JP2964112B2 - 直流駆動型超伝導量子干渉素子 - Google Patents
直流駆動型超伝導量子干渉素子Info
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- coil
- washer
- quantum interference
- interference device
- superconducting quantum
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
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- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高感度電磁気センサ、
電流計、変位計、または高周波信号増幅器などに応用す
る直流駆動型超伝導量子干渉素子（以下、ｄｃ ＳＱＵ
ＩＤという）に関するものである。
電流計、変位計、または高周波信号増幅器などに応用す
る直流駆動型超伝導量子干渉素子（以下、ｄｃ ＳＱＵ
ＩＤという）に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図２に従来構造のｄｃ ＳＱＵＩＤの平面
図を示す。ワッシャーカバー８を付けていたが、グラン
ドプレーンがなかったため、ジョセフソン素子１には外
部磁束が容易に鎖交して、磁束がトラップしやすくな
り、動作が不安定になった。
図を示す。ワッシャーカバー８を付けていたが、グラン
ドプレーンがなかったため、ジョセフソン素子１には外
部磁束が容易に鎖交して、磁束がトラップしやすくな
り、動作が不安定になった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ジョセフソン素子１付
近に磁束トラップが発生するとＳＱＵＩＤの動作が不安
定になった。
近に磁束トラップが発生するとＳＱＵＩＤの動作が不安
定になった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ジョセフソン素子１を含む部分に重なるように超伝
導層でグランドプレーン７を設ける。この工程はワッシ
ャーコイル４のワッシャーカバー８と同一工程で製作す
るので、工程数は増加しない。
に、ジョセフソン素子１を含む部分に重なるように超伝
導層でグランドプレーン７を設ける。この工程はワッシ
ャーコイル４のワッシャーカバー８と同一工程で製作す
るので、工程数は増加しない。
【０００５】
【作用】上記のように構成されたｄｃ ＳＱＵＩＤはジ
ョセフソン素子１付近がグランドプレーン７により超伝
導シールドされるため、外部からの磁束は鎖交しなくな
り、磁束トラップがない安定な動作が可能となる。
ョセフソン素子１付近がグランドプレーン７により超伝
導シールドされるため、外部からの磁束は鎖交しなくな
り、磁束トラップがない安定な動作が可能となる。
【０００６】
【実施例】図１に本発明の第１実施例であるｄｃ ＳＱ
ＵＩＤの平面図を示す。ｄｃ ＳＱＵＩＤは超伝導状態
で動作時にＳＱＵＩＤ内部で磁束がトラップされたり、
動いたりすると出力信号が揺らぎ動作が不安定となる。
特にジョセフソン素子１の付近でトラップがあると影響
が大きい。ジョセフソン素子１と構造的に、平面的に広
く重なり、電気的に絶縁される超伝導層であるグランド
プレーン７を形成し、グランドプレーン７を設けること
により磁束トラップが発生しにくくなり、動作が安定す
る。グランドプレーン７を製作する工程は超伝導層より
なるワッシャーカバー８と同一工程で製作可能なため、
工程数の増加はない。
ＵＩＤの平面図を示す。ｄｃ ＳＱＵＩＤは超伝導状態
で動作時にＳＱＵＩＤ内部で磁束がトラップされたり、
動いたりすると出力信号が揺らぎ動作が不安定となる。
特にジョセフソン素子１の付近でトラップがあると影響
が大きい。ジョセフソン素子１と構造的に、平面的に広
く重なり、電気的に絶縁される超伝導層であるグランド
プレーン７を形成し、グランドプレーン７を設けること
により磁束トラップが発生しにくくなり、動作が安定す
る。グランドプレーン７を製作する工程は超伝導層より
なるワッシャーカバー８と同一工程で製作可能なため、
工程数の増加はない。
【０００７】実際に製作する工程を、図１のＡ−Ａ’と
パッドの部分での断面図である図３を使って説明する。
製作方法は薄膜をフォトリソ工程でパターニングする方
法で製作する。最初にグランドプレーン７とワッシャー
カバー８を超伝導膜で形成し、層間絶縁膜１１で絶縁す
る。超伝導膜の例としてはＮｂをＤＣマグネトロンスパ
ッタで堆積する方法が一般的である。膜厚は超伝導シー
ルドするのに必要な値であり、Ｎｂでは約１００ｎｍ以
上あれば十分である。またグランドプレーン７は電気的
にＳＱＵＩＤのグランドに接続してもよい。
パッドの部分での断面図である図３を使って説明する。
製作方法は薄膜をフォトリソ工程でパターニングする方
法で製作する。最初にグランドプレーン７とワッシャー
カバー８を超伝導膜で形成し、層間絶縁膜１１で絶縁す
る。超伝導膜の例としてはＮｂをＤＣマグネトロンスパ
ッタで堆積する方法が一般的である。膜厚は超伝導シー
ルドするのに必要な値であり、Ｎｂでは約１００ｎｍ以
上あれば十分である。またグランドプレーン７は電気的
にＳＱＵＩＤのグランドに接続してもよい。
【０００８】次にｄｃ ＳＱＵＩＤのシャント抵抗２及
びダンピング抵抗３の抵抗膜を堆積後、層間絶縁膜１１
により前記抵抗膜を絶縁し、抵抗を設計値にする。抵抗
膜の例としてはＭｏ，ＭｏＮ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｐｄ，Ｔｉ等の金属がありいずれもスパッタや蒸着
で堆積可能である。
びダンピング抵抗３の抵抗膜を堆積後、層間絶縁膜１１
により前記抵抗膜を絶縁し、抵抗を設計値にする。抵抗
膜の例としてはＭｏ，ＭｏＮ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｐｄ，Ｔｉ等の金属がありいずれもスパッタや蒸着
で堆積可能である。
【０００９】ここではＡｌをＤＣマグネトロンスパッタ
で１００ｎｍ堆積し、フォトリソ工程で、設計のサイズ
にパターニングする。Ａｌのエッチングはウエットとド
ライエッチングの両方が可能である。ウエットエッチン
グの例としては主に燐酸と硝酸の混合液を使った方法が
ある。ドライエッチングの例としてはＣＣｌ4 等のＣｌ
系のガス及びそれらの混合ガスを使った反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）がある。ここではＡｌをウエットエ
ッチングする。層間絶縁膜１１はＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｓ
ｉ，ＭｇＯ等がある。どれもスパッタ、蒸着、ＣＶＤ等
で堆積できる。堆積膜厚は抵抗膜を完全に絶縁するよう
に抵抗膜の１．５倍から２倍程度にする。
で１００ｎｍ堆積し、フォトリソ工程で、設計のサイズ
にパターニングする。Ａｌのエッチングはウエットとド
ライエッチングの両方が可能である。ウエットエッチン
グの例としては主に燐酸と硝酸の混合液を使った方法が
ある。ドライエッチングの例としてはＣＣｌ4 等のＣｌ
系のガス及びそれらの混合ガスを使った反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）がある。ここではＡｌをウエットエ
ッチングする。層間絶縁膜１１はＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ｓ
ｉ，ＭｇＯ等がある。どれもスパッタ、蒸着、ＣＶＤ等
で堆積できる。堆積膜厚は抵抗膜を完全に絶縁するよう
に抵抗膜の１．５倍から２倍程度にする。
【００１０】ここではＲＦマグネトロンスパッタで、Ｓ
ｉＯ2 を１００−２００ｎｍ堆積後、フォトリソ工程で
抵抗膜とコンタクトがとれるようにする。ＳｉＯ2 のエ
ッチングはウエットとドライエッチングの両方が可能で
ある。ウエットエッチングの例としてはフッ酸の混合液
を使った方法がある。ドライエッチングの例としてはＣ
Ｆ4 やＣＨＦ3 と酸素の混合ガスを使った反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）がある。ここではＣＨＦ3 と酸素
の混合ガスを使ったＲＩＥによりＳｉＯ2 をエッチング
する。
ｉＯ2 を１００−２００ｎｍ堆積後、フォトリソ工程で
抵抗膜とコンタクトがとれるようにする。ＳｉＯ2 のエ
ッチングはウエットとドライエッチングの両方が可能で
ある。ウエットエッチングの例としてはフッ酸の混合液
を使った方法がある。ドライエッチングの例としてはＣ
Ｆ4 やＣＨＦ3 と酸素の混合ガスを使った反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）がある。ここではＣＨＦ3 と酸素
の混合ガスを使ったＲＩＥによりＳｉＯ2 をエッチング
する。
【００１１】次に下部電極１２、障壁層１３、上部電極
１４ からなるジョセフソン素子１を製作するために、
各層を堆積し、上部電極１４と障壁層１３をフォトリソ
工程でエッチングする。ジョセフソン素子１の例はＮｂ
／ＡｌＯｘ／Ｎｂ構造の他にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ，
Ｎｂ／Ｓｉ／Ｎｂ，Ｎｂ／Ｎｂ−ｏｘｉｄｅ／Ｎｂ等種
々の構造があるが、ここではＮｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ構造
をスパッタで堆積する。堆積例を以下に示す。
１４ からなるジョセフソン素子１を製作するために、
各層を堆積し、上部電極１４と障壁層１３をフォトリソ
工程でエッチングする。ジョセフソン素子１の例はＮｂ
／ＡｌＯｘ／Ｎｂ構造の他にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ，
Ｎｂ／Ｓｉ／Ｎｂ，Ｎｂ／Ｎｂ−ｏｘｉｄｅ／Ｎｂ等種
々の構造があるが、ここではＮｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ構造
をスパッタで堆積する。堆積例を以下に示す。
【００１２】１０-5Ｐａ台以下まで高真空に引かれた反
応室にＡｒガスを導入し圧力を０．１から４Ｐａで下部
電極１２のＮｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタで堆積す
る。膜厚は１００から３００ｎｍ堆積する。アルゴンガ
ス導入を止め再び反応室を１０-5Ｐａ台以下まで高真空
に引いた後、アルゴンガスを導入し圧力を０．１から４
ＰａでＡｌをＤＣマグネトロンスパッタし１ｎｍから２
０ｎｍ堆積する。Ａｌのスパッタ圧力はＮｂに比べて低
くした方が膜が緻密になり、Ｎｂ表面を均一に覆うこと
ができる。
応室にＡｒガスを導入し圧力を０．１から４Ｐａで下部
電極１２のＮｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタで堆積す
る。膜厚は１００から３００ｎｍ堆積する。アルゴンガ
ス導入を止め再び反応室を１０-5Ｐａ台以下まで高真空
に引いた後、アルゴンガスを導入し圧力を０．１から４
ＰａでＡｌをＤＣマグネトロンスパッタし１ｎｍから２
０ｎｍ堆積する。Ａｌのスパッタ圧力はＮｂに比べて低
くした方が膜が緻密になり、Ｎｂ表面を均一に覆うこと
ができる。
【００１３】またＡｌスパッタ前は特に高真空に排気を
行なわなくても問題はない。反応室を１０-5Ｐａ台以下
まで高真空に引き、酸素ガスまたは酸素とアルゴンの混
合ガス等を導入し圧力を設定値にし、Ａｌ表面を酸化し
てＡｌＯｘ／Ａｌの障壁層１３を形成する。反応室を１
０-5Ｐａ台以下まで高真空に引き上記Ｎｂ堆積条件で再
び上部電極１４を１００から３００ｎｍ堆積する。
行なわなくても問題はない。反応室を１０-5Ｐａ台以下
まで高真空に引き、酸素ガスまたは酸素とアルゴンの混
合ガス等を導入し圧力を設定値にし、Ａｌ表面を酸化し
てＡｌＯｘ／Ａｌの障壁層１３を形成する。反応室を１
０-5Ｐａ台以下まで高真空に引き上記Ｎｂ堆積条件で再
び上部電極１４を１００から３００ｎｍ堆積する。
【００１４】次にフォトリソ工程により上部電極１４と
障壁層１３をエッチングし、ジョセフソン素子１を形成
する。エッチング方法は一般的にプラズマによるドライ
エッチングを使う。上部電極１４のＮｂはＣＦ4 または
ＣＦ4 と酸素の混合ガスを使い反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）する。障壁層１３のＡｌは酸を使ったウエッ
トエッチまたはＡｒガスによるＲＩＥで除去する。ここ
で障壁層１３はエッチングを行なわなくても良い。
障壁層１３をエッチングし、ジョセフソン素子１を形成
する。エッチング方法は一般的にプラズマによるドライ
エッチングを使う。上部電極１４のＮｂはＣＦ4 または
ＣＦ4 と酸素の混合ガスを使い反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）する。障壁層１３のＡｌは酸を使ったウエッ
トエッチまたはＡｒガスによるＲＩＥで除去する。ここ
で障壁層１３はエッチングを行なわなくても良い。
【００１５】次にジョセフソン素子１の下部電極１２と
して堆積した超伝導膜をフォトリソ工程でパターニング
して、ワッシャーコイル４を形成する。エッチング方法
は一般的にプラズマによるドライエッチングを使う。下
部電極１２のＮｂはＣＦ4と酸素の混合ガスを使いプラ
ズマエッチまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）す
る。ここでのエッチングは前記上部電極１４のエッチン
グと異なり、酸素の量を多くして等方性エッチングをす
るとともに酸素によりパターン周辺のレジスト膜を削り
テーパ状にする。具体例としてはプラズマエッチング装
置でＣＦ4 に１０パーセントの酸素を添加したガスで、
圧力１３３Ｐａ、パワー５０ｗでエッチング可能であ
る。
して堆積した超伝導膜をフォトリソ工程でパターニング
して、ワッシャーコイル４を形成する。エッチング方法
は一般的にプラズマによるドライエッチングを使う。下
部電極１２のＮｂはＣＦ4と酸素の混合ガスを使いプラ
ズマエッチまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）す
る。ここでのエッチングは前記上部電極１４のエッチン
グと異なり、酸素の量を多くして等方性エッチングをす
るとともに酸素によりパターン周辺のレジスト膜を削り
テーパ状にする。具体例としてはプラズマエッチング装
置でＣＦ4 に１０パーセントの酸素を添加したガスで、
圧力１３３Ｐａ、パワー５０ｗでエッチング可能であ
る。
【００１６】次は層間絶縁膜１１を堆積後フォトリソ工
程でコンタクトホールを開けた後、超伝導膜を堆積して
フォトリソ工程で帰還変調コイル６、入力コイル５を形
成する。超伝導膜の例としてはＮｂ、ＮｂＮやＰｂ−Ｉ
ｎ、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｕをスパッタや蒸着で堆積する方法
がある。
程でコンタクトホールを開けた後、超伝導膜を堆積して
フォトリソ工程で帰還変調コイル６、入力コイル５を形
成する。超伝導膜の例としてはＮｂ、ＮｂＮやＰｂ−Ｉ
ｎ、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｕをスパッタや蒸着で堆積する方法
がある。
【００１７】ここではジョセフソン接合の電極と同様に
して、Ｎｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタで２５０−６
００ｎｍ堆積する。堆積前に超伝導コンタクトになるよ
うに基板をＡｒガスで逆スパッタする。この後フォトリ
ソ工程により、ワッシャーコイル４と対向電極及び他の
配線部分を形成する。エッチングは前記の下部電極１２
と同様にプラズマエッチングで行なう。
して、Ｎｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタで２５０−６
００ｎｍ堆積する。堆積前に超伝導コンタクトになるよ
うに基板をＡｒガスで逆スパッタする。この後フォトリ
ソ工程により、ワッシャーコイル４と対向電極及び他の
配線部分を形成する。エッチングは前記の下部電極１２
と同様にプラズマエッチングで行なう。
【００１８】外部磁場が入力する検出コイルをＳＱＵＩ
Ｄの工程と一緒に製作しない場合は、測定時に外部の検
出コイルと超伝導接続する必要がある。そこでパッド１
０には超伝導接続するためのバッファーメタル９が必要
となることがある。パッド１０がＮｂで超伝導接続にＰ
ｂ−Ｉｎの合金ワイヤを使用する場合にはバッファーメ
タルとしてＡｕをスパッタで１０−１００ｎｍ堆積す
る。パターニングは酸等を使ったウエットエッチで容易
に行える。
Ｄの工程と一緒に製作しない場合は、測定時に外部の検
出コイルと超伝導接続する必要がある。そこでパッド１
０には超伝導接続するためのバッファーメタル９が必要
となることがある。パッド１０がＮｂで超伝導接続にＰ
ｂ−Ｉｎの合金ワイヤを使用する場合にはバッファーメ
タルとしてＡｕをスパッタで１０−１００ｎｍ堆積す
る。パターニングは酸等を使ったウエットエッチで容易
に行える。
【００１９】フォトリソ工程においてレジストの剥離
は、ウエットとドライ方式がある。ウエットにはアセト
ン等の有機溶剤、アルカリ性の剥離液、濃硝酸、加熱し
た濃硫酸等があり、ドライには酸素プラズマやＵＶ光を
使ったものがある。各方法またはいくつかの方法を組み
合わせることで、剥離が可能である。
は、ウエットとドライ方式がある。ウエットにはアセト
ン等の有機溶剤、アルカリ性の剥離液、濃硝酸、加熱し
た濃硫酸等があり、ドライには酸素プラズマやＵＶ光を
使ったものがある。各方法またはいくつかの方法を組み
合わせることで、剥離が可能である。
【００２０】上記の様にして本発明のｄｃ ＳＱＵＩＤ
は製作可能である。各層の順番は回路が変わらなければ
入れ換えることが可能であり変更できる。図１の形状を
したＳＱＵＩＤを製作するときの設計パラメータメータ
の例を図４に示す。今までの説明では、ワッシャーコイ
ル１個のシングルワッシャーコイルタイプである。図１
の第１実施例に対して回路的に同じであっても、ワッシ
ャーコイルの数を複数個接続した形状も可能である。図
５、図６はワッシャーコイルコイルを２個接続したダブ
ルワッシャーコイルのＳＱＵＩＤで、第２実施例、第３
実施例である。図１のワッシャーコイル１個のｄｃ Ｓ
ＱＵＩＤでは、ワッシャーコイルに鎖交する一様な磁場
も検出するため出力信号が揺らぎやすい。ワッシャーコ
イルを２個接続したＳＱＵＩＤは一様な磁場をキャンセ
ルするため、出力信号の揺らぎが小さく安定な動作が得
られる。
は製作可能である。各層の順番は回路が変わらなければ
入れ換えることが可能であり変更できる。図１の形状を
したＳＱＵＩＤを製作するときの設計パラメータメータ
の例を図４に示す。今までの説明では、ワッシャーコイ
ル１個のシングルワッシャーコイルタイプである。図１
の第１実施例に対して回路的に同じであっても、ワッシ
ャーコイルの数を複数個接続した形状も可能である。図
５、図６はワッシャーコイルコイルを２個接続したダブ
ルワッシャーコイルのＳＱＵＩＤで、第２実施例、第３
実施例である。図１のワッシャーコイル１個のｄｃ Ｓ
ＱＵＩＤでは、ワッシャーコイルに鎖交する一様な磁場
も検出するため出力信号が揺らぎやすい。ワッシャーコ
イルを２個接続したＳＱＵＩＤは一様な磁場をキャンセ
ルするため、出力信号の揺らぎが小さく安定な動作が得
られる。
【００２１】ワッシャーコイルを２個接続する方法に
は、並列と直列の２種類がある。図５が並列接続、図６
が直列接続である。ダブルワッシャーコイルＳＱＵＩＤ
には、帰還変調コイル６が２個ずつあるが、いろいろな
使用方法が考えられる。帰還変調用に一方だけ使用して
も、両方使用しても構わない。帰還用と変調用で別々に
使用してもよい。また変調用にだけ使用して、帰還は検
出コイルにカップリングさせてもよい。
は、並列と直列の２種類がある。図５が並列接続、図６
が直列接続である。ダブルワッシャーコイルＳＱＵＩＤ
には、帰還変調コイル６が２個ずつあるが、いろいろな
使用方法が考えられる。帰還変調用に一方だけ使用して
も、両方使用しても構わない。帰還用と変調用で別々に
使用してもよい。また変調用にだけ使用して、帰還は検
出コイルにカップリングさせてもよい。
【００２２】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、ｄｃ
ＳＱＵＩＤのジョセフソン素子に重ねてグランドプレー
ンを設けることで、磁束トラップが発生しにくくなり、
磁束トラップによる出力の揺らぎがなくなり、安定な動
作が可能になる。
ＳＱＵＩＤのジョセフソン素子に重ねてグランドプレー
ンを設けることで、磁束トラップが発生しにくくなり、
磁束トラップによる出力の揺らぎがなくなり、安定な動
作が可能になる。
【図１】本発明のｄｃ ＳＱＵＩＤの平面図である。
【図２】従来のｄｃ ＳＱＵＩＤの平面図である。
【図３】ｄｃ ＳＱＵＩＤ製作例の断面図である。
【図４】ｄｃ ＳＱＵＩＤのパラメータ例である。
【図５】ダブルワッシャーコイル並列接続ＳＱＵＩＤの
平面図である。
平面図である。
【図６】ダブルワッシャーコイル直列接続ＳＱＵＩＤの
平面図である。
平面図である。
１ ジョセフソン素子 ２ シャント抵抗 ３ ダンピング抵抗 ４ ワッシャーコイル ５ 入力コイル ６ 帰還変調コイル ７ グランドプレーン ８ ワッシャーカバー ９ バッファメタル １０ パッド １１ 層間絶縁膜 １２ 下部電極 １３ 障壁層 １４ 上部電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−157081（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/22 G01R 33/035 H01L 39/00 H01L 39/24
Claims (2)
- 【請求項１】 ワッシャーコイルの両端に接続された２
個のジョセフソン素子により超伝導リングを形成し、前
記ジョセフソン素子に並列接続されたシャント抵抗と、
前記ワッシャーコイルの両端に接続されたダンピング抵
抗と、前記ワッシャーコイルに磁気結合した入力コイル
と帰還変調コイルとからなり、薄膜で形成される直流駆
動型超伝導量子干渉素子において、前記ジョセフソン素
子に重ねられ外部磁束を遮蔽するグランドプレーンと、
前記ワッシャーコイルのスリット部を覆うワッシャーカ
バーとを有し、前記グランドプレーンと前記ワッシャー
カバーは同じ工程で形成された超伝導層であることを特
徴とする直流駆動型超伝導量子干渉素子。 - 【請求項２】 前記入力コイルが前記ワッシャーコイル
上に多数回スパイラル状に巻かれていることを特徴とす
る直流駆動型超伝導量子干渉素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214246A JP2964112B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
| DE69309834T DE69309834T2 (de) | 1992-08-11 | 1993-08-04 | Gleichstrom supraleitendes Quanteninterferenz-Bauelement |
| EP93112517A EP0591641B1 (en) | 1992-08-11 | 1993-08-04 | DC superconducting quantum interference device |
| CA002103634A CA2103634A1 (en) | 1992-08-11 | 1993-08-09 | Dc superconducting quantum interference device |
| US08/366,363 US5548130A (en) | 1992-08-11 | 1994-12-29 | DC superconducting quantum interference device with shield layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214246A JP2964112B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661536A JPH0661536A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2964112B2 true JP2964112B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=16652598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4214246A Expired - Fee Related JP2964112B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5548130A (ja) |
| EP (1) | EP0591641B1 (ja) |
| JP (1) | JP2964112B2 (ja) |
| CA (1) | CA2103634A1 (ja) |
| DE (1) | DE69309834T2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4433331C2 (de) * | 1994-09-19 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Magnetfeldempfindliche SQUID-Sensoreinrichtung mit Flußtransformator unter Verwendung von Hoch-T¶c¶-Supraleitermaterial |
| AUPM832994A0 (en) * | 1994-09-21 | 1994-10-13 | Broken Hill Proprietary Company Limited, The | A method for improving the performance of thin-film josephson devices in magnetic fields |
| JP2909807B2 (ja) * | 1995-11-22 | 1999-06-23 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 超伝導量子干渉素子磁束計および非破壊検査装置 |
| JP3518184B2 (ja) * | 1996-08-02 | 2004-04-12 | 株式会社日立製作所 | 検出コイル一体型ｓｑｕｉｄ |
| JP2000091653A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Seiko Instruments Inc | 超伝導量子干渉素子 |
| AU2002322943A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-10 | D-Wave Systems, Inc. | Submicron closed-form josephson junctions |
| DE50312603D1 (de) * | 2002-08-02 | 2010-05-27 | Inst Photonische Technologien | SQUID Magnetometer |
| US20070054809A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | National Institute Of Information And Communications Tech., Inc. Administrative Agency | Superconducting structure, apparatus for processing superconducting structure, and method for processing superconducting structure |
| CN102790170B (zh) * | 2011-05-19 | 2014-11-05 | 宇能电科技股份有限公司 | 磁阻感测元件及其形成方法 |
| US9768371B2 (en) | 2012-03-08 | 2017-09-19 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| CN104377299B (zh) * | 2014-08-21 | 2017-09-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的squid器件的结构 |
| JP6735619B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2020-08-05 | 日本電子株式会社 | 磁気共鳴測定用検出コイルの製造方法 |
| WO2018144601A1 (en) | 2017-02-01 | 2018-08-09 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| KR102217205B1 (ko) * | 2017-03-13 | 2021-02-18 | 구글 엘엘씨 | 적층된 양자 컴퓨팅 디바이스 내의 집적 회로 소자 |
| US20200152851A1 (en) | 2018-11-13 | 2020-05-14 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits |
| CN110649152A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-03 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种铌基超导器件刻蚀方法 |
| CN112038479B (zh) * | 2020-09-04 | 2022-06-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 电感可调的超导量子器件及其制备方法 |
| CN112881772B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-08-25 | 中国计量科学研究院 | Squid电流传感器以及制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4430662A (en) * | 1981-04-09 | 1984-02-07 | Sperry Corporation | Superconductive tunnel junction integrated circuit |
| JPS61196587A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
| DE3515237A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur messung schwacher magnetfelder mit wenigstens einem dc-squid |
| DE3769201D1 (de) * | 1986-05-21 | 1991-05-16 | Siemens Ag | Squid-magnetometer fuer eine vorrichtung zur messung schwacher magnetfelder. |
| US5218297A (en) * | 1988-02-05 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
| JPH01217981A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導量子干渉素子 |
| JPH04130676A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Shimadzu Corp | 準平面型ジョセフソン接合素子を用いたｄｃ―ｓｑｕｉｄ |
| JP2780473B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1998-07-30 | 株式会社島津製作所 | Ｄｃ―ｓｑｕｉｄ素子およびその製造方法 |
| JP2764115B2 (ja) * | 1991-02-26 | 1998-06-11 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 高感度磁場検出器の製造方法 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP4214246A patent/JP2964112B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-04 EP EP93112517A patent/EP0591641B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-04 DE DE69309834T patent/DE69309834T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-09 CA CA002103634A patent/CA2103634A1/en not_active Abandoned
-
1994
- 1994-12-29 US US08/366,363 patent/US5548130A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661536A (ja) | 1994-03-04 |
| DE69309834D1 (de) | 1997-05-22 |
| DE69309834T2 (de) | 1997-07-24 |
| EP0591641B1 (en) | 1997-04-16 |
| CA2103634A1 (en) | 1994-02-12 |
| EP0591641A1 (en) | 1994-04-13 |
| US5548130A (en) | 1996-08-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 11 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |