JPS5891692A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS5891692A
JPS5891692A JP56189334A JP18933481A JPS5891692A JP S5891692 A JPS5891692 A JP S5891692A JP 56189334 A JP56189334 A JP 56189334A JP 18933481 A JP18933481 A JP 18933481A JP S5891692 A JPS5891692 A JP S5891692A
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JP
Japan
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thickness
semiconductor laser
mount
sub
die
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JP56189334A
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English (en)
Inventor
Nobu Satou
佐藤　「あ」
Mitsuhiro Mori
森　光廣
Masayoshi Kobayashi
正義 小林
Hiroshi Kato
弘 加藤
Masamichi Kobayashi
正道 小林
Makoto Haneda
誠 羽田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は化合物半導体レーザに係り、特に歪に敏感なＧ
ａＡｔＡ３可視半導体レーザの実装方法に関する。
従来の半導体レーザは、Ｃｕサブマウント（ヒートン／
りとも称している）又はＳｉサブマウント上にＩｎソル
ダ又はＡｎ−８ｎソルダ等を介して発光素子部がダイボ
ンデングさｎていたので、ＣＬＩを用い危場合には、歪
が大きい、Ｓｉを用いた場合には熱抵抗が大きい欠点が
めった。
本発明の目的は、信頼性の高い、つまり寿命の長いレー
ザｔ−提供することにある。
ｔＬａｈｔｈｓ／ａａｈｓ　可視レーサノ信頼性に悪影
響する要因として、レーザチップにかかる歪がある。Ｑ
ａＡＳと熱膨張係数が近接し、かつ熱伝導率の大きい金
属としてＭＯ或いはＷをサブマウントとして用いること
で、歪を低減し高信頼度化を図示すもので％　　ＧａＡ
ｓに対して、電気的良導体の金属としてはＭｏ２次にＷ
が近い膨張係数を持っていることが分る。加えて熱伝導
率はＣｕには劣るものの、Ｓｉとはほぼ同等である。又
、化合物半導体の場合、第１表に掲げた材料以外でも、
各係数等は大同小異の値を有しており、ｍ　　ｖ挨化合
物半導体になる半導体レーザに本発明を適用可能でるる
。
第　　　１　　　表 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。Ｇａ
ＡｔＡｌ／ＧａＡｌダブルへテロ型可視半導体Ｖ　　ｆ
ｉ＆！％Ｇａｏ、ａｓ　Ａ４．ｔｓＡ’より成る厚さ約
０．１５μｍ０幅２μｍキャビティ長３００μｍの活性
層２を待ち、Ｎ側電極３、を上方に、Ｐ側電極４を下方
に（サブマウント側に）シソダイボングさ牡ている。サ
ブマウントは、大！！１１．Ｏｘ１．０■冨、厚さ０．
２諺のＭＯ（モリブデン）５に、ＫはＮｉ９．　Ａｕｘ
ｏをそｎぞし０．４　ｐ　ｍ　。
０．３６μｍの厚さに蒸着法により被着してるる。
実装に当っては、予め半導体レーザチップ１とＭＯサブ
マウ／ト５をダイボンデング装置上で位置合せしておき
、レーザチップにｌＯＨの荷重をかけた状態で、Ｈ２ガ
ス２ｔ／―を流した還元性雰囲気のもとで、２３０Ｃに
約ｌ　Ｑ　Ｓｅｃ間加熱加熱その後徐冷して、Ｐｂ−８
ｎ　（４０：　６０ンソルダによるダイボンデングを行
なった。
以上の如く、組立た可視レーザダイオードの歪発性の状
態に関して、１）赤外光弾性法による異状透過光の観察
、２）２Ｘ２ｍ”のダミーチップを用いたダイン／デン
ジ後の反りの曲率半径を干渉顕微鏡による測る方法、０
２つの方法で観察した。その結果、第２表に示す如く、
従来のＣｕや５ｉｔ−サブマウントとして用いた場合に
比較して１）、２）いすｎの方法から見ても半導体レー
ザチップにかかる歪が、ＭＯの場合に極めて小さいこと
が分った。
第　　２　　表、 Ｃｕに■ｎソルダを用９た場合もかなり歪が少ないこと
も分った。しかしｉｎソルダの場合は、１）Ｉｎが極め
、て酸化しやすい。２）エレクトロマイグレーションを
起し易い、３）Ａｕとの反応でＡｕ−１ｎの合金化反応
を生じ易い、などの欠点がめり、信頼度を重視し九場合
は実用上の観点から、一点がめった。
また、実際の寿命テストを、周囲温度７０Ｃ１元出力５
ｍＷの加速寿命試験を行なったところ１約１０ケの平均
寿命時間の比較で、Ｃｕ、　Ｓｉ。
Ｗ、ＭＯの順序で良くなった。ＭＯを用いた場合、７０
Ｃで５３００時間、２０Ｃ換算（温度加速の活性化エネ
ルギｏ、　ｓ　ｅ　ｖ　）で２Ｘ１０”時間の平均寿命
時間が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、半導体レーザの実装断面図を示す。 １・・・半導体レーザ、２・・・活性層、５・・・ＭＯ
（又はＷ）サブマウント、８・・・ソルダー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ＭＯ又はＷより成るヒートシンク（サブマウント）
    上２千尋体レーザ発元素子部を設置したことを特徴とす
    る半導体レーザ装置。 ２、前記半導体レーザ発光素子部はｐｂ−８ｎソルダを
    介して前記ヒートシンク上に設置したことを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
JP56189334A 1981-11-27 1981-11-27 半導体レ−ザ装置 Pending JPS5891692A (ja)

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