JP2959678B2 - 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 目次 概 要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作 用 実 施 例 発明の効果 概要 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法
に関し、 製造歩留りを向上させるのに適した半導体レーザモジ
ュールの提供を主目的とし、 例えば、半導体レーザチップと共にキャリア上に設け
られたサーミスタの抵抗値を検出して、該抵抗値が一定
になるように、上記キャリアに接触しているペルチェ素
子の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモジュ
ールにおいて、熱伝導性が良好な材質からなるベース上
にサーミスタを固着してサーミスタアセンブリとし、該
サーミスタアセンブリを上記キャリアに固着して構成す
る。
に関し、 製造歩留りを向上させるのに適した半導体レーザモジ
ュールの提供を主目的とし、 例えば、半導体レーザチップと共にキャリア上に設け
られたサーミスタの抵抗値を検出して、該抵抗値が一定
になるように、上記キャリアに接触しているペルチェ素
子の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモジュ
ールにおいて、熱伝導性が良好な材質からなるベース上
にサーミスタを固着してサーミスタアセンブリとし、該
サーミスタアセンブリを上記キャリアに固着して構成す
る。
産業上の利用分野 本発明は半導体レーザモジュール及び該モジュールの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
強度変調／直接検波方式（IM/DD方式）が適用される
一般的な光通信システムにおいては、半導体レーザの光
出力パワーが半導体レーザへの注入電流に応じて変化す
ることを利用して、発振しきい値近傍に電流バイアスさ
れた半導体レーザに変調電流パルスを与えて、強度変調
された光を得るようにしている。ここで、半導体レーザ
のＩ−Ｌ特性（注入電流と出力光パワーの関係を表す特
性）は温度に依存して変化するので、外部温度によらず
一定の動作条件を得るためには、一定温度に制御された
半導体レーザを駆動するかあるいは半導体レーザの温度
変化によらず一定の光パワーが得られるように温度補償
を行う必要がある。しかしながら、温度に依存したＩ−
Ｌ特性の変化を容易に特定し得ないことを考慮すると、
実際上正確な温度補償は困難であり、しかも半導体レー
ザの劣化の面からも温度補償のみによるのは望ましくな
い。従って、半導体レーザの信頼性を高め、温度補償回
路を不要にするためには、半導体レーザについての温度
制御が要求される。ところで、この種の温度制御がなさ
れている半導体レーザモジュールを製造する場合、半導
体レーザチップやサーミスタ（温度検知素子）等の種々
の部品を特有の接合技術によりキャリア上にそれぞれ搭
載するようにしているので、全ての部品を搭載した後に
いずれかの部品が故障していることが判明した場合に
は、故障した部品のみを交換することができないことが
あり、半導体レーザモジュールの製造歩留りは必ずしも
高くない。よって、該モジュールを製造する上でその製
造歩留りを向上させることが要求されている。
一般的な光通信システムにおいては、半導体レーザの光
出力パワーが半導体レーザへの注入電流に応じて変化す
ることを利用して、発振しきい値近傍に電流バイアスさ
れた半導体レーザに変調電流パルスを与えて、強度変調
された光を得るようにしている。ここで、半導体レーザ
のＩ−Ｌ特性（注入電流と出力光パワーの関係を表す特
性）は温度に依存して変化するので、外部温度によらず
一定の動作条件を得るためには、一定温度に制御された
半導体レーザを駆動するかあるいは半導体レーザの温度
変化によらず一定の光パワーが得られるように温度補償
を行う必要がある。しかしながら、温度に依存したＩ−
Ｌ特性の変化を容易に特定し得ないことを考慮すると、
実際上正確な温度補償は困難であり、しかも半導体レー
ザの劣化の面からも温度補償のみによるのは望ましくな
い。従って、半導体レーザの信頼性を高め、温度補償回
路を不要にするためには、半導体レーザについての温度
制御が要求される。ところで、この種の温度制御がなさ
れている半導体レーザモジュールを製造する場合、半導
体レーザチップやサーミスタ（温度検知素子）等の種々
の部品を特有の接合技術によりキャリア上にそれぞれ搭
載するようにしているので、全ての部品を搭載した後に
いずれかの部品が故障していることが判明した場合に
は、故障した部品のみを交換することができないことが
あり、半導体レーザモジュールの製造歩留りは必ずしも
高くない。よって、該モジュールを製造する上でその製
造歩留りを向上させることが要求されている。
従来の技術 第13図を参照すると、半導体レーザチップ202と共に
キャリア204上の固定されたサーミスタ206の抵抗値を検
出して、該抵抗値が一定になるように、キャリア204に
接触しているペルチェ素子208の駆動電流を制御するよ
うにした従来の半導体レーザモジュールの主要部の構成
が図示されている。尚、半導体レーザチップ202から出
力された光を光ファイバに接合するための光学系の図示
は省略されている。210はサーミスタ206を外部回路と接
続するための端子、212はペルチェ素子208を外部回路と
接続するための端子、214は半導体レーザチップ202を外
部回路と接続するための端子である。ペルチェ素子208
は、異種の導体又は半導体レーザの接点に電流を流すと
きに当該接点でジュール熱以外に熱の発生又は吸収が起
こるペルチェ効果を冷却等に利用したものであり、この
例では、ペルチェ素子208の駆動電流を制御することに
よって、半導体レーザチップ202からペルチェ素子208を
介してモジュール外部に放出される熱量を制御して、半
導体レーザチップ202の温度をコントロールするように
している。
キャリア204上の固定されたサーミスタ206の抵抗値を検
出して、該抵抗値が一定になるように、キャリア204に
接触しているペルチェ素子208の駆動電流を制御するよ
うにした従来の半導体レーザモジュールの主要部の構成
が図示されている。尚、半導体レーザチップ202から出
力された光を光ファイバに接合するための光学系の図示
は省略されている。210はサーミスタ206を外部回路と接
続するための端子、212はペルチェ素子208を外部回路と
接続するための端子、214は半導体レーザチップ202を外
部回路と接続するための端子である。ペルチェ素子208
は、異種の導体又は半導体レーザの接点に電流を流すと
きに当該接点でジュール熱以外に熱の発生又は吸収が起
こるペルチェ効果を冷却等に利用したものであり、この
例では、ペルチェ素子208の駆動電流を制御することに
よって、半導体レーザチップ202からペルチェ素子208を
介してモジュール外部に放出される熱量を制御して、半
導体レーザチップ202の温度をコントロールするように
している。
発明が解決しようとする課題 第13図に示されたような従来の半導体レーザモジュー
ルを製造する場合、半導体レーザチップ及びサーミスタ
のキャリアへの接合には通常Au/Sn半田が使用される。
このため、半導体レーザチップ及びサーミスタをキャリ
ア上に搭載した後に、サーミスタが破損する等のトラブ
ルが生じた場合、上記半田を溶融させてサーミスタのみ
を取り除いてこれを交換することができず、このモジュ
ールは不良品となる。この場合、最も高価格な半導体レ
ーザチップも無駄になり、従来構成はモジュールの製造
歩留りの向上に適したものではなかった。
ルを製造する場合、半導体レーザチップ及びサーミスタ
のキャリアへの接合には通常Au/Sn半田が使用される。
このため、半導体レーザチップ及びサーミスタをキャリ
ア上に搭載した後に、サーミスタが破損する等のトラブ
ルが生じた場合、上記半田を溶融させてサーミスタのみ
を取り除いてこれを交換することができず、このモジュ
ールは不良品となる。この場合、最も高価格な半導体レ
ーザチップも無駄になり、従来構成はモジュールの製造
歩留りの向上に適したものではなかった。
一方、従来の半導体レーザモジュールにおいては、外
部接続用の端子とサーミスタ等との接続は熱伝導性が良
好な金からなるボンディングワイヤによりなされている
のが通例である。このため、モジュール外部との温度差
に応じて、端子及びボンディングワイヤを介して外部か
らサーミスタに熱が流入し、あるいはボンディングワイ
ヤ及び端子を介してサーミスタから外部に熱が流出し、
高精度な温度制御を行うことができないという問題もあ
った。
部接続用の端子とサーミスタ等との接続は熱伝導性が良
好な金からなるボンディングワイヤによりなされている
のが通例である。このため、モジュール外部との温度差
に応じて、端子及びボンディングワイヤを介して外部か
らサーミスタに熱が流入し、あるいはボンディングワイ
ヤ及び端子を介してサーミスタから外部に熱が流出し、
高精度な温度制御を行うことができないという問題もあ
った。
第14図において、216で示されるのは、モジュールの
内部温度と外部温度とが等しいときのＩ−Ｌ特性であ
り、Ithは発振しきい値電流である。モジュールの外部
温度が相対的に高くなると、端子及びボンディングワイ
ヤを介してサーミスタに熱が流入してサーミスタの温度
がキャリア及び半導体レーザチップの温度よりも高くな
るので、半導体レーザチップは所要の温度よりも低い温
度に制御されて、Ｉ−Ｌ特性は第14図中に218で示すよ
うに左方向に移動して、Ithも減少する。また、モジュ
ールの外部温度が相対的に低くなった場合には、サーミ
スタからボンディングワイヤ及び端子を介して熱が外部
に流出して、サーミスタの温度は半導体レーザチップ及
びキャリアの温度よりも低くなるので、半導体レーザチ
ップは相対的に高い温度に制御されて、Ｉ−Ｌ特性は第
14図中に220で示すように右方向に平行移動する。この
ような外部温度の変化に起因する発振しきい値電流値I
thの変化は２〜3mAであり、高速なシステム（例えば1.8
Gb/s）に適用される半導体レーザモジュールにあって
は、無視することができない変動となる。
内部温度と外部温度とが等しいときのＩ−Ｌ特性であ
り、Ithは発振しきい値電流である。モジュールの外部
温度が相対的に高くなると、端子及びボンディングワイ
ヤを介してサーミスタに熱が流入してサーミスタの温度
がキャリア及び半導体レーザチップの温度よりも高くな
るので、半導体レーザチップは所要の温度よりも低い温
度に制御されて、Ｉ−Ｌ特性は第14図中に218で示すよ
うに左方向に移動して、Ithも減少する。また、モジュ
ールの外部温度が相対的に低くなった場合には、サーミ
スタからボンディングワイヤ及び端子を介して熱が外部
に流出して、サーミスタの温度は半導体レーザチップ及
びキャリアの温度よりも低くなるので、半導体レーザチ
ップは相対的に高い温度に制御されて、Ｉ−Ｌ特性は第
14図中に220で示すように右方向に平行移動する。この
ような外部温度の変化に起因する発振しきい値電流値I
thの変化は２〜3mAであり、高速なシステム（例えば1.8
Gb/s）に適用される半導体レーザモジュールにあって
は、無視することができない変動となる。
本発明の目的は、製造歩留りを向上させるのに適した
半導体レーザモジュール及びその製造方法を提供するこ
とである。
半導体レーザモジュール及びその製造方法を提供するこ
とである。
また、半導体レーザチップについて高精度な温度制御
が可能な半導体レーザモジュールの提供も本発明の目的
である。
が可能な半導体レーザモジュールの提供も本発明の目的
である。
課題を解決するための手段 本発明の半導体レーザモジュールは、その構成を第１
図に示すように、半導体レーザチップ２と共にキャリア
４上に設けられたサーミスタ６の抵抗値を検出して、該
抵抗値が一定になるように、上記キャリア４に接触して
いるペルチェ素子８の駆動電流を制御するようにした半
導体レーザモジュールにおいて、熱伝導性が良好な材質
からなるベース10上にサーミスタ６を固着してサーミス
タアセンブリ12とし、該サーミスタアセンブリ12を上記
キャリア４に固着したものである。
図に示すように、半導体レーザチップ２と共にキャリア
４上に設けられたサーミスタ６の抵抗値を検出して、該
抵抗値が一定になるように、上記キャリア４に接触して
いるペルチェ素子８の駆動電流を制御するようにした半
導体レーザモジュールにおいて、熱伝導性が良好な材質
からなるベース10上にサーミスタ６を固着してサーミス
タアセンブリ12とし、該サーミスタアセンブリ12を上記
キャリア４に固着したものである。
本発明の半導体レーザモジュールの製造方法は、その
フローチャートを第２図に示すように、半導体レーザチ
ップ２と共にキャリア４上に設けられたサーミスタ６の
抵抗値を検出して、該抵抗値が一定になるように、上記
キャリア４に接触しているペルチェ素子８の駆動電流を
制御するようにした半導体レーザモジュールの製造方法
において、サーミスタ６を熱伝導性が良好なベース10上
に第１ろう材により固着してサーミスタアセンブリ12と
する第１ステップ14と、半導体レーザチップ２をキャリ
ア４上に第２ろう材により固着する第２ステップ16と、
該キャリア４の上記半導体レーザチップ２の近傍に、上
記第１ろう材及び第２ろう材の融点よりも低い融点を有
する第３ろう材により上記サーミスタアセンブリ12を固
着する第３ステップ18とを含んでなるものである。
フローチャートを第２図に示すように、半導体レーザチ
ップ２と共にキャリア４上に設けられたサーミスタ６の
抵抗値を検出して、該抵抗値が一定になるように、上記
キャリア４に接触しているペルチェ素子８の駆動電流を
制御するようにした半導体レーザモジュールの製造方法
において、サーミスタ６を熱伝導性が良好なベース10上
に第１ろう材により固着してサーミスタアセンブリ12と
する第１ステップ14と、半導体レーザチップ２をキャリ
ア４上に第２ろう材により固着する第２ステップ16と、
該キャリア４の上記半導体レーザチップ２の近傍に、上
記第１ろう材及び第２ろう材の融点よりも低い融点を有
する第３ろう材により上記サーミスタアセンブリ12を固
着する第３ステップ18とを含んでなるものである。
作用 従来構成においては、半導体レーザチップ及びサーミ
スタは例えばAu/Sn半田によりキャリアに固着されてい
たので、上記半田を再溶融させてサーミスタのみを取り
除くことができないということは前述した通りである。
ここで、サーミスタのみの取り外しを可能にするため
に、サーミスタの固着に供される半田を低融点半田にす
ることが提供され得るが、この場合、サーミスタの表面
に形成されている接合用の金が低融点半田に拡散してい
わゆる食われが生じるので、サーミスタを良好に固着す
ることができない。これに対して、本発明の構成による
と、サーミスタをベース上に固着してサーミスタアセン
ブリとし、このサーミスタアセンブリをキャリアに固着
するようにしているので、例えばベースへのサーミスタ
の固着にAu/Sn半田を用い、サーミスタアセンブリのキ
ャリアへの固着に通常の共晶半田を用いることによっ
て、上述の不都合を生じさせることなしに、例えば、Au
/Sn半田にて固着されている半導体レーザチップはその
ままにしてサーミスタアセンブリのみを取り外してこれ
を交換することができるようになる。即ち、本発明方法
によると、サーミスタをベース上に第１ろう材により固
着してサーミスタアセンブリとし、一方、半導体レーザ
チップをキャリア上に第２ろう材により固着し、その
後、キャリアの半導体レーザチップの近傍に第３ろう材
（融点は第１ろう材及び第２ろう材の融点よりも低い）
によりサーミスタアセンブリを固着するようにしている
ので、半導体レーザーチップ及びサーミスタが搭載され
た後に、第３ろう材の融点よりも高く、且つ第１及び第
２ろう材の融点よりも低い温度にモジュールを加熱する
ことによって、サーミスタアセンブリのみを取り外して
これを交換することができる。このように本発明による
と製造歩留りを向上させるのに適した半導体レーザモジ
ュールの提供が可能になる。尚、熱伝導性が良好な材質
からなるベースを用いているのは、ベースに大きな温度
勾配が生じて半導体レーザチップの温度を正確に検知す
ることができなくなることを防止するためである。
スタは例えばAu/Sn半田によりキャリアに固着されてい
たので、上記半田を再溶融させてサーミスタのみを取り
除くことができないということは前述した通りである。
ここで、サーミスタのみの取り外しを可能にするため
に、サーミスタの固着に供される半田を低融点半田にす
ることが提供され得るが、この場合、サーミスタの表面
に形成されている接合用の金が低融点半田に拡散してい
わゆる食われが生じるので、サーミスタを良好に固着す
ることができない。これに対して、本発明の構成による
と、サーミスタをベース上に固着してサーミスタアセン
ブリとし、このサーミスタアセンブリをキャリアに固着
するようにしているので、例えばベースへのサーミスタ
の固着にAu/Sn半田を用い、サーミスタアセンブリのキ
ャリアへの固着に通常の共晶半田を用いることによっ
て、上述の不都合を生じさせることなしに、例えば、Au
/Sn半田にて固着されている半導体レーザチップはその
ままにしてサーミスタアセンブリのみを取り外してこれ
を交換することができるようになる。即ち、本発明方法
によると、サーミスタをベース上に第１ろう材により固
着してサーミスタアセンブリとし、一方、半導体レーザ
チップをキャリア上に第２ろう材により固着し、その
後、キャリアの半導体レーザチップの近傍に第３ろう材
（融点は第１ろう材及び第２ろう材の融点よりも低い）
によりサーミスタアセンブリを固着するようにしている
ので、半導体レーザーチップ及びサーミスタが搭載され
た後に、第３ろう材の融点よりも高く、且つ第１及び第
２ろう材の融点よりも低い温度にモジュールを加熱する
ことによって、サーミスタアセンブリのみを取り外して
これを交換することができる。このように本発明による
と製造歩留りを向上させるのに適した半導体レーザモジ
ュールの提供が可能になる。尚、熱伝導性が良好な材質
からなるベースを用いているのは、ベースに大きな温度
勾配が生じて半導体レーザチップの温度を正確に検知す
ることができなくなることを防止するためである。
実 施 例 以下本発明の実施例を説明する。尚、全図を通じて実
質的に同一の部分には同一の符号を付してある。
質的に同一の部分には同一の符号を付してある。
第３図は本発明の実施に使用する半導体レーザモジュ
ール（LDモジュール）の破断斜視図である。このLDモジ
ュールは、基板22上に固定された半導体レーザアセンブ
リ（LDアセンブリ）24と、光アイソレータ26と、ファイ
バアセンブリ28とを一体にして構成されている。
ール（LDモジュール）の破断斜視図である。このLDモジ
ュールは、基板22上に固定された半導体レーザアセンブ
リ（LDアセンブリ）24と、光アイソレータ26と、ファイ
バアセンブリ28とを一体にして構成されている。
LDアセンブリ24において、30は半導体レーザチップ
（LDチップ）その他の構成部品が搭載されるステム、８
はステム30上に固定されたペルチェ素子、４はペルチェ
素子32上に固定された熱伝導性が良好な金属等からなる
キャリア、２はキャリア４上に固定されたLDチップ、38
はキャリア４に対して固定されLDチップ36から放射され
た光を概略コリメートするレンズ、40はLDチップ36の後
方出射光を受光するフォトダイオード、42はステム30に
固定された気密封止用のキャップ、44はキャップ42にお
けるLD出射光の通過部分を閉塞している透過窓、46はキ
ャップ42及びステム30により気密封止された部分が収容
されるフレームである。
（LDチップ）その他の構成部品が搭載されるステム、８
はステム30上に固定されたペルチェ素子、４はペルチェ
素子32上に固定された熱伝導性が良好な金属等からなる
キャリア、２はキャリア４上に固定されたLDチップ、38
はキャリア４に対して固定されLDチップ36から放射され
た光を概略コリメートするレンズ、40はLDチップ36の後
方出射光を受光するフォトダイオード、42はステム30に
固定された気密封止用のキャップ、44はキャップ42にお
けるLD出射光の通過部分を閉塞している透過窓、46はキ
ャップ42及びステム30により気密封止された部分が収容
されるフレームである。
光アイソレータ26においては、ルチル等の複屈折性結
晶からなるプリズム48と、YIG（イットリウム・鉄・ガ
ーネット）等の磁気光学結晶からなるファラデー回転子
50と、前記プリズムと同様のプリズム52とが光路上にこ
の順に配置されており、これらの周囲に設けられた永久
磁石54によってファラデー回転子50に対して光の進行方
向に所定の磁界が印加されている。プリズム48,52、フ
ァラデー回転子50及び永久磁石54はフレーム56内に適当
な手段によって固定されている。
晶からなるプリズム48と、YIG（イットリウム・鉄・ガ
ーネット）等の磁気光学結晶からなるファラデー回転子
50と、前記プリズムと同様のプリズム52とが光路上にこ
の順に配置されており、これらの周囲に設けられた永久
磁石54によってファラデー回転子50に対して光の進行方
向に所定の磁界が印加されている。プリズム48,52、フ
ァラデー回転子50及び永久磁石54はフレーム56内に適当
な手段によって固定されている。
ファイバアセンブリ28は、集束性ロッドレンズ等のレ
ンズ58が保持されるレンズホルダ60と、光ファイバ62が
保持されるファイバホルダ70とを一体にして構成されて
いる。72は光ファイバ62の一端に固定された光コネクタ
である。
ンズ58が保持されるレンズホルダ60と、光ファイバ62が
保持されるファイバホルダ70とを一体にして構成されて
いる。72は光ファイバ62の一端に固定された光コネクタ
である。
LDアセンブリ24の透過窓44から出射した光は、光アイ
ソレータ26を順方向に高い透過率で透過して、光ファイ
バ62に導き入れられて受信側に伝送される。一方、光コ
ネクタ72のファイバ端面等で不所望に生じた反射帰還元
は、光アイソレータ26において高い減衰率で除去され
て、LDアセンブリ24には殆ど戻らない。従って、LDチッ
プ36の安定動作を維持しつつこのLDチップ36について直
接変調を行うことができる。
ソレータ26を順方向に高い透過率で透過して、光ファイ
バ62に導き入れられて受信側に伝送される。一方、光コ
ネクタ72のファイバ端面等で不所望に生じた反射帰還元
は、光アイソレータ26において高い減衰率で除去され
て、LDアセンブリ24には殆ど戻らない。従って、LDチッ
プ36の安定動作を維持しつつこのLDチップ36について直
接変調を行うことができる。
第４図は本発明の第１実施例を示すLDアセンブリの主
要構成部の破断斜視図である。キャリア４におけるレン
ズ38に対応した位置には、LDチップ（第４図には図示せ
ず）が搭載されており、温度制御のためのサーミスタア
センブリ12はこのLDチップの近傍に半田付けによりキャ
リア４に固着されている。20はステム30に形成された孔
にガラス材等の絶縁体を介して立設された外部との接続
用の端子であり、この端子20は例えばコバールからな
る。この実施例では、サーミスタアセンブリにおけるサ
ーミスタ６と端子20は金からなるボンディングワイヤ74
により接続されている。
要構成部の破断斜視図である。キャリア４におけるレン
ズ38に対応した位置には、LDチップ（第４図には図示せ
ず）が搭載されており、温度制御のためのサーミスタア
センブリ12はこのLDチップの近傍に半田付けによりキャ
リア４に固着されている。20はステム30に形成された孔
にガラス材等の絶縁体を介して立設された外部との接続
用の端子であり、この端子20は例えばコバールからな
る。この実施例では、サーミスタアセンブリにおけるサ
ーミスタ６と端子20は金からなるボンディングワイヤ74
により接続されている。
第５図は本発明の第１実施例におけるサーミスタアセ
ンブリの説明図である。この実施例では、サーミスタ６
が固着されるベース10は金属からなる。金属の熱伝導性
は一般に比較的良好であり、また金属は良導体であるの
で、サーミスタとキャリア間に温度勾配が生じにくくし
かもサーミスタの一方の電極（例えば接地電極）につい
ての配線を省略することができる。具体的には、ベース
10は、サーミスタ６を固着する側に金メッキ78を施した
銅板76である。サーミスタ６は、サーミスタ６の図示し
ない金電極をAu/Sn半田により金メッキ78に接合するこ
とによりベース10上に固着される。銅板76及び金メッキ
78の熱伝導性はすこぶる良好であるから、この構成は本
発明の実施に適している。このサーミスタアセンブリ12
は、例えば、融点が183℃のPb/Sn共晶半田によりキャリ
ア４上に固着される。サーミスタアセンブリ12のキャリ
ア４への固着は、サーミスタ６をベース10に固着してア
センブリ化し、LDチップをキャリア４に搭載した後に行
われる。このようにしてモジュールを製造すると、サー
ミスタアセンブリ12及びLDチップをキャリアに搭載した
後にサーミスタ６の不良を発見したときに、キャリア４
を例えば200℃程度に加熱することによって、Pb/Sn共晶
半田のみを再溶融させてサーミスタアセンブリ12のみを
取り外すことができる。
ンブリの説明図である。この実施例では、サーミスタ６
が固着されるベース10は金属からなる。金属の熱伝導性
は一般に比較的良好であり、また金属は良導体であるの
で、サーミスタとキャリア間に温度勾配が生じにくくし
かもサーミスタの一方の電極（例えば接地電極）につい
ての配線を省略することができる。具体的には、ベース
10は、サーミスタ６を固着する側に金メッキ78を施した
銅板76である。サーミスタ６は、サーミスタ６の図示し
ない金電極をAu/Sn半田により金メッキ78に接合するこ
とによりベース10上に固着される。銅板76及び金メッキ
78の熱伝導性はすこぶる良好であるから、この構成は本
発明の実施に適している。このサーミスタアセンブリ12
は、例えば、融点が183℃のPb/Sn共晶半田によりキャリ
ア４上に固着される。サーミスタアセンブリ12のキャリ
ア４への固着は、サーミスタ６をベース10に固着してア
センブリ化し、LDチップをキャリア４に搭載した後に行
われる。このようにしてモジュールを製造すると、サー
ミスタアセンブリ12及びLDチップをキャリアに搭載した
後にサーミスタ６の不良を発見したときに、キャリア４
を例えば200℃程度に加熱することによって、Pb/Sn共晶
半田のみを再溶融させてサーミスタアセンブリ12のみを
取り外すことができる。
第６図は本発明の第２実施例を示すLDアセンブリの主
要構成部の破断斜視図、第７図はこの実施例におけるサ
ーミスタアセンブリの説明図である。この実施例では、
ベース10は、サーミスタ６が固着される金属ブロック80
と、金属ブロック80のサーミスタ６が固着される部分の
近傍に設けられた中継ブロック82とからなり、中継ブロ
ック82を経由してサーミスタ６と端子20とをワイヤボン
ディングしている。この構成によると、中継ブロック82
を経由してサーミスタ６と端子10とをワイヤボンディン
グしているので、モジュールの内部温度と外部温度が異
なる場合に、ボンディングワイヤ及び端子を介してのサ
ーミスタへの熱の流入及びサーミスタからの熱の流出が
生じにくい。従って、サーミスタの温度は常にLDチップ
及びキャリアの温度とほぼ等しくなるので、LDチップに
ついての高精度な温度制御の実現が可能になる。
要構成部の破断斜視図、第７図はこの実施例におけるサ
ーミスタアセンブリの説明図である。この実施例では、
ベース10は、サーミスタ６が固着される金属ブロック80
と、金属ブロック80のサーミスタ６が固着される部分の
近傍に設けられた中継ブロック82とからなり、中継ブロ
ック82を経由してサーミスタ６と端子20とをワイヤボン
ディングしている。この構成によると、中継ブロック82
を経由してサーミスタ６と端子10とをワイヤボンディン
グしているので、モジュールの内部温度と外部温度が異
なる場合に、ボンディングワイヤ及び端子を介してのサ
ーミスタへの熱の流入及びサーミスタからの熱の流出が
生じにくい。従って、サーミスタの温度は常にLDチップ
及びキャリアの温度とほぼ等しくなるので、LDチップに
ついての高精度な温度制御の実現が可能になる。
金属ブロック80は肉厚部86a及び肉薄部86bからなる銅
ブロック86の表面に金メッキ84を施してなり、サーミス
タ６は肉厚部86a上にAu/Sn半田により固着される。中継
ブロック82は、熱伝導性が良好な絶縁体（電気絶縁体）
88の表面及び裏面にそれぞれ金属膜90,92を形成してな
る。この中継ブロック82は肉薄部86b上にAu/Sn半田によ
り固着される。サーミスタ６と金属膜90はボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、金属膜90と端子20はもう１
本のボンディングワイヤ74Bにより接続される。金属膜9
0を金から形成しておくことによって、ワイヤボンディ
ングを容易に行い得る。熱伝導性が良好な絶縁体88とし
ては、ベリリアセラミックを用いることができる。ベリ
リアセラミックは加工性が良好であり、しかもベリリア
セラミック上への金属膜の形成も容易である。絶縁体88
の材質として熱伝導性が良好な材質を用いているのは、
端子20及びボンディングワイヤ74Bを介して中継ブロッ
ク82に流入した熱（外部温度が相対的に高い場合）をペ
ルチェ素子８に吸収させて、中継ブロック82に流入した
熱ボンディングワイヤ74Aを介してサーミスタ６に流入
することを防止するためである。
ブロック86の表面に金メッキ84を施してなり、サーミス
タ６は肉厚部86a上にAu/Sn半田により固着される。中継
ブロック82は、熱伝導性が良好な絶縁体（電気絶縁体）
88の表面及び裏面にそれぞれ金属膜90,92を形成してな
る。この中継ブロック82は肉薄部86b上にAu/Sn半田によ
り固着される。サーミスタ６と金属膜90はボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、金属膜90と端子20はもう１
本のボンディングワイヤ74Bにより接続される。金属膜9
0を金から形成しておくことによって、ワイヤボンディ
ングを容易に行い得る。熱伝導性が良好な絶縁体88とし
ては、ベリリアセラミックを用いることができる。ベリ
リアセラミックは加工性が良好であり、しかもベリリア
セラミック上への金属膜の形成も容易である。絶縁体88
の材質として熱伝導性が良好な材質を用いているのは、
端子20及びボンディングワイヤ74Bを介して中継ブロッ
ク82に流入した熱（外部温度が相対的に高い場合）をペ
ルチェ素子８に吸収させて、中継ブロック82に流入した
熱ボンディングワイヤ74Aを介してサーミスタ６に流入
することを防止するためである。
この実施例では、銅ブロックの肉厚部86aと中継ブロ
ック82の間に隙間が形成されている。この構成による
と、サーミスタ６をAu/Sn半田により金属ブロック80上
に固着するに際して、溶融した半田が中継ブロック82の
上面にまで到達しにくくなるので、金からなる金属膜90
の純度が確保され、ワイヤボンディングの不良が生じに
くい。尚、この実施例においても、サーミスタアセンブ
リはPb/Sn共晶半田によりキャリア４上に固着される。
ック82の間に隙間が形成されている。この構成による
と、サーミスタ６をAu/Sn半田により金属ブロック80上
に固着するに際して、溶融した半田が中継ブロック82の
上面にまで到達しにくくなるので、金からなる金属膜90
の純度が確保され、ワイヤボンディングの不良が生じに
くい。尚、この実施例においても、サーミスタアセンブ
リはPb/Sn共晶半田によりキャリア４上に固着される。
第８図は本発明の第３実施例におけるサーミスタアセ
ンブリの説明図である。金属ブロック80は、前実施例と
同様、少なくともサーミスタ６を固着する部分に金メッ
キ84を施した銅ブロック86であり、この銅ブロック86
は、サーミスタ６が固着される肉厚部86aと中継ブロッ
クが設けられる肉薄部86bとからなる。また、中継ブロ
ック82は、断熱性の第１絶縁体94及び熱伝導性が良好な
第２絶縁体96を第１絶縁体94がサーミスタ６側になるよ
うに銅ブロックの肉薄部86b上に固着し、第１絶縁体84
及び第２絶縁体86上に金からなる金属膜98を形成して構
成されている。サーミスタ６と金属膜98はボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、金属膜98と端子20はボンデ
ィングワイヤ74Bにより接続される。100,102はそれぞれ
第１絶縁体94及び第２絶縁体96を金属ブロック80上に固
着するための金属膜である。
ンブリの説明図である。金属ブロック80は、前実施例と
同様、少なくともサーミスタ６を固着する部分に金メッ
キ84を施した銅ブロック86であり、この銅ブロック86
は、サーミスタ６が固着される肉厚部86aと中継ブロッ
クが設けられる肉薄部86bとからなる。また、中継ブロ
ック82は、断熱性の第１絶縁体94及び熱伝導性が良好な
第２絶縁体96を第１絶縁体94がサーミスタ６側になるよ
うに銅ブロックの肉薄部86b上に固着し、第１絶縁体84
及び第２絶縁体86上に金からなる金属膜98を形成して構
成されている。サーミスタ６と金属膜98はボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、金属膜98と端子20はボンデ
ィングワイヤ74Bにより接続される。100,102はそれぞれ
第１絶縁体94及び第２絶縁体96を金属ブロック80上に固
着するための金属膜である。
この構成によると、サーミスタ６並びに第１及び第２
絶縁体94,96については金属ブロック80上にAu/Sn半田に
より固着することができ、金属ブロック80についてはPb
/Sn共晶半田によりキャリア４上に固着することができ
るので、このサーミスタアセンブリをキャリア４上に固
着した後にサーミスタ６に不良が生じたとしても、Au/S
n半田によりキャリア４に固着されるLDチップをそのま
まの状態にしてサーミスタアセンブリのみをキャリア４
から取り外すことができる。
絶縁体94,96については金属ブロック80上にAu/Sn半田に
より固着することができ、金属ブロック80についてはPb
/Sn共晶半田によりキャリア４上に固着することができ
るので、このサーミスタアセンブリをキャリア４上に固
着した後にサーミスタ６に不良が生じたとしても、Au/S
n半田によりキャリア４に固着されるLDチップをそのま
まの状態にしてサーミスタアセンブリのみをキャリア４
から取り外すことができる。
断熱性の第１絶縁体94の材質としてはアルミナセラミ
ックを用いることができ、熱伝導性が良好な第２絶縁体
96の材質としてはベリリアセラミックを用いることがで
きる。本実施例における第２絶縁体96を用いたことによ
る作用は前実施例において熱伝導性が良好な絶縁体を用
いたことによる作用と同様であるから説明を省略する。
本実施例では、第２絶縁体96と金属ブロックの肉厚部86
aの間にアルミナ等の断熱性を有する第１絶縁体94を設
け、金属膜98とサーミスタ６のワイヤボンディングを第
１絶縁体94上で行っているので、ボンディングワイヤ74
Aの長さを短くすることができ、ワイヤボンディングが
容易になる。また、第１絶縁体94は断熱性を有している
ので、例えばモジュール外部からボンディングワイヤ74
B及び第２絶縁体96を介して金属ブロック80及びキャリ
ア４に熱が流入するときに、この熱の流入によってサー
ミスタ６が温度変化しにくい。この作用は金属ブロック
の肉薄部86bの厚みが薄い場合に顕著である。この実施
例では、金属ブロック80の肉厚部の上面と第１絶縁体94
及び第２絶縁体96の上面とが概略同一平面上にあるの
で、金属膜98の形成が容易であり、しかもワイヤボンデ
ィングも容易である。
ックを用いることができ、熱伝導性が良好な第２絶縁体
96の材質としてはベリリアセラミックを用いることがで
きる。本実施例における第２絶縁体96を用いたことによ
る作用は前実施例において熱伝導性が良好な絶縁体を用
いたことによる作用と同様であるから説明を省略する。
本実施例では、第２絶縁体96と金属ブロックの肉厚部86
aの間にアルミナ等の断熱性を有する第１絶縁体94を設
け、金属膜98とサーミスタ６のワイヤボンディングを第
１絶縁体94上で行っているので、ボンディングワイヤ74
Aの長さを短くすることができ、ワイヤボンディングが
容易になる。また、第１絶縁体94は断熱性を有している
ので、例えばモジュール外部からボンディングワイヤ74
B及び第２絶縁体96を介して金属ブロック80及びキャリ
ア４に熱が流入するときに、この熱の流入によってサー
ミスタ６が温度変化しにくい。この作用は金属ブロック
の肉薄部86bの厚みが薄い場合に顕著である。この実施
例では、金属ブロック80の肉厚部の上面と第１絶縁体94
及び第２絶縁体96の上面とが概略同一平面上にあるの
で、金属膜98の形成が容易であり、しかもワイヤボンデ
ィングも容易である。
第９図は本発明の第４実施例（第３実施例の変形例）
におけるサーミスタアセンブリの説明図である。この例
では、金属ブロック80の肉厚部の上面と第１絶縁体94の
上面とは概略同一平面上にあり、第２絶縁体96は第１絶
縁体94よりも肉薄（例えば1mm以下）に形成されてい
る。この構成によると、例えば端子20及びボンディング
ワイヤ74Bを介して流入してきた熱が肉薄の第２絶縁体9
6を介して金属ブロック80及びキャリア４に極めて良好
に逃げ易くなる。
におけるサーミスタアセンブリの説明図である。この例
では、金属ブロック80の肉厚部の上面と第１絶縁体94の
上面とは概略同一平面上にあり、第２絶縁体96は第１絶
縁体94よりも肉薄（例えば1mm以下）に形成されてい
る。この構成によると、例えば端子20及びボンディング
ワイヤ74Bを介して流入してきた熱が肉薄の第２絶縁体9
6を介して金属ブロック80及びキャリア４に極めて良好
に逃げ易くなる。
第10図は本発明の第５実施例を示すLDアセンブリの主
要構成部の破断斜視図、第11図は同実施例におけるサー
ミスタアセンブリの説明図である。この例ではベース10
は、キャリア４に固着される側の底面とサーミスタ６が
固着される側の上面にそれぞれ第１金属膜104及び第２
金属膜106が形成された熱伝導性が良好な絶縁体108から
なる。第１金属膜104及び第２金属膜106はAu/Sn半田に
よる接合を可能ならしめるため、金から形成される。第
２金属膜106は第１金属膜104に導通する第１部分106Aと
第１金属膜104に導通しない第２部分106Bとに分離して
おり、サーミスタ６は第１部分106A上に固着されてい
る。また、サーミスタ６と第２部分106Bはボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、第２部分106Bと端子10はボ
ンディングワイヤ74Bにより接続されている。
要構成部の破断斜視図、第11図は同実施例におけるサー
ミスタアセンブリの説明図である。この例ではベース10
は、キャリア４に固着される側の底面とサーミスタ６が
固着される側の上面にそれぞれ第１金属膜104及び第２
金属膜106が形成された熱伝導性が良好な絶縁体108から
なる。第１金属膜104及び第２金属膜106はAu/Sn半田に
よる接合を可能ならしめるため、金から形成される。第
２金属膜106は第１金属膜104に導通する第１部分106Aと
第１金属膜104に導通しない第２部分106Bとに分離して
おり、サーミスタ６は第１部分106A上に固着されてい
る。また、サーミスタ６と第２部分106Bはボンディング
ワイヤ74Aにより接続され、第２部分106Bと端子10はボ
ンディングワイヤ74Bにより接続されている。
この構成によると、熱伝導性が良好な絶縁体108を用
いているので、その上面に固着されるサーミスタ６と絶
縁体108が固着されるキャリア４との間に温度勾配が生
じにくく、従ってキャリア４上に固着されるLDチップの
温度をサーミスタ６により極めて正確に検知することが
できる。また、モジュール外部からボンディングワイヤ
74Bを介して流入してきた熱は、絶縁体108を介してキャ
リア４に逃げ易く、従って、LDチップについて正確な温
度制御が可能になる。
いているので、その上面に固着されるサーミスタ６と絶
縁体108が固着されるキャリア４との間に温度勾配が生
じにくく、従ってキャリア４上に固着されるLDチップの
温度をサーミスタ６により極めて正確に検知することが
できる。また、モジュール外部からボンディングワイヤ
74Bを介して流入してきた熱は、絶縁体108を介してキャ
リア４に逃げ易く、従って、LDチップについて正確な温
度制御が可能になる。
第12図は本発明の第６実施例（第５実施例の変形例）
におけるサーミスタアセンブリの説明図である。この例
では、絶縁体108における第２金属膜の第１部分106Aが
形成されている部分は第２部分106Bが形成されている部
分よりも肉薄に形成されている。この構成によると、サ
ーミスタ６を第１部分106A上にAu/Sn半田により固着す
るに際して、この半田が第２部分106Bにまで流れ出にく
くなり、第２部分106B上においては良好なワイヤボンデ
ィングが可能になる。
におけるサーミスタアセンブリの説明図である。この例
では、絶縁体108における第２金属膜の第１部分106Aが
形成されている部分は第２部分106Bが形成されている部
分よりも肉薄に形成されている。この構成によると、サ
ーミスタ６を第１部分106A上にAu/Sn半田により固着す
るに際して、この半田が第２部分106Bにまで流れ出にく
くなり、第２部分106B上においては良好なワイヤボンデ
ィングが可能になる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によると、サーミスタア
センブリ及びLDチップをキャリア上に搭載した後に、サ
ーミスタアセンブリのみを取り外すことができるので、
LDチップが無駄にならず、モジュールの製造歩留りが向
上するようになるという効果を奏する。また、本発明に
おける特定の態様によると、端子及びボンディングワイ
ヤを介してのサーミスタからモジュール外部への熱の流
出あるいはモジュール外部からサーミスタへの熱の流入
を極力防止することができるので、サーミスタの温度は
LDチップの温度に追従して変化するようになり、従っ
て、LDチップについて高精度な温度制御が可能になると
いう効果もある。
センブリ及びLDチップをキャリア上に搭載した後に、サ
ーミスタアセンブリのみを取り外すことができるので、
LDチップが無駄にならず、モジュールの製造歩留りが向
上するようになるという効果を奏する。また、本発明に
おける特定の態様によると、端子及びボンディングワイ
ヤを介してのサーミスタからモジュール外部への熱の流
出あるいはモジュール外部からサーミスタへの熱の流入
を極力防止することができるので、サーミスタの温度は
LDチップの温度に追従して変化するようになり、従っ
て、LDチップについて高精度な温度制御が可能になると
いう効果もある。
第１図は本発明の半導体レーザモジュールの構成図、 第２図は本発明の半導体レーザモジュールの製造方法の
フローチャート、 第３図は本発明の実施に使用するLDモジュールの破断斜
視図、 第４図は本発明の第１実施例を示すLDアセンブリの主要
構成部の破断斜視図、 第５図は本発明の第１実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第６図は本発明の第２実施例におけるLDアセンブリの主
要構成部の破断斜視図、 第７図は本発明の第２実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第８図は本発明の第３実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第９図は本発明の第４実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第10図は本発明の第５実施例を示すLDアセンブリの主要
構成部の破断斜視図、 第11図は本発明の第５実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第12図は本発明の第６実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第13図は従来技術の説明図、 第14図は外部温度に依存してＩ−Ｌ特性が変化する様子
を示す図である。 ２……半導体レーザチップ、 ４……キャリア、 ６……サーミスタ、 ８……ペルチェ素子、 10……ベース、 12……サーミスタアセンブリ。
フローチャート、 第３図は本発明の実施に使用するLDモジュールの破断斜
視図、 第４図は本発明の第１実施例を示すLDアセンブリの主要
構成部の破断斜視図、 第５図は本発明の第１実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第６図は本発明の第２実施例におけるLDアセンブリの主
要構成部の破断斜視図、 第７図は本発明の第２実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第８図は本発明の第３実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第９図は本発明の第４実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第10図は本発明の第５実施例を示すLDアセンブリの主要
構成部の破断斜視図、 第11図は本発明の第５実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第12図は本発明の第６実施例におけるサーミスタアセン
ブリの説明図、 第13図は従来技術の説明図、 第14図は外部温度に依存してＩ−Ｌ特性が変化する様子
を示す図である。 ２……半導体レーザチップ、 ４……キャリア、 ６……サーミスタ、 ８……ペルチェ素子、 10……ベース、 12……サーミスタアセンブリ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−23583（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−318275（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−75394（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−106768（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (12)
- 【請求項１】半導体レーザチップと共にキャリア上に設
けられたサーミスタの抵抗値を検出して、該抵抗値が一
定になるように、上記キャリアに接触しているペルチェ
素子の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモジ
ュールにおいて、 熱伝導性が良好な材質からなるベース上にサーミスタを
固着してサーミスタアセンブリとし、 該サーミスタアセンブリを上記キャリアに固着し、 上記ベースを上記サーミスタが固着される金属ブロック
と該金属ブロックの上記サーミスタが固着される部分の
近傍に設けられた中継ブロックとから構成し、該中継ブ
ロックを経由して上記サーミスタと該サーミスタの外部
回路への接続用の端子とをワイヤボンディングしたこと
を特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項２】上記金属ブロックは少なくとも上記サーミ
スタを固着する部分に金メッキを施してなる銅ブロック
であり、上記中継ブロックは熱伝導性が良好な絶縁体上
に金属膜を形成してなることを特徴とする請求項１に記
載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】上記金属ブロックは上記サーミスタが固着
される肉厚部と上記中継ブロックが設けられる肉薄部と
からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項４】上記肉厚部と上記中継ブロックの間に隙間
が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半
導体レーザモジュール。 - 【請求項５】上記金属ブロックは少なくとも上記サーミ
スタを固着する部分に金メッキを施した銅ブロックであ
り、上記中継ブロックは断熱性が良好な第１絶縁体及び
熱伝導性が良好な第２絶縁体を該第１絶縁体が上記サー
ミスタ側になるように上記銅ブロック上に固着し該第１
絶縁体及び第２絶縁体上に金属膜を形成したなることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項６】上記金属ブロックは上記サーミスタが固着
される肉厚部と上記中継ブロックが設けられる肉薄部と
からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体レー
ザモジュール。 - 【請求項７】上記金属ブロックの上記サーミスタが固着
される面と上記第１絶縁体及び第２絶縁体の上記金属膜
が形成される面は概略同一平面上にあることを特徴とす
る請求項６に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項８】上記金属ブロックの上記サーミスタが固着
される面と上記第１絶縁体の上記金属膜が形成される面
は概略同一平面上にあり、上記第２絶縁体は上記第１絶
縁体よりも肉薄に形成されていることを特徴とする請求
項６に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項９】半導体レーザチップと共にキャリア上に設
けられたサーミスタの抵抗値を検出して、該抵抗値が一
定になるように、上記キャリアに接触しているペルチェ
素子の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモジ
ュールにおいて、 熱伝導性が良好な材質からなるベース上にサーミスタを
固着してサーミスタアセンブリとし、 該サーミスタアセンブリを上記キャリアに固着し、 上記ベースを、上記キャリアに固着される側の底面と上
記サーミスタが固着される側の上面にそれぞれ第１金属
膜及び第２金属膜が形成された絶縁体から構成し、 上記第２金属膜を上記第１金属膜に導通する第１部分と
上記第１金属膜に導通しない第２部分とに分離したこと
を特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項１０】上記サーミスタは上記第１部分上に固着
され、上記第２部分を経由して上記サーミスタと該サー
ミスタの外部回路への接続用の端子とをワイヤボンディ
ングしたことを特徴とする請求項９に記載の半導体レー
ザモジュール。 - 【請求項１１】上記絶縁体における上記第１部分が形成
されている部分は上記第２部分が形成されている部分よ
りも肉薄に形成されていることを特徴とする請求項10に
記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項１２】半導体レーザチップと共にキャリア上に
設けられたサーミスタの抵抗値を検出して、該抵抗値が
一定になるように、上記キャリアに接触しているペルチ
ェ素子の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモ
ジュールの製造方法において、 サーミスタを熱伝導性が良好なベース上に第１ろう材に
より固着してサーミスタアセンブリとする第１ステップ
と、 半導体レーザチップをキャリア上に第２ろう材により固
着する第２ステップと、 該キャリアの上記半導体レーザチップの近傍に、上記第
１ろう材及び第２ろう材の融点よりも低い融点を有する
第３ろう材により上記サーミスタアセンブリを固着する
第３ステップとを含んでなることを特徴とする半導体レ
ーザモジュールの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251829A JP2959678B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法 |
| US07/763,703 US5214660A (en) | 1990-09-25 | 1991-09-23 | Laser diode module and method for fabricating the same |
| EP91116209A EP0477841B1 (en) | 1990-09-25 | 1991-09-24 | Laser diode module and method for fabricating the same |
| DE69116783T DE69116783T2 (de) | 1990-09-25 | 1991-09-24 | Laserdiodenmodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251829A JP2959678B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132286A JPH04132286A (ja) | 1992-05-06 |
| JP2959678B2 true JP2959678B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17228545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2251829A Expired - Lifetime JP2959678B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214660A (ja) |
| EP (1) | EP0477841B1 (ja) |
| JP (1) | JP2959678B2 (ja) |
| DE (1) | DE69116783T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7352010B2 (en) | 2004-03-19 | 2008-04-01 | Hitachi Cable, Ltd. | Photoelectric conversion module with cooling function |
Families Citing this family (15)
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|---|---|---|---|---|
| JP2763980B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 光半導体モジュール |
| BE1006983A3 (nl) * | 1993-04-06 | 1995-02-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Opto-electronische inrichting met een koppeling tussen een opto-electronische component, in het bijzonder een halfgeleiderdiodelaser, en een optische glasvezel en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke inrichting. |
| WO1995016216A1 (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Jds Fitel Inc. | Optical non-reciprocal devices |
| US5522225A (en) * | 1994-12-19 | 1996-06-04 | Xerox Corporation | Thermoelectric cooler and temperature sensor subassembly with improved temperature control |
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| DE19617552A1 (de) * | 1996-05-02 | 1997-11-06 | Heidelberger Druckmasch Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Temperatur in einer mit Laserlicht arbeitenden Druckplatten-Beschriftungseinheit, insbesondere einer Offset-Druckmaschine |
| US5740191A (en) * | 1996-07-13 | 1998-04-14 | Lucent Technologies Inc. | Wide temperature range uncooled lightwave transmitter having a heated laser |
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| JPH10200208A (ja) | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Nec Corp | 半導体レーザーモジュール |
| US20040069339A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-15 | Agere Systems Inc. | Thermoelectric cooler having first and second TEC elements with differing physical parameters |
| JP3775397B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2006-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 光送信モジュール |
| US7856038B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-emitting module installing thermo-electric controller |
| WO2017221441A1 (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 光通信デバイス |
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| JPS57102390A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-25 | Fuji Kagakushi Kogyo Co Ltd | Transfer textile printing heat sensitive recording medium |
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| JPS5877273A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
| JPS6052079A (ja) * | 1983-09-01 | 1985-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61234588A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
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| US5068865A (en) * | 1988-06-09 | 1991-11-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
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1990
- 1990-09-25 JP JP2251829A patent/JP2959678B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-23 US US07/763,703 patent/US5214660A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-24 DE DE69116783T patent/DE69116783T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-24 EP EP91116209A patent/EP0477841B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7352010B2 (en) | 2004-03-19 | 2008-04-01 | Hitachi Cable, Ltd. | Photoelectric conversion module with cooling function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0477841A2 (en) | 1992-04-01 |
| DE69116783D1 (de) | 1996-03-14 |
| JPH04132286A (ja) | 1992-05-06 |
| US5214660A (en) | 1993-05-25 |
| DE69116783T2 (de) | 1996-07-11 |
| EP0477841B1 (en) | 1996-01-31 |
| EP0477841A3 (en) | 1992-06-17 |
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