JPH04116989A - Ｓｑｕｉｄおよびその製造方法 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄおよびその製造方法Info
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- JPH04116989A JPH04116989A JP2237956A JP23795690A JPH04116989A JP H04116989 A JPH04116989 A JP H04116989A JP 2237956 A JP2237956 A JP 2237956A JP 23795690 A JP23795690 A JP 23795690A JP H04116989 A JPH04116989 A JP H04116989A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は超伝導ループ所定箇所にジョセフソン接合部
（以下、ＪＪと略称する）が形成されているとともに、
超伝導ループに効率よく磁束を導く入力コイルが配置さ
れてなる基本構成を有し、かつ全体が基板上に集積化さ
れたＳＱＵＩＤ（超伝導量子干渉計、Ｓｕｐｅｒｃｏｎ
ｄｕｃｔｌｎｇ ＱｕａｎｔｕｍＩｎｔｅｒｆ’ｅｒｅ
ｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ ）およびその製造方法に関する
。
（以下、ＪＪと略称する）が形成されているとともに、
超伝導ループに効率よく磁束を導く入力コイルが配置さ
れてなる基本構成を有し、かつ全体が基板上に集積化さ
れたＳＱＵＩＤ（超伝導量子干渉計、Ｓｕｐｅｒｃｏｎ
ｄｕｃｔｌｎｇ ＱｕａｎｔｕｍＩｎｔｅｒｆ’ｅｒｅ
ｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ ）およびその製造方法に関する
。
〈従来の技術、および発明が解決しようとする課題〉
従来から非常に高感度の磁束検出を行なうことができる
という特質に着目して、種々の分野でＳＱＵＩＤが応用
されている。また、ＳＱＵＩＤには、ジョセフソン接合
（以下、ＪＪと略称する）を１つだけ有するｒｆ−８Ｑ
ＵＩＤと、ＪＪを２つ有するｄｃ−９ＱＵＩＤとがあり
、従来は「ｆ−ＳＱＵＩＤが一般的に用いられていたが
、最近では薄膜製造技術が進歩して特性が揃った２つの
ＪＪが得られるようになってきたので、磁束検出感度が
高いｄｃ−ＳＱＵＩＤが広く用いられるようになってき
た。
という特質に着目して、種々の分野でＳＱＵＩＤが応用
されている。また、ＳＱＵＩＤには、ジョセフソン接合
（以下、ＪＪと略称する）を１つだけ有するｒｆ−８Ｑ
ＵＩＤと、ＪＪを２つ有するｄｃ−９ＱＵＩＤとがあり
、従来は「ｆ−ＳＱＵＩＤが一般的に用いられていたが
、最近では薄膜製造技術が進歩して特性が揃った２つの
ＪＪが得られるようになってきたので、磁束検出感度が
高いｄｃ−ＳＱＵＩＤが広く用いられるようになってき
た。
第５図はｄｃ−ＳＱＵＩＤ磁束計の原理を説明する電気
回路図であり、超伝導ループ（５１）の所定箇所に２つ
のＪ Ｊ （５２）が形成されているとともに、２つの
Ｊ Ｊ （５２）を挾んで超伝導ループ（５１）にバイ
アス電流を供給している。そして、測定対象の磁束を検
出するためのピックアップ・コイル（５４）と接続され
た人力コイル（５３）を超伝導ループ（５１）に近接さ
せて設けている。尚、（５５）は磁束ロック・ループ動
作を行なわせるためのモジュレーション・コイルである
。
回路図であり、超伝導ループ（５１）の所定箇所に２つ
のＪ Ｊ （５２）が形成されているとともに、２つの
Ｊ Ｊ （５２）を挾んで超伝導ループ（５１）にバイ
アス電流を供給している。そして、測定対象の磁束を検
出するためのピックアップ・コイル（５４）と接続され
た人力コイル（５３）を超伝導ループ（５１）に近接さ
せて設けている。尚、（５５）は磁束ロック・ループ動
作を行なわせるためのモジュレーション・コイルである
。
第６図は従来のＳＱＵ Ｉ Ｄの構成を示す縦断面図で
あり、入力コイル（５３）と超伝導ループ（５１）とＪ
Ｊ （５２）とが積層形成されている。尚、（５Ｂ）
は抵抗、（５７）は配線、（５８）は層間絶縁である。
あり、入力コイル（５３）と超伝導ループ（５１）とＪ
Ｊ （５２）とが積層形成されている。尚、（５Ｂ）
は抵抗、（５７）は配線、（５８）は層間絶縁である。
上記の構成のＳＱＵＩＤであれば、入力コイル（５３）
と超伝導ループ（５１）とを接近させることができるの
で、入力コイル（５３）から超伝導ループ（５１）への
磁束伝達効率が高くなるという利点を有することになる
。
と超伝導ループ（５１）とを接近させることができるの
で、入力コイル（５３）から超伝導ループ（５１）への
磁束伝達効率が高くなるという利点を有することになる
。
この構成のＳＱＵＩＤは、多層構成であるから層間絶縁
が必須であるが、ＳＱＵ Ｉ Ｄの特性の劣化を防止し
なければならない関係上、層間絶縁を形成するに際して
高温の膜形成プロセスを採用できず、この結果、良好な
層間絶縁膜を得ることかできないという不都合がある。
が必須であるが、ＳＱＵ Ｉ Ｄの特性の劣化を防止し
なければならない関係上、層間絶縁を形成するに際して
高温の膜形成プロセスを採用できず、この結果、良好な
層間絶縁膜を得ることかできないという不都合がある。
また、各層を形成するに当って層数の増加に伴なって良
好な平坦化が達成できなくなるので微細加工か困難にな
り、あえて微細加工を行なおうとすれば断線等が生じて
しまうという不都合がある。この結果、ＳＱＵＩＤを製
造するに当って歩留りが低下してしまうという不都合が
ある。
好な平坦化が達成できなくなるので微細加工か困難にな
り、あえて微細加工を行なおうとすれば断線等が生じて
しまうという不都合がある。この結果、ＳＱＵＩＤを製
造するに当って歩留りが低下してしまうという不都合が
ある。
〈発明の目的〉
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
多層化に起因する種々の不都合を解消して良好な特性を
有するＳＱＵＩＤを得ることおよびこのようなＳＱＵＩ
Ｄを得るための製造方法を提供することを目的としてい
る。
多層化に起因する種々の不都合を解消して良好な特性を
有するＳＱＵＩＤを得ることおよびこのようなＳＱＵＩ
Ｄを得るための製造方法を提供することを目的としてい
る。
く課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための、この発明のＳＱＵＩＤは
、基板の一方の面に超伝導ループおよびジョセフソン接
合部が形成されてあるとともに、他方の面に少なくとも
入力コイルが形成されてある。
、基板の一方の面に超伝導ループおよびジョセフソン接
合部が形成されてあるとともに、他方の面に少なくとも
入力コイルが形成されてある。
但し、入力コイルを覆うように超伝導シールド層が形成
されてあることが好ましい。
されてあることが好ましい。
上記の目的を達成するための、この発明のＳＱＵＩＤ製
造方法は、基板の一方の面に超伝導ループおよびジョセ
フソン接合部を形成し、他方の面にコイルを形成する方
法である。
造方法は、基板の一方の面に超伝導ループおよびジョセ
フソン接合部を形成し、他方の面にコイルを形成する方
法である。
〈作用〉
以上の構成のＳＱＵＩＤであれば、基板の一方の面に超
伝導ループおよびジョセフソン接合部が形成されてある
とともに、他方の面に少なくとも入力コイルが形成され
てあるので、ＳＱＵＩＤ全体としての層数は殆ど変化し
ないが、基板を基準とするそれぞれの側における層数が
著しく減少する。この結果、高温プロセスにより絶縁膜
を形成できるので、良好な層間絶縁を達成できる。また
、基板を基準とするそれぞれの側の層数が減少するので
平坦化を簡単に達成でき微細加工を簡単に達成できる。
伝導ループおよびジョセフソン接合部が形成されてある
とともに、他方の面に少なくとも入力コイルが形成され
てあるので、ＳＱＵＩＤ全体としての層数は殆ど変化し
ないが、基板を基準とするそれぞれの側における層数が
著しく減少する。この結果、高温プロセスにより絶縁膜
を形成できるので、良好な層間絶縁を達成できる。また
、基板を基準とするそれぞれの側の層数が減少するので
平坦化を簡単に達成でき微細加工を簡単に達成できる。
したがって、良好な特性を有するＳＱＵＩＤを簡単に得
ることができる。
ることができる。
そして、入力コイルを覆うように超伝導シールド層が形
成されてある場合には、基板が介在していることに伴な
って入力コイルと超伝導ループとの距離が大きくなり、
そのままでは磁束伝達効率か低下するという不都合を解
消し、基板の介在に拘らず入力コイルと超伝導ループと
の間の磁束伝達効率を高めることができる。
成されてある場合には、基板が介在していることに伴な
って入力コイルと超伝導ループとの距離が大きくなり、
そのままでは磁束伝達効率か低下するという不都合を解
消し、基板の介在に拘らず入力コイルと超伝導ループと
の間の磁束伝達効率を高めることができる。
以上のＳＱＵＩＤ製造方法であれば、基板の一方の面に
超伝導ループおよびジョセフソン接合部を形成し、他方
の面にコイルを形成するのであるから、ＳＱＵＩＤ全体
としての層数は殆ど変化しないが、基板を基準とするそ
れぞれの側における層数が著しく減少する。この結果、
高温プロセスにより絶縁膜を形成できるので、良好な層
間絶縁を達成できる。また、基板を基準とするそれぞれ
の側の層数が減少するので平坦化を簡単に達成でき微細
加工を簡単に達成できる。したがって、良好な特性を有
するＳＱＵＩＤを簡単に得ることができるとともに、Ｓ
ＱＵ Ｉ Ｄ製造に当っての歩留りを高めることができ
る。
超伝導ループおよびジョセフソン接合部を形成し、他方
の面にコイルを形成するのであるから、ＳＱＵＩＤ全体
としての層数は殆ど変化しないが、基板を基準とするそ
れぞれの側における層数が著しく減少する。この結果、
高温プロセスにより絶縁膜を形成できるので、良好な層
間絶縁を達成できる。また、基板を基準とするそれぞれ
の側の層数が減少するので平坦化を簡単に達成でき微細
加工を簡単に達成できる。したがって、良好な特性を有
するＳＱＵＩＤを簡単に得ることができるとともに、Ｓ
ＱＵ Ｉ Ｄ製造に当っての歩留りを高めることができ
る。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第１図はこの発明のＳＱＵＩＤの一実施例を示す縦断面
図であり、基板（１）の一方の面にニオブ（Ｎｂ ）等
の超伝導体からなる超伝導ループ（２ａ）、Ｊ Ｊ （
２ｂ）、ＳｉＯからなる絶縁膜（２ｃ） （２ｄ）、超
伝導体からなる配線（２ｅ）およびＳｊＯからなる絶縁
膜（２「）が形成されているとともに、他方の面に超伝
導体からなる入力コイル（３ａ）およびＳｆＯからなる
絶縁膜（３ｂ）が形成されている。
図であり、基板（１）の一方の面にニオブ（Ｎｂ ）等
の超伝導体からなる超伝導ループ（２ａ）、Ｊ Ｊ （
２ｂ）、ＳｉＯからなる絶縁膜（２ｃ） （２ｄ）、超
伝導体からなる配線（２ｅ）およびＳｊＯからなる絶縁
膜（２「）が形成されているとともに、他方の面に超伝
導体からなる入力コイル（３ａ）およびＳｆＯからなる
絶縁膜（３ｂ）が形成されている。
したがって、基板（１）を基準としてそれぞれの側に積
層形成される層数を減少させることができ、この結果、
良好な層間絶縁を達成できるとともに、各層の良好な平
坦化を達成でき、特性が良好なＳＱＵＩＤを得ることが
できる。
層形成される層数を減少させることができ、この結果、
良好な層間絶縁を達成できるとともに、各層の良好な平
坦化を達成でき、特性が良好なＳＱＵＩＤを得ることが
できる。
第２図はこの発明のＳＱＵＩＤ製造方法を説明する縦断
面図であり、第２図（Ａ）に示すように、比抵抗が３０
Ω・口のシリコン基板（１）の両面に対して電子ビーム
蒸着法により、Ｒ，１，Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｌｏ
ｎＥｔｃｈｉｎｇンの工・ンチ・スト・ンバとしての膜
厚１０ｎｍのＭｇＯ層（２１）を形成した後、第２図（
Ｂ）に示すように、Ａ「圧力が８ ｍ Ｔｏｒｒ、、ス
パッタ電圧が３００ Ｖ、 スパッタ電流か１．ＯＡ
の直流マグネトロン・スパッタリング法により堆積速度
１２ ＯｎＩｌ／ ｌｌ１ｎ、で膜厚２００ｎ−のニオ
ブ層（２２）を形成し、さらに、同図（Ｃ）に示すよう
に、コーチインク条件３． ５００’ｒ、ｐ、ｇ＋、で
フォト・レジスト（２３） （例えば、７５ＭＲ８８０
０）をコーティングする。その後、同ｆｆ１（Ｄ’）に
示すように、両面のフォト・レジスト（２３）を同時露
光し、現像し、さらに１１１′、）℃で３０分間、後処
理ベーキングしてレジスト・パターンを形成し、次いで
、同図（Ｅ）に示すように、ＣＦ４圧力が２００ｒｒｉ
Ｔ。
面図であり、第２図（Ａ）に示すように、比抵抗が３０
Ω・口のシリコン基板（１）の両面に対して電子ビーム
蒸着法により、Ｒ，１，Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｌｏ
ｎＥｔｃｈｉｎｇンの工・ンチ・スト・ンバとしての膜
厚１０ｎｍのＭｇＯ層（２１）を形成した後、第２図（
Ｂ）に示すように、Ａ「圧力が８ ｍ Ｔｏｒｒ、、ス
パッタ電圧が３００ Ｖ、 スパッタ電流か１．ＯＡ
の直流マグネトロン・スパッタリング法により堆積速度
１２ ＯｎＩｌ／ ｌｌ１ｎ、で膜厚２００ｎ−のニオ
ブ層（２２）を形成し、さらに、同図（Ｃ）に示すよう
に、コーチインク条件３． ５００’ｒ、ｐ、ｇ＋、で
フォト・レジスト（２３） （例えば、７５ＭＲ８８０
０）をコーティングする。その後、同ｆｆ１（Ｄ’）に
示すように、両面のフォト・レジスト（２３）を同時露
光し、現像し、さらに１１１′、）℃で３０分間、後処
理ベーキングしてレジスト・パターンを形成し、次いで
、同図（Ｅ）に示すように、ＣＦ４圧力が２００ｒｒｉ
Ｔ。
ｒｒ、、ＲＦパワーが１００Ｗの平行平板型ドライ・エ
ツチング装置を用いたＲ、１．Ｅ、法により、レジスト
・パターンをマスクとして両ニオブ層（２２）をエツチ
ングし、超伝導ループ（２ａ）および入力コイル（３ａ
）を形成する。その後、同図（Ｆ）に示すように、両面
に残留しているフォト・レジス） （２３）を除去して
から、人力コイル（３ａ）上に、５１０２のＣＶＤ、５
１０２のＲＦスパッタ、またはＳｉＯの蒸着により膜厚
３５０ｎｉの絶縁層 （２５）を形成する。その後、第
２図（Ｃ）（Ｄ）と同様に、絶縁膜（２５）の表面にフ
ォト・レジストを塗布し、パターンニングした後、ＣＦ
４圧カが ２０ ｍ Ｔｏｒｒ、、ＲＦパワーが１０
０Ｗの平行平板型ドライ・エツチング装置を用いたＲ、
Ｉ、Ｅ、法によりコンタクト・ホール（図示せず）を形
成し、同図（Ｇ）に示すように、超伝導ループ（２ａ）
側にＪ Ｊ （２ｂ）を形成してパターンニングし、膜
厚が４００ｎ１こなるようにＳｉＯを蒸着してパターン
ニングすることにより絶縁層（２６）を形成する。さら
に、絶縁層（２６）に積層されるように、図示しない抵
抗、配線および層間絶縁層を形成する。
ツチング装置を用いたＲ、１．Ｅ、法により、レジスト
・パターンをマスクとして両ニオブ層（２２）をエツチ
ングし、超伝導ループ（２ａ）および入力コイル（３ａ
）を形成する。その後、同図（Ｆ）に示すように、両面
に残留しているフォト・レジス） （２３）を除去して
から、人力コイル（３ａ）上に、５１０２のＣＶＤ、５
１０２のＲＦスパッタ、またはＳｉＯの蒸着により膜厚
３５０ｎｉの絶縁層 （２５）を形成する。その後、第
２図（Ｃ）（Ｄ）と同様に、絶縁膜（２５）の表面にフ
ォト・レジストを塗布し、パターンニングした後、ＣＦ
４圧カが ２０ ｍ Ｔｏｒｒ、、ＲＦパワーが１０
０Ｗの平行平板型ドライ・エツチング装置を用いたＲ、
Ｉ、Ｅ、法によりコンタクト・ホール（図示せず）を形
成し、同図（Ｇ）に示すように、超伝導ループ（２ａ）
側にＪ Ｊ （２ｂ）を形成してパターンニングし、膜
厚が４００ｎ１こなるようにＳｉＯを蒸着してパターン
ニングすることにより絶縁層（２６）を形成する。さら
に、絶縁層（２６）に積層されるように、図示しない抵
抗、配線および層間絶縁層を形成する。
以上の一連の薄膜製造プロセスを行なうことにより集積
化されたＳＱＵＩＤを得ることができるのであるが、基
板（１）を基準としてそれぞれの側における積層膜数を
減少させることができるとともに、Ｊ Ｊ （２ｂ）が
形成されるまでは高温プロセスを用いることができる関
係上、絶縁材料として ５１０２を用い−ることができ
るので、良好な絶縁膜を得ることができるとともに、良
好な平坦化を達成でき、この結果、断線等を伴なうこと
なく微細加工を行なうことができるとともに、ＳＱＵＩ
Ｄの製造歩留まりを高めることができる。
化されたＳＱＵＩＤを得ることができるのであるが、基
板（１）を基準としてそれぞれの側における積層膜数を
減少させることができるとともに、Ｊ Ｊ （２ｂ）が
形成されるまでは高温プロセスを用いることができる関
係上、絶縁材料として ５１０２を用い−ることができ
るので、良好な絶縁膜を得ることができるとともに、良
好な平坦化を達成でき、この結果、断線等を伴なうこと
なく微細加工を行なうことができるとともに、ＳＱＵＩ
Ｄの製造歩留まりを高めることができる。
尚、少なくとも入力コイル（３ａ）については、ニオブ
に代えて酸化物超伝導体、化合物超伝導体等を用いるこ
とができる。
に代えて酸化物超伝導体、化合物超伝導体等を用いるこ
とができる。
〈実施例２〉
第３図はこの発明のＳＱＵ Ｉ Ｄの他の実施例を示す
縦断面図であり、上記実施例と異なる点は、絶縁層（３
ｂ）の上にニオブからなる超伝導シールド（３ｃ）およ
び絶縁層（３ｄ）がさらに形成されている点のみである
。
縦断面図であり、上記実施例と異なる点は、絶縁層（３
ｂ）の上にニオブからなる超伝導シールド（３ｃ）およ
び絶縁層（３ｄ）がさらに形成されている点のみである
。
したがって、この実施例の場合には、人力コイル（３ａ
）と超伝導ループ（２ａ）との距離が広くなることに起
因する磁束伝達効率の低下を防止して、入力コイル（３
ａ）により生成される磁束を効率よく超伝導ループ（２
ａ）に導くことができる。
）と超伝導ループ（２ａ）との距離が広くなることに起
因する磁束伝達効率の低下を防止して、入力コイル（３
ａ）により生成される磁束を効率よく超伝導ループ（２
ａ）に導くことができる。
第４図は第３図の構成のＳＱＵＩＤを製造する方法を説
明する縦断面図であり、第２図の製造方法と異なる点は
、コンタクト・ホールを形成するプロセスと、超伝導ル
ープ（２ａ）側にＪ Ｊ （２ｂ）を形成するプロセス
との間において、入力コイル（３ａ）側に、Ａｒ圧力が
８ ｍ Ｔｏｒｒ、 、スパッタ電圧が３００ｖ、スパ
ッタ電流が１．ＯＡの直流マグネトロン・スパッタリン
グ法により堆積速度１２０ｎ■／ｓｉｎ、で膜厚３５０
ｎｍのニオブ層（２７）を超伝導シールド（３ｃ）と
して形成し、さらに、第２図（Ｃ）〜（Ｅ）と同様にパ
ターンニングするプロセスを追加した点のみである。
明する縦断面図であり、第２図の製造方法と異なる点は
、コンタクト・ホールを形成するプロセスと、超伝導ル
ープ（２ａ）側にＪ Ｊ （２ｂ）を形成するプロセス
との間において、入力コイル（３ａ）側に、Ａｒ圧力が
８ ｍ Ｔｏｒｒ、 、スパッタ電圧が３００ｖ、スパ
ッタ電流が１．ＯＡの直流マグネトロン・スパッタリン
グ法により堆積速度１２０ｎ■／ｓｉｎ、で膜厚３５０
ｎｍのニオブ層（２７）を超伝導シールド（３ｃ）と
して形成し、さらに、第２図（Ｃ）〜（Ｅ）と同様にパ
ターンニングするプロセスを追加した点のみである。
したがって、この実施例の場合には、超伝導シールド（
３ｃ）を形成することにより入力コイル（３ａ）と超伝
導ループ（２ａ）との間の磁束伝達効率を高めることが
でき、特性が良好なＳＱＵＩＤを得ることができる。
３ｃ）を形成することにより入力コイル（３ａ）と超伝
導ループ（２ａ）との間の磁束伝達効率を高めることが
でき、特性が良好なＳＱＵＩＤを得ることができる。
尚、少なくとも入力コイル（３ａ）および超伝導シール
ド（３ｃ）については、ニオブに代えて酸化物超伝導体
、化合物超伝導体等を用いることができる。
ド（３ｃ）については、ニオブに代えて酸化物超伝導体
、化合物超伝導体等を用いることができる。
〈発明の効果〉
以上のように第１の発明は、基板を基準とするそれぞれ
の側における層数を著しく減少させ、高温プロセスによ
り形成できる絶縁膜の数を増加させることができるので
、良好な層間絶縁を達成できるとともに、各層の平坦化
を簡単に達成して微細加工を簡単に達成でき、この゛結
果、良好な特性を有するＳＱＵＩＤを簡単に得ることが
できるという特有の効果を奏する。
の側における層数を著しく減少させ、高温プロセスによ
り形成できる絶縁膜の数を増加させることができるので
、良好な層間絶縁を達成できるとともに、各層の平坦化
を簡単に達成して微細加工を簡単に達成でき、この゛結
果、良好な特性を有するＳＱＵＩＤを簡単に得ることが
できるという特有の効果を奏する。
第２の発明は、基板が介在していることに伴なって入力
コイルと超伝導ループとの距離が大きくなり、そのまま
では磁束伝達効率が低下するという不都合を解消し、基
板の介在に拘らず入力コイルと超伝導ループとの間の磁
束伝達効率を高めることができるという特有の効果を奏
する。
コイルと超伝導ループとの距離が大きくなり、そのまま
では磁束伝達効率が低下するという不都合を解消し、基
板の介在に拘らず入力コイルと超伝導ループとの間の磁
束伝達効率を高めることができるという特有の効果を奏
する。
第３の発明は、基板を基準とするそれぞれの側における
層数を著しく減少させ、高温プロセスにより絶縁膜を形
成できるので、良好な層間絶縁を達成できるとともに、
各層の平坦化を簡単に達成して微細加工を簡単に達成で
き、この結果、良好な特性を有するＳＱＵ Ｉ Ｄを簡
単に得ることができるとともに、歩留まりを著しく高め
ることができるという特有の効果を奏する。
層数を著しく減少させ、高温プロセスにより絶縁膜を形
成できるので、良好な層間絶縁を達成できるとともに、
各層の平坦化を簡単に達成して微細加工を簡単に達成で
き、この結果、良好な特性を有するＳＱＵ Ｉ Ｄを簡
単に得ることができるとともに、歩留まりを著しく高め
ることができるという特有の効果を奏する。
第１図はこの発明のＳＱＵＩＤの一実施例を示す縦断面
図、 第２図はこの発明のＳＱＵＩＤ製造方法を説明する縦断
面図、 第３図はこの発明のＳＱＵＩＤの他の実施例を示す縦断
面図、 第４図は第３図の構成のＳＱＵＩＤを製造する方法を説
明する縦断面図、 第５図はｄａ−ＳＱＵＩＤ磁束計の原理を説明する電気
回路図、 第６図は従来のＳＱＵＩＤの構成を示す縦断面図。 （３ｃ）・・・超伝導シールド 代 理 人
図、 第２図はこの発明のＳＱＵＩＤ製造方法を説明する縦断
面図、 第３図はこの発明のＳＱＵＩＤの他の実施例を示す縦断
面図、 第４図は第３図の構成のＳＱＵＩＤを製造する方法を説
明する縦断面図、 第５図はｄａ−ＳＱＵＩＤ磁束計の原理を説明する電気
回路図、 第６図は従来のＳＱＵＩＤの構成を示す縦断面図。 （３ｃ）・・・超伝導シールド 代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（１）の一方の面に超伝導ループ（２ａ）およ
びジョセフソン接合部（２ｂ）が形成されてあるととも
に、他方の面に少なくと も入力コイル（３ａ）が形成されてあることを特徴とす
るＳＱＵＩＤ。 ２、入力コイル（３ａ）を覆うように超伝導シールド層
（３ｃ）が形成されてある上記特許請求の範囲第１項記
載のＳＱＵＩＤ。 ３、基板（１）の一方の面に超伝導ループ（２ａ）およ
びジョセフソン接合部（２ｂ）を形成し、他方の面にコ
イル（３ａ）を形成することを特徴とするＳＱＵＩＤ製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237956A JPH0834319B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Ｓｑｕｉｄおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237956A JPH0834319B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Ｓｑｕｉｄおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116989A true JPH04116989A (ja) | 1992-04-17 |
| JPH0834319B2 JPH0834319B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17022957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237956A Expired - Lifetime JPH0834319B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Ｓｑｕｉｄおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834319B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04269681A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Seiko Instr Inc | 高感度磁場検出器の製造方法 |
| CN110637347A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-31 | 国立研究开发法人理化学研究所 | 超导磁体 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237956A patent/JPH0834319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04269681A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Seiko Instr Inc | 高感度磁場検出器の製造方法 |
| CN110637347A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-31 | 国立研究开发法人理化学研究所 | 超导磁体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834319B2 (ja) | 1996-03-29 |
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