JPS60102751A - 半導体素子固定用接着フイルム - Google Patents

半導体素子固定用接着フイルム

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JPS60102751A
JPS60102751A JP58212653A JP21265383A JPS60102751A JP S60102751 A JPS60102751 A JP S60102751A JP 58212653 A JP58212653 A JP 58212653A JP 21265383 A JP21265383 A JP 21265383A JP S60102751 A JPS60102751 A JP S60102751A
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JP
Japan
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adhesive film
melting point
film
semiconductor element
heat
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JP58212653A
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English (en)
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Akiko Ono
小野　彰子
Hideto Suzuki
秀人 鈴木
Kazuo Iko
伊香　和夫
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体素子をステムやリードフレームの如き
基板上に固定するためのいわゆるタイボンディング用接
着フィルムに関する。
ダイボンディングとはステムやリードフレームの如き半
導体基板に半導体素子を接着固定することであり、従来
この接着固定のためのダイボンディング用材料として、
基板と素子との間の電気的な接続機能を兼ね備えたＡｕ
−５ｉ共晶や導電性銀ペースト組成物が知られている。
上記Ａｕ−５ｉ共品とは基板上に予めＡｕメッキを施し
この上に半導体素子としてのシリコンチップを高温下で
圧着してＡｕ−８ｉ共晶合金からなる金属接着層を形成
するものであり、また導電性銀ペースト組成物はエポキ
シ樹脂やポリイミド系樹脂の前駆体の溶液に導電性材料
としての銀粉を混練してペースト化しこれを基板と素子
との間に介装塗着したのち加熱硬化させるものである。
しかるに、半導体素子のなかにはＭＯ５ＩＣ，ＬＳＩ。
ＣＣＤ、バイポーラＩＣ，ＳＯ８などのように、サブ電
極を半導体素子上のポンディングパッドより引き出すこ
とができ、半導体素子の裏面のメタライゼーション（基
板−１−に素子裏面を電気的に接続すること）が不要な
半導体素子もある。かかる素子に前記従来の接着材料を
適用することは、高価なＡｕ　、Ａｇを必要とすること
から経済的に不利である。
一方、導電性釦ペースト組成物にあっては、銀粉のバイ
ンダとしてエポキシ樹脂やポリイミド系樹脂の前駆体を
用いているため、本来その硬化に長時間を要しＡｕ−５
ｉ共品に比しダイボンディングの作業性に劣る欠点があ
るほか、特にエポキシ樹脂では高温での耐湿特注に欠は
素子の配線パターンが経時的に腐食する欠点があった。
また、この種のペースト組成物では基板上に均一厚みに
塗工しにくく、これが半導体素子を傾斜させる原因とな
ってワイヤボンティングに支障をきたしたり素子に不均
一な歪みを生じさせる欠点もあった。
これらの欠点はいずれもバインダ樹脂の特性および液状
（ペースト状）塗工方式を採用していることに基づくも
のであるため、前記した裏面のメタライゼーションが不
要な半導体素子に対して上記従来の銀ペースト組成物を
そのまま適用した場合は当然のこと、仮にこの組成物の
代りに銀粉を全（含まないエポキシ樹脂およびポリイミ
ド系樹脂の前駆体の溶液そのものをダイボンディング用
材料として用いたときでも、前記同様の欠点を免れない
。
この発明者らは、以−１−の観点から、裏面のメタライ
ゼーションが不要な半導体素子に対して好適なダイボン
ディング用材料を探究するべ（鋭意検討した結果、耐熱
性フィルムの両面に熱可塑性樹脂を融着剤として塗工し
てなる接着フイルム力月−記材料としてきわめて有用で
あることを知り、これを特願昭５８−１．１１２８６号
としてすでに提案している。
この接着フィルムによれば、このフィルムを介して基板
と半導体素子とを熱圧着することにより、上記フィルム
の融着剤の熱融着性によって瞬時のうちにダイボンディ
ングすることができ、従来のエポキシ樹脂やポリイミド
系樹脂の前ｌｖ体の如き熱硬化性樹脂を用いたものに較
べてダイボンディングの作業性を大ｄ］に改善すること
ができる。
しかも、Ａｕ−５ｉ共品や銀ペースト組成物のような高
価なＡｕ　、Ａｇを使用しないものであるため半導体装
置のコスト低減に寄与できる。
また、上記フィルムによれば従来のエポキシ樹脂を用い
た銀ペースト組成物の如き耐湿特性の低下をきたすおそ
れはない。特に融着剤としてフッ素系ポリマーを用いる
と上記耐湿特性の大ｒｌコな向」二を期待できる。
さらに、この種のフィルムによるダイボンディングでは
、従来のペースト状物の塗工方式にみられたような接着
層厚の不均一化をきたすおそれがないため、引き続（ワ
イヤボンディングに支障をきたしたり半導体素子に不均
一な歪みを生じさせる問題をもたず、この点からも高信
頼性の半導体装置を得ることができる。
以上のように、この接着フィルムによれば、生産性およ
び経済性良好にして高信頼性の半導体装置を得ることが
できる。
ところが、上記接着フィルムは、シリコンウェハーから
切り取られた半導体素子の大きさに合わせて切り取って
使用するものである。これに対して、上記のような接着
フィルムをあらかじめシリコンウェハーの裏面に接着さ
せて接着フィルム付きウェハーとし、これを切り取って
接着フィルム付き半導体素子とすることができればさら
に生産性および経済性の良好な半導体装置を得ることが
できる。
しかしながら、すでに提案している上記接着フィルムで
は、耐熱性フィルムの両面に塗工する熱可塑性樹脂の融
点の差についてはなんら規定しておらず、通常は同じ融
点の熱可塑性樹脂を使用するため、前記のようにあらか
じめ接着フィルム付キウエハーとすることはできない。
そこでこの発明者らは、以上の観点から、上記接着フィ
ルムを改良してさらに好適なダイボンディング用材料を
探究すべく鋭意検討した結果この発明をなすに至った。
すなわち、この発明は、耐熱性フィルムの両面に融点の
異なる熱可塑性樹脂を塗工してなる半導体素子固定用接
着フィルムに係るものである。
この接着フィルムによれば、すてに提案している接着フ
ィルムの利点を有するのみならす、融点の低い方の熱可
塑性樹脂を介してこの接着フィルムをシリコンウェハー
の裏面にあらかじめ融着させて接着フィルム付きウェハ
ーとすることができ、このウェハーをフルカットでスク
ライビングして接着フィルム付き半導体素子とし、この
半導体素子を融点の高い方の熱可塑性樹脂を介してステ
ムやリードフレームなとにダイボンディングすることが
できるので、ダイボンディングの作業性を大巾に改善す
ることができる。
以下、この発明を図面を参考にして説明する。
第１図はこの発明の半導体素子固定用接着フィルムの断
面図を示したものであり、この接着フィルム１は、ポリ
イミドフィルムやポリテトラフルオロエチレンフィルム
などの耐熱性フィルム２とこのフィルム２の両面に溶液
塗工ないし溶融塗工により塗工された互いに融点の異な
る熱可塑性樹脂からなる融着剤３，３′とから構成され
ている。
−１−記耐熱性フイルム２は通常上記熱可塑性樹脂の融
着温度以上の耐熱性を有している。一方、上記熱可塑性
樹脂としては融点が１７０〜３２０°Ｃの範囲にあり、
一方の熱可塑性樹脂の融点が他方の熱可塑性樹脂の融点
より１５°Ｃ以上高く、かつ両方の樹脂の熱分解温度が
融点の高い方の樹脂の融点より３０℃以」−高いもので
あることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂の融点が低すぎるものでは半導体装置
としての耐熱性に問題を生じやすく、また高くなりすき
るとダイボンディング時に高温を要し、いずれも好まし
くない。また、融点の異なる熱可塑性樹脂の融点が差が
小さすぎると、低融点側の熱可塑性樹脂を介して前記の
接着フィルムをシリコンウェハー裏面に融着させるとき
に高融点側の樹脂に粘着性がでてごみなどが付着するた
め好ましくない。さらに、高融点側の樹脂の融点といず
れか一方あるいは両方の樹脂の熱分解温度との差が小さ
すぎると、高融点側の樹脂を融着剤としてダイボンディ
ングする際に熱可塑性樹脂が熱分解するため好ましくな
い。
また、上記熱可塑性樹脂としてはフッ素系ポリマーが好
ましく、場合によりポリエステル、ナイロン６・６、ポ
リパラフエニレンサルファイドなどの融点カ月７０〜３
２０°Ｃである他の熱可塑性樹脂を使用してもよい。
上記フッ素系ポリマーとしてはフッ素含有量が通常２０
重量％以」二、好ましくは５０〜７６重量％のものが用
いられる。特に、パーフルオロアルケンないしパーフル
オロビニルエーテルのホモポリマーまたはコポリマーが
好適であり、その代表例としてはテトラフルオロエチレ
ン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（以下、ＦＥＰ
という）、構造式；＋ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ（
ＯＲｆ）兎（ただし、式中Ｒｆは炭素数７以下、好まし
くは１〜３のフッ化アルキル基を意味する）で表わされ
るテトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテ
ル共重合体（以下、ＰＦＡという）を挙げることができ
る。上記ＰＦＡの市販品としてはダイキン工業社製商品
名ネオフロンＰＦＡ、デュポン社製商品名テフロンＰＦ
Ａなどがある。
その他の上記フッ素系ポリマーとして、上記構造式で表
わされるＰＦＡのフッ素の一部が水素に置換されたもの
や、ポリクロロトリフルオロエチレンＣ以下、ＰＣＴＦ
Ｅという）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合
体（以下、ＥＴＦＥという）、エチレン−クロルトリフ
ルオロエチレン共重合体（以下、ＥＣＴＦＥという）な
ども使用可能である。
これらのフッ素系ポリマーは常温では非接着性であるが
融点以上に加熱すると金属などに対して容易に融着する
性質を有しているとともに、溶融時ノポリマーの流れが
少ないという特徴を有している。
接着フィルム１の厚みとしては、一般に７〜１５０戸、
好適には２０〜１１０ｐであり、このうち耐熱性フィル
ム２の厚みが５〜９０Ｐや好ましくは１０〜７０／”で
、このフィルム２の両面に塗工される前記熱可塑性樹脂
からなる融着剤のそれぞれの厚みが１〜３０１”、好適
には５〜２０声である。
以下にこの発明の半導体素子固定用接着フィルムを使用
して半導体装置を得る方法について図をもとに説明する
。
第２図は接着フィルム付きウェハーの一例を示したもの
で、耐熱性フィルム２の両面に融点の異なる熱可塑性樹
脂からなる融着剤３．３′が塗工されてなる半導体素子
固定用接着フィルム１を融着剤３′より融点の低い融着
剤３を用いてシリコンウェハー４に接着させてなる接着
フィルム付きウェハー５である。
第３図および第４図はこの接着フィルム付きウェハー５
をフルカットでスクライビングして得られた接着フィル
ム付き半導体素子５′をダイボンディングしてなる半導
体装置の一例を示したもので、４′は半導体基板として
のリードフレーム６ａ上に前記フィルム１の冒融点側の
樹脂を含む融着剤３が溶融軟化する温度下で加熱圧着す
ることによってダイボンディングつまり接着固定された
半導体素子、７，７は上記素子４′上に形成された電極
８．８と他のリードフレーム６ｂ、６ｃとを接続したボ
ンディングワイヤ、９は上記各構成要素を一体に包囲し
た封止樹脂である。
このようにこの発明の半導体素子固定用接着フィルムに
よれば、あらかじめこの接着フィルムをシリコンウェハ
ー裏面に融着させて接着フィルム付きウェハーとするこ
とができ、これを所定の大きさにスクライビングするこ
とにより得られる接着フィルム付き半導体素子を半導体
基板上にダイボンティングできる。このため既に提案し
た半導体素子固定用接着フィルムのように接着フィルム
を半導体素子の大きさに合わせて切り取る工程を必要と
せず作業性が大巾に改善される。
以下にこの発明の実施例を記載してより具体的に説明す
る。
実施例１〜５ 厚さ２０／”のカプトンフィルム（ポリイミドフィルム
）の両面に下記の第１表に示す互いに融点の異なる熱可
塑性樹脂をそれぞれ１０声厚に溶融塗工してこの発明の
半導体素子固定用接着フィルムを得た。
得られた接着フィルムをシリコンウェハーの裏面に上記
熱可塑性樹脂のうち融点の低い方の樹脂を融着剤として
それぞれ下記の第１表に示す温度（融着温度Ａ）のホッ
トプレート」二でロールを用いて融着させ接着フィルム
付きウェハーを得た。
得られた接着フィルム付きウェハーをスクライビングし
てそれぞれ３　ｍｍ　Ｘ　３　ｍｍの大きさの接着フィ
ルム付き半導体素子を得た。
次にこれらの接着フィルム付き半導体素子をリードフレ
ーム材質である４２アロイ板上に接着フィルムの融点の
高い方の樹脂を介してそれぞれ下記の第１表に示す温度
（融着温度Ｂ）、５Ｋｇ／７゜５秒の条件で加熱圧着し
た。接着後室温まで冷却し、プッシュプルゲージを用い
てそれぞれの剪断接着力を測定しようとしたが、いずれ
も接着強度が大きく素子が破壊した。さらに、下記の第
１表に示す測定温度でそれぞれの剪断接着力を測定した
ところ、下記の第１表に示すような接着力を示し、いず
れもワイヤボンディング時に必要な接着力以上の値であ
った。
第　１　表 （×）ＰＶｄＦはポリフッ化ビニリデンを、ＰＥＴはポ
リエチレンテレフタレートを、ＰＰＳはポリパラフェニ
レンサルファイドを示す。
つぎに、上記実施例１〜５で得られた接着フィルムを用
いてアルミ腐食性測定用のモデル素子を上記同様にして
１６ピンＤＩＰのリードフレームにダイポンティングし
、所定のりイヤホンディンクを行い、さらにに１東電気
ｆ業株式会社製のエポ」・シ成形材料Ｍ　Ｉ）　−１，
０で成形刺止して半導体装置をつくった３、この装置に
つき、１４３°Ｃ，４気圧。
９５％ＲＨ、］　０ボルトバイアスのプレッシャークツ
カーバイアステストを行った。結果は後記の第２表に示
されるきおりであった。。
比較例１ ４２アロイ板に金メッキを施し、これにシリコンチップ
を３５０°Ｃ、５Ｋｇ／ｃｄ、５秒の条件で圧着してＡ
ｕ−５ｉ共品合金を形成して接着Ｉ７た。２００°Ｃの
剪断接介力を測定したところ、チップが破填した。また
、１６ピンＩ）　Ｉ　Ｐのリードフレームの必要部分を
金メッキし、これにアルミ腐食測定用のモデル素子をＡ
ｕ−５ｉ共品合金の形成にてダイボンディングし、以下
実施例１〜５と同様にしてプレッシャークツカーバイア
ステストを行った。結果は後記の第２表に併記されると
おりであった。
比較例２ 市販のエポキシ系銀ペースト組成物を用い、これを４２
アロイ板」二に塗工したのちこの上にシリコンチップを
のせ、１８０°Ｃ，１時間の条件で硬化させて上記チッ
プを」−記４２アロイ板に接着した。２００°Ｃでの剪
断接着力を測定したところ、２０に＋？１０７と充分な
接着強度を有していた。つぎに、アルミ腐食測定用モデ
ル素子を上記銀ペースト組成物を用いて１８０°Ｃ，１
時間の硬化条件で１６ピンＤＩＰのリードフレーム」二
にダイボンディングし、以下実施例１〜５と同様にして
プレッシャークツカーバイアステストを行った。結果は
、下記の第２表に併記されるとおりであった。
比較例３ 熱可塑性樹脂としてＥＣＴＦＥ（融点２４５°Ｃ２熱分
解温度３３０°Ｃ）とポリテトラフルオロエチレン（融
点３２７℃）を用いて実施例と同様にして半導体素子固
定用接着フィルムを得た。
この接着フィルムをシリコンウェハーの裏面にＥＣＴＦ
Ｅを融着剤として２９０°Ｃのホットプレート上でロー
ルを用いて融着させ接着フィルム付きウェハーを得た。
この接着フィルム付きウェハーをスクライビングして得
た３　ｍｍ　Ｘ　３　ｍｍの大きさの接着フィルム付き
半導体素子を４２アロイ板上にＰＴＦＥを融着剤として
３５０　’Ｃ、５Ｋｙ／ｉ　、　５秒の条件で加熱圧着
した。接着後室温まで冷却し、プッシュプルゲージを用
いて剪断接着力を測定しようとしたところ、半導体素子
と接着フィルムとの間で容易に剥離した。
第　２　表 上記の結果から明らかなように、この発明の接着フィル
ムによれば、作業性きわめて良好にして従来もつとも信
頼性の高いといわれているＡｕ−５ｉ共品合金による接
着方式を採用したものに比し遜色のない良好な耐湿信頼
性を有する半導体装置が得られるものであることがわか
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体素子固定用接着フィルム、第
２図は上記フィルムを接着して得られた接着フィルム付
きウェハー、第３図は上記フィルムを用いて作製した半
導体装置の一例を示す断面図、第４図は同平面図である
。 ２　・耐熱性フィルム、３，３′・熱可塑性樹脂からな
る融着剤。 特許出願人　日東電気工業株式会社

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）耐熱性フィルムの両面に融点の異なる熱可塑性樹
    脂を融着剤として塗工してなる半導体素子固定用接着フ
    ィルム。
  2. （２）熱可塑性樹脂の融点が１７０〜３２０°Ｃであり
    、一方の熱可塑性樹脂の融点が他方の熱可塑性樹脂の融
    点より１５°Ｃ以上高く、かつ両方の樹脂の熱分解温度
    が融点の高い方の樹脂の融点より３０°Ｃ以上高い特許
    請求の範囲第（１項記載の半導体素子固定用接着フィル
    ム。
  3. （３）熱可塑性樹脂がフッ素系ポリマーである特許請求
    の範囲第（１）項または第（２）項記載の半導体素子固
    定用接着フィルム。
  4. （４）フッ素系ポリマーがパーフルオロアルケンないし
    パーフルオロビニルエーテルのホモポリマーまたはコポ
    リマーからなる特許請求の範囲第（３）項記載の半導体
    素子固定用接着フィルム。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01169934A (ja) * 1987-02-09 1989-07-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0685157A (ja) * 1992-01-15 1994-03-25 Advanced Micro Devices Inc 多層リードフレームアセンブリを作る方法および多層集積回路ダイパッケージ
US6111308A (en) * 1991-06-05 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
JP2006520404A (ja) * 2003-01-06 2006-09-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー フルオロポリマーシーラント

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55137180A (en) * 1979-04-11 1980-10-25 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Adhesion by using a filmy adhesive
JPS5542326B1 (ja) * 1969-03-03 1980-10-30
JPS5645060A (en) * 1979-09-21 1981-04-24 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5877273A (ja) * 1981-11-02 1983-05-10 Hitachi Ltd レ−ザ−ダイオ−ド

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5542326B1 (ja) * 1969-03-03 1980-10-30
JPS55137180A (en) * 1979-04-11 1980-10-25 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Adhesion by using a filmy adhesive
JPS5645060A (en) * 1979-09-21 1981-04-24 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5877273A (ja) * 1981-11-02 1983-05-10 Hitachi Ltd レ−ザ−ダイオ−ド

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01169934A (ja) * 1987-02-09 1989-07-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6111308A (en) * 1991-06-05 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
JPH0685157A (ja) * 1992-01-15 1994-03-25 Advanced Micro Devices Inc 多層リードフレームアセンブリを作る方法および多層集積回路ダイパッケージ
JP2006520404A (ja) * 2003-01-06 2006-09-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー フルオロポリマーシーラント

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