を説明するための
接続図、第5図はこの発明の更に他の変形実施例を示す
接続図、第6図は従来の技術を説明するための接続図、
第7図はその動作を説明するための波形図である。 10〜13:電流スイッチ、14:ダイオードスイッチ回路、15
〜17:電圧源。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】A.入力された定電流を、2つの出力端子の
    いづれかに出力する、第1乃至第4電流スイッチと、 B.順方向に直列に接続されたダイオードが並列に接続さ
    れ、互いに接続されたアノードが上記第1電流スイッチ
    の一方の出力端子に接続され、互いに接続されたカソー
    ドが上記第2電流スイッチの一方の出力端子に接続され
    たダイオードブリッジと、 C.アノードが上記第1電流スイッチの他方の出力端子に
    接続され、カソードが上記ダイオードブリッジの一方の
    直列に接続された接続点に接続された第1ダイオード
    と、 D.アノードが上記第1ダイオードのカソードに接続さ
    れ、カソードが上記第2電流スイッチの他方の出力端子
    に接続された第2ダイオードと、 E.アソードが上記第3電流スイッチの一方の出力端子
    と、上記第1ダイオードのアノードに接続され、カソー
    ドが上記第3電流スイッチの他方の出力端子に接続され
    た第3ダイオードと、 F.カソードが上記第4電流スイッチの一方の出力端子
    と、上記第2ダイオードのカソードに接続され、アノー
    ドが上記第4電流スイッチの他方の出力端子に接続され
    た第4ダイオードと、 G.上記ダイオードブリッジの他方の直列に接続されたダ
    イオードの接続点に接続された第1電圧源と、 H.上記第3ダイオードのカソードに接続された第2電圧
    源と、 I.上記第4ダイオードのアノードに接続され、上記第2
    電圧源の電圧よりも低い電圧の第3電圧源と、 J.上記第1ダイオードのカソードに接続されたバッファ
    増幅器と、 K.上記第1乃至第4電流スイッチの切替え制御をする制
    御器と、 によって構成した多値駆動回路。
  2. 【請求項2】A.入力された定電流を、A、B、Cの3つ
    の出力端子のいづれかの1つに出力する第1、第2電流
    スイッチと、 B.入力された定電流を、2つの出力端子のいづれかに出
    力する第3、第4電流スイッチと、 C.アノードが上記第1電流スイッチのAの出力端子に接
    続され、カソードが上記第2電流スイッチのCの出力端
    子に接続された第1ダイオードと、 D.アノードが上記第1電流スイッチのBの出力端子に接
    続され、カソードが上記第1ダイオードのカソードに接
    続された第2ダイオードと、 E.アノードが上記第1電流スイッチのCの出力端子に接
    続され、カソードが上記第2電流スイッチのAの出力端
    子に接続された第3ダイオードと、 F.アノードが上記第1電流スイッチのCの出力端子に接
    続され、カソードが上記第2電流スイッチのBの出力端
    子に接続された第4ダイオードと、 G.アノードが上記第3電流スイッチの一方の出力端子
    と、上記第2ダイオードのアノードに接続され、カソー
    ドが上記第3電流スイッチの他方の出力端子に接続され
    た第5ダイオードと、 H.カソードが上記第4電流スイッチの一方の出力端子
    と、上記第4ダイオードのカソードに接続され、アノー
    ドが上記第4電流スイッチの他方の出力端子に接続され
    た第6ダイオードと、 I.アノードが上記第1電流スイッチのCの出力端子に接
    続され、カソードが第4電流源に接続された第7ダイオ
    ードと、 J.カソードが上記第1ダイオードのカソードに接続さ
    れ、アノードが第5電流源に接続された第8ダイオード
    と、 K.一方のトランジスタのエミッタと他方のトランジスタ
    のエミッタとが、抵抗とダイオードの直列回路で接続さ
    れ、一方のトランジスタのベースと他方のトランジスタ
    のベースとが、抵抗とダイオードの直列回路で接続さ
    れ、上記一方のトランジスタのベースが上記第1ダイオ
    ードのカソードに接続され、上記他方のトランジスタの
    ベースが上記第3ダイオードのアノードに接続され、上
    記一方のトランジスタのエミッタと他方のトランジスタ
    のエミッタとの接続中間点が出力端子に接続されたバッ
    ファ増幅器と、 L.アノードが上記第1電流スイッチのAの出力端子に接
    続される第9ダイオードと、 M.カソードが上記第2電流スイッチのAの出力端子に接
    続される第10ダイオードと、 N.上記第9ダイオードのカソードと上記第10ダイオード
    のアノードにそれぞれ異なった電圧を供給する第1電圧
    源と、 O.上記第5ダイオードのカソードに接続された第2電圧
    源と、 P.上記第6ダイオードのアノードに接続された第3電圧
    源と、 Q.第1乃至第4電流スイッチの切替え制御をする制御器
    と、 によって構成した多値駆動回路。
  3. 【請求項3】A.入力された定電流を2つの出力端子のい
    づれかに出力する第1乃至第4電流スイッチと、 B.入力された定電流を2つの出力端子のいづれかに出力
    し、一方の出力端子が上記第1電流スイッチの一方の出
    力端子に接続される第5電流スイッチと、 C.入力された定電流を2つの出力端子のいづれかに出力
    し、一方の出力端子が上記第1電流スイッチの一方の出
    力端子に接続され、他方の出力端子が上記第3電流スイ
    ッチの一方の出力端子に接続される第5電流スイッチ
    と、 D.入力された定電流を2つの出力端子のいづれかに出力
    し、一方の出力端子が上記第2電流スイッチの一方の出
    力端子に接続され、他方の出力端子が上記第4電流スイ
    ッチの一方の出力端子に接続される第6電流スイッチ
    と、 E.アノードが上記第1電流スイッチの一方の出力端子に
    接続され、カソードが上記第1電流スイッチの他方の出
    力端子に接続される第1ダイオードと、 F.カソードが上記第2電流スイッチの一方の出力端子に
    接続され、アノードが上記第2電流スイッチの他方の出
    力端子に接続される第2ダイオードと、 G.順方向に直列に接続され、一方のダイオードのアノー
    ドが上記第1電流スイッチの一方の出力端子に接続さ
    れ、他方のダイオードのカソードが上記第2電流スイッ
    チの一方の出力端子に接続された第5ダイオードと、 H.順方向に直列に接続され、一方のダイオードのアノー
    ドが上記第1電流スイッチの一方の出力端子に接続さ
    れ、他方のダイオードのカソードが上記第4電流スイッ
    チの一方の出力端子に接続された第6ダイオードと、 I.上記第1電流スイッチの他方の出力端子に接続された
    第1電圧源と、 J.上記第2電流スイッチの他方の出力端子に接続された
    第2電圧源と、 K.上記第3電流スイッチの他方の出力端子に接続された
    第3電圧源と、 L.上記第4電流スイッチの他方の出力端子に接続された
    第4電圧源と、 M.上記第6ダイオードの一方のダイオードのカソードと
    他方のダイオードのアノードとの接続点に接続されたバ
    ッファ増幅器と、 N.上記第1乃至第6電流スイッチの切替え制御をする制
    御器と、 によって構成した多値駆動回路。
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