JPS5877273A - レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5877273A JPS5877273A JP56174574A JP17457481A JPS5877273A JP S5877273 A JPS5877273 A JP S5877273A JP 56174574 A JP56174574 A JP 56174574A JP 17457481 A JP17457481 A JP 17457481A JP S5877273 A JPS5877273 A JP S5877273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- submount
- chip
- stem
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーダイオードに関する。
レーザーダイオードは従来第１図に示すように。
銅のステム】の上面に半田（ソルダー）２を介してシリ
コンのサブマウント３を固定するとともに、このサブマ
ウント３上にＡｕ−８ｎソルダー４によってレーザーダ
イオードチップ（チップ）５を固着している。なお、矢
印はレーザー光６を水す。
コンのサブマウント３を固定するとともに、このサブマ
ウント３上にＡｕ−８ｎソルダー４によってレーザーダ
イオードチップ（チップ）５を固着している。なお、矢
印はレーザー光６を水す。
ところで、レーザーダイオードチップの歩留は現状では
低いことと、高価な銅で形作られるステムのコストが高
いことから、従来はチップ５を取り付けたサブマウント
３を評価用のステムに固定してチップ５の特性評価をし
、良品の場合には、。
低いことと、高価な銅で形作られるステムのコストが高
いことから、従来はチップ５を取り付けたサブマウント
３を評価用のステムに固定してチップ５の特性評価をし
、良品の場合には、。
サブマウント３を評価用のステムから外して所望のステ
ムに移し換える組立方式を採用している。
ムに移し換える組立方式を採用している。
このため、評価用のステムからサブマウント３を −
容易に取り外せることと、さらに、所望のステムにサブ
マウントを容易Ｋｌｉ！ｉｔ着できることから低融点の
半田２（融点１８３Ｃ）を用いている。
容易に取り外せることと、さらに、所望のステムにサブ
マウントを容易Ｋｌｉ！ｉｔ着できることから低融点の
半田２（融点１８３Ｃ）を用いている。
一方、サブマウント３にチップ５を固着するＡｕ−８ｎ
からなるソルダー４にあっては、ソルダー４中から徐々
にホイスカが成長し、これが最終的にはチップ５の端面
に這い上がり、シ田−ト不良を生じさせてしまう。この
ため、レーザーダイオードの保証寿命はたとえば１×１
０１１時間と短かかった。
からなるソルダー４にあっては、ソルダー４中から徐々
にホイスカが成長し、これが最終的にはチップ５の端面
に這い上がり、シ田−ト不良を生じさせてしまう。この
ため、レーザーダイオードの保証寿命はたとえば１×１
０１１時間と短かかった。
他方、本出願人はこの８ｎのホイスカ成長時間を遅くし
、保証寿命を長くするために、ソルダーをＡｕ−ａｎか
ら低融点のＰｂ−８ｎの半田に代えることを提案してい
る。この構造によれば、ホイスカの成長は遅くなり、保
証寿命も５Ｘ１０’時間と大幅に延ばすことができるよ
うになった。
、保証寿命を長くするために、ソルダーをＡｕ−ａｎか
ら低融点のＰｂ−８ｎの半田に代えることを提案してい
る。この構造によれば、ホイスカの成長は遅くなり、保
証寿命も５Ｘ１０’時間と大幅に延ばすことができるよ
うになった。
しかし、との構”造では、評価用のステムからすプマウ
ントを外して所望のステムにサブマウントを固着する際
、サブマウントをステムに固着する半田と、チップをサ
ブマウントに固着する半田との融点が同じであることか
ら、サブマウントの着脱時にチップを固定しているソル
ダーも溶け、チップのサブマウントに対する位置が変化
してしまう現象が生じ、組立精庫が低下して好ましくな
い。
ントを外して所望のステムにサブマウントを固着する際
、サブマウントをステムに固着する半田と、チップをサ
ブマウントに固着する半田との融点が同じであることか
ら、サブマウントの着脱時にチップを固定しているソル
ダーも溶け、チップのサブマウントに対する位置が変化
してしまう現象が生じ、組立精庫が低下して好ましくな
い。
したがって、本発明の目的は、ステムへのサブマウント
の加熱溶融による着脱時に、サブマウント上のチップの
位置が変化しない構造を提供することにより、組立精度
の向上を図ることにある。
の加熱溶融による着脱時に、サブマウント上のチップの
位置が変化しない構造を提供することにより、組立精度
の向上を図ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、ステムの上
面にＰｂ−８ｎ−Ｉｕソルダーを用いてサブマウントを
固着するとともに、このサブマウント上にＰｂ−８ｎソ
ルダーを用いてチップを固着してなるものであって、以
下実施例により本発明を説明する。
面にＰｂ−８ｎ−Ｉｕソルダーを用いてサブマウントを
固着するとともに、このサブマウント上にＰｂ−８ｎソ
ルダーを用いてチップを固着してなるものであって、以
下実施例により本発明を説明する。
第２図は本発明の一実施例によるレーザーダイオードの
要部を示す正面図である。レーザー光６を放出するレー
ザーダイオードチップ（チップ）５は８ｎのホイスカが
成長し難いＰｂ−８ｎからなるソルダー（Ｐｂ−８ｎソ
ルダー）４でサブマウント３に固着されている。サブマ
ウント３は銅のステム１の上面にＰｂ−８ｎ−Ｉｎから
なるソルダー（Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎソルダー）２で固着さ
れている。
要部を示す正面図である。レーザー光６を放出するレー
ザーダイオードチップ（チップ）５は８ｎのホイスカが
成長し難いＰｂ−８ｎからなるソルダー（Ｐｂ−８ｎソ
ルダー）４でサブマウント３に固着されている。サブマ
ウント３は銅のステム１の上面にＰｂ−８ｎ−Ｉｎから
なるソルダー（Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎソルダー）２で固着さ
れている。
前記Ｐｂ−８ｎソルダー４はＰｂが４０５Ａ、８ｎが６
０％（重置比）の低融点（融点１８３ｔｌｌ’）のソル
ダーとなっている。また、前記Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎソルダ
ー２はＰｂが３８％、８ｎが５２％、Ｉｎが１０％（重
量比）の成分となり、融点は１６４Ｃと前記Ｐｂ−８ｎ
ソルダー４よりも約２０Ｃと低い。
０％（重置比）の低融点（融点１８３ｔｌｌ’）のソル
ダーとなっている。また、前記Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎソルダ
ー２はＰｂが３８％、８ｎが５２％、Ｉｎが１０％（重
量比）の成分となり、融点は１６４Ｃと前記Ｐｂ−８ｎ
ソルダー４よりも約２０Ｃと低い。
このようなレーサーダイオードはステム１とサブマウン
ト３を接合するソルダー２よりも、チップ５とサブマウ
ント３を接合するソルダー４はその融点が低いことから
、サブマウント３をステムｌに加熱溶融によって取り付
けたり、外したりする際、この着脱時の熱ではチップ５
をサブマウント３に取り付けるソルダー４は溶融しない
。このため、サブマウント３の着脱時にチップ５が移動
したりすることはなく、高い組立精度を維持できること
になる。
ト３を接合するソルダー２よりも、チップ５とサブマウ
ント３を接合するソルダー４はその融点が低いことから
、サブマウント３をステムｌに加熱溶融によって取り付
けたり、外したりする際、この着脱時の熱ではチップ５
をサブマウント３に取り付けるソルダー４は溶融しない
。このため、サブマウント３の着脱時にチップ５が移動
したりすることはなく、高い組立精度を維持できること
になる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。また、サブ
マウントとステムとを接合するソルダーは他の接着剤や
ソルダーでもよく、下記の要件を満たすならば、金属以
外の導電性接合剤でもよい。
マウントとステムとを接合するソルダーは他の接着剤や
ソルダーでもよく、下記の要件を満たすならば、金属以
外の導電性接合剤でもよい。
（１）チップで発生する熱をステムに伝導させる必要が
あることから、熱伝導度が高い必要がある。
あることから、熱伝導度が高い必要がある。
（２）ステムをチップの電極とする必要がある場合には
電気伝導度も高いことが必要である。
電気伝導度も高いことが必要である。
（３）接合性が高い必要がある。
（４） サブマウントはステムへの脱着を繰り返すこ
とから、繰り返し使用が可能である必要がある。
とから、繰り返し使用が可能である必要がある。
（５）融点はチップとサブマウントとを接合するソルダ
ーの融点よりも低い必要があり、この差は作業の余裕度
をも考えられるだけの差が必要である。
ーの融点よりも低い必要があり、この差は作業の余裕度
をも考えられるだけの差が必要である。
以上のように、本発明によれば、常にサブマウント上の
チップは高い取付精度を維持することができる。
チップは高い取付精度を維持することができる。
第１図は従来のレーザーダイ・オードの要部を示す正面
図、第２図は本発明の一実施例によるレーザーダイオー
ドの要部を示す正面図である。 １・・・ステム、２・・・半田、３・・・サブマウント
、４・・・ソルダー、５・・・チップ、６・・・レーザ
ー光。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 第 １ 図 第 ２ １
図、第２図は本発明の一実施例によるレーザーダイオー
ドの要部を示す正面図である。 １・・・ステム、２・・・半田、３・・・サブマウント
、４・・・ソルダー、５・・・チップ、６・・・レーザ
ー光。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 第 １ 図 第 ２ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ステムの上面にＰｂ−８ｎ−Ｉｎソルダーを用い【
サブマウントを固着するとともに、このサブマウント上
にＰｂ−５ｎソルダーを用いてチップを固着してなるこ
とを特徴とするレーザーダイオード、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174574A JPS5877273A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174574A JPS5877273A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877273A true JPS5877273A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15980935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174574A Pending JPS5877273A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877273A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60102751A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
| JPS60102750A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用導電性接着フイルム |
| JPS60106471A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | 住友ゴム工業株式会社 | テニスボ−ル用コア |
| US4888760A (en) * | 1985-07-29 | 1989-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US5214660A (en) * | 1990-09-25 | 1993-05-25 | Fujitsu Limited | Laser diode module and method for fabricating the same |
| JP2002335032A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sony Corp | 光学装置およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914104A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-07 | ||
| JPS50120773A (ja) * | 1974-03-08 | 1975-09-22 | ||
| JPS5546565A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56174574A patent/JPS5877273A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914104A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-07 | ||
| JPS50120773A (ja) * | 1974-03-08 | 1975-09-22 | ||
| JPS5546565A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60102751A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
| JPS60102750A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用導電性接着フイルム |
| JPS60106471A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | 住友ゴム工業株式会社 | テニスボ−ル用コア |
| US4888760A (en) * | 1985-07-29 | 1989-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US4987566A (en) * | 1985-07-29 | 1991-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US5214660A (en) * | 1990-09-25 | 1993-05-25 | Fujitsu Limited | Laser diode module and method for fabricating the same |
| JP2002335032A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sony Corp | 光学装置およびその製造方法 |
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